ITO技术发展
Applications and developments
of ITO glass
Peter Hsu
RD manager MDT
Sep 2002
Sep 2002Peter Hsu
contents
?1. Introductions to ITO
?2. Applications of ITO glass ?3. Principles of SiO2/ITO coating ?4. Production of ITO glass ?5. ITO coating for tomorrow
Sep 2002Peter Hsu
Introductions to ITO
?ITO Composition:In
2O
3
:SnO
2
(90/10)
?ITO target sputtered to glass to form thin film ITO glass
?Why ITO ?
–High transmission
–Low resistivity
–Easy patterning
–Environmental resistance
Sep 2002Peter Hsu
Applications of ITO glass Sep 2002Peter Hsu
Applications of ITO glass ?Display
Liquid Crystal Display (LCD)
Plasma Display Panel (PDP)
–Organic Electro Luminance (OEL)
–Field Emission Display (FED)
–Color Filter (CF)
–Touch Panel
?Low E glass
?Solar Cell
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TFT LCD structure
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TN/STN LCD structure
Sep 2002Peter Hsu
OLED structure
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OLED structure Sep 2002Peter Hsu
Touch panel structure---analog
resistive type
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Principles of SiO2/ITO coating Sep 2002Peter Hsu
Principles of SiO2/ITO coating
?1. SiO2 coating
–RF sputtering
–MF sputtering
?2. ITO coating
–DC Sputtering
–DC/RF sputtering
–Ion plating
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Sputtering of target material ?
Sep 2002Peter Hsu
DC/RF sputtering ?
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Benefits of DC/RF ITO
sputtering
?Lower resistance at low temp~200 degC –Necessary for coating color filter or polymer substrate ?Smooth surface
–Necessary for OLED application
?Improved target surface----less nodules ?Improved etching behavior---less etching time ?Lower film stress---less warp for thick film
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Ion plating ITO by Sumitomo Sep 2002Peter Hsu
View of IP plasma
Sep 2002Peter Hsu
ITO靶材在LCD
ITO靶材在LCD之應用與發展趨勢 金屬中心產業資訊與企劃組 張嘉仁 TEL:07-3513121 EXT 2332 一、前言 靶材為鍍膜的材料之一，在電子資訊產品上應用很廣，近年來隨著國內3C 產業的蓬勃發展，靶材逐漸受到重視。其中ITO靶是較特殊的材料，形成薄膜後，因為透明並具導電性，因此通常又稱為透明導電膜。ITO透明導電薄膜在顯示器及光電產品的應用上，扮演著關鍵的角色，且由於國內平面顯示器在全球已具舉足輕重的份量，因此無論是靶材業者或使用者，都非常關注ITO靶材的動向，其後續發展更是值得觀察的課題。 二、ITO靶材的應用 ITO是Indium Tin Oxide的簡稱，所謂ITO是指Indinum及Tin的氧化和合物，ITO靶要形成特性優良的薄膜，除須有精密的濺鍍設備及豐富的實務經驗外，也需有高密度且高穩定性的ITO靶材配合。ITO成膜後，因為透明又具導電性，所以又稱透明導電膜，也因為須具備導電性與透光性，因此品質要求上須低電阻與高透光率。 在LCD的應用上，如【圖1】，所示其可形成電極，與液晶電極構成正負極以驅動液晶分子旋轉，以呈現出不同的文字、圖案與畫面。目前，ITO透明導電膜，除應用在液晶顯示器面板外，尚可應用在許多產品上，如接觸感應面板(Touch Panel)、有機發光平面顯示面板(Organic ELD Panel)、電漿顯示面板(PDP Panel)、汽車防熱除霧玻璃、太陽能電池、光電轉換器、透明加熱器防靜電膜、紅外線反射裝置等。 圖1 ITO在TFT-LCD之應用 資料來源：IEK化材組/金屬中心 ITIS計畫整理 三、ITO靶材發展趨勢 LCD經過長時間的發展後，產品品質不斷提升，成本也不斷下降，相對的，對ITO靶材之要求也隨之提高，因此，配合LCD的發展，未來ITO靶材大致有
