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西电 双极晶体管作业_双语

Problems for BJT

1、For uniformly doped base BJT, if the emitter doping concentration is N E=5×1018cm-3 and

X E=2X B, find the base doping concentration such that the emitter injection efficiency is γ=0.9950.

2、For uniformly doped base BJT, determine the base width X B such that the base transport

α=0.9980.

factor is T

3、设计晶体管电流放大系数时,通常采用使注入效率等于基区输运系数的方案确定发

射区和基区的结构参数。设均匀掺杂晶体管的发射区和基区少子扩散系数均等于10cm2/S,少子寿命等于10-7S

(1) 如果要求电流放大系数β0不小于100,则要求发射区Gummel数至少是基区

Gummel数的多少倍?基区宽度不能大于多少?

(2) 如果要求电流放大系数β0不小于1000,则要求发射区Gummel数至少是基区

Gummel数的多少倍?基区宽度不能大于多少?

4、根据下述均匀掺杂npn晶体管的结构参数数值,计算该晶体管发射极工作电流I E

分别为0.1mA、1mA和10mA情况下的特征频率f T ,并说明直流工作电流对晶

体管频率特性的影响。

基区宽度X B=0.5μm,基区电子扩散系数D n=25cm2/s,

BC结势垒区宽度Xd=2.4μm,集电区串联电阻r c=20Ω,

EB结势垒电容Cje=1pF,BC结势垒电容Cjc=0.2pF,

5、(1)绘出PN结隔离双极集成电路中最小尺寸NPN晶体管、双发射极条NPN晶体

管、横向PNP晶体管、纵向PNP晶体管的版图和纵向剖面结构示意图(2)在版图中标示不同层次的名称

(3)在纵向剖面图中标示不同区域的作用是发射区、基区、还是集电区。

6、Parts of the BJT model parameters are listed inside the following table. Please give the

name and unit of all the model parameters, and the default value in the blank boxes of the most right column.

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