电力电子技术填空题
1、电子技术包括____微电子电力_____和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关__状态。当器件的工作频率较高时，____开关_____
损耗会成为主要的损耗。
4、面积等效原理指的是，__冲量_______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_MOSFET________，单管输出功率最大的
是____GTO_________，应用最为广泛的是__IGBT_________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压
为电源线电压的峰值，即
，其承受的最大正向电压为。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为_VD1_______；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；
(3) t2~t3时间段内，电流的通路为____VD2___；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为___V2____；(5) t4~t5时间段
内，电流的通路为__VD1_____；
一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）
1、____GTR_____存在二次击穿现象，___IGBT_________存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
6、在下图中，_ V1______和___ VD1_____构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，
工作于第1象限；____ V2___和__ VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于__第2__象限。
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：
电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压措施。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方
波波。
11、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工
作于有源逆变状态时，需使控制角a>π/2，同时|E d| 大于|U d|。
7、三相全控是整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组，才能保证有效的电流通路，其导通顺序为T1 VT1 VT3
VT3 VT5 VT5；
VT6 VT2 VT2 VT4 VT4 VT。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值下降。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有Y形和星形二种方式。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°，
当它带阻感负载时，a的移相范围为90°。。
5、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0o--150o，三相全控
桥式整流电路电阻负载要求移相范围0°～120°，电感性负载（电流连续）0°～90°三相半控桥电阻性负载时，0o--180o。电感性负载（电流连续）0°～90°
三相桥式整流电路中，当控制角α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为900。
三相桥式全控变流器处于整流状态时，控制角α_＜_90°，当工作于逆变状态时，控制角α_＞__90°。
5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进
行，称为_180______°导电型
2、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极
的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。
每隔60度换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通120度。要使
电路工作正常，必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通，一个是
共阴极的，另一个是共阳极的元件，且要求不是不在同一桥臂
上的两个元件。
7、在三相可控整流电路中，α＝00的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为600。
8、三相半波整流电路有 共阴极组 和 共阳极组 两种接法。
10、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路是由两组三相半波可控整流电路并 组成。
8、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角小于300 时，电流连续, 当控制角 大于300 时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。
8、 三相半波 可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
9、三相桥式可控整流电路适宜在高电压而电流不太大的场合使用。
11、三相半波可控整流电路，供电变压器每相漏感折合到次级的ＬB 为100μH ，直流负载电流I d ＝150A ，则换相压降△Ｕγ= 4.5V 。 。
9、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在正 半周触发共阴极组的各晶闸管。
6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 增加 、正反向漏电流会 下降 ；
7、常用的过电流保护措施有快速熔断器；， 串进线电抗器；接入直流快速开关；控制快速移相使输出电压下降。
1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn 等于 1.57 倍I T （A V ），如果I T （A V ）=100安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5--2 倍的裕量。
3、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电
路种类很多，但归纳起来可分为零电压电路与零电流电路两大类。
10、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电
路为电压型，当直流侧为电流源时，称此电路为电流型。
2、电压源型变频器采用电感来滤波，电流型变频器采用电容_来滤波。
5、变频电路所采取的换流方式自然换流;负载换流；强迫换流
13、电压型逆变器其中间直流环节以电容贮能。
12、变流器换流的方式有电容换流、电感换流两种。
4、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角；增加整流相数；采用多组变
流装置串联供电
晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α、变压器漏抗X
B
、平均电流
I d 、电源相电压U
2
等参数有关。
1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有螺栓型与平板型。
2、在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是阳极极。
3、晶闸管的导通条件是阳极和门极同时承受正向电压。
4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM
小于U BO。
5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有单向可控导电性。的特性。
6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为控制角。
7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是
双窄脉冲触发方法。
11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值降低。
13、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U d的极性必
须保证与直流电源电势E d的极性成反极性相连，且满足|U d|<|E d|。
15、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r，三角
波的频率为f c，则载波比表达式为K= fr/fc。
1、晶闸管的内部结构具有三端、四层、三个PN结。
3、晶闸管的关断条件是阳极电流下降到维持电流以下。
5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极为何种极性触发电压，管子都将
工作在阻断状态。
6、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管
同时导通，对应的电角度称为换相重叠角
13、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，当a>π/2时，
电流主要是依靠电动势E d来维持的，所以总的能量是电动机回馈给电网。
14、有环流可逆电路常见的主电路联结方式有反并联、交叉连接。
15、在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流辅助电路，强迫导通的晶
闸管可靠关断。
16、晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流平均。
17、根据对触发电路的要求知道，触发电路应包括同步信号发生器、移相控制、
脉冲整形与功放电路。
2、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的通态平均电流来标定。
3、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之
后，加一段时间的反向电压。
5、某晶闸管的型号为KP200-5，其中200表示额定电流，5表示额定电压等级。
12、为了防止逆变失败，对于工作在逆变状态的电路，对其触发电路
的可靠性，晶闸管的质量以及电源的保护功能，都比整流电路要求高，同时对逆变角的限制为30～35度。
1、晶闸管的三个电极分别是阳极、阴极、控制极（门极）
2、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大2～3 倍，使其有一定的电压裕量。
3、当晶闸管加上正向阳极电压后，门极加上适当的正向电压，使晶闸管导通的
过程，称为触发。
11、在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势顺向相连。
、晶闸管除了在门极触发下可能导通之外，在以下几种情况下也可能被触发导通：阳极电压升高至相当高的数值造成 雪崩 效应；阳极电压 上升率du/dt 过高；结温较高和光触发。但只有 门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。对于其它几种情况，在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。
2、在PWM 控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM 调制方式可分为_____同步_____调制和___异步____调制，_分段同步_____调制方法克服了以上二者的缺点。
3、设DC/DC 变换器的Boost 电路中，E=10V ，α=0.5，则U o =__20V ______。
4、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是输出平均电压降低；电压出现缺口；di/dt 减少 整流电路工作状态增多。
5、换流的方式有器件换流；电网换流； 负载换流, 强迫换流；，全控型器件用器件换流方式换流
6、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施有：过电压； 过电流；缓冲电路保护。。
4、过电压产生的原因 浪涌电压 、 操作过电压 ，可采取 阻容吸
收 、 压敏电阻 硒堆 、保护。
16、抑制过电压的方法之一是用 阻容电路 吸收可能产生过电压的能
量，并用电阻将其消耗。
7、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是负载并联续流二极管
3、单相半控桥整流电路，带大电感性负载，晶闸管在_触发_____时刻换流，二极管则在 电源电压过零点 时刻换流。
6、门极可关断晶闸管主要参数有最大可关断阳极电流IATO ；电流关断增益
off 。擎住
电流IL 7、电力变换通常分为四大类，即交流变直流（整流）；直流变交流（逆变）；直流变
直流（直流斩波）；交流变交流。
8、斩波器是接在恒定直流电源和负载电路之间，用于改变加到负载电路上的直流
电压平均值的一种电力电子器件变流装置。
1、电力电子器件的主要类型有半控型器件；全控型器件
2、晶闸管导通必须同时具备的两个条件，在晶闸管阳极与阴极加足够 正向电压，控制极加适当的正向电压作为晶闸管导通的触发信号。
3、通态平均电流平均值也称额定电流。
12、逆变失败的原因有：触发电路工作不可靠，不能适时准确的发出触发脉冲；交流电源异常；晶闸管质量不高或参数裕量不足； 逆变角β太小。
13、在晶闸管的电流额定中，通态平均电流I Ta =πm
Ta I I = ，I T = 2m
T I I = 。
2、功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路 。
11、改变SPWM 逆变器中的调制比，可以改变输出电压基波的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（一个）较大的负电流 。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快速恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
2、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大 2～3 倍，使其有一定
的电压裕量。
3、阻感负载的特点是电感对电流变化有抗拒作用，使得流过电感的电流不发生突变在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180?，其承受的最大正反向电压均为U2的最大值，续流二极管承受的最大反向电压为U2的最大值。（设U2为相电压有效值）。