ito靶材的制备
ITO靶材 ITO靶材简介 ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是ITO薄膜制备的重要原料。ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO靶的理论密度为7115g/ cm3。优质的成品IT O靶应具有≥99%的相对密度。这样的靶材具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。目前质量最好的ITO溅射靶，具有≥99%相对密度。 靶材制备技术 日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的ITO 靶材早已投放市场，主要产家有德国Leybold （莱博德）公司、日本Tosoh（东曹）公司、日本Energy（能源公司）、日本SamITO（住友）公司以及韩国Samsung（三星）公司。国内生产靶材的公司主要有：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。 ITO靶材的制造技术 高性能的ITO靶材必须具备以下的性能：高密度，ITO靶材的理论密度为7.15g/cm3，商业产品相对密度至少要达98%以上，目前高端用途的产品密度在99。5%左右；高耐热冲击性；组织均一无偏析现象；微细均匀的晶粒大小；纯度达到99。99%。 目前ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定，其主要制备方法有热等静压法、真空热压法、常温烧结法、冷等静压法。 真空热压法
整复类手法的基本技术要求
一、整复类手法的基本技术要求 由于关节软组织的保护作用，特别是在病理状况，错缝关节周围的肌肉、韧带等软组织多呈痉挛、紧张状态，给手法操作带来一定难度，如果野蛮操作，也会因之造成危险。因此，为了保证手法的安全性和有效性，整复类手法的操作应符合稳、准、巧、快的基本技术要求。（一）稳 是对整复类手法安全性方面的要求，强调在施行手法整复时，首先要考虑到安全问题，它包括排除整复手法的禁忌症和具体手法的选择应用两个方面。就手法操作本身而言，应做到平稳自然、因势利导、避免生硬粗暴。一般来说，某一个关节可以通过多种手法来实现整复目的，可根据具体病情、患者适宜的体位，以及手法的特异性作用而选择安全性相对高的手法，不能过分依赖单一的扳法。此外，也不可一味追求手法整复时“咔哒”声的出现，它并不是判断手法整复成败的唯一标准。 （二）准 是对整复类手法有效性方面的要求，强调进行关节整复时，一定要有针对性。首先必须具有明确的手法应用指标，即明确诊断，做到手法与病症相合；其次，在手法操作过程中，定位要准确，如施行拔伸类手法时，通过变换拔伸力的方向和作用点，可以使应力更好地集中于要整复地关节部位，而在施行脊柱旋转扳法时，则可以通过改变脊柱屈伸和旋转的角度、以及手指的支点位置，使应力集中于需要整复的关节部位。 (三) 巧 是对整复类手法施力方面的要求，强调运用巧力，以柔克刚，即所谓“四两拨千斤”，不可使用蛮力、暴力。从力学角度分析,大多数整复类手法是运用了杠杆原理,因此,在施行关节整复类手法时,力的支点选择和力的组合运用十分重要,同时还要考虑到不同体位下的灵活变化,要尽可能地借患者自身之力以完成手法的操作,只有这样,才能符合“巧”的技术要求。正如《医宗金鉴.正骨心法要旨》所说：“一旦临证，机触于外，巧生于内，手随心转，法从手出”。 (四) 快 是对整复类手法发力方面的要求，强调发力时要疾发疾收。首先，需要对发力时机做出判断，它主要依靠手下的感觉，一般在关节活动到极限位置而又没有明显阻力的时候发力；其次，术者无论采用哪一个部位发力，一般都是运用自身机理的等长收缩方式进行，即所谓的“寸劲”，极少有形体和关节大幅度的运动;另外，需要对发力时间和力的大小进行控制，不能过大过小。 以上4个方面的技术要求应贯穿于每一个整复手法操作的全过程，只有这样，才能确保手法的安全性和有效性。 二．松解类手法的基本技术要求 松解类手法的种类较多，每一种手法都有其特定的技术要求，但一般认为均必须符合持久、有力、均匀、柔和的基本技术要求，从而达到深透的作用效果。 （一）持久 是指手法能够严格按照规定的技术要求和操作规范，持久操作足够时间而不变形，保持动作的连贯性。因为不少推拿手法在临床应用时，需要操作较长的时间才能取得预期的疗效，如果缺乏持久性，势必影响疗效。 （二）有力 是指手法必须具备一定力量、功力和技巧力。力量是基础，功力和技巧力需要通过功法训练和手法联系才能获得。在力的运用上须根据治疗对象、施治部位、病症虚实而灵活掌握。其基本原则是既保证治疗效果，又避免发生不良反应。 （三）均匀 一方面指手法的操作必须具有一定的节律性，不可时快时慢；另一方面指手法的作用力在一
ITO靶材背景资料
