电子技术基础知识

1.2电子技术基础知识

一、填空

1、电容器的主要技术指标有Vmax、标称电容值、和允许误差范围四只200μF/50V的电容器串联，等效电容量为50μF。

2、三极管的极限参数有Pcm、Icm、BVceo。（集电极、发射极、击穿电压）

3、有一个稳压二极管稳压电路，焊接后挑食时发现其稳压输出端只有0.7伏的电压，经检查元件是好的，出现这种故障的原因是接反。

4、稳压管工作在反向击穿区，稳压管接入电路时，阴极应接电压的正极，阳极接负极，反映稳压管性能的参数时动态电阻。

6、晶闸管三个电极的名称是阳极、阴极和门极。

7、在晶体管放大电路中，反馈信号取自于输出电压，这种反馈叫做电压反馈。

8、三极管放大电路设置静态工作点的目的是获得最大不失真输出。

9、场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流的，所以它是一个电压控制器件；根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。

10、把集成运放接成负反馈组态是集成运放线性应用的必要条件。而在开环或正反馈时，集成运放工作在非线性工作状态。

11、已知某深度负反馈电路A Ud=100，F=0.1，则A Uf=9。

12、正弦波振荡电路一般由基本放大电路、反馈电路、选频网络和稳压电路等四个环节组成，而且缺一不可。

13、若采用市电供电，则通过变压、整流、滤波和稳压后可得到稳定的直流电。

14、理想运算放大器的开环放大倍数A od为∞，输入阻抗为∞，输出阻抗R od为0，共模抑制比K CMR为∞，频带宽度BW为∞。

15、串联型稳压电源电路包括调整输出、比较放大、采样和基准电位四个环节。

16、一个10位的DAC，输出电压满量程为10V，则它的分辨率为1/（210-1），能分辨的最小电压值为10/210V。

17、TTL电路多余管脚可以悬空，CMOS电路则不能悬空。

18、三极管放大器有共集、共射和共基三种基本组态。

19、多级放大器的级间耦合方式一般有直接耦合、光电耦合和变压器耦合三种。

20、为了抑制直流放大器中的零点漂移，最常采用的方法是差放、温度孔径和负反馈等措施。

21、集成运放按输入方式的不同可分为反相输入、同相输入和差放输入三种形式。

22、运算放大器是一种高增益的多级放大器，其输入级一般采用差分输入，输出级一般采用跟随。

23、RC电路最主要的应用包括耦合、微分和积分三种。

24、最基本的逻辑关系有与门、非门、或门三种。

25、七段数码显示器通常分为共阳和共阴。

二、判断

1、如图2.1.6所示的放大器电路中，当R4开路后，对信号仍具有放大能力，只是放大倍数下降。（X）

图2.1.6

2、如图2.1.6所示的放大电路，当C2开路后，对信号仍具有放大能力，只是放大倍数下降。（V）

3、如图2.1.6所示的放大电路中，输入信号的频率越高，则放大倍数越大。（X）

4、多级放大器的级数越多，则通频带越宽。（X）

5、放大器引入反馈后，放大倍数会下降。（X）

6、在多级放大器中引入的负反馈越深，则放大器的性能越稳定。（V）

7、直流放大器只对直流信号具有放大作用，对交流信号则没有放大作用。（X）

8、在直流放大器中要实现零输入时零输出，必须采用正负两组电源供电。（X）

9、集成运算放大器实际上是一个高增益的多级直流放大器。（V）

10、共模抑制比越高，则零漂越小。（V）

11、三极管反相器的工作点在饱和共和截止区之间跳动。（V）

12、反相器输入低电平时，输出就是高电平。（V）

13、在或非门电路中，只要有一个输入端为高电平时，输出就为高电平。（X）

14、在与非门电路中，只有全部输入端为高电平时，输出才为高电平。（V）

15、JK触发器具有记忆功能，能存储一位二进制信息。（V）

16、组合逻辑电路某一时刻的输出信号只取决于该时刻的输入信号，而与该时刻之前电路所处的状态无关。（V）

17、计数器和寄存器都属于时序逻辑电路。（V）

18、晶体三极管是一种电压放大元件。（X）

19、直流放大器的第一级通常采用单管放大电路。（X）

20、差动放大器对零点漂移有强烈的抑制作用。（V）

21、射极输出器电压放大倍数小于1而接近于1.（V）

