模拟电子技术及应用 习题解答
习题
第1章
1.1简述半导体的导电特性。
答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。利用这个特性，可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N 区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？
答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。二极管的单向导电能力是指特性曲线上的正向特性的性质。二极管的稳压能力是指特性曲线上的反向击穿特性的性质？
1.4 举例说明发光二极管和光敏二极管的应用。它们各应工作在何种偏置状态下？
答：发光二极管和光敏二极管都属于光电子器件，光电子器件在电子系统中应用十分广泛，具有抗干扰能力强、功耗小等优点。
1．发光二极管
发光二极管是可以将电能直接转换成光能的半导体器件。在外加正向电压时，内电场削减，电子与空穴在复合的过程中，以光的形式向外释放能量。它包括可见光、不可见光（一般指红外光）发光二极管。单色发光二极管只有一个PN结，常见的发光颜色有红、橙、黄、绿等色。双色发光二极管是两只LED反极性并联后封装在一起。若单独驱动只发出单色光，同时驱动发出复色光。当前白色的发光二极管的应用使发光二极管从标识功能向照明功能迈出实质性的一步。由发光二极管构成的点阵结构广泛用于交通信号灯、广告牌及大型电子显示屏等电子设备。
2．光敏二极管
光敏二极管也叫光电二极管，其结构和一般二极管相似，也具有单向导电性，一般工作在反向偏置状态。利用光敏二极管制成光电传感器，可以把光信号转变为电信号，以便控制其他电子器件。光敏二极管一般有两种工作状态：（1) 当光敏二极管上加有反向电压时，管子中的反向电流随光强变化而正比变化；
（2) 光敏二极管上不加反压，利用PN结在受光照（包括可见光、不可见光）时产生正向压降的原理，作微型光电池使用。
光敏二极管主要用于自动控制。如光耦合、光电读出装置、红外遥控装置等。
1.5 在图1.28所示的电路中，VD为理想二极管，输入电压UI＝15 V，试判断各电路中二极管VD是导通还是截止，并求输出电压UO。
解： (a) 导通，U O =15V (b) 截止，U O =5V (c) 导通，U O = 0V (d) 截止，U O =15V
分析与提示：此题目的在于考察二极管的单向导电性，求解此类型电路，首先要判断二极管的工作状态，然后根据二极管的工作状态，给出相应的线性等效电路，
最后利用电路的有关理论和定理进行求解。
判断二极管导通还是截止，方法很多，比较有效的方法是假设~验证法。采用此种方法的步骤如下： 1．假设二极管截止，给出截止状态下的等效电路。 2．根据截止时的等效电路，求二极管两端的电压。
3．根据二极管两端的电压的极性，判断假设的正确性：若加正向电压，则结果与假设矛盾，二极管实际上导通；若加反向电压，则结果与假设相符，二极管实际
上截止。
该题求解并不难，但却涉及到非线性电路的求解问题。因为二极管和三极管等都是非线性元件，求解含有非线性元件的问题，一个重要的方法是首先将非线性元件
用特定条件下的线性元件代替，将含有非线性元件的电路转化为线性电路。然后利用线性电路的理论求解。
1.6 试用指针式万用电表的R×10和R×1k 挡分别测量一个二极管的正向电阻值，看看两次测量电阻值为多少？并用二极管的伏安特性曲线分析说明两次测量电阻值为什么不同。（提示，万用表R×10挡内阻小，R×1k 挡内阻大。）
答：万用表的电阻档内部结构可用理想电源U 和内电阻r 的串联电路等效。r 的大小随着测量档位的变化而变化，但都等于相应档位的中值电阻（中值电阻是万用表指针指向表盘中间时的测量电阻）。显然万用表R×10档中值电阻小，R×1k 档中值电阻大，亦即R×10档内阻小，R×1k 档内阻大。
指针式万用电表测量一个二极管的正向电阻值时的等效电路如图1.6.1所示， R 为二极管导通时的等效电阻，U R 为导通电压，则：
)
R
r (1U r)(R R
U U R R +
=+=
将上式整理得：r 1
-U U 1R R
=
由二极管的伏安特性曲线可知，当二极管正向导通时，其导通电压近似为常数，即上式中的U 可以看做常数，从而R 与r 近似成正比，由此得出结论：虽然是同一个
二极管，但万用表R×10档测得的正向电阻小，R×1k 档测得的正向电阻大结果相差接近10倍。
1.7 在图1.29所示的电路中，二极管导通时的正向电压降为U D =0.7V ，计算流过二极管的电流I D 。
解：首先判断图中二极管的工作状态。为此可假设其截止，则图1.29等效为图1.29.1，此时电路中的电流为：
3mA 3)k (25)V (10I =Ω
++=
，此时二极管两端的正向压降为：
4V 3)V 2-(10U =?=，或4V )V 5-3(3U =?=，显然U>>U D ，与假设矛盾，二极管实际上是导通的，正向
图1.28 题1.5图 VD
VD
VD
VD
R
R
R
R
+ + +
+ + + + + _
_
_
_
U I _
_
U O _
_
U I
U I U I
U O U O U O
(a) (b) (c) (d)
5V
5V
+ _
U R1 R
r
+
_ U
图1.6.1
图1.29 题1.7图 2k Ω VD
+
_ + _
10V 5V
I D + _
U D 3k Ω
图1.29.1 2k Ω +
_
+
_
10V 5V
+ _
U 3k Ω
I
I D
图1.29.2
2k Ω +
_ + _
10V 5V
+ _
U D 3k Ω I 1 I 2
压降应为U D =0.7V ，则图1.29等效为图1.29.2，此时二极管的正向电流为：
2.75mA
1.9mA -mA 65.43k 0.7)V (52k 0.7)V
-(10I I I 21D ==Ω
+-
Ω
=
-=
1.8 硅二极管电路如图1.30所示， 试分别用二极管的理想等效模型和恒压降等效模型计算电路中的电流I 和输出电压U O 。 （1）当U=1 V 时； （2）当U=10 V 时。
解：由图1.30和已知条件，不难判断二极管处于正向导通状态。 理想模型下，二极管正向电压为零，图1.30可等效为 图1.30.1。 （1）当U=1V 时，0.5mA 2k 1V R U I
=Ω==，U O =U= 1V ；
（2）当U=10V 时，5mA
2k 10V R
U I
=Ω
=
=
，U O =U= 10V ；
恒压降模型下，硅二极管正向压降为0.7V ，图1.30可等效为 图1.30.2。 （1）当U=1V 时，0.15mA 2k 0.7)V
-(1R U -U I
D =Ω=
=，U O =U.U D = 0.3V ；
（2）当U=10V 时， 4.65mA 2k 0.7)V -(10R
U -U I
D
=Ω
==
，U O =U.U D = 9.3V ；
1.9 在直流微安表组成的测量电路中，常用二极管组成保护电路，以防过大电流损坏μA 表头，试说明在图1.31中的二极管串、并联在电路中各起什么样的保护作用？
解：二极管串在电路中起极性保护作用。若没有串联二极管，则当电压极性接反了，会使电流方向流动，表头指针反转，当电流过大时，反转力矩会很大，有可能使微安表的指针被折断损坏。二极管串在电路中以后，一旦电压极性接反，二极管会截止，电路中没有电流，指针自然也不会反偏，从而避免被折断损坏。
二极管串在电路中起过流保护作用。当流过微安表的电流较小时，其两端电压不足以使二极管导通。当电流足够大时，微安表两端的电压使二极管正偏导通，对电路总电流起分流作用，即多余的电流从二级管流走，微安表两端最大电压为二极管的正向导通电压，该电压决定了流过微安表的最大电流。
1.10 图1.32所示的电路中，发光二极管导通电压U D ＝1.5V ，二极管在正向电流5～15mA 的范围才能正常发光显示。试求电阻R 的取值范围。