ITO靶材背景资料 用ITO陶瓷靶生产电子溅射ITO透明导电膜玻璃，是当今知识经济时代信息产业极为重要的电子陶瓷产品。目前，该产品只有德国、美国、日本等国家生产，比较著名的有德国LeyboldMaterials莱宝公司，而国内尚处于研究开发阶段，未形成产业。 1、利用ITO透明导电膜玻璃优良的透明导电性能和良好的加工工艺性能，已开始大量用于液晶显示器TFT、LCD、PLZT陶瓷反射显示器制造，用于笔记本电脑、壁挂电视机、移动通讯手机、计算器，各种图像及数码显示电子仪器等，产品可达到薄、轻、低、美的优良性能：薄如壁画；轻只有CRT显示器的几百分之一；低功耗、低电压；画面精美，特别作为CAD图形工作TFT显示器，线条显示明亮清晰，不伤视力，是任何高档CRT显示器所无法比拟的。 2、ITO透明导电膜玻璃作为面发热体，通电后可以除冰霜，用于飞机挡风玻璃、飞机眩窗、激光测距仪、潜望镜观察窗等，多年来已得到了广泛应用。 3、ITO透明导电膜玻璃正反面具有相反的红外线通过及反射性能，玻璃正面具有优良的红外线通过功能，衰减量极小，而反面又具有红外线阳挡反射作用，因而该玻璃具有优良的保温透光性能，已大量用于制造冷藏柜。 随着成本的降低，将可用于房屋节能：夏季时反面朝外，阻挡高热红外线射入，房间凉爽；冬季正面朝外，太阳红外线可照入房内，
房间节能温暖。 4、ITO透明导电膜玻璃对微波具有衰减作用，可达30db，用于需要电磁屏蔽的场所，如计算机机房、雷达屏蔽保护、家电微波炉视窗等。 5、ITO透明导电膜玻璃作为太阳能电池的重要组成部分及透明导电电极，已得到大量应用。 根据有关报道，2001年将大量生产液晶CRT，而且“南波”、“洛波”等大型玻璃产业公司将扩建上马ITO玻璃产品生产线。因此，专家分析ITO陶瓷靶在国内具有良好的产业前景。
农村低压电力网的基本技术要求
范围 本标准规定了农村低压电力网的差不多技术要求，适用于380V及以下农村电力网的设计、安装、运行及检修。对用电有专门要求的农村电力用户应执行其他相关标准。 各级电力治理部门从事农电的工作人员、电力企业从事农电的工作人员、农村电力网中用户单位的电气工作人员应熟悉并执行本标准。 2 引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被
修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GBl2527—1990 《额定电压1kV及以下架空绝缘电缆》 GBl3955—1992 《漏电爱护器安装和运行》 GB50173—1992 《电气装置安装工程 35kV及以下架空电力线路施工及验收规范》 GB4623—1994 《环形预应力混凝土电杆》 GB6829—1995 《剩余电流淌作爱护器的一般要求》 GB/T6915—1986 《高原电力电容器》 GB/T773—1993 《低压绝缘子瓷件技术条件》 GB/T1386.1—1997《低压电力线路绝缘子第1部分：低压架空电力线路绝缘子》 GB/T16934—1997 《电能计量柜》 GB/T6916—1997 《湿热带电力电容器》 GB/T1179一1999 《圆线同心绞架空导线》
GB/T17886.1—1999 《标称电压1kV及以下交流电力系统用非自愈式并联电容器，第一部分：总则—性能试验～安全要求—安装和运行导则》 GB/T11032—2000 《交流无间隙金属氧化物避雷器》 GBJ63—1990 《电力装置的电测量仪表装置设计规范》 GBJ149—1990 《电气装置安装工程母线装置施工及验收规范》 DL/T601—1996 《架空绝缘配电线路设计技术规程》 DL/T602—1996 《架空绝缘配电线路施工及验收规程》 JB2171—85 《额定电压450/750V及以下农用直埋铝芯塑料绝缘塑料护套电线》 JB7113—93 《低压并联电容器装置》 JB7115—93 《低压无功就地补偿装置》 中华人民共和国电力工业部第8号令《供电营业规则》1996年10月8日
超高密度ITO靶材制备--MMF法
三井金属公司过滤式成形模法 （Mitsui Membrane Filter MMF） ITO靶材工艺 1.ITO粉的制备 将氧化铟(In203)、氧化锡(SnO2)等原料粉末混合，煅烧产生In203母相及微细In2Sn3012粒子混合物。具有特定形状的微细In2Sn3012粒子，其特征（图1.1）从粒子之虚拟中心以放射线状形成针状突起的立体星形。In2Sn3012微细粒子的水平费雷特(Feret)直径的平均值以0.25μm以上为较佳，In2Sn3012微细粒子之圆形度系数的平均值以0.8为较佳，尤佳为0.73至0.49（图1.1.1）。成为IT0烧结体本身的体电阻值达1.35x 10-4Ω?cm以下、结瘤和打弧最少的溅镀靶材料。使用该ITO溅镀靶所获得一种物性参差较少的优异ITO膜，具有非晶质安定性、高温下优异的膜特性，可容易进行之后的蚀刻加工，减低蚀刻残渣量。 图1.1 微细粒子从水平方向的全像素数求出水平菲雷特直径的原理示意图 1.In2O3母相 2.微细粒子 3.粒界 4.化合物相 5.无微细粒子区 10.ITO烧结体 (源自JP2008063943 CN101578245A 烧结体及ITO溅射靶) 图1.2 ITO靶材SEM(30000倍)微细粒子照片 2. 素坯成形
将氧化铟氧化锡混合的原料粉末、离子交换水、5mm氧化锆球装入树脂制的罐中，球磨混合20小时；加入有机添加剂(聚羧酸系分散剂)混合1小时；1小时后添加适量蜡系粘结剂，球磨混合19小时。将所构成的磨浆(s1urry)注入到用以从陶瓷原料磨浆将水分减压排水以获得成形体的由非水溶性材料所构成的过滤式成形模，且将磨浆中的水分予以减压排水而制作成形体，并将此成形体进行干燥脱脂。 （源自ITO导电玻璃及相关透明导电膜之原理及应用台湾胜华科技股份有限公司黄敬佩20060607 PPT报告） 图1.3 三井膜过滤成型法（MMF）ITO靶材工艺示意图 平板成形模 凹凸性状成形模 1.浆料 2.上成型框 3.下成型框 4.过滤膜（湿式滤布） 5.填充材料 6.排水孔
高清视频会议基本技术要求