1、电力电子器件一般工作在__开关状态。
6、把电网频率的交流电直接变多重逆变电路有串联多重和并联多重两种方式。电压型逆变电路多用_串联_______多重方式；电流型逆变电路多采用_并联_多重方式。
7、PWM 波形只在单个极性范围内变换成可调频率的交流电的变流电路称为单级
性调制电路_。
9、把直流电变成交流电的电路称为逆变_，当交流侧有电源时称为有源逆变_，当交流侧无电源时称为__无源逆变形。
1、晶闸管在环境温度为40度和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时
所允许流过最大正弦半波电流的平均值称为晶闸管的通态平均电流。按标准取其整数则为晶闸管额定电流电流。可见，晶闸管允许流过的电流主要取决于元件的发热效应_。
4、在升压斩波器中，已知电源电压U d=16V，导通比K t=，则输出电压
U o=_24_____V。
1、晶闸管变流器主电路要求触发电路的触发脉冲应具有一定的宽度，且前沿尽可能
陡峭。
2、在实际应用中流过晶闸管的电流波形多种多样，其电流波形的有效值I与平均值
Id之比，称为这个电流的波形系数，在正弦半波情况下电流波形系数为Kf波形系数。
4、单相交流调压电路阻感负载，设负载阻抗角为φ，则触发角α的移相范围应为φ
＜а＜1800_。
5、造成在不加门极触发控制信号即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折，有两种因素：一是阳极电压上升率du/dt太快，二是阳极电压超过额定值。
6、电力电子学是电子学、电力学和控制理论交叉而形成的边缘科学。
1、电力电子器件一般工作在开关状态。直流斩波电路中最基本的两种电路是升压
斩波电_和降压斩波电路。
2、电力电子器件组成的系统，一般由主电路、控制电路、驱动电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
4、斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制、频率调制、混合型调制
5、改变频率的电路称为变频电路，变频电路有交交变频电路和交直交变频电路两种形
式，前者又称为直接变换，后者也称为间接变换_。
7、使开关开通前其两端电压为零的开通方式称为零电压开通，它需要靠电路中的谐
振来完成。从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有正向导通的特性。
1、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较
高时，功率损耗主要为开关损耗。
5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断，这种生成SPWM
波形的方法称自然采样法，实际应用中，采用_规则采样法来代替上述方法，在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
电力电子技术试题及答案(B)
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；
模拟电子技术基础填空题及答案
模拟电子技术基础填空题及答案 在电子技术运用范围越来越广之际，同学们对电子技术的学习得怎么样了呢?下面我为大 家分享最新的电子技术考试题及答案，仅供参考! 1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V; 锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小 ;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的 电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏;其门坎电 压Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为 电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴(P) 半导体和电子(N) 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流 电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
电力电子技术期末考试试题及答案最新版本
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术试题及答案(1)
《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U
电力电子技术试题填空
电力电子技术试题填空 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 . 率场效应晶体管 ________________ ;绝缘栅双极型晶体管 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是 ____________ O 3、多个晶闸管相并联时必须考虑 的问题，解决的方法是 4、 在电流型逆变器中，输出电压波形为 5、 型号为KS100-8的元件表示 ___________ 有效电流为 安。 __________ 波，输出电流波形为 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 __________________________ 上的上、下二个元件 之间进行；而1200导电型三相桥式逆变电路， 晶闸管换相是在 ________________ 上的元件之 间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 __________________ 、正反向漏电流会 升高时，晶闸管的触发电流会 _______________ 、正反向漏电流会 _____________ 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 _____________________ 而不流经 __________________ 的电流。环流可在电路中加 来限制。为了减 小环流一般采用控制角a 9、常用的过电流保护措施有 B 的工作方式。 O （写出四种即 可） 10、 双向晶闸管的触发方式有 四种。 11、 双向晶闸管的触发方式有: 1+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T 2接 电压；门极 G 接 电压， T2接 电压。 I-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 川+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压，门极G 接 电压，T2接 电压。 川-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 换流。 12、 由晶闸管构成的逆变器换流方式有 _________________ 换流和 13、 按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 _____ 逆变器与______________ 逆变器两大类。 ;可关断晶闸管_ ______ ; IGBT 是 ;功
王兆安版电力电子技术试卷及答案