解：发光二极管导通时，其两端电压近似为常数，当电源电压一定时，流过二极管的电流受串联电阻R 的大小的控制，所以这里的电阻又叫限流电阻。有图1.32不难看出：
I
U -V R D
DD =
所
以
Ω=Ω=-=
=
70
0.mA
5V )5.15(I U -V R min
D
DD max 图1.31 题1.9图
VD
+ + _
_ μA μA VD
图1.32 题1.10U D R
+ _
+ _ 5V
V DD
图1.30 题1.8图 VD R 2k Ω
+
U U O _ I
A O
+ -
图1.30.1 R 2k Ω
+ U U O _ I A O
+
-
图1.30.2
U D R 2k Ω
+ U U O _ I A O
+ -
+ -
Ω=Ω=-=
=
2330.233k mA
15V )5.15(I U -V R max
D
DD min
实际应用中，应取电阻的标称阻值，考虑电路的安全性，这里电阻的最大值应取比实际阻值稍小的标称阻值，使电流的最小值比要求值略大，保证二极管正常发光。最小阻值应取比实际阻值稍大的标称阻值，使电流的最大值比要求值略小，保证二极管不会因电流过大而烧毁。故R 的取值范围在240Ω~680Ω，据此返回重新计算正向电流的实际范围为：5.1mA~14.6 mA ，满足设计要求。
1.11 图1.33所示的电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2）若U I ＝35V ，且负载开路，电路会出现什么现象? 为什么？
分析与提示：此题目的在于考察稳压管的反向击穿特性，求解此类型电路，首先要判断稳压管的工作状态，然后根据稳压管的工作状态，给出相应的线性等效电路，最后利用电路的有关理论和定理进行求解。
本题与1.5题类似，判断稳压管是击穿稳压还是反向截止，方法很多，比较有效的方法是假设~验证法。采用此种方法的步骤如下： 1．假设稳压管截止，给出截止状态下的等效电路。 2．根据截止时的等效电路，求稳压管两端的反向电压。
3．将求得的稳压管两端的反向电压与稳压管的稳定电压（反向击穿电压）进行比较，判断假设的正确性：若求得的电压比稳定电压小，则假设正确，稳压管截止；若求得的电压比稳定电压大，则假设错误，稳压管实际处在击穿稳压状态。
本题涉及到非线性电路的求解问题。首先将非线性元件用特定条件下的线性元件代替，将含有非线性元件的电路转化为线性电路。然后利用线性电路的理论求解。
解：（1）首先假设稳压管是反向截止的，此时图1.33所示电路等效为 图1.33.1，由串联分压原理可求得稳压管两端的方向电压为：
I I O U 3
1U 500
1000500U U =
+=
=
当U I =10V 时，可求得U=3.3V ，此电压小于稳压管的稳定电压6V ，假设正确，稳压管可靠截止U O =U=3.3V ； 当U I =15V 时，可求得U=5V ，此电压也小于稳压管的稳定电压6V ，假设正确，稳压管可靠截止U O =U=5V ；
当U I =35V 时，可求得U=11.7V ，此电压大于稳压管的稳定电压6V ，假设错误，稳压管反向击穿，其两端电压为稳定电压6V ，电路等效为图1.33.2所示电路。此时负载R L 上的电流为：
12mA
5006V R U I L
Z L =Ω=
=，1k Ω限流电阻上的电流为：
mA
921k V )6-35(1k U -U I Z I =Ω
=
Ω
=
，所以通过稳压管的电流为：
17mA
12)-(29I -I I L Z ===，该电流在稳压管允许的电流范围之内，稳压管可正常工作。
（2）若U I ＝35V ，且负载开路，则稳压管首先被击穿稳压，U O =U Z =6V ，但由于负载开路，1k Ω限流电阻上的电流全部流过稳压管，该电流大于稳压管的最大稳压电流25mA ，所以稳压管被击穿后很快就会因电流过大而被烧毁。稳压管被烧毁之后，可能有如下几种情况发生：
若稳压管被烧毁后断路，则U O =35V 。若稳压管被烧毁后短路，电压将全部加在限流电阻上，如果此时电阻上的实际功率小于其额定功率，则U O =35V ；如果此时电阻上的实际功率大于其额定功率，则电阻将很快会被烧毁断路，U O =0V 。
1.12 图1.34所示的电路中， u i ＝1.5 sinωt （V ），二极管具有理想特性， 试画出开关S 分别处于A 、B 、C 时输出电压u o 的波形。
解：由于二极管具有理想特性，所以只要其两端正向电压大于零就能导通。二
_
+
VD
S
A B 1.5V
图1.33 题1.11图 U Z 1k Ω
+
+ _
_
U I U O
R L
500Ω 图1.33.1 1k Ω
+
+ _
_
U I U O R L
500Ω 图1.33.2
U Z 1k Ω
+
+ _
_
U I U O R L
500Ω + _
O ωt
π 2π
u i
3V u oA
O
ωt
π
2π
O
ωt
u oB
3V ωt
1.5V 1.5V 1.5V
u oC
1.5V
3V
极管导通后其两端电压为零，电路中的总电压全部输出给负载电阻R L。
(1) 当开关处于A时，图1.34的电路等效为二极管整流电路。只输出u i的正半周。一周期内（3600），二极管导通角度θ =1800。
(2) 当开关处于B时，u i和1.5V直流电压顺向串联后被二极管整流。一周期内，二极管导通角度θ =1800+600=2400。
(3) 当开关处于C时，u i和1.5V直流电压逆向串联后被二极管整流。一周期内，二极管导通角度θ =1800.600=1200。
设开关S分别处于A、B、C时输出电压u o的波形分别记为u oA、u oB和u oC，则各输出电压波形如图1.34.1所示。
第2章
2.1 选择正确的答案填空。
(1) 工作在放大区的某三极管，当I B从15μA增大到25μA时，I C从2mA增大到3mA，则其电流放大系数β约为（）。
A．133 B．120 C．100
(2) 稳压管工作在正常稳压区时应该（）。
A．正向导通B．反向截止C．反向击穿
(3) 三极管放大的外部偏置条件是（）。
A．发射结和集电结均正偏B．发射结和集电结均反偏C．发射结正偏、集电结反偏
(4) 场效应管的漏极电流I D从1A增加到3A，它的跨导将（）。
A．增大B．减小C．不变
(5) 要维持可控硅正常导通，在其导通后，控制极电压应（）。
A．保持不变B．去掉C．适当增大
解：（1）C （2）C （3）C （4）A （1）B
分析与提示：
（1）本题意在考察电流放大系数的定义，它有直流放大系数和交流放大系数两种，在不特别指明的前提下，一般是指交流放大系数，定义为集电极电流和基极电流变化量之比，故应选C。
（2）本题意在考察稳压管的稳压特性。正常稳压时，稳压管应处在反向击穿状态。正向导通时，稳压管和二极管一样，虽然此时也有稳压作用，但是其正向特性曲线倾斜度较大，动态电阻较大，稳压效果没有反向击穿时好，稳压值也只有约0.7V，比一般稳压管的稳定电压低得多，故应选C。
（3）本题意在考察三极管放大的条件：发射结正偏，集电结反偏，故应选C。发射结和集电结均正偏时，相当于两个二极管同向并联后加正向电压。发射结和集电结均反偏时，三极管处在截止状态。
需要注意的是：三极管饱和时，集电结仍然是反偏的；另外，三极管截止时，发射结不一定反偏，可以是零偏，即不加偏置电压。当考虑发射结的死区电压时，即便是发射结正向偏置，但只要正向电压小于死去电压，三极管仍然是截止的。
（4）本题意在考察场效应管的跨导的定义及特性，有效应管的转移特性曲线可知，随着漏极电流的增大，曲线的陡度增加，即单位栅源电压u GS的增加引起的漏极电流i D的增量变大，故答案选A。
（5）本题意在考察可控硅（晶闸管）的控制特性。使可控硅导通的条件是：阳极加正向电压，同时门极加正向触发电压。可控硅具有单向可控特性，门极控制信号只能控制其导通，不能控制其关断。可控硅导通后，触发电压撤销，其仍然会继续导通。要使导通后的可控硅关断，只能将阳极电压减小为零，或者将阳极电压极性反转，故答案选B。
2.2测得两只处于放大状态的三极管的3个脚的电位分别是.8V、.3V、.