一、技术要求 第1.1节概述 MCU要求 1.1.1MCU应符合H.323和H.320标准及SIP协议，支持H.323 V4以上版本。 1.1.2MCU应采用整机一体化的体系结构，为保证系统的高度稳定性，MCU的操作系统必须 为嵌入式操作系统，MTBF不小于100000小时。 1.1.3MCU采用中文WEB管理界面，采用图形化控制界面。无需安装客户端软件，只需要 通过帐号就可以实现对于MCU会议管理及系统配置的所有操作。 1.1.4MCU支持高清晰分辨率，可支持30帧/秒的H.264 HD（1280×720）活动视频编码协 议。 1.1.5MCU具备H.264HD视频编码，同时支持H.263、H.263＋视频编码，H.263、H.264协 议的速率应达到2M。 1.1.6MCU能在同一个会议中接入标清(CIF、4CIF)及720P高清视频终端，不能降低高清 终端分辨率及声音及图像质量。 1.1.7MCU具备H.239高清(720P)双流协议，可以实现全网的双流会议，并且双流会议时 不降低会议容量。 1.1.8MCU支持终端以128Kbps/s－4Mbps/s速率接入，投标方应明确设备所支持的用户速 率范围。 1.1.9容量 1)考虑到系统可靠性、系统处理能力及今后的扩展性，MCU应至少具有24个2Mbps 速率以上终端的接入能力，能够同时召开多组会议。 1.1.10音频指标 1)投标方应说明支持的音频编码，语音编解码应符合ITU-T G.711、G.722、G.722.1 和 G.728等建议。支持MPEG-4 AAC/LC的宽频声音，如果有高于上述标准的编解 码技术请详细说明。 2)投标方需给出MCU会议中同时混音的数量。混音数量不能低于4方。 3)具有自动唇音同步，误差应不可察觉，音频视频相对延迟小于40ms。 4)多个会议同时召开的时候，各个会议的声音互不影响。 1.1.11视频指标 1)视频编码应支持H.263、H.263+、H.264建议，各编码速率要求达到4M。 2)图像分辨率：支持QCIF、CIF、4CIF,HD(720P)。 3)在图像带宽上，要求在384Kb/s速率时达到25帧CIF连续运动图像，512Mbp时达 到30帧/秒连续的DVD画质,在1Mbps以上带宽时达到30帧/秒连续的720P高清质
ITO靶材的综述
ITO靶材的研究现状与发展趋势 引言 近年来随着平面显示行业以及平板显示器尺寸大型化，性能优良化的高速发展，要求用于高端平面显示器的高密度靶材，具有生产低成本化、尺寸大形化、成分结构均匀化及高利用率的发展趋势。因为ITO靶材性能是决定TCO产品质量，生产效率，成品率的关键。TCO 生产厂商要求生产过程中能够稳定连续地生产出电阻和透过率均匀不波动的导电玻璃，这要求ITO靶性能既优良又稳定。 高端TFT- LCD用ITO靶材均来自日本的东曹、日立、住友、日本能源、三井，韩国三星康宁，美国优美克，德国的贺力士等公司。日本在高端ITO靶材生产技术方面一直处于领先地位，几乎垄断了大部分TFT液晶市场。然而，由于国内没有完全打破高密度ITO 靶材生产的技术瓶颈，靶材的产品质量无法满足高端平板显示器的要求，同时我国作为LCD 以及其它需要高密度ITO靶材的平面显示器材的消费大国，国内的平面显示器材所需的高密度ITO靶材几乎全部从国外进口，仅有小批量用于低端液晶产品的生产，难以与国外竞争。因此，对ITO靶材制备工艺的研究具有十分重要的意义。 ITO靶材简介 透明导电薄膜的种类很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能最佳，ITO 具有高的透光率，低电阻率。目前ITO的制备方法主要是磁控溅射，要获得高质量的ITO 薄膜，制备高密度、高纯度和高均匀性的ITO靶材是关键。ITO溅射靶的理论密度为7115g/cm3。优质的成品ITO溅射靶应具有≥99%的相对密度。这样的靶材才具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜。甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。 目前ITO靶材的制备方法主要有热压法、冷等静压-烧结法、热等静压法。其中热等静压法制备的ITO靶材的质量最高，其相对密度能达到99%以上，但是需要昂贵的设备，制备成本较高，周期较长。采用冷等静压-烧结法，烧结温度高，保温时间长，制备工艺复杂。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，粉末颗粒间放电，产生瞬间高温进行烧结。SPS 技术具有快速、低温、高效率等优点。能在很低的烧结温度下，保温很短的时间制备高密度的材料。 日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的ITO靶
GB15703隔爆型电机基本技术要求
GB15703-1995隔爆型电机基本技术要求 1 主题内容与适用范围 本标准规定了隔爆型电机型式和分类、技术要求、检验规则以及标志的要求。 本标准适用于各种用途的隔爆型电机。各种用途的隔爆型电机如有本标准未规定的附加要求时，应在该种电机的标准中作补充规定。 某些用途的隔爆型电机，如对本标准的条款有特殊要求时，应在该种电机的标准中作特殊规定。 本标准未作规定者应符合GB3836.2和GB755的规定。 2 引用标准 GB3836.1 爆炸性气体环境用防爆电气设备通用要求 GB3836.2 爆炸性气体环境用防爆电气设备隔爆型电气设备“d” GB3836.3 爆炸性气体环境用防爆电气设备增安型电气设备“e” GB755—87 旋转电机基本技术要求 GB4942.1—85 电机外壳防护分级 GB531—83 橡胶邵尔式A型硬度试验方法 GB1410—89 固体电工绝缘材料绝缘电阻体积电阻系数和表面电阻系数的试验方法GB2423.4—81 电工电子产品基本环境试验规程试验Db：交变湿热试验方法 GB 12351—90 热带型旋转电机环境技术要求 GB 11020—89 测定固体电气绝缘材料暴露在引燃源后燃烧性能的试验方法 GB 2900.25—82 电工名词术语电机 GB 2900.35—83 电工名词术语爆炸性环境用防爆电气设备 3 型式和分类 3．1 隔爆型电机类别、级别及温度组别 3．1．1 隔爆电机分为Ⅰ类和Ⅱ类 a．Ⅰ类：煤矿用电机； b．Ⅱ类：工厂用电机。 3．1．2 隔爆型电机的级别，对Ⅱ类隔爆型电机按其适用于爆炸气体混合物最大试验安全间隙分为A、B、C三级。 3．1．3 隔爆型电机的温度组别是根据电机允许最高表面温度而分组的。 a．Ⅰ类电机表面可能堆积粉尘时，允许最高表面温度为150℃；不会堆积或采取措施可防止堆积粉尘时，则允许最高表面温度为450℃。 b．Ⅱ类电机按其最高表面温度分为T1~T6六组，其各组允许最高表面温度见表1。 表1
常用技术要求
一、机械零件常用技术要求： 1、锐角倒钝、去除毛刺飞边。 2、零件去除氧化皮。 3、未注圆角半径R5。 4、未注倒角均为2×45°。 5、未注形状公差应符合GB1184-80的要求。 6、未注长度尺寸允许偏差±0.5mm。 7、零件加工表面上，不应有划痕、擦伤等损伤零件表面的缺陷。 8、精加工后的零件摆放时不得直接放在地面上，应采取必要的支撑、保护措施。加工面不允许有锈蛀和影响性能、寿命或外观的磕碰、划伤等缺陷。 9、加工的螺纹表面不允许有黑皮、磕碰、乱扣和毛刺等缺陷。 二、铸件技术要求： 1、铸件表面上不允许有冷隔、裂纹、缩孔和穿透性缺陷及严重的残缺类缺陷（如欠铸、机械损伤等）。 2、铸件应清理干净，不得有毛刺、飞边，非加工表面上的浇冒口应清理与铸件表面齐平。 3、对错型、凸台铸偏等应予以修正，达到圆滑过渡，一保证外观质量。 4、铸件非加工表面上的铸字和标志应清晰可辨，位置和字体应符合图样要求。 5、铸件非加工表面的粗糙度，砂型铸造R，不大于50μm。 6、铸件应清除浇冒口、飞刺等。非加工表面上的浇冒口残留量要铲平、磨光，达到表面质量要求。 7、铸件上的型砂、芯砂和芯骨应清除干净。 8、铸件有倾斜的部位、其尺寸公差带应沿倾斜面对称配置。 9、铸件上的型砂、芯砂、芯骨、多肉、粘沙等应铲磨平整，清理干净。 10、铸件公差带对称于毛坯铸件基本尺寸配置。 11、铸件非加工表面的皱褶，深度小于2mm，间距应大于100mm。 12、机器产品铸件的非加工表面均需喷丸处理或滚筒处理，达到清洁度Sa2 1/2级的要求。 13、经喷丸或手工除锈的待涂表面与涂底漆的时间间隔不得多于6h。 14、铸件表面应平整，浇口、毛刺、粘砂等应清除干净。 15、铸件不允许存在有损于使用的冷隔、裂纹、孔洞等铸造缺陷。 16、所有需要进行涂装的钢铁制件表面在涂漆前，必须将铁锈、氧化皮、油脂、灰尘、泥土、盐和污物等除去。 17、除锈前，先用有机溶剂、碱液、乳化剂、蒸汽等除去钢铁制件表面的油脂、污垢。 18、铸件必须进行水韧处理。 19、铆接件相互接触的表面，在连接前必须涂厚度为30～40μm防锈漆。搭接边缘应用油漆、腻子或粘接剂封闭。由于加工或焊接损坏的底漆，要重新涂装。 20、每个钢锭的水口、冒口应有足够的切除量，一以保证锻件无缩孔和严重的偏折。
烤漆件基本技术要求
烤漆件基本技术要求-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
烤漆的技术要求 一、烤漆的缺陷术语 1、缺漆：涂层表面存在局部漏漆现象 2、露底：涂层表面能够见到基体材料色泽的现象 3、脱落：涂层表面出现漆膜或涂层剥落的现象 4、生锈：涂层表面出现锈点锈斑现象 5、裂纹：涂层表面出现断裂纹路的现象 6、起泡：涂层表面出现鼓泡的现象 7、流痕：涂层表面出现流淌痕迹的现象 8、麻点：涂层表面因水油等异物影响，致使涂层不能均匀附着，产生抽缩形式泡疤，而 呈现凹坑的现象 9、针孔：漆膜表面呈现针状小孔的现象 10、杂漆（发花）：漆膜出现颜色不一致的现象 11、颗粒：漆膜表面附着颗粒状物质的现象 12、碰划伤：漆膜表面受外力碰伤而呈现划伤或剥离的现象 13、橘皮：漆膜表面呈现橘皮状纹路和现象 14、起皱：漆膜表面呈现凹凸不平且不规则线状折皱的现象 二、外观区域划分 1、主观面：正常状态下能直接看到的表面 2、非主观面：正常状态下不能直接看到的表面 3、隐蔽面：正常状态下其它零部件的装配接合面或被其它零部件遮挡或覆盖的表面 三、漆膜技术参数要求及检查方法 1、表面外观 A、不能有明显影响外观的如拉伤、缺料等坯件及打磨缺陷 B 2 漆膜颜色按公司指定的颜色进行封样后的样板，对比烤漆的相应颜色，要求无明显色差。用有效色板与工件重叠1/4面积，在自然光下与眼睛距离300mm成120°，色板要求每年更新一次。
3、漆膜附着力 A、漆膜附着力要求达到划格法1级，见表二： 方法：用刀片以20-50mm/s和的切割速度划切漆膜为1mmX1mm的小方格，划完后用小毛刷沿方格的对角线方向刷5次，然后用封口胶带沿45°方向贴附，从漆膜垂 直方向迅速撕离，再观察漆膜脱落现象。 B、特殊情况下，对格阵部位用胶带进行撒拉，胶带用力撒去后，要求无底漆脱落且面 4 试验方法：将样件清洗干净，除去油污，用剃须刀在有效面上刻出十字架形状的刻痕，刻至露出金属基体为止，用连续法按烤漆件48小时、喷塑件240小时进行标准盐 水喷雾试验，然后取出，水洗完毕后，在室内放置2小时，用12mm宽度透明胶 带或同类胶带，完全贴在十字架的印痕上，并快速撒下，检查沿刻痕单侧3mm 共计6mm以外的生成物，不能有气泡、掉漆、涂层软化，失光等现象。 5、漆膜硬度 A、普通漆层硬度达到中华绘图铅笔H以上。 B、高温漆层硬度达到中华绘图铅笔HB以上。 检查方法：手握指定硬度铅笔，与被测部位成45°角，以3mm/s的速度在同一位置用力推5次，擦掉铅笔笔迹后，查看有无明显划痕，无明显划痕即表示漆膜硬度大 于铅笔硬度，漆膜硬度合格。 6、漆膜厚度 A、漆膜的厚度要求为干膜总漆膜厚度，包括底漆、面漆、清漆的总漆膜厚度。 B、淋膜厚度要求：普通烤漆：50~80μm， 高温烤漆：30~50μm。 7、耐油性 A、放置在汽油中，浸泡12小时，无起泡、脱落，晾干后，硬度在HB以上。 B、未浸泡的烤漆件，用棉纱浸汽油水来回擦4次，不允许掉漆。
有关技术参数和施工基本要求(精)
有关技术参数和施工基本要求 附件1：主要设备技术规格和技术参数基本要求 1．空调主机设备基本要求：采用风冷螺杆式热泵机组；建议使用4台设备并联使用；单台制冷量407kw（不允许负偏差）；冷媒：R407C 或R134A；制冷、制热工况：冷水进／出水温度：12°／7°C，环境温度35°C；热水进／出水温度：40°C／45°C，环境温度7°C。 2．空调主机性能参数基本要求： 2.1运行环境温度要求：制冷时环境温度在15℃～+43℃, 制热时 环境温度在-15℃～+15℃。 2.2主要规格与要求： 压缩机部分： （1）．每台机组应有至少2台压缩机，以增大负荷调节幅度；压缩机采用国际知名品牌螺杆式压缩机，整机与压缩机品牌必须一致。（2）．压缩机内部采用压差回油，简化结构。 （4）．压缩机需有柜体保护，不能裸露在外。 （5）．电机冷却方式：制冷剂冷却。 （6）．压缩机驱动方式：直接驱动。 （7）．压缩机结构：半封闭或者全封闭式。 （8）标准工况下，压缩机COP值：≧3 机组部分：
（1）机组负载调节采用无级调节功能。 （2）机组的大修周期需在7年以上，以减少管理维修费用。 （3）水侧换热器采用壳管式热交换器并配有水侧过滤器，为知名品牌，空气侧热交换器采用倒M布置。 （4）机组必须配备如下保护装置：高压保护开关、低压保护开关、压缩机过热保护、冻结保护、过电流继电器（压缩机）、过电流继电器（风机）、欠相及反相保护、压缩机排气过热保护、可熔阀、安全阀。机组提供水泵连锁以及联动的接口，机组应采用智能除霜系统，须根据蒸发压力、室外温度、上次除霜时间、冷媒温度综合判断。机组提供水泵连锁以及联动的接口。可选配液晶遥控器对机组进行集中控制，除常规启停等基本操作外，还可实现水温设定、运转模式切换、除霜循坏设定。防冻保护措施及机组采取防护、防腐措施。 另可显示室外温度、水温设定温度、冷媒高低压压力、异常代码、吐出气体温度、出入口水温、集中控制状态等机组运行状况。 （5）说明机组零部件品牌、产地。招标方选择或推荐以下部件品牌： 3．空调主机降噪基本要求： 空调主机室外位置地处渝州宾馆和国宾上院小区附近，要求室外主机正常运行时噪音全天时段不得超过国家和重庆市的规定标准。若
ITO靶材制备
ITO靶材的制备及其性能研究 培养单位：材料复合新技术国家重点实验室 学科专业：复合材料学 研 究 生：郭 伟 指导老师：王为民 教 授 2009年5月
分类号 学校代码 10497 UDC 学号 104972060235 学 位 论 文 题 目 ITO 靶材的制备及其性能研究 英 文 题 目 Study on Fabrication of ITO Targets and Its properties 研究生姓名 郭 伟 姓 名 王为民 职称 教授 学位 博士 单位名称 材料复合新技术国家重点实验室 邮 编 430070 申请学位级别 硕 士 学科专业名称 复合材料学 论文提交日期 2009.5 论文答辩日期 2009.5 学位授予单位 武汉理工大学 学位授予日期 答辩委员会主席 评阅人 2009年5月 指导教师
独创性声明 本人声明，所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得武汉理工大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 签 名： 日 期： 学位论文使用授权书 本人完全了解武汉理工大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权武汉理工大学可以将本学位论文的全部内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存或汇编本学位论文。同时授权经武汉理工大学认可的国家有关机构或论文数据库使用或收录本学位论文，并向社会公众提供信息服务。 (保密的论文在解密后应遵守此规定) 研究生（签名）：导师（签名）：日期：
ITO靶材烧结工艺
ITO靶材烧结工艺 ITO（氧化铟锡）是制备ITO导电玻璃的重要原料。ITO 靶材经溅射后可在玻璃上形成透明ITO导电薄膜，其性能是决定导电玻璃产品质量、生产效率、成品率的关键因素。ITO 靶材性能的重要指标是成分、相结构和密度，ITO溅射靶材的 成分为In 2O 3 +SnO 2 ，氧化铟与氧化锡成分配比通常为90:10（质 量比），在ITO靶材的生产过程中必须严格控制化学氧含量及杂质含量，以确保靶材纯度。 ITO靶材制备流程 一、ITO靶材的成型工艺 制备出成分均匀、致密度较高的初坯，对经过低温热脱脂和烧结后工艺处理得到的靶材的致密度和电阻率有着重要的作用。目前在靶材成形方面常用的方法主要有：冷等静压成
形、注浆成形、爆炸压实成形、凝胶注模成形等。 二、ITO靶材的烧结工艺 经过成形工艺处理后的ITO素坯只是半成品，素坯需要进行进一步的烧结处理得到ITO靶材。 ITO靶材的烧结技术主要由以下几种：常压烧结法、热压法、热等静压法（HIP）、微波烧结法、放电等离子烧结法等。 三、常压烧结法 又称气氛烧结法，是指以预压方式制造高密度的靶材，在一定的气氛和温度下烧结的方法。由于对气氛和温度分别进行了严格的控制，避免了晶粒的长大，提高了晶粒分布的均匀性。 特点：该法具备生产成本低、靶材密度高、可制备大尺寸靶材等优点。但是，常压烧结法一般通过添加烧结助剂进行烧结，而烧结助剂难以彻底去除，而且在烧结过程中靶材容易断裂，因此该法对其生产工艺提出了较高的技术要求。日本企业就是以其成熟的常压烧结法作为主要技术，生产的靶材具有高性能 四、热等静压法 其原理是在高压氩气的氛围下，将粉体材料置入具有高温高压的容器中，粉体在均匀压力的作用下形成密度非常高的靶材。
常用技术要求
机械, 大全, 技术, 设计 技术要求(冲压件) 1.锐边去毛刺,冲压切口粗糙度6.3. 2.冲件表面氧化处理:H.Y.或(表面镀锌钝彩 3.未注公差尺寸的极限偏差按GB/T 1804-92 m级. 技术要求(铸件) 1.铸件不得有气孔、夹渣、裂纹等缺陷. 2.未注明铸造斜度为1~2.5%%d.; 3.铸造公差按GB6414-86 4.未注明铸造圆角为R1~R2.5 5.未注公差尺寸的极限偏差按GB/T 1804-92 m级. 6.未注形位公差按GB/T1184-96 H级. 7.去毛刺,未注倒角0.5x45%%D. 技术要求（锻件） 1.未注锻造圆角半径为R1~R 2. 2.未注锻造斜度为1~1.5%%D,锻造公差为IT15级. 3.锻件组织应致密,不得有折叠、裂纹等缺陷，并去飞边. 4.去锐边毛刺,直角处倒钝. 5.未注公差尺寸的极限偏差按GB/T 1804-92 m级. 6.未注形位公差按GB/T1184-96 H级. 技术要求(活塞件) 1.未注公差尺寸的极限偏差按GB/T 1804-92 m级. 2.未注形位公差按GB/T1184-96 H级. 3.去毛刺,未注倒角0.5x45%%D. 4.表面磷化处理. 技术要求(橡胶件) 1.零件表面应光洁.(模具表面粗糙度应在Ra0.4以上) 且不允许有气泡.杂技级凸凹等缺陷. 2.合模缝不允许错位,合模飞边的凸起级厚度不得大于0.02mm. 3.邵氏A型硬度65. 4.去净飞边. 技术要求(塑料件) 1.成形前材料应预热干燥. 2.成形后制件应光整不得有扭曲变形现象. 3.未注圆角为R0.5.外表面应光滑,其粗糙度不大于Ra0. 4. 且不得有划伤,刻痕等缺陷. 5.未注尺寸公差按GB/T 1804-92 m级. 技术要求(弹簧件) 1.旋向:左旋. 2.总圈数:no=12
磁控溅射系统基本技术要求
磁控溅射镀膜机技术规格 1.货物名称、数量 磁控溅射镀膜机1套 2.工作条件及用途 2.1工作条件 2.1.1能在电源电压380±10%V、50±2%Hz、室温0℃~40℃的环境下连续正 常工作。 2.1.2连续工作时间能力不应少于168小时，设备服役期限15年。 2.2用途 主要用于镀制多层金属及金属化合物薄膜。 3.技术规格 卖方所提供的磁控溅射镀膜机必须是技术先进，经济合理，成熟可靠的产品。 本条中带*技术指标为关键指标，不允许有超标。 3.1基本要求 磁控溅射镀膜机由无油真空系统、溅射系统、气体压强控制装置、气体流量控制装置以及烘烤旋转系统等组成。可满足样品尺寸为φ50mm，多片（4片以上）同时镀制要求，可满足三靶共溅射要求；溅射室采用1Cr18Ni9Ti不锈钢制造；气体管路采用不锈钢硬管；所有设备要求为集装式。 溅射室的观察窗不少于2个；备用接口不少于2个，溅射室内部应有照明装置。 3.1.1样品尺寸：≥φ50mm， *3.1.2膜厚不均匀性：≤±5%； *3.1.3膜厚重复性≤±3%； 3.2真空系统 3.2.1真空室直径≥φ500mm。 3.2.2极限真空度：≤6.0?10-5Pa *3.2.3恢复抽真空时间：从大气~4×10-3Pa小于15分钟 *3.2.4真空测量装置范围：大气~1×10-5Pa 3.2.5系统漏率：停泵关机12小时后真空度≤5Pa。 3.2.6真空测量：宽量程真空计（用于真空监测）和精度优于1.5%的薄膜规（用
于工艺真空控制，建议采用美国MKS产品）； 3.3溅射系统 3.3.1溅射材料：Ti，Pt，Au，钛酸锶钡等；还可溅射其它金属、氧化物等；*3.3.2溅射靶： 溅射靶的数量不少于4个，可满足三靶共溅射要求；要求共溅射和单靶溅射模式转换调节方便；预留一个靶的空位和接口，作为离子源安装备用接口； 3个直流靶为高真空型、1个射频靶，其中一个直流靶为磁场增强靶； 靶位置：向上溅射； 溅射靶与基片距离可调节，每只溅射靶分别配有挡板； 4个永磁靶均为摆头靶，可分别实现多层镀膜和掺杂镀膜。其中有二个外加非平衡线圈，形成非平衡溅射。 3.3.3电源：直流：1500W；（3台） 射频：600W，自动匹配；（一套，） 偏压：0 ~ 200V负偏压，连续可调； 3.4烘烤旋转系统 *3.4.1样品加热温度：室温~650o C可调，自动控温，控温精度优于±1%；温度均匀性优于±5 o C； 3.4.2工件架：工件架加0~200V负偏压，连续可调（精度1V）；工件架应有旋转装置，其旋转速度应连续可调。 3.5气体压强控制装置 压强自动控制范围：10Pa ~ 1×10-5Pa 3.6气体流量控制装置 工作气体为三路。流量控制：Ar-200sccm；O2-50sccm；N2-50sccm，精度优于1%； 3.7整机自动控制系统： 3.7.1工作压强自动控制范围（通过薄膜规控制）：10Pa～1×10-1Pa； 工作压强自动控制精度：1%； *3.7.2可实现多层膜溅射、掺杂溅射； 3.7.3镀膜时间可控制； *3.7.4具有样品转盘旋转控制功能；样品转盘复位、靶位确认功能； 3.7.5具有水、电、气监控报警功能；
化学药品注射剂基本技术要求(试行)
化学药品注射剂基本技术要求（试行）本技术要求适用于化学药品中各种注册分类的注射剂。本技术要求主要针对目前化学药品注射剂研发、生产和使用中存在的突出问题，在遵循一般评价原则的基础上，通过分析可能影响注射剂临床使用安全性的主要因素，结合品种的上市基础等，提出化学药品注射剂审评中的重点关注点和相应的技术要求。 一、化学药品注射剂剂型选择的必要性、合理性 (一)选择注射途径给药剂型的必要性、合理性对剂型的必要性、合理性进行评价通常应综合考虑如下因素： 1.药物的理化性质、稳定性和生物学特性药物的理化性质（溶解度、pKa、分配系数、吸湿性、晶型等）、稳定性（对光、湿、热的稳定性，固、液状态下的稳定性和配伍稳定性）和生物学特性（吸收、分布、代谢、消除等）可以为剂型的选择提供指导，在有些情况下甚至可能限定剂型的选择。 2.临床治疗的需要在明确药物理化性质及生物学性质的基础上，应结合药物临床治疗需求选择剂型。例如：用于出血、休克、中毒等急救治疗的药物，需要快速起效，通常选择注射剂。如口服药物已可满足临床需求，除特殊需要外，不宜再开发注射制剂；如肌肉注射能够满足临床需要，尽量不选择静脉给药。 3.临床用药的顺应性包括医生用药的方便以及患者使用的顺应性。除此之外，还要考虑制剂工业化生产的可行性及生产成本等。对于由其他给药途径改为注射给药途径的品种，以及由普通注射剂改为特殊注射剂的品种，应对所改剂型与原剂型进行安全性、有效性、质量可控性方面的比较分析，阐明所改剂型的特点和优势。 （二）注射剂不同剂型选择合理性的评价原则注射剂一般包括大容量注射剂（50ml以上）、小容量注射剂（20ml以下）以及粉针剂三种剂型。在选择确定剂型时，要权衡考虑各种剂型的无菌保证水平、杂质的控制水平、工艺的可行性、临床使用的方便等，从中选择最优剂型。对于国内外已上市的注射剂，根据当前对注射剂不同剂型选择合理性的认知，如已上市剂型为最优剂型，研制产品一般应首选已上市剂型；如已上市剂型不是最优剂型，则不宜再仿制该剂型。对于国内外均未上市的注射剂，或依据国内外已上市注射剂改变剂型的产品，在遵循剂型选择一般原则的基础上，从无菌保证水平考虑，剂型选择尚应遵循以下原则： 1.首先要考虑被选剂型可采用的灭菌工艺的无菌保证水平的高低。原则上首选剂型应能采用终端灭菌工艺，并保证SAL≤10-6(无菌保证水平-细菌检出概率)。 2.对于有充分的依据证明不适宜采用终端灭菌工艺且临床必需注射给药的品种，可考虑选择采用无菌生产工艺的剂型。通常无菌生产工艺仅限于粉针剂或部分小容量注射剂。 3.大容量注射剂、小容量注射剂和粉针剂之间的互改，如无充分的依据，所改剂型的无菌保证水平不得低于原剂型。 二、化学药品注射剂规格的合理性、必要性 （一）未在国内外上市的药物规格确定的一般原则 1.根据临床研究确定的用法用量，从方便临床用药、满足临床用药需要的角度确定，可以伴随临床研究进行必要的修订。 2.工艺的可行性（如可能要考虑溶解性、生产设备等的限制）。 （二）在国外和/或国内已上市药物规格确定的一般原则产品规格应根据说明书中规定的用法用量，从方便临床用药、满足临床用药需要的角度确定，并应符合国家有关规定。对于国内外已上市注射剂，根据当前对注射剂规格选择合理性的认知，如已上市规格合理（被仿制产品无详细临床研究资料，对于规格的合理性尚不能肯定的情况除外），应选择已上市同剂型的相同规格。对于仿制国内外已上市产品同时增加规格、改变剂型产品的规格选择、对已上市产品增补规格的，应符合以下要求： 1.所选规格应在说明书规定的用法用量范围内，一般不得小于单次最小用量，或者大于单次最大用量。 2.所选规格一般应为常规规格（如小容量注射液体积常规为1、2、5、10、20ml；大容量注射液体积常规为50、100、250、500ml等）。 3.所选规格应为临床必需，且能方便医生、护士、病人用药及药剂科对药品的管理。 4.对于新增规格特别是给药浓度发生变化的情况，应有充分数据说明此规格临床使用安全、有效。如新增规
常用技术要求
机械制图常用的技术要求 技术要求是表述视图与标注无法表达的其他要求，技术要求是图纸不可或缺的组成部分. 一、一般技术要求 制件不得有划痕、擦伤等损伤零件表面的缺陷； 制件去除表面氧化皮； 锐角倒钝； 去除毛刺飞边； 未注倒角均为0.5×45%%d； 表面平整无毛刺； 未注越程槽均为1.2×0.3； 二、未注公差技术要求（金属件） 未注公差尺寸的极限偏差按GB/T 1804-m； 未注长度尺寸允许偏差±0.5； 未注形位公差按GB/T 1184-K； 三、表面处理技术要求 表面镀白（黑）锌处理； 表面镀铬处理； 表面喷漆（喷塑）处理； 表面发黑处理； 表面滚花，直纹（网纹）m=0.4 GB/T 6403.3； 表面电泳处理； 表面抛光处理； 四、热处理技术要求 制件氮化450-480HV； 制件整体淬火40-45HRC； 制件毛坯须调质处理220-260HB； 制件高频淬火45～50HRC； 制件渗碳处理，深度＞0.1； 制件调质处理30-35HRC； 制件进行高温回火处理；
未注公差尺寸的极限偏差按GB/T 14486-MT6级； 制件应饱满光整、色泽均匀；无缩痕、裂纹、银丝等缺陷； 浇口、溢边修剪后飞边≤0.3，且不得伤及本体； 表面打光（喷砂）处理； 各脱模顶料推杆压痕均应低于该制件表面0.2； 与对应装配结合面外形配合错位≤0.5； 制件应进行时效处理； 制件机械强度须符合GB 3883.1标准规定； 未注尺寸参照三维造型； 制件内腔表面打上材料标记和回收标志； 制件表面处理及其它要求由客户定； 未注过渡圆角取R0.3～R1，脱模斜度≤0.3%%d； 六、焊接件技术要求 未注形位公差按GB/T 19804-F级； 焊缝应均匀平整，焊渣清理干净； 焊缝应焊透，不得烧穿及产生裂纹等影响机械性能的缺陷； 未注公差线性及角度尺寸的极限偏差均按GB/T 19804-B级； 七、齿轮（齿轴）技术要求 未注公差尺寸的极限偏差按GB/T 1804-m； 未注形位公差按GB/T 1184-K； 制件毛坯须调质220～260HB； 制件材料的化学成分和力学性能应符合GB/T 3077的规定； 齿面接触斑点：按齿高不小于40%，按齿长不小于50%； 齿面高频淬火回火至49-52HRC； 制件表面不应有锈迹、裂纹、灼伤等影响使用寿命的伤痕及缺陷；最终工序热处理表面不得有氧化皮； 八、一般轴芯（无铣齿）技术要求 未注公差尺寸的极限偏差按GB/T 1804-m； 未注形位公差按GB/T 1184-K； 未注倒角均为0.5×45°； 未注越程槽均为1.2×0.3； 制件毛坯须调质220～260HB； 档车正反两条螺旋槽，螺距10，深0.4； 螺纹表面不允许有磕碰、乱扣、毛刺等缺陷； 热处理： 表面处理：