20××－20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) （时间90分钟 满分100分） （适用于 ××学院 ××级 ××专业学生） 一、 填空题（30分,每空1分）。 1．如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。（只写简称） 2．单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ；带阻感负载时，α角移相范围为 ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3．直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4．升降压斩波电路呈现升压状态时，占空比取值范围是__ _。 5．与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6．当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7．三相交交变频电路主要有两种接线方式，即 _和 。 8．矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ；控制方式是 。 9．逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 型逆变器和 型逆变器。 10．把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题（18分,每题6分）。 1．逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合？ 2．交流调压电路和交流调功电路有什么异同？ 3．功率因数校正电路的作用是什么？有哪些校正方法？其基本原理是什么？ 三、计算题（40分，1题20分，2题10分，3题10分）。 1．一单相交流调压器，电源为工频220V ，阻感串联作为负载，其中R=0.5Ω，L=2mH 。 试求：①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功率因数；④当2πα＝时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2．.三相桥式电压型逆变电路，工作在180°导电方式，U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 ．如图所示降压斩波电路E=100V ，L 值极大，R=0.5Ω，E m =10V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值
模拟电子技术 题库
一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ．A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B ．A 是集电极，B 是基极， C 是发射极，是PNP 管 C ．A 是集电极，B 是发射极，C 是基极，是PNP 管 D ．A 是发射极，B 是集电极，C 是基极，是NPN 管 3、P 沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（ ） A 、UGS ＞0，UDS ＞0 B 、UGS ＜0，UDS ＜0 C 、UGS ＞0，UDS ＜0 D 、UGS ＜0，UDS ＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri 很大，输出电流稳定，则应采用（ ）形式来达到性能要求。 A 、电流串联负反馈 B 、电压并联负反馈 C 、电流并联负反馈 D 、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re 的作用是：（ ） A 、提高Ri B 、提高Avd C 、提高K CMR D 、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR 将会（ ）。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 D 、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（ ）
最新电力电子技术试题及答案(1)
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ） 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ） A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
电力电子技术试题及答案(3)
考试试卷 一、填空题（本题共17小题，每空1分，共20分） 1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有与。 2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以。 3、晶闸管的导通条件是。 4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM U BO。 5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有的特性。 6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。 7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是 触发方法。 8、可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。 9、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。 10、三相桥式整流电路中，当控制角α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。 11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。 12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。 13、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U d的极性必 须保证与直流电源电势E d的极性成相连，且满足|U d|<|E d|。 14、为了防止因逆变角β过小而造成逆变失败，一般βmin应取，以保 证逆变时能正常换相。 15、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r，三 角波的频率为f c，则载波比表达式为K= 。 16、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用 电阻将其消耗。 17、斩波器的时间比控制方式分为、、三种方式。 二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分） 1、晶闸管的伏安特性是指( ) A、阳极电压与门极电流的关系 B、门极电压与门极电流的关系 C、阳极电压与阳极电流的关系 D、门极电压与阳极电流的关系
模拟电子技术填空题