3.2V和3V、3.7V、12V，试判断各管脚哪是基极、发射极、集电极？并说明是NPN管，还是PNP管？是硅管还是锗管？
分析与提示：该题是考察处在放大状态的三极管电压分配规律的。以下规律要掌握：
1．基极电位总是居中的。据此可判断哪那个管脚是基极。
2．发射极与基极之间点位差值小于1V。据此可判断哪那个管脚是发射极。对硅管而言，电位差值约0.7V，对锗管而言，电位差值约0.2V。据此可判断制造管子的材料。
3．若为NPN管，则集电极点位是最高的；若为PNP管，则集电极点位是最高的；据此可判断管型。
解：由于三极管处在放大状态时，基极点位总是居中的，所以第一个管子电压为.3.2V的管脚是基极，第二个管子电压为3.7V的管脚是基极。
第一只管子电压为.3V 的管脚与基极点位相差0.2V ，该脚为发射极，该管为锗管；第二只管子电压为3.7V 的管脚与基极点位相差0.7V ，该脚为发射极，该管为硅管。余下的管脚自然是各管的集电极。
第一只管子的集电极点位为.8V ，是三个脚中电位最低的管脚，所以该管为PNP 型；第二只管子的集电极点位为12V ，是三个脚中电位最高的管脚，所以该管为NPP 型。
2.3 已知电路中三极管的各极电位值，判断图2.49中各三极管工作在何种状态下？
分析与提示：该题是已知三极管型号和各极电位，判断三极管的工作状态。 解：（a ）由于发射结正偏，集电结反偏，所以该管处在放大状态。 （b ）由于发射结反偏，所以该管处在截止状态。
（c ）由于发射结正偏，集.射极电压只有0.1V ，所以该管处在饱和状态。
2.4 试分析图 2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由并将错误改正。设图中所有电容对交流信号均可视为短路，输入信号源内阻为零。
分析与提示：该题意在考察三极管的放大条件。放大电路要实现对信号的不失真放大，必须同时满足如下条件： 1．电路中的三极管必须满足放大的条件，即发射结正偏，集电结反偏。 2．输入信号要能正常送入起控制作用。
3．放大后的输出信号要能顺利输出以供负载利用。
解：（a ）不能。本电路采用双电源供电，似乎满足放大的条件，实际不然。请注意，该电路中基极偏置电压V BB 是和输入交流信号源直接并联的，而输入信号源内阻为零，所以信号源会将V BB 短路，V B B 因电流过大而烧毁。V B B 实际上不能给三极管提供基极偏置电压。另一方面，由于V B B 的内阻也为零，同样会将信号源短路，信号也无法加到三极管发射结上起控制作用。也就不可能有放大信号输出。为使电路正常放大，可在输入信号端与V BB 之间加隔直耦合电容，并将基极偏置电阻移到V BB 支路上。同时为了避免负载电阻对电路工作点的影响，最好在输出端与负载之间也加隔直耦合电容。如图 2.50.1所示。
（b ）能。本电路采用单电源供电，不仔细看，容易认为不能放大。注意该电路中的三极管为PNP 型，且发射极在上面，发射正偏。只要R b 和R c 取值合适，集电结也反偏，满足放大偏置条件。另外，信号既可以输入起控制作用，放大后的信号也可以顺利取出供给负载。故可以正常放大。
b
0.7V
c 6V
e
0V
b -1V
c 12V
e
3V
b 2V
c 2.2V
e 2.3V (a) (b) (c)
图2.49 题2.3图
图2.50 题2.4图
VT
VT
VT
V BB
（c ）不能。由于信号源内阻为零，基极直流电压会被输入信号源短路，三极管处在截止状态，故不能正常放大。可在输入信号端与三极管基极之间加隔直耦合电容，如图 2.50.2所示。
2.5 电路如图 2.51所示，已知：V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降U C ES ＝0.5V ，电流放大系数β＝50，输入信号u I 为理想电压源。在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位分别为多少？ (1)R b1短路； (2)R b1开路； (3)R b2开路； (4)R C 短路； (5)正常情况。
分析与提示：该题是考察电路参数变化对三极管工作状态的影响的。三极管有三种工作状态。截止比较好判断，但对放大状态和饱和状态的判断有一定难度。有两种方法可以采用：
1．比较电流法：
（1）先假设三极管饱和，并求出集电极饱和电流I CS 。
（2）由基极偏置电路求出实际的基极电流I B ，并根据放大关系求出集电极电流I C =I B 。
（3）比较I CS 和I C 的大小，判断实际工作状态。若I C ＞I CS ，则假设正确，三极管实际上也是处在饱和状态；若I C ＜I CS ，则假设错误，三极管实际上是处在放大状态；若I C =I CS ，则三极管处在临界饱和状态。
2．比较电压法：
（1）假设三极管正常放大。
（2）依次求出基极电流I BQ ，集电极电流I C 和集射极电压U CEQ 。
（3）比较集射极电压U CEQ 和基极电压U BEQ 的大小，判断实际工作状态。若U CEQ ＞U BEQ ，则假设正确，三极管处在放大状态；若U CEQ ＜U BEQ ，则假设错误，三极管实际上处在饱和状态，U CEQ =U CES ；若U CEQ =U BEQ ，则三极管处在临界饱和状态。
[注]上述讨论是以NPN 型三极管为例进行的，若为PNP 型三极管，由于它与NPN 型的工作电压极性相反，所以各电极的电压极性也正好相反，上述各电压的下标顺序也应互换。如集射极电压应表示为U EC 。
解：(1)若R b 1短路，则基极偏置电压变为零，三极管将截止，I CQ =0，U CE Q =V C C =12V ；
(2) 若R b 1开路，则电路成为固定偏置电路，此时由于偏置电阻R b 2阻值较小，将使基极静态电流过大，三极管饱和。实际上，假设此时三极管饱和，则
mA 25.1k
5)V
.012(R U -V I C
CES
CC CS ≈-=
=
；
由基极偏置电路可求得实际的基极电流：mA 2.0k
51)V
7.012(R Q
U -V I 2
b BE CC BQ ≈-=
=
；
图2.51 题2.5图
图2.50.1
+
V BB
_
+
+
+
VT
i u
o u
R C
+V CC
C 1
C 2
_
R b +
V BB
_
+
+
+
VT
i u
o u
R e
-V CC
C 1
C 2 _
R b
图2.50.2
若正常放大，则实际集电极电流：mA 10mA 0.250I I BQ CQ =?=β=； 显然有I CQ > I CS ，三极管饱和，U CE Q = U CE S =0.5V 。
(3)若R b 2开路，则基极点位也为零，三极管截止，I CQ =0，U CE Q =V C C =12V ； (4)若R C 短路，则集电极和电源直接相连，U C E Q =V CC =12V ；
(5)正常情况下，图2.51的直流通路如图 2.51.1所示，将基极偏置电路用戴维南定理等效，等效
以后的电路如图 2.51.2所示。
在图 2.51.2种，由戴维南定理可得：
0.77V 12V 51
3.53.5V R R R V CC b2b1b1BB ≈?+=
+=
Ω≈Ω+?=
+?=
k 3.3k 51
3.5513.5R R R R R b2
b1b2b1b
A 211mA 02.03.3k 0.7)V
-(0.77R U -V I b
BEQ
BB BQ μ=≈Ω
=
=
假设三极管正常放大，则：
1.05mA A 1050A 2150I I BQ CQ =μ=μ?=β= 6.6V 5.1)V 1.05-(12R I -V U C CQ CC CEQ ≈?=?=
显然BEQ CEQ U U >，即，正常情况下三极管处在放大状态，测得集电极直流电压约为6.6V 。 2.6 在图2.14所示放大电路中，已知：三极管为NPN 型硅管，电流放大倍数β＝100，输出特性曲线如图 2.52所示。V 6V CC =，Ω=176k R b ，
Ω=1k R c ，分别用图解法和近似估算法求其静态工作点Q 。
解：（1）近似估算法
图2.14.1为图2.14的直流通路，由此可求出：
A 30176k 0.7)V -(6R U -V I b
BEQ
CC BQ μ≈Ω
=
=
3mA A 3000A 30100I I BQ CQ =μ=μ?=β=
图2.50.1
R b2
R C VT
R b1 V CC
V BB
VT
R C
V CC R b 图2.50.2
6 i C (mA) 5 4 3 2 1 u CE (V)
6 30μA o
10μA 20μA 40μA
50μA 60μA 5 4
3
2
1
图2.52
题2.6图 I CQ I BQ
R b VT
R C
V CC
3V 1)V 3-(6R I -V U C CQ CC CEQ =?=?=
（1）图解法
① 由基极偏置电路求出静态基极电流
A 30176k 0.7)V -(6R U -V I b
BEQ
CC BQ μ≈Ω
=
=
② 根据集电极回路方程C
CQ CC CEQ R
I -V U ?=，在输出特性曲线上作
直流负载线MN ，如图2.52.1所示。点M(0，6)和N(6，0)分别是直流负载线和坐标轴的交点。
③ 直流负载线MN 和对应于基极电流为30μA 的输出特性曲线的交点Q 即为所求的静态工作点，由图 2.52可求出Q 点的横坐标即为静态集电极电压U CEQ =3V ，Q 点的纵坐标为静态集电极电流I CQ =3mA 。
2.7 在图 2.14所示的电路中，已知V 12V CC =，Ω=k 560R b ，
Ω=k 5R c ，50=β，Ω='200b b r ,用等效电路法分析
(1) 试估算放大电路的电压放大倍数u A ?
、输入电阻i R 和输出电阻o R 。 (2) 调整基极偏流使CQ I 增大，Q 点将如何变化，电压放大倍数如何变化。 (3) 若换上100=β的三极管，其它参数不变，Q 点将如何变化。
(4) 若换上100=β的三极管，调整电路基极偏置电阻b R ，以保持CQ I 不变，电压放大倍数如何变化。
分析与提示：求电压放大倍数须知道发射结交流等效电阻r b e ，而r be 与静态电流有关，所以，要求电压放大倍数，首先
要求静态电流。另外，题目中没有给出负载电阻的值，此时一般认为电路空载，R L =∞，C L
C L
R //R R R =='。
解：(1) 首先由图2.14.1求出静态集电极电流
A 20560k 0.7)V -(12R U -V I b
BEQ
CC BQ μ≈Ω
=
=
1mA A 1000A 2005I I BQ CQ =μ=μ?=β=
图2.14.2为图2.14的交流通路，图2.14.3为图2.14的交流等效电路，由此可求得放大性能参数
Ω=Ω=?
+=β
+=' 1.5k 15001mA
mV 2650200I U r r CQ
T b b be
-1671.5
550r R A be
C u ≈?-=β-=?
Ω=≈=+?=
k 5.1r r //R r R r R R be be b be
b be b i
Ω==k 5R R c o
i C (mA) 5 4 3 2 1 u CE (V)
6 30μA o
6 10μA 20μA 40μA
50μA 60μA 5
4
3
2
1
M
N
Q
图2.52.1
c i
图2.14.2
+
R L
_
+
b i
VT
i u
o u
R C
_
R b
+
e
c i
o u
R L
R b
i u
R C
+
_
_
b
c
r be
b i
i i
图2.14.3
(2) 由于本电路空载，交流负载线和直流负载线重合。放大过程中，随输入信号的变化，工作点Q 将沿着交流负载线移动。所以当调整基极偏流使CQ I 增大， Q 点将沿交流负载线上移。
随着Q 点上移，工作点将向饱和区移动，但只要Q 点处在正常放大区域，电流放大系数β将为常数，而发射结交流等效电阻r be 却随着I CQ 的增大而减小（CQ
T b b be I U r r β
+='），所以电压放大倍数将变大。由此得出结论，适当增加静态电流，可
以在一定程度上改善放大能力。
同时，由图2.52.1不难看出，当Q 点接近饱和区时，相同的基极电流变化引起的集电极电流变化将变小，即电流放大系数β将减小，从而导致电压放大倍数降低。当Q 点进入饱和区时，集电极电流不再随基极电流变化，β=0，电路不再具备放大能力。
(3) 若换上100=β的三极管，其它参数不变，则基极电流不变，直流负载线也不变，所以集电极电流将增加，Q 点沿交流负载线上移。
(4) 若换上100=β的三极管，即电流放大系数β变为原来的两倍。调整电路基极偏置电阻b R ，以保持CQ I 不变，则发射结交流等效电阻r be 不变。所以，电压放大倍数变为原来的两倍。
2.8 按电路组态填写下表。 解：
2.9 电路如图 2.53所示，晶体管的β＝80。 （1）求静态工作点I BQ 、I CQ 、U B EQ ； （2）求发射结交流等效电阻r be ；
（3）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u
A 、R i 和R o 。
解： (1) 图 2.53的直流通路和直流等效电路如图2.53.1所示，由此可求得静态工作点
A
3.32k 443V 3.14k )381200(V )7.015()R 1(R U V I e
b BEQ CC BQ μ=Ω
=
Ω
?+-=
β++-=
2.6mA A 32.380I I BQ CQ =μ?=β=
7.2V 3)V 2.6-(15R I V R )I 1(V U e CQ CC e BQ CC CEQ =?=-≈β+-=
(3) Ω=Ω=?
+=β+='1k 10002.6mA
mV 2680200I U r r CQ
T b b be
电路名称 连接方式（填写e 、c 、b ） 性能比较（填写大、中、小）
公共极
输入极
输出极
A u A i R i R o 其它 共射电路 共集电路 共基电路
电路名称 连接方式（填写e 、c 、b ） 性能比较（填写大、中、小） 公共极 输入极 输出极 A u A i R i R o 其它 共射电路 e b c 大 大 中 中 主要用于放大 共集电路 c b e 小 大 大 小 主要用于隔离 共基电路
b
e
c
大
小
小
中
主要用于振荡
图2.53 题2.9图
图1.34.1
(3) 图2.53的交流通路和微变等效电路如图 2.53.2所示，由此可求得放大参数
R L = 3k Ω 时，
992.0(3//3)
811//3381R β)1(r R β)1(A L
be L u ≈?+?=
'++'+=
?
）（
Ω≈?+='++=75.97k (3//3)]81//[1200]R β)1([r //R R L be b i
Ω≈Ω
+=
β
++≈
3781
2//200)k 1(1//R
R r R b
S be o
R L =∞时，
699.03
811381β)R
1(r β)R
1(R β)1(r R β)1(A C
be C
L
be L u ≈?+?=
+++=
'++'+=
?
Ω≈Ω?+=++='++=109.9k 3]k 81//[1200]β)R 1([r //R ]R β)1([r //R R C be b L be b i
Ω≈Ω
+=
β
++≈
3781
2//200)k 1(1//R
R r R b
S be o
2.10 设图 2.54所示电路,已知：V C C =25V ，β＝50，其它参数如图中所示，输入电压为正弦波。 (1)?U U A i 1O 1u ≈=?
?
?
,?U U A i 2O 2u ≈=?
?
?
(2)画出输入电压u i 和输出电压u o 1、u o 2 的波形；
解：(1)首先画出直流通路如图2.54.1，并由此求出r b e 。
A 96k 253V 3.24k )351100(V )7.025()R 1(R U V I e
b BEQ CC BQ μ≈Ω
=
Ω?+-=
β++-=
Ω≈μ+
=+
=β
+=''471A
96mV 26200I U r I U r r Q
B T b b CQ
T b b be
R b
R e
V CC
R b
R e
V CC B
C
E 图2.53.1 共集电极放大电路的直流通路和直流等效电路
(a)直流通路 (b)直流等效电路
(a)
(b)
U BEQ
I CQ
VT (a) (b) (c)
图2.53.2 基本共集电极放大电路的交流通路和微变等效电路
(a) 交流通路 (b) 微变等效电路 (c) 求输出电阻电路
r be
R b
R e
u o
+
_
+
_
u i
β i b
i b
i e
+ _
u s
R s
R L
R b
R c
+
R b
R e
u i
u o
+
R L
_
_
VT
+ _ u s R s
r be
R e
u t
+
_
β i bt
i bt i et
i t R S //R b
图 2.54的交流通路和微变等效电路如图 2.54.2所示，由此可求得放大参数
1977.03
5147.0350R )1(r R ]
R )1(r [I R I U U A e be c
e be b c
c i
1
o 1u -≈-≈?+?-
=β++β-
=β++??-
==
?
?
?
?
?
1997.03
5147.0351R )1(r R )1(]
R )1(r [I R I U U A e
be c
e be b e
e i
2
o 2u ≈≈?+?=
β++β+=
β++??=
=
?
?
?
?
?
(2) 由以上计算可知，两个输出电压相位正好相反，幅度近似相等，且都近似输入信号的幅度。各信号波形如图2.54.3所示。本电路可以用于将某种信号分成两个大小相等，极性相反的信号输出。
2.11 晶闸管的结构有什么特点？其导通条件是什么？导通后晶闸管的电流大小取决于什么？
答：（1）晶闸管类型很多，但不论哪种结构形式的晶闸管，其内部都有一个硅半导体材料做成的管芯，管芯由四层半导体（P 1、N 1、P 2、N 2）组成，形成三个PN 结（J 1、J 2、J 3），分别从P 1、P 2和N 2引出三个电极，依次为阳极A 、控制极G 和阴极K ，如图2.37所示
（2）要使晶闸管导通，必须在阳极和阴极之间加正向电压，同时在门极和阴极之间加正向触发电压。
（3）晶闸管导通后可近似为闭合的开关，所以通过其电流的大小取决于电源电压和负载的大小。
2.12 单结晶体管的伏安特性是怎样的？
答：单结晶体管伏安特性就是它的发射极特性，即在基极B 2、B 1，之间外加一个固定电压U BB (B 2接正、B 1接负)，发射极电流I E 与电压U E 之间的关系曲线，即
i E =f (u E )| U BB =常数
伏安特性曲线如图2.44所示。可分为三段：
（1）截止区。当外加电压U E < U P =U A + U D = ηU BB + U D 时(U D 为PN 结的正向压降，一般取U D = 0.7V)，PN 结承受反向电压而截止，管子处于截止状态。对应于这段的特性称截止区，如图2.44的OP 段所示。
(a) (b)
图2. 54.2
(a)交流通路 (b)交流等效电路
+
_
+
VT
i u
1o u
R C
_
R e
R b
+
_
2o u
+
_
+
i u
1o u
R C
_
R b
R e
r be
2o u
+ _
O
ωt
π
2π
u i
u o1
O
ωt
π
2π
O
ωt
u o2
图2. 54.3
P 1
P 2 N 2
N 1
J 1 J 2
J 3
图2.37晶闸管结构
K
A
G
图2.44 单结管伏安特性曲线
截止区
负阻区
饱和区
U E
I E
U P P
U V
I P I V
（2）负阻区。当U E = U P = ηU BB + U D 时，PN 结承受正向电压而导通，发射极电流I E 突然增大。这个突变点称为峰点P 。对应的电压U E 和电流I E 分别称为峰点电压U P 和峰点电流I P 。
PN 结导通后，从发射区(P 区)向基区(N 区)发出了大量的空穴型载流子，I E 增加很快，E 和B l 之间变成了低阻导通状态，而使E 和B l 之间的电压U E 也随之而下降。这段特性曲线的动态电阻ΔU E /ΔI E 为负值，故称作负阻区。
（3）饱和区。当发射极电流I E 增大到某一数值时，电压U E 下降到最低点。特性曲线上的此点称为谷点V 。与此点对应的为谷点电压U V 和谷点电流I V 。此后，若调节U EE 使发射极电流继续增大时，发射极电压略有上升，但变化不大。谷点右边的这部分特性称为饱和区。
由上述分析可见，峰点P 和谷点V 是双基极二极管工作状态的两个转折点： 当U E ≥U P 时，管子工作在导通状态；
当U E ＜U V 时，管子由导通恢复到截止状态。一般取U V = 2～5 V 。 2.13 单结晶体管自激振荡电路如图2.55所示，R 在电路中起什么作用？不接R 对电路有什么影响？
答：R 在电路中起限制振荡频率的作用。如果不接R ，则当RP 调到足够小时，电路充电时间常数τ=(R+R P )C 将足够小，使电容C 的充电速度很快，振荡频率会很高。当充电时间常数接近放电时间常数甚至比放电时间常数还小时，电路将不能正常振荡。
2.14 简述绝缘栅N 沟道增强型场效应管的工作原理？
答：如图2.27所示，将源极与衬底短路，并在栅.源之间加一定正向电压，建立一个方向垂直于衬底表面的电场。栅极G 和衬底P 型硅片相当干一个电容器的两个电极，二氧化硅是介质。P 型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，除填补空穴形成负离子的耗尽层外，还在表面形成一个N 型层通常称它为反型层。它就是沟通源区和漏区的N 型导电沟道(与P 型衬底间被耗尽层绝缘)。形成导通沟道后，在漏极电源E D 的作用下，将产生漏极电流I D ，管子导通(如图2.28)所示。
在一定的漏-源电压U DS 下，使管子由不导通变为导通的临界栅-源电压称为开启电压，用U GS （th ）表示。很显然，在0U GS(th)时，随栅极电位的变化i D 亦随之变化，这就是N 型沟道增强型绝缘栅场效应管的栅极控制作用。
图2.29和图2.30分别称为管子的转移特性曲线和输出特性曲线。i D 和u GS 的近似关系为
2
GS(th)GS DO
D 1U I ???
?
??-=u i （2.34） 其中，I DO 是u GS =2U GS(Th)时的i D 。
输出特性曲线描述当栅.源电压u GS 一定时，漏极电流i D 与漏.源电压u DS 之间的函数关系，即
常数
GS
DS D )
(==u
u f i （2.35）
与双极型三极管类似，对应于一个u GS ，就有一条曲线，因此输出特性曲线为一族曲线。 在输出特性曲线中，可以将场效应管分为三个工作区： (1) 可变电阻区
这是u DS 较小的区域。在该区域u GS >U GS(th)，且u GD = u GS . u DS ≥U GS(th)，场效应管内部漏-源极之间存在导电沟道，且厚度较均匀，当u GS 一定时，i D 与u DS 呈线性关系，其相应直线的斜率受u GS 控制，这时场效应管漏.源之间相当于一个受电压u GS 控制的可变电阻，其电阻值为相应直线斜率的倒数。
图2.55 题2.13图
U
图2.27 N 沟道增强型MOS 管导电沟道 图2.28 N 沟道增强型MOS 管的导通
(2) 放大区
这是u DS 较大的区域。在该区域u GS >U GS(th)，且u GD = u GS . u DS
u GD =U GS(th)为可变电阻区与放大区分界，称为预夹断。 (3) 截止区
在该区域u GS
2.15 如图 2.56所示，已知场效应管的低频跨导为g m ，试写出u A ?
、R i 和R o 的表达式。 解：画出图2.56的微变等效电路如图2.56.1所示，则u A ?
、R i 和R o 的表达式分别为：
213i R //R R R += d o R R ≈
L
d u //R
R A m g -=?
，
第3章
3.1 选合适的内容填空
（1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大（ ）。
A 、交流功率
B 、直流功率
C 、平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指（ ）。
图2.56 题2.15图
图2-29 N 沟道增强型管的转移特性曲线
图2-30 N 沟道增强型管的漏极特性曲线
i D /mA
U DS =常数
Q
ΔI D ΔU GS
U GS 无沟道
有沟道
u GS /V
i D /mA
U GS =1V 2V
3V 4V u GS /V
U GS = U GS(VT h)
可变电阻区
放 大 区
夹断区
预夹断轨迹
R g2
R S
VT
+
R g
R g1 R L
C 1
C S
C 2 + +
+ R d + -
+V DD
u i
u o
图2.56.1
R g1
-
-
d
+ +
-
g
S
+
R g
R g2
R L
R d U i
U gs
g m U gs
U o
A 、输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B 、最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C 、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
（3）在OC L 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中每只功放管的集电极最大功耗约为（ ）。 A 、1W B 、0.5W C 、0.2W
（4）在选择功放电路中的晶体管时，应特别注意的参数有（ ）。 A 、β B 、I CBO C 、U (BR)C EO D 、I CM E 、P CM F 、f T
（5）在互补推挽功率放大电路中，给功率管设置适当的直流偏置，使其工作在（ ）状态。
A 、丙类
B 、乙类
C 、甲类
D 、甲乙类
（6）OC L 功率放大电路采用直接耦合，要求其输出端的中点静态电压是（ ）V 。
A 、1
B 、2
C 、0
D 、0.5
（7）在输入信号的整个周期内，（ ）功放管都有电流通过，输出没有削波失真的信号。
A 、乙类
B 、甲类
C 、甲乙类
D 、丙类
（8）乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ ）。 A 、频率失真 B 、相位失真 C 、波形过零时出现的失真 D 、幅度失真 解：（1）C ；（2）B ；（3）C ；（4）C,D,E ；（5）D ；（6）C ；（7）B ；（8）C 3.2 判断下列说法是否正确。
（1）在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。（ ）
（2）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真的情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ）
（3）功率放大电路与电压放大电路的区别是 ① 前者比后者电源电压高；（ ）
② 前者比后者电压放大倍数数值大；（ ） ③ 前者比后者效率高。（ ）
④ 在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大。（ ）
（4）推挽功率放大器输入交流信号时，总有一只晶体管是截止的，所以输出波形必然失真。 （ ） （5）在推挽功率放大器电路中，只要两只晶体管具有合适的偏置电流时，就可消除交越失真。（ ） 解：（1）×；（2）√；（3）①×，②×，③√，④√；（4）×；（5）√；
3.3 在图3.3所示电路中，当发射极旁路电容C e 开路时，试画出其交流通路和交流微变等效电路并求u o i A R R ,,。 解：交流通路和交流微变等效电路如图3.3.1所示，由图可求放大性能参数
(a) (b)
图3.3.1
(a)交流通路 (b)交流等效电路
+
_
+
VT
i u
1o u
R C
_
R e
R b2
R L
R b1 R s u s +
-
+
_
+
i u
1o u
R C
_
R b2
R e
r be
+ _
R L
R b1 R s
u s
]
R )1(r //[/R /R R I )1(r I I R 1R 11
U
I
R 1R 11I R U R U U I U
R 1e be b2
b1e
b be b b
2
b 1
b i
b
2
b 1
b b
2
b i
1
b i
i
i i i β++=?β++?+
+=
++
=
++
=
= ）（
C o R R 2=）（
e
be L C e be b L C C i O u R )1(r )//R (R -]R )1(r [I )//R (R I -U U A 3β++β=β++== ）（ 3.4 在图3.27所示电路中，电路参数理想对称，V CC = V EE = 12V ，R c = R e =10k Ω，R W =100Ω，晶体管β =100，Ω='200r b b ，U BE Q =0.7V ，调零点位器R W 滑动端在中点。试求：
（1）电路的静态工作点I BQ ，I CQ 和U CQ 。
（2）画出差模等效电路并求差摸性能参数A ud ，R id 和R od 。 解：(1)图3.27.1所示电路为图3.27的直流通路，由图可求得
W EQ e EQ BEQ EE R 2
1I R 2I U V ?
+?+=
mA 57.00.1)k 0.5-10(20.7)V -(12R 212R U -V I I W
e BEQ EE EQ CQ =Ω
??=
-
=
=
A 5.6101
0.57mA 1I I EQ BQ μ==
β
+=
6.3V 10)0.57-(12R I -V U C CQ CC CQ =?=?=
(2)图3.27.2为图3.27的交流通路，图3.27.3为图3.27的微变等效电路，由图可求得
VT
+V CC
VT
R C
R C
R e
.V EE
u o u i1
u i2
+ +
_ _
R W
图3.27 题4图
3.27.1
VT
V CC
VT
R C
R C
R
e V EE
R w /2
R w /2 3.27.2
VT 1
R C L
R 21
u i1 u i2 +
+
_
_
R C
L
R 21
VT 2
u od1
u od2
u od
u id
i b1
i b2
i c2
i c1
W
R
21
W
R
21
+
+
od
u
R C
_
r be
i b R C
_
L
R 2
1
L
R 2
1
i b i c
i c
id
u
r be
图3.27.3
W
R 21 W
R
21
Ω≈?
+=β++=' 4.8k 0.57mA
mV 26101200I mV 26)
1(r r EQ
b b be
4.331.0101
5.08.4)5//10(100]R )1(r )R //R (]R )1(r 2[I )R //R 2(I U U A W 2
1be L 21
C W be b L C c id Od ud
-=??+-=β++β-=β++-== Ω=?+?=β++=β++===k 7.191.01018.42R )1(r 2I )R )1(r 2(I I U I U R W be b
W be b b id id id id
Ω==k 20R 2R C od
3.5 在图3.14(a)所示电路中，已知V CC ＝16V ，R L = 4Ω，VT 1和VT 2管的饱和管压降V 2U CES =，输入电压足够大。试问：
（1）最大输出功率P om 和效率η各为多少？ （2）晶体管的最大功耗P CM 为多少？
（3）为了使输出功率达到P om ，输入电压的有效值U i 约为多少？ 解：(1) ()
24.5W 4
2)
-(162
1U V 2R
1P 2
2
CES
CC
L
om =?
=
-=
68.7%100%16
2-164
π100%V U 4
π100%P P ηCC
cem D
o =??
=
??
=
?=
(2) 9.8W 24.50.40.4P R V π2V π22R
1V π
2V πR
2P om L 2
CC 22
CC L
CC CC L
CM =?=≈?=??
?
???-
?
=
(3)由于 14V 2-16U -V U U CES CC om im ====，所以
V 102
142
U U im
i ≈=
=
3.6 图3.19 (a)所示的电路中，已知C = 5pF ，L=20μH ，r be =1k Ω，R L =10Ω，β=100，变压器的变比n =10，试求： (1) 谐振频率f 0；
(2) 谐振时的放大倍数A uo ；
(3) 当考虑三极管输出电阻的影响时，放大倍数如何变化？当结电容不能忽略时，谐振频率如何变化？
L
+
+
R b1
R b2
R e
R L
C
+V CC
u i + _
R b1 R b2
R L
C
+
_
u i L R b1
R b2
L
R '
C
+
_ r be
R o
c
I ?
i U ?
o
U
?
+
_
b
I ?
图3-19 单调谐放大电路
(a)
(b)
(c)
(a) 原理图
(b) 交流通路
(c) 交流等效电路
解：（1）Z
12
6
-o MH
91510
510
2014321LC
21..f ≈????
?=
π=
-
100
1000
10100100R n -R jQ 11R f f f f jQ 11R Z U U A 2be
L 2
be
L o o
be
L o o
be
o be
i
o
u -=??
-=β
='β
-=-+?'β
-≈-+?'β
-=β
-==
?
?
?
r r )
f f f f (
r )
(
r r ）（
3.7 在图3.25(a)所示电路中，假设电流源为理想电流源，三极管VT 1工作在甲类状态，负载电阻R L 为最佳负载，试推导该电路的理想转化效率为η=25%。
证明：
∵ 三极管VT 1工作在甲类状态 ∴CC CEQ V 2
1U =
，CM CQ I 2
1I =
放大过程中，由于电流源为理想电流源，其交流等效电阻无无穷大，所以，VT 1放大以后的输出信号全部输出给负载电阻R L 。图3.25.1为其交流通路。
又∵负载电阻R L 为最佳负载 ∴R L 的取值满足
CQ
CEQ CM
CC CM
CEO L I U I V I U R =
=
=
其中，U CEO 为三极管反向击穿电压，I CM 为三极管的最大允许集电极电流。
理想情况下，三极管处在尽限运用状态，输出电压和电流的最大幅值分别为：
CC CEO cem V 2
1U 2
1U =
=
，M C CQ cm I 2
1I I =
=
如图3.25.2为尽限运用时输出波形的变化范围。 甲类功率放大，电源提供的功率为
L
2CC L 2CC
CQ CC C CC D 2R
V
R 2V
I V I V P =
'=
?=?=
负载R L 上获得的输出功率
L
2
cem L
2
cem cem cm cem
cm ce c o R U 21R U 21U I 2
12
U 2
I U I P =
'=
=
?
=
=
由以上分析，当CC CEO cem V 2
1U 2
1U =
=
时，输出功率最大
L
2
CC L
2
CC 21om 8R
V R )V (2
1P =
=
∴该电路的的最高效率为：
25%%1002R
V
8R
V
%100P P L
2CC L 2CC D
om m =?=
?=
η
VT 1
VT 3 R
R b VT 2
+V CC
u i
u o
+ +
图3.25(a) 镜像电流源负载电路
3.25.2
i C
u CE (V)
V CEO Q
U CEQ
I CQ
I CM
o
t
i C
t o
V CC
o VT 1
R L
R b
u i u o + 图3.25.1
-
+ -
第4章
4.1 多级放大电路有哪几种耦合方式？各有什么特点？
答：在多级放大电路中，级与级之间的连接称为级间耦合。通常有四种常见的耦合方式：阻容耦合、变压器耦合、直接耦合和光电耦合。无论采取哪种耦合方式，都要使前一级的输出信号能顺利的传递到下一级的输入端，同时要保证每一级电路都要有合适的静态工作点。
(1) 阻容耦合的优点：由于前后级是通过电容相连的，所以各级的静态工作点是相互独立，这给放大电路的分析、设计和调试带来了很大的方便。而且只要电容选的足够大，就可以使前级的输出信号在一定的频率范围内，几乎不衰减地传到下一级。
阻容耦合的缺点：不能传送直流信号，不适于传送缓慢变化的信号，低频响应差。为了降低交流信号（尤其是低频信号）在电容上的损耗，耦合电容一般取容量比较大的电解电容，在接入电路中时，要注意电容的极性不要接错。由于大容量的电容在集成电路中难以制造，所以，阻容耦合方式在集成电路中无法采用，多在早期分离元件电压放大电路中采用。
(2) 变压器耦合方式优点是各级静态工作点相互不受影响，有利于实现阻抗匹配；缺点是低频响应差，成本高，体积大，易自激，不易集成。
(3) 直接耦合方式的优点是结构简单，低频响应好，可以放大变化缓慢的交流信号，易集成，成本低。直接耦合方式的缺点是各级静态工作点相互影响，从而有可能导致某一级电路不能正常工作。在实际应用时，必须采取措施，保证各级电路都有合适的静态工作点。直接耦合方式的另一个缺点是零点漂移现象严重，在直接耦合放大电路中，工作点的稳定（尤其是前级电路工作点的稳定）与否，直接关系到其放大性能的好坏。
(4) 光电耦合是利用光电耦合器件，通过电－光－电的转换实现前后级之间信号的传递。其优点是各级工作点独立，抗干扰能力强，安全性好，成本低，可集成，因而得到越来越广泛的应用。
4.2 判断下列说法是否正确，对的打“√”，错的打“×”。
(1) 直接耦合多级放大电路各级的静态工作点相互独立。（ ） (2) 阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点相互影响。（ ） (3) 直接耦合多级放大电路只能放大直流信号。（ ）
(4) 测得两个共射放大电路的空载电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路后，空载放大倍数为10 000。（ ）
(5) 直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。（ ）
(6) 多级放大电路的第一级采用差动放大电路主要是为了克服温度导致的零点漂移。（ ） 答：(1) ×；(2) ×； (3) ×；(4) ×； (5) ×； (6) √。
4.3试画出图4.2所示电路的直流通路和交流通路，并估算第一级的静态工作点。已知：V CC =6V ，R 1=40k Ω，R 2=20k Ω，R 3=1.3k Ω，β=50。
解：图4.2.1为直流通路，图4.2.2为交流通路。由图4.2.1可以估算第一级的静态工作点为：
u o
Tr 2
Tr 3
＋ C 3
C 2
C 4
VT 1
R 4
R 3
＋
－
R L ＋ ＋ Tr 1
C 1
＋
R 6
VT 2
图4.2 两级变压器耦合放大电路
＋ R 2 －
R 1
＋V CC
u i R 5
VT 1
R 4
R 3 R 6
VT 2
图4.2.1
R 2
R 1
＋V CC
R 5
)(V 26204020V R R R U CC 2
12BQ1=?+=
?+≈
(m A)
13
.10.7
-2R U U I 4
BEQ1
BQ1EQ1==
-=
A 20mA 02050
1I 1I I )(1
1EQ 1
1EQ 1BQ μ===≈
+=
.ββ
A)(0250
1I 1I I 1
EQ1
1
EQ1BQ1μββ==
≈
+=
)V (7.43.116R I -V U 3E Q 1CC CEQ1=?-=?=
4.4 如图4.35所示的多级放大电路，其中方框Ⅰ表示共射基本放大电路，方框Ⅱ表示共集基本放大电路，它们均能正常放大。则：
(1) 输入电阻较大的电路是哪几个？ (2) 输出电阻较小的电路是哪几个？
(3) 源电压放大倍数S O us U U A ?
?
?
=最高的是哪个电路？ 解：
(1)由于共集基本放大电路的输入电阻比共射基本放大电路的大，所以输入电阻较大的电路是(b)和(c)。 (2)由于共集基本放大电路的输出电阻比共射基本放大电路的小，所以输出电阻较小的电路是(a)和(c)。
(3)由于共集基本放大电路的输入电阻很大，提高了信号源的利用率，即同样的信号源电压输入时，放大器输入端实际得到的输入信号更大，使放大以后输出相对较大；另一方面，由于共集基本放大电路的输出电阻很小，当其作为输出级电路驱动负载时，使输出信号的利用率提高，即当驱动同样的负载时时，放大器输出端实际得到的输入信号更大。总之，虽然共集基本放大电路本身不具备电压放大能力，但是电路(c)的形式既可以提高信号源的利用率，又可以提高输出信号的利用率，使源电压放大倍数最高。
4.5 在题图4.36中，理想情况是交流输出电压幅值U om ≈V CC /2。实际上，当u i 为负半周时，VT 2导通，由于R c1的压降和U BE2的存在，当A 点向V CC 接近时，VT 2的基极电流将受到限制，使输出电压幅值U om 远小于V CC /2。由R 3、C 3组成的自举电路，就可以解决此矛盾。试简述其理由。
（ 提示：当U i =0时，u G = U G = V CC -I C1R 3，因而电容C 3两端电压被充电到U C3 = V CC /2 -I C1R 3。）
解：由于R 3较小，静态时，G 点的点位约等于电源电压u G = U G = V CC -I C1R 3≈V CC 。当R 3、C 3的乘积足够大时，可认为u C3 = U C3基本为常数，不随u i 而改变。
在输入信号u i 负半周，输出端A 点的电位上升，由于电容上的电压不能突变，经电容C 3耦合，使G 端的电位上升，甚至可以超过V CC
的值，输出端A 的电位可以接近电源电压V CC 。电阻R1的作用是把G 点与电源隔开，
O
U ?
+ .
R L
Ⅰ
Ⅱ
S U ?
O
U ?
R S .
+ .
R L
+
Ⅱ
Ⅰ
S U ?
O
U ?
R S
.
+ .
R L +
Ⅱ Ⅰ
S U ?
R S
.
+ Ⅱ
(a)
(b)
(c)
图4.35 题4.4图
Tr 2
VT 1
－
＋ Tr 1 VT 2
图4.2.2
＋ －
u i Tr 3
u o R L
+V CC =6V VT 2
VT 3
R L VD
R c1 A
C 2
u i _
C 1 VT 1 C 3 R e
R 1
RP R 2 R 3 1N4002
3BX31A 3AX31A
3DG6 8Ω
150Ω 68051Ω
13k Ω
5.1k Ω
51Ω 100μF
100μF
10μF
G + + + + +
模拟电子技术习题
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t 模拟电子技术基础习题与解答 2.4.1电路如图题所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解（1）求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=?=Ω ??-=-=- V V V V D O 4.17.022=?== （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解所示，温度 T ＝300 K 。 Ω≈==02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+，即～。 2.4.3二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。 图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。 图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。 2.4.4 试判断图题 中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=?Ω+Ω+?Ω+Ω= D 被反偏而截止。 图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=?Ω+Ω+-?Ω+Ω= 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型 + + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U 模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2 第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。 第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R大的特点。( √ ) GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k 时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -==Ω (120) 1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。 A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子 2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。 A．扩散B．漂移C．小D．大 3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。A．双极B．空穴C．单极D．自由电子 4．负反馈放大电路的含义是（）。 A．输出与输入之间有信号通路 B．电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路之外还有信号通路 D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB 6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。 A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路 7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。 A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容 8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强 9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。 A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。 A．带阻B．带通C．低通D．有源 11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。 A．比较B．滤波C．调整 (210) 1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。（） 3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（） 1．设图3-1中二极管、为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压= ？（4分） 第一章习题解答 1.1 解： 由公式：)1(-=T D u u s D e I i 可求得电流外加电压为V u D 5.0=时 A A e i mv v D μμ5.22)1(101.03 10 265.06 =-?=-?- 时V u D 7.0= mA mA e i mv V D 3.49)1(101.03 10 267.09=-?=-?- 1.2 解： ① 当R=1ΩK 时 假设二极管导通 V U V U on D 7.3)3()(0-=+-= mA K V R U I L 7.317.300-=Ω -== mA I I I mA K V R U V I on D 6.17.33.53.51)7.039(39021) (2=-=+==--= --= ②当R=4K Ω时，也假设二极管导通 00,I U 同① mA I I I mA K V I 4.27.33.13.14)7.039(0212-=-=+==--= V K mA R I U mA I I mA K V R R V I I L L 8.118.18.18.1)14(990 002021-=Ω?-==-=-==Ω +=+= =∴ 二极管截止，故 1.3解： a ： 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 2导通后，A 点电位下降为-6V 迫使V 1反向截止 V U AO 6-= b ：21,V V 反向截至，V U AO 10= c. 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 1导通后，将使A 、O 点电位差为零。电位相等,V 1导通，V 2截止。 d. 21,V V 均正向反偏，V 1导通21,V V 公共端电位为零，能保证V 2导通，A 点电位也为零，V 0U AO =。 1.4 解： 9mA .4mA )1.27(I I I 7mA 560V )1.26(R U 6V I 1mA .21K 1V .2R U I 1V .237V .03U U 01201L 00on D 0=-=-==Ω -=-= =Ω == =?=?=）（ 1.5 解： I U 变化1V ±时，相当于给6V 直流电源串接一个变化范围为1V ±的信号源，由二极管的动态电阻d r 为： 6mV .272100U U U 6mV .271V R R //3r R //3r U 3.59mA .426mV I U r 000L d L d 0Q T d ±=?±='=±?+= ?Ω ===）（ 1.6 解： a ： b ： 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流 min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。 首先假设稳压管工作在稳压状态，则有 ① I U 为10V ，8-=-=-=-Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R 小于5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态，起普通二极管的作用。 ∴V U I 10=时，V U R R R U I L L O 3.3=+= ； ②I U 为15V ，3-=-= -=-Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 小于5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态，起普通二极管的作用。 V U I 15=时，5L O I L R U U V R R = =+； ③I U 为35V ，17-=-= -=Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R 介于 min 5Z I mA =与 max 25Z I mA =之间。所以稳压管工作在稳压状态。 ∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时，mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-= ，故稳压管将被烧毁。 1.15电路如图P1.15所示，T 的输出特性如图Pl.14所示,分析当I u =4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 第1章绪论 1.1 教学要求 本章是模拟电子技术课程教学的开篇，旨在让学生对这门课程的发展历程、课程内容、特点和学习方法进行了解，以唤醒学生的学习兴趣，激发学生的学习欲望。 1.2 基本概念 1. 信号及其分类 信号是携带信息的载体，可以分为模拟信号和数字信号两大类。模拟信号是指在时间上和幅度上均具有连续性的信号，从宏观上看，我们周围的大多数物理量都是时间连续、数值连续的变量，如压力、温度及转速等。这些变量通过相应的传感器都可转换为模拟信号。数字信号是指幅度随时间不连续变化的、离散的信号，如电报码和用电平的高与低表示的二值逻辑信号等。 2. 电子线路及其分类 用于产生、传输和处理模拟信号的电子电路称为模拟电路，如放大电路、滤波电路、电压/电流变换电路等，典型设备有收音机、电视机、扩音机等；用于产生、传输和处理数字信号的电子电路称为数字电路，典型设备是电子计算机等。模拟电路和数字电路统称为电子线路。目前，模拟电路和数字电路的结合越来越广泛，在技术上正趋向于把模拟信号数字化，以获取更好的效果，如数码相机、数码电视机等。 3. 电子技术及其分类 电子技术是研究电子器件、电子电路和电子系统及其应用的科学技术，可分为模拟电子技术和数字电子技术。研究模拟电路的电子技术就是模拟电子技术，研究数字电路的电子技术就是数字电子技术。 4. 电子管 电子管就是一个特殊的灯泡，不过除灯丝以外，还有几个“极”，里面的灯丝与极都有连线与各自的管脚相连。最简单的电子管是二极管，它有两个极(阴极和阳极，有的灯丝还兼作阴极)，其中，阴极有发射电子的作用，阳极有接收电子的作用。二极管具有单向导电的特性，可用作整流和检波。在二极管的基础上增加一个栅极就成了电子三极管，栅极 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图所 示电路中U O1和U O2各为多少伏。 解：U O1＝6V，U O2＝5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。 《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则 与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3k Ω，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 k Ω B ．300 k Ω C ．300 Ω D ．400 k Ω 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 A ．串联电流负反馈 B ．串联电压负反馈 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B 模拟电子技术基础参考 文献 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】 模拟电子技术基础参考文献 [1]华中理工大学电子学教研室编,康华光主编.陈大钦副主编(电子技术基础)(模拟部分)第四版.北京.高等教育出版社.1999 [2]西安交通大学电子学教研室编,沈尚贤主编(电子技术导论),北京.高等教育出版社,1985 [3]谢嘉奎主编:[电子线路](第四版),北京高等教育出版社,1999 [4]北方交通大学,冯民昌主编:[模拟集成电路系统](第2版)北京中国铁道出版社1998 [5汪惠].王志华编着:[电子电路的计算机辅助分析与设计方法]北京.清华大学出版社1996 [6]吴运昌编着:[模拟集成电路原理与应用],广州.华南理工大学出版 社,1995 [7]沙占友.李学芝.邱凯编着(新型数字电压表原理与应用),北京.国防工业出版社 [8]王汝君.钱秀珍编:[模拟集成电子电路(上)(下)].南京,东南大学出版社1993 [9]华中理工大学电子学教研室,陈大钦主编.杨华副主编,(模拟电子技术基础),北京,高等教育出版社 ,2000 [10]杨素行主编(模拟电子电路),北京.中央广播电视大学出版社.1994 [11]清华大学电子学教研室组编,杨素行主编:(模拟电子技术简明教程)(第二版),北京,高等教育出版社,1998 [12]清华大学电子学教研组编,童诗白主编:[模拟电子技术基础](第二版)],北京高等教育出版社,1988 [13]清华大学电子学教研组编,童诗白主编(模拟电子技术基础)(上下册)北京人民教育出版社,1983 [14]华成英主编(电子技术)北京中央广播电视大学出版社,1996 [15] V. Walsh: Analogue eletronics with Op Amps:a source book of practical, Campridge university press,New york, 1993 [16]Jacob Millman and Arvin Grabel . York:Mcgraw-Hill book Company,1987清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
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