22、放大器的输出电阻越大，则带负载能力越强。（X）

三、选择

1、射极输出器的主要特点时（②）

①输入电阻低，输出电阻高，电压放大倍数高

②输入电阻高，输出电阻低，电压放大倍数接近1而小于1

③输入电阻高，输出电阻高，电压放大倍数高

④输入电阻低，输出电阻高，电压放大倍数接近1而小于1

2、如果三极管三个电极的电压是V e=0V，V b=0.8V，V c=0.5V，则管子工作在（②）

①放大区②饱和区③截止区

3、一个固定偏置放大器，当期三极管β=50时，IBQ=20uA，ICQ=1mA，现换一个β=100的管子，则IBQ和ICQ分别是（③）

①20uA，1mA ②10uA，0.5mA ③20uA，2mA ④10uA，1mA

4、右下图电路中，当输入1KHz、5mV的正弦波时，出电压波形出现了顶部削平的失真，则

①这种失真时（B）

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.频率失真

②为了消除此失真，应（D）

A.减小集电极电阻R c

B.改换β小的管子

C.增大基极偏置电阻R b

D.减小基极偏置电阻R b

5、若要得到一个PNP型复合管，可选择下列4种接法中的（D）。

A、B、C、D、

6、正弦波震荡电路的振幅起振条件是（C）。

A.|AF|<1

B.|AF|=1

C.|AF|>1

D.|AF|=0

7、石英晶体在谐振电路中，等效于一个C。

A.电阻

B.电容

C.电感

D.并联谐振回路

8、共集电极放大器的主要作用是B。

A.电压放大

B.阻抗变换

C.增加带宽

D.频率选择

9、共发射极放大器的主要作用是A。

A.电压放大

B.阻抗变换

C.增加宽带

D.频率选择

10、功率放大倍数最大的是A。

A.共发射极放大器

B.共集电极放大器

C.共基极放大器

D.都一样

11、输出信号跟输入信号反相的是A。

A.共发射极放大器

B.共集电极放大器

C.共基极放大器

D.都一样

12、输入阻抗最高的是B。

A.共发射极放大器

B.共集电极放大器

C.共基极放大器

D.都一样

13、输入阻抗最低的是C。

A.共发射极放大器

B.共集电极放大器

C.共基极放大器

D.都一样

14、选择性能最好的放大器是C。

A.负反馈放大器

B.单调谐放大器

C.双调谐放大器

D.直流放大器

15、A会使放大器的输入阻抗增加。

A.串联负反馈

B.并联负反馈

C.电压负反馈

D.电流负反馈

16、C会使放大器的输出电阻减少。

A.串联负反馈

B.并联负反馈

C.电压负反馈

D.电流负反馈

17、为了克服共模电压带来的附加误差，因此，在实际应用中尽量采用D电路。

A.同相输入

B.反相输入

C.单端输入

D.双端输入

18、对于理想运放，下列叙述错误的是C

A.开环增益为无穷大

B.输入电阻为无穷大

C.输出电阻为无穷大

D.共模抑制比为无穷大

19、如图2.1.10为一集成运算放大电路，其中D1D2的作用是D。

图2.1.10

A.分压作用

B.限流作用

C.箝拉作用

D.保护作用

20、集成运算放大器不能实现的作用是（A ）

A.产生方波

B.直流放大

C.交流放大

D.数字运算

21、下列项目中，不属于信号的主要参数的是（D ）

A.脉冲幅度

B.脉冲周期

C.脉搏相位

D.脉冲宽度

22、多谐振荡器输出的波形是（C ）

A.正弦波

B.锯齿波

C.矩形波

D.脉冲波

23、在JK 触发器中，当（D ）时，将维持原状态不变。

A.J=1，K=1

B.J=1，K=0

C.J=0，K=1

D.J=0，K=0

1.1电工基础知识

一、填空题

1、基尔霍夫电流定律也称为KCL 定律，其表达式为εi(t)=0，不仅适用于节点，也可以推广到一个闭合面，这就是流入任一闭合面的各支路电流的代数和为零。

2、基尔霍夫电压定律的定义是：在节点上既不可能产生电荷，也不可能消失电荷，在节点处任意时刻流入和流出的电荷都相等，其表达式为I 节点入=I 节点出。

3、在图2.1.2所示的电路中，已知I 1=25mA ，I 3=16mA ，I 4=12Ma ，则I 2=9mA ，I 5=13mA ，I 6=-4mA 。

4、一个电源的电压为10V ，内阻为1Ω，当负载阻值=1Ω，负载所获得的功率最大，其最大功率为25W 。

5、如图2.1.4所示的电路为谐振电路，其谐振频率为f 0=LC

π21，品质因素Q=R C L

，谐振时阻R 0=R ，当输入信号频率大于f 0时，回路呈感性。

6、如图2.1.5所示的电路为并联谐振电路，其谐振频率为F=LC

π21，品质因素Q=R C L

，谐振时阻R 0=R ，当输入的信号频率大于f 0时，回路呈容性。

7、扩大电表交流电流量程采用电流互感器，扩大直流电流量采用分流法，对电流表来讲，要求其内阻小，对电压表来说，要求其内阻大。

8、某电器两端的电压为u=311sin （314t+45°）V ，其中的电流i=14.1sin （314t+15°）A ，

则电压的有效值时220V ，电流的有效值是10A ，电器的阻抗Z=22Ω，电阻，感

抗X L=11Ω。

9、如果把一个24V的电源正极接地，负极的电位是-24V。

10、有一内阻为3000欧姆，最大量程为3伏的电压表，如果要将它的量程扩大为15伏则应串联12K欧姆的电阻。

11、由于电源存在内阻，当负载电流增加时，电源的端电压要降低。

12、一个单相电炉的额定电压是220V，额定功率是1000W，电炉丝的电阻是48.4欧姆，它的额定电流是4.5安培，在一个小时内发出的热量是3.6X105焦耳。

13、在测量电流和电压时，电流表要与负载串联，电压表要与负载并联。

14、一个2.4微法的电容器与1.2微法的电容器串联，其等效电容为0.8微法。

15、交流电路中的功率有三种，他们的名称及计算公式分别是：（1）P=uIcosΦ，（2）Q=uIsin Φ，（3）S=uI。

二、判断题

1、网孔就是回路的一种。（V）

2、任何具有两个输出端的电路都可称为二端网络。（X）

3、叠加原理既可用于线性电路的计算，也可用于功率的计算。（X）

5、当用电压源向负载供电时，电源的输出电压U总是小于它的电动势E。（V）

6、在谐振电路中，电能和磁能以振荡的形式互相转换，而总的储存能量总是保持不变。（V）

7、谐振回路的Q值越大，说明回路的选择性越好。（V）

8、楞次定律指出：线圈中自感电势的方向总是与电流方向相反。（X）

9、磁电式仪表不能直接测量交流电，而电磁式和电动式仪表可以交直流两用。（V）

10、根据公式C=Q/U可知，电容量的大小和电容器两极间的电压成正比。因此，一个电容器接到高压电路中使用比接到低压电路中使用时的电容量小。（X）

11、R.L.C串联交流电路的阻抗，与电源的频率有关。（V）

12、只要在测量过程中，采取一定的措施，就可以消除仪表的基本误差，提高仪表的准确度。（X）

13、线圈中的自感电动势与线圈的自感系数和电流的大小成正比。（X）

14、在感性负载两端并联电容器，就可以提高负载本身的功率因数。（X）

15、在RLC串联电路中，电压关系是U=U R+U L+U C。（X）

16、感生电流产生的磁通总要阻碍原磁通的变化。（V）

17、在纯电感电路中，电路的无功功率为其瞬时功率的最大值。（V）

三、选择题

1、有一个感抗X L=1Ω的纯电感，将它接入正弦电源时其电流为1A，将1个电容与该电感并联，若电路中的总电流仍然是1A，则电容器具的容抗是（B）

A、1Ω

B、2Ω

C、0.5Ω

D、0.25Ω

2、一只量程为0.5A，内阻为0.1Ω的电流表，欲使量程扩大到3A，应并联一个多大的电阻？（A）

A、0.5Ω

B、0.4Ω

C、0.02Ω

D、0.025Ω

3、如果要测量一个电压为220V，功率约为1KW负载实际消耗的功率，应选用（B）的功率表更优。

A、150V 10A

B、300V 5A

C、300V 10A

4、一单相桥式整流电路的电源电压为220V，则应选耐压值为多大的二极管？（C）

A、220V

B、300V

C、400V

D、250V

5、如图示3.2.1所示，电源E的内阻为R0，当变阻器R的滑动臂向下调动时，A1，V，A2表的变化是（D）。

图3.2.1

A、增大，减小，增大

B、增大，增大，增大

C、减小，和，均减小

D、减小，增大，减小

6、有两个阻值相同的电阻，串联接入电源时，电路中的总电流为1A，若将它们改成并联，接入同一电源中，则电路中的总电流是（A）

A、4A

B、2A

C、0.5A

D、0.25A

7、磁电式仪表测量的是（A）

A、平均值

B、有效值

C、最大值

D、瞬时值

8、一个110V，60W和一个110V，200W的白炽灯串联后接入220V的电源，出现的情况是（A）

A、60W的灯泡烧坏

B、亮灯都正常工作

C、200W的灯泡烧坏

9、如图2.1.7所示，I1=5A，I2=2A，I3=1A，则I4=（B）

图2.1.7

A、-1A

B、-2A

C、1A

D、2A

10、发生串联谐振，电路的电抗为零，其复阻抗是一个纯电阻，这时的阻抗达到（B）

A、最大值

B、最小值

C、零

D、无穷大

11、如图2.1.8所示当电阻R增大时，回路的品质因素将（B）

图2.1.8

A、增大

B、减小

C、不变

D、不能确定

12、如图2.1.8所示，当电阻R增大时，回路的选择性将（B）

A、提高

B、降低

C、不变

D、不能确定

13、如图2.1.8所示，当电阻R增大时，回路的通频带将（A）

A、变宽

B、变窄

C、不变

D、不能确定

14、如图2.1.8所示，当电阻R增大时，回路的谐振频率将（C）

A、升高

B、降低

C、不变

D、不能确定

四、计算题

1、如图2.1.11所示，已知：E1=E2=10V，R1=R2=R3=R4=R5=R6=1Ω，试求各支路的电流大小。

解：叠加法求解。

2、如图2.1.12所示，已知E1=70V，E2=10V，R1=10Ω，R2=20Ω，R3=15Ω，试求I3。

完整版电子技术基础课程标准

电子技术基础课程标准 [ 课程名称] 《电子技术基础》 [ 适用专业] 中等职业学校电工电子专业 [ 课程性质] 本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程，贯彻以培养学生实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想。主要内容分为两类：第一类为模拟电子技术。第二类为数字电子技术。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容，注重理论与实践相结合，从而提高学生分析问题及解决问题的能力，增强学生适应职业变化的能力，为继续学习打下基础。 [ 课程目标] 1、知识目标与技能目标 通过本课程的学习，使学生掌握电子技术各种基本功能电路的组成、基本工作原理、性能特点，熟悉电子技术工艺技能和电子仪器的正确使用方法，初步具有查阅电子元器件手册，正确使用元器件的能力、读识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。能复述逻辑门电路的功能，并能利用逻辑门电路设计简单的组合逻辑电路，并能分析简单时序逻辑电路的功能。为后续课程学习准备必要的知识，为今后从事实际

工作打下必要的基础。 2、过程与方法学会理论联系实际，使课内与课外实验，科技活动紧密结合，提高学生学习兴趣，增强掌握运用所学理论知识解决相关专业领域实际问题的能力。 充分利用实验设备，加大实验比重，使学生动手能力明显提高。培养学生查阅科技资料的能力。 3、情感态度与价值观参与科技活动的热情，勇于探究与日常生活有关 的电学问题；享受快乐的学习过程及学习成果，养成持之以恒的学习精神；形成主动与他人合作的精神，具有团队精神；关心国内外科技发展现状与趋势，有强烈的使命感与责任感。 [ 课程基本理念] 注重以人为本的教学理念，培养学生个性发展；以理论与实验相结合，充分体会有关电子基础知识的重要性；注重学科渗透，关注科技发展，有机结合时代的新产品；创造团结协作的氛围，提倡学习方式的多样化；从分析解决实际问题，提高学生应知能力；建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 [ 课程内容和要求] 序 教学内容课程内容与要求考核要求 号 1 晶体二极1 、熟悉二极管器1. 半导体的概念；二极管的单

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通,若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为 V C ＞V B ＞V E ，基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中，测得I C=3mA，I E=，则I B= ， = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使 净输入量 减小的反馈，称为 负反馈 。 为了判别反馈极性，一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区，使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等，而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端，则会出现（ C ）问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ，负极电位是，则该二极管处于（ A ）状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时，具有如下特点（ A ）. A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管，它一般工作在（ C ）状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管，其各极对地电压分别为，2V ，6V ，则该管（ A ）。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区，当+u >-u 时，则（ A ） A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时；时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为（ B ）。

电子技术基础课程标准

〖专业课〗 《电子技术基础》 课程标准

二Ｏ一二年八月 三年制中等职业教育 《电子技术基础》课程标准 一、概述 （一）课程性质。本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程，贯彻以培养学生实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容，注重理论与实践相结合，从而提高学生分析问题及解决问题的能力，增强学生适应职业变化的能力，为继续学习打下基础。 （二）课程设计基本理念。注重以人为本的教学理念，培养学生个性发展；以理论与实验相结合，充分体会有关电子基础知识的重要性；注重学科渗透，关注科技发展，有机结合时代的新产品；创造团结协作的氛围，提倡学习方式的多样化；从分析解决实际问题，提高学生应知能力；建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 （三）课程设计思路。该课程是依据“电子技术应用专业工作任务与职业能力分析表”中的以能力目标指导下，基于职业教育的校企合作、工学结合、基于生产过程的工作项目设置的。其总体设计思路是，打破以知识传授为主要特征的传统学科课程模式，转变为以工作任务为中心组织课程内容，并让学生在完成具体的项目中学会完成相应的工作任务，并构建相关理论知识，发展职业能力。课程内容突出对学生职业能力的训练，理论知识的选取紧紧围绕工作任务完成的需要来进行，同时又充分考虑了中等职业教育对理论知识学习的需要，并融合了相关职业资格证书对知识、技能和态度的要求。项目设计以生产过程为线索来进行。教学过程中，要通过校企合作，校内实训基地建设等多种途径，采取工学结合、半工半读等形式，充分开发学习资源，给学生提供丰富的实践机会。教学效果评价采取过程评价与结果评价相结合的方式，通过理论与实践相结合，重点评价学生的职业能力。

(完整版)电子技术基础复习题及答案

电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）

电子技术基础习题带答案

【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r = ，o r = 。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 （填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以 通频带， 非线性失真。

10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA ， 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中， 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

《电子技术基础》复习要点

《电子技术基础》复习要点 课程名称：《电子技术基础》 适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余） 辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社 复习要点 第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子

浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 ◆单向导电性：正向导通，反向截止。 ◆正向导通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 ◆死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 ?分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: ◆若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); ◆若V阳

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ； 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

《电子技术基础》正式教案

电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识

目的与要求 1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。

一、半导体的导电特性 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 2．空穴的运动（与自由电子的运动不同） 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 （1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 （3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 1. N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

电子技术基础课程设计题目

《电子技术基础》课程设计题目 一、脚步声控制照明灯 要求：1.白天光线较强，照明灯不会点亮； 2.晚上又脚步声照明灯被点亮，脚步声小时后灯亮延时十秒再自动熄灭； 3.元件：功率集成电路家分立元件; 二、报警声响发生器 要求：1.能发出消防车报警，救护车报警灯的报警声; 2.输出功率≥1W 要求：1.当池中水位低于设定点时水泵自动抽水；； 3.元件：NE555时基电路加分立元件； 三、水位控制器 2.当水位到达设定点时水泵自动停止； 3.元件：NE555电路加分立元件； 4.说明：水泵工作可用灯泡亮灭进行模拟； 四、金属探测器； 要求：1.能探测木材中≥5mm深处的残留铁钉； 2.当探测到金属物时能用声或光报警； 3.元件：与非们加分立元件，探头可用带铁芯线圈自制； 五、循环灯 要求：1.有四路输出，单循环； 2.能带动6V小灯泡四只； 3.元件：J-K触发器、555时基电路、分立元件； 六、数字水位探测器 要求：1.能测出水位的高度，精度韦1/16； 2.能输出数字形式（即二进制）； 3.能以模拟电压输出； 七、直流电压升压器 要求：1.输入电压30V；输出电压45V； 2.输出电流能达到0.5A； 八、上下课铃声识别系统 要求：1.设计一个开关电路仅对学校的上课、下课铃声敏感； 2.铃声来时输出高电平； 3.能识别出上课铃声和下课铃声； 九、厕所冲水控制器 要求：1.能识别有无人进出厕所； 2.当进出人数每达6人次时，电路输出一个脉冲； 十、步进电机及启动电路 要求：1.利用数电知识设计一个步进电机驱动电路； 2.能由两根线的输入电平组合使电机能向前进、后退、保持； 十一．教室用电节能控制电路

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题：（每空1分，共16分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（ 逻辑图 ）、（ 逻辑表达式 ）和（ 卡诺图 ）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（ 0 ）。 3．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（ TTL ）电路和（ CMOS ）电路。 4．施密特触发器有（ 两 ）个稳定状态.，多谐振荡器有（ 0 ）个稳定状态。 5．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（ 10 ）条，数据线（ 4 ）条。 6．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（ 20 ）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（ 50 ）。 7．GAL 器件的全称是（ 通用阵列逻辑 ），与PAL 相比，它的输出电路是通过编程设定其（ 输出逻辑宏单元 ）的工作模式来实现的，而且由于采用了（ E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共16分） 1． 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解：1． 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成，图3由 CMOS 门电路构 成，试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解：．2. 三、已知电路及输入波形如图4（a ）（b ）所示，其中FF1是D 锁存器，FF2是维持-阻塞D 触发器，根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 （8分） 解： R ＋

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精品文档《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院版权所有 习题 【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算 题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本 习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（） B E C 状态。 A. 击穿 B.截止 C.放大 D.饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A. 放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在 N 型半导体中（）。 A. 只有自由电子 B. 只有空穴 C.有空穴也有电子 D. 没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A. 放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，I C=1.8mA， 则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别 为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于 （）状态。

电子技术基础期末考试考试卷及答案

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是（） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则n+1=1Q 的是（） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是（） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器（） A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为（） A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为（） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为（） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）（对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴（ ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降（ ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开（） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域（） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件（）

注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V0=。 四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.（10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q和Q的波形。27.（9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： （1）R开路；（2）R L开路；（3）稳压二极管V接反； （4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.（16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： （1）列出状态表，状态转换图；（2）说明计数器类型。

电子技术基础课程标准.

《电子技术基础》学科课程标准

吉林财经学校 电子教研室 《电子技术基础》学科课程标准 一、课程性质 （一）课程性质 本课程是一门电子技术方面的入门性质技术基础课程,它具有自身的体系，是实践性很强的课程。它的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术基础的某些领域，以及为电子技术基础在专业中的应用打好基础。 （二）基本理念 为保证教学的规范性及计划性,本着及时反映相关学科领域的最新成果、随着技术发展及时更新教学内容的原则特指定本课程标准。要求授课教师在保证学生掌握基本理论及基础知识的基础上，强调启发式教学，注重学生的创新能力的培养。本课程要求先行学完物理和电工基础。 （三）设计思路 1．体现21世纪电子技术的新知识、新器件、新工艺、新技术的应用。 2．体现能力本位的职教特色。 3．吸收了本课程先进的教学经验和教学改革成果，充分考虑中专学校的教学实际，力求内容简洁、重点突出。 4．加强对学生实践能力和应用能力的培养，减少验证性实验，增强提高应用能力的实验。

二、课程目标 本课程的教学目标是：使学生具备高素质劳动者和中初级专门人才所必需的电子技术的基本知识和基本技能，初步形成解决实际问题的能力，为学习专业知识和职业技能打下基础，并注意渗透思想教育，逐步培养学生的辨证思维，加强学生的职业道德观念。以培养学生综合职业能力为主线，同时课程进行整体优化。 （一）课程教学目标 基本知识教学目标是： 1. 电工与电子技术中的基本概念和基本原理； 2. 常用设备和器件的特性及应用范围、途径。 能力目标是： 1. 能正确使用常用电工电子仪器仪表； 2. 能阅读简单的电路原理图及设备的电路方框图； 3. 具有查阅手册等资料的能力； 4. 能处理电器及电子设备的简单故障。 思想教育目标是： 1. 初步具备辨证思维的能力； 2.具有热爱科学，实事求是的学风和创新意识、创新精神； 3.加强职业道德意识。 （二）教学基本要求 A. 模拟电路部分 1. 掌握常用半导体器件工作原理、特性和主要参数，并正确使用。 2. 掌握基本放大电路、多级放大电路和差动放大电路的工作原理，静态和动态性能 计算和分析。熟悉阻容耦合放大器的频率响应。 3. 掌握运算放大器特点、分析方法和基本应用（线性和非线性）。 4. 掌握放大器反馈极性的判别、负反馈的基本方式及其对放大器性能的影响。 5. 掌握正弦波振荡器、整流器、稳压器、比较器、功率放大器的电路组成、工作原 理及主要应用。 6. 正确运用下列分析方法：用于分析静态工作点、输出幅度和波形失真的图解法； 分析运算放大器的虚短、虚断法；判断正、负反馈的瞬时极性法；处理工程实际问题时的估算法。 7. 具有以下能力：初步读图能力；具有对基本电路性能指标的定量估算能力；根据 功能要求，具有选定适当基本电路和选择元器件的能力。 B. 数字电路部分 a. 器件及电路方面 1. 掌握半导体器件的开关特性，正确理解正、负及混合逻辑； 2. 熟悉集成门和集成触发器的结构，工作原理，主要参数； 3. 掌握基本功能电路的电路结构，工作原理和逻辑功能。 b. 基本分析方法

数字电子技术基础期末考试试卷及答案

数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下, 输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。

A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（ D）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（ C）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式

电子技术基础含答案

《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院所有 习题 【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处 在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时， I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D. 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为

（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管 处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是（）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏 13.下列关于半导体的说确的是（）。 A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的 14. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D.不确定 15.当温度升高时，二极管反向饱和电流将( ) A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（）。 A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路17.共模抑制比K 是（）。 CMRR A. 差模输入信号与共模输入信号之比 B. 输入量中差模成份与共模成份之比 C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比 D. 交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比 18.下列哪种失真不属于非线性失真（）。

电子技术基础期末考试试题及答案

座号 XXX2012—2013学年度第二学期期末考试试卷 职高二 《电子技术基础与技能》 题 号 一 二 三 四 总 分 得 分 （本试卷满分100分，考试用时120分钟） 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的表格内错选、多选或未选均无分。 1.触发器与组合逻辑电路比较（ ） A.两者都有记忆能力 B.只有组合逻辑电流有记忆能力 C.只有触发器有记忆能力 D.两者都没有记忆能力 2.与非门构成的基本RS 触发器，输入信号S =0,R =1，其输出状态是（ ） A.置1 B.置0 C.不定 D.保持 3.RS 触发器不具备 功能（ ） A.置 1 B.置0 C. 保 持 D.翻转 4.某计数器逻辑功能每5个时钟脉冲循环一次，且在每次循环过程中每来一个脉冲计数器新态加1，则该计数器是（ ） A.二进制加法器 B.五进制加法器 C.十进制加法器 D.五进制减法器 5.8421BCD 码是常见的二—十进制码，下列 是8421BCD 码禁用码（ ） A.1001 B.0111 C.1010 D.0101 6.下列说法正确的是（ ） A.Q=0称触发器处于0态 B. Q=0称触发器处于1态 C.Q =0称触发器处于0态 D.Q =1称触发器处于1态 7. JK 触发器在时钟脉冲作用下，触发器置1，其输入信号为（ ） A.J=1，K=1 B. J=0，K=0 C. J=1，K=0 D. J=0，K=1 8. D 触发器在CP 脉冲作用下，1 n Q =（ ） A.1 B.D C.0 D.n Q 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是（ ） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则n+1=1Q 的是（ ） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是（ ） A.31 B.32 C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为 的计数器（ ） A.n???????? ? B.2n C.n 2??? ???? ???D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为（ ） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为（ ） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为（ ） A.50V B.60V C.72V D.27V 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）（对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴 （ ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显着下降 （ ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开 （ ） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域 （ ） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件 （ ） 注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK 触发器可避免RS 触发器 状态出现。与RS 触发器比较，JK 触发器增加了 功能； 22.寄存器存放数码的方式有 和 两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线； 24.常见的滤波器有 、 和 ； 25.现有稳压值为5V 的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V 0= 。 四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 ----------------------------------------------密-----封-----线-----内-----不-----准-----答-----题---------------------------------------------------------------------------------