模拟电子技术基础(答案在最后) 一、填空题(每题1分) 1.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取（）V , 锗二极管的正向导通电压取（）V。 2.直流负反馈是指（）通路中有负反馈；交流负反馈是指（）通路中有负反馈。 3. FET工作在可变电阻区时，i D与u GS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的 d、s极间可以看成一个由u GS控制的（）。 4.差模输入信号电压是两个输入信号的（差）值；共模输入信号电压是两个输入信号的（）值；当u I1 = 18 mV，u I2 = 6 mV时，u Id =（）mV，u Ic =（）mV 5.功率放大电路输出较大的功率来驱动负载，因此其输出的（）和（）信号的幅度均较大，可达到接近功率管的（）参数。 6.已知输入信号的频率为10 kHz ~15kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（）滤波电路。 7.理想二极管的正向电阻为（），反向电阻为（） 8.差分放大电路具有电路结构（）的特点，因此具有很强的（）零点漂移的能力。它能放大（）信号，而抑制（）信号。 9.反相比例运算电路与同相比例运算电路中，（）相比例运算电路输入电阻大，而（）相比例运算电路的共模信号为0。 10.图示单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线，由此可以得出： 1. 电源电压V CC = ( ) ； 2. 静态集电极电流I CQ = ( ) ,管压降U CEQ = ( ) ； 3. 集电极电阻R C = ( ) ；负载电阻R L = ( ) ； 4.晶体管的电流放大系数 = ( ) ；进一步计算可得到电压放大倍数A = ( ) ；（）；
填空题图2301 11.放大电路的幅频特性是指（）随信号频率而变；相频特性是指输出信号与输入信号的（）随信号频率而变。 12.积分运算电路可以将方波电压转换为（）电压。 13.常用小功率直流稳压电源系统由（）、（）、（）、（）等四部分组成。 14.场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按u GS = 0时有无导电沟道分为（）型和（）型。 15.本征半导体掺入微量的( )元素，则形成P型半导体，其多子为( )，少子为( ) 。 16.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时，称为（）输入；当加入大小和极性都相同的信号时，称为（）输入。 17.根据反馈形式的不同，LC振荡电路可分为（）反馈式和三点式两类，其中三点式振荡电路又分为（）三点式和（）三点式两种。 18.为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用（）滤波电路。 19. FET是通过改变（）来改变漏极电流（）的，所以它是一个（）器件。 20.基本互补对称功率放大电路，存在（）失真；可以通过加偏置电压来克服，在具体电路中是利用前置电压放大级中（）或（）上的压降来实现。 21.甲类放大电路是指放大管的导通角等于（）；乙类放大电路的导通角等于（）；甲乙类放大电路的导通角为（）。 22.一般情况下，当集成运放的反相输入端和输出端有通路（）时，集成运放工作在（）。当集成运放开环或同相输入端和输出端有通路（）时，集成运放工作在（）。 23.功率放大电路根据输出幅值U om、负载电阻R L、和电源电压V CC计算出输出功率P o 和电源消耗功率P V后，可以方便地根据P o和P V值来计算每只功率管消耗的功 1234567 0.5 1 1.5 2 Q 10 20 30 40 μ μ μ μA A A A U CE(V) Ic(mA)
电力电子技术(填空题)
第2章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在开关状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型、双极型、复合型三类。 5、电力二极管的工作特性概括为单向导通。 6.电力二极管的主要类型有普通、快速恢复、肖特基。 7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为门极正向有触发则导通、反向截止。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM小于Ubo。 11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的阴极和门极并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为击穿。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、
电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO ,GTR, MOSFET, IGBT；属于单极型电力电子器件的有MOSFET，属于双极型器件的有GTO, GTR ,电力二极管,晶闸管，属于复合型电力电子器件得有IGBT；在可控的器件中，容量最大的是GTR，工作频率最高的是MOSFET，属于电压驱动的是MOSFET,IGBT，属于电流驱动的是GTO,GTR。 第3章整流电路 1.电阻负载的特点是电压与电流成正比，两者波形相同，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180°。 2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180°，其承受的最大正反向电压均为√2U2，续流二极管承受的最大反向电压为√2U2（设U2为相电压有效值）。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角d时，晶闸管的导通角q =180°; 当控制角a小于不导电角d 时，晶闸管的导通角q=180°。 5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全控桥的波形基本相同，只是后者适用于低输出电压的场合。 6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于√2U2，晶闸管控制角α的最大移相范围是0°~150，使负载电流连续的条件为α≤30°(U2为相电压有效值)。 7.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°，当它带阻感负载时，a的移相范围为0°~90°。
电力电子技术复习试题与答案
电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中，逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o， B、=35o∽90o， C、 =0o∽90o， 8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U ， B、V相换相时刻电 压u V ， C、等于u U +u V 的一半即： 9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变C的大小，可使 直流电动机负载电压U d =0，使触发角α=90o。达到调定移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压， B、控制电压， C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V， 则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )