提高超快恢复二极管电参数成品率的工艺改进

提高超快恢复二极管电参数成品率的工艺改进

摘要：本篇论文着力解决困扰我厂多年的超快恢复二极管的电参数成品率的问题，通过分析快恢复二极管工作原理并结合我厂实际生产工艺，选取比原工艺电阻率高的N型单晶硅片，采用多次深结磷扩散工艺实现穿通型结构设计；调整硅片减薄厚度，降低了器件的体压降；对铂扩散工艺引入符合中心进行工艺优化，通过降低铂扩散温度和铂扩散时间的方式，获得了最优的V F-t rr特性，折衷了器件正向压降V F与反向恢复时间t rr参数指标的矛盾，提高了超快恢复二极管2CZ5806的电参数合格率，并优化一系列制造工艺，提高了超快恢复二极管的成品率及可靠性，新的工艺方案可运用我厂其他超快恢复二极管的制造工艺中。

关键词：超快恢复二极管铂扩散穿通型 SILVACO

1 引言

随着电力电子技术向高频化、低功耗、模块化方向发展，快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展，在现代电力电子线路装置中，快恢复二极管除了具有高频整流的基本功能之外，还被广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。快恢复二极管除了电压、电流的指标外，其反向恢复特性成为主要被关注的参数。近年来，随着电力电子技术的不断发展，各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大，这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件，如GTO、MCT、IGBT等，都需要一个与之并联的快恢复二极管，以通过负载中的无

功电流，减小电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。由于这些电力电子器件的频率和性能不断提高，为了与其关断过程相匹配，使用的二极管必须具有快速开通和高速关断能力，即具有短的反向恢复时间t rr，较小的反向恢复电流I RRM和软恢复特性。随着快恢复二极管市场需求的不断增大，国内很多半导体公司致力于开发快速二极管系列产品。为了获取高压、高频、低损耗功率二极管，目前研究人员正在两个方向进行探索。一是采用新材料新结构研制新型功率二极管，二是沿用成熟的硅基器件工艺，通过合理的器件结构设计来改善快恢复二极管中导通损耗与开关频率间的矛盾关系，本文通过结合我厂现有工艺技术，对超快恢复二极管2CZ5806的制造工艺进行了调整，提高了器件的成品率及可靠性，通过进行一系列工艺验证，该工艺方案可运用于我厂其他超快恢复二极管的制造中。

2 器件参数指标及生产情况介绍

我厂超快恢复二极管2CZ5806，产品采用玻璃钝化实体封装结构，2CZ5806具有反向恢复时间快，正向压降小，常温、高温漏电流低的特点，主要电参数指标见表1和表2，外型尺寸见图1。

表1.最大额定值

表2.电特性（T A=25℃，除非另有规定）

单位为毫米

图1 外形尺寸

由于器件电参数性能优越，同时采用玻璃钝化封装结构，可靠性较高，

、反向2CZ5806产品每年市场需求巨大，但众所周知，器件的反向工作电压V

RWM

恢复时间trr、正向压降V F是相互矛盾的，单一参数的优越性能必然会导致其他参数指标无法折衷，而对于属于超快恢复二极管的2CZ5806而言，由于其正向压降（V F≤0.875V）和反向恢复时间（trr≤25ns）参数指标均要求较为严格，同时器件采用的玻璃钝化实体封装结构，该结构下的焊接材料铝作为三价元素在烧焊过程中对N+杂质的补偿作用又使器件在实现正向压降V F指标方面增加了难度。因此在多年的生产制造中，该产品的产品兼容性一直较差，成品率极较低，虽然近几年我们对超快恢复二极管的制造工艺有了一定突破，但是在解决该产品的参数兼容性方面仍未获得较为明显的改善，产品的一直处于供货困难的状态。

下表是我们抽取10只投料的2CZ5806产品电参数测试情况：

表3.2CZ5806电参数测试情况

由表3可以看出，2CZ5806在反向漏电流I R测试合格的情况下，其正向压降与反向恢复时间trr参数指标几乎很难同时实现。必须对现有快恢复二极管的V

F

生产工艺进行梳理，并找到提升成品率的工艺方案。

3 快恢复二极管反向恢复机理及实现方法

超快恢复二极管采用传统的PIN结构，传统的PIN功率二极管包括二层半导体，依次是高浓度掺杂的阳极P+区、I区以及高浓度掺杂的阴极N+区。在实际应用中，本征的材料是难以实现的，一般会用低掺杂的N型掺杂区来代替本征区，即P+N-N+结构，器件结构和各部分掺杂浓度如图2所示：

图2 快恢复二极管结构及掺杂分布图

对于所有的PIN二极管而言，当二极管加正向偏压时，P+区的空穴和N+区的电子向N区注入，注入的过剩载流子浓度超过N区中的平衡载流子浓度时，即发生了大注入效应。注入的过剩载流子在N区中产生高度电导调制效应，使N区的电阻大大减小，提高了二极管的电流处理能力，降低了二极管的导通压降。当功率PIN二极管加反向偏压时，在外电场作用下，空间电荷区中的空穴流向P+区，

电子流向N+区，载流子的耗尽区主要在N区内形成。由于P+区和N+区掺杂浓度极高，随着反压的增加，耗尽区在N区逐渐扩展，PIN二极管在反偏压下呈现很高的阻抗，因此可以承受很高的反向偏压。在正向导通时大注入的起电导调制作用的过剩载流子，在关断时必须被反向抽出，这样就影响了反向关断速度，到截止时要把这些少数载流子完全抽出或是中和掉是需要一定时间的，即反向阻断能力的恢复需要经过一段时间，这个过程就是反向恢复过程，发生这一过程所用的时间定义为反向恢复时间，反向恢复时间是衡量功率二极管开关速度快慢的重要指标。反向恢复时间越短，就意味着二极管开关速度越快，可工作的频率就越高。它是存储时间和下降时间之和，t rr=t a+t b，如图3所示。

图3 二极管反向恢复过程中的电流电压波形

反向恢复过程中，需要从i区中抽取或复合掉的总电荷量，称为反向恢复电荷Q rr。从图3中可以直观看出Q rr就是反向恢复电流曲线和t轴下面所围面积的大小，即反向恢复电流对时间的积分，若利用直线段对曲线进行近似，反向恢复电荷Q rr可以近似表示为：

1

2rr

RM rr

Q I t =

正向导通时二极管i 区的存储电荷Q 近似等于上式的反向恢复电荷Q rr ，即：

HL

rr s F

Q Q w n w J qw

τ==?=?

?

由上述公式可得到反向恢复时间的表达式为：

2

HL F rr RM J t q J τ??

= ???

式中：τ

HL

为大注入载流子寿命

J F 寿为正向电流密度 J RM 为反向峰值电流密度

由上式中可以看出，反向恢复时间t rr 与大注入载流子寿命成τ

HL

正比，与

反向峰值电密度J RM 成反比，所以可通过减小大注入载流子寿命的方法缩短反向恢复时间，这也是寿命控制技术的基本原理，降低大注入载流子寿命又有两种方法：一是直接引入复合中心，二是用高能粒子辐射使晶体发生晶格损伤，从而在带隙中央附近引入能级起到复合中心作用。少子寿命的控制方法主要有以下两种:

3.1 重金属掺杂

重金属掺杂是指在硅中扩入重金属杂质如金、铂、钯等，目的是引入复合中心以减少少子寿命从而降低器件的反向恢复时间trr 。重金属原子通过硅表面向器件内部扩散形成点缺陷，缺陷的形式有:间隙原子缺陷和替位原子缺陷。扩散之初，金属原子以间隙原子的形式快速进入半导体中，随后金属间隙原子会踢出并替位硅原子，形成重金属替位原子和硅间隙原子。这种金属原子与硅原子换位规程是可逆的，只有被踢出的硅间隙原子去除后才能形成稳定的重金属替位原子，

这样才能在整个器件内部引入适当浓度的有效复合中心。如图4所示，金、铂原子浓度分布为U型槽结构，这是因为表面区的硅间隙原子因高温外扩散从硅片中消除掉。一般来讲，经过长时间的铂或者金扩散较易形成U型槽的分布。

图4扩金、扩铂、电子辐照和氢、氦离子辐照产生缺陷浓度分布

3.2 电子辐照

电子辐照寿命控制技术是利用电子辐照在半导体内部感生缺陷作为复合中心，达到控制少子寿命的目的。所谓辐照，就是将制成的成品置于辐照场中，用高能电子进行轰击，辐照进入半导体的电子与硅原子碰撞并产生间隙缺陷和空穴等基本缺陷。基本缺陷与硅原子或缺陷之间会相互作用，产生次级缺陷。这些缺陷都极不稳定，通过200～300℃退火即会陆续完全消失。电子辐照主要形成氧空位、磷空位、双空位等缺陷，并相应的在硅禁带内形成各种深能级复合中心。电子辐射的特点是通过对电子注入剂量的调节能够精确的控制少子寿命，从而可以很好的协调器件诸电参数对少子寿命的不同要求，而且它可以在器件制造完成之后进行，使制作过程简单化、灵活化。目前电子辐照能量选择在0.5～15 MeV之间，此能量范围内的电子可完全贯穿器件，在整个器件内部形成分布均匀的感生缺陷。但是电子辐照感生的缺陷不稳定，在较低温度下就会退化消失，因此电子辐照制成的器件长期稳定性不好，耗尽区内的载流子寿命由深能级缺陷决定，所以，与

扩铂器件相比，电子辐照制成的器件目前还没有被广泛应用。

4 快恢复二极管的主要参数指标和影响因素

4.1 快恢复二极管的正向压降

正向压降V F 是在一定正向电流条件下，降落于二极管上的电压，它决定二极管的正向功耗。我们总是希望在额定电流下，器件的通态压降能够小一些，因为这是和器件的发热连在一起的。对于P +NN+结构二极管，正向压降可表示为结压降V j ，P +和N +区上以焊接层等接触压降V c 和N 型基区压降V m 三者之和，即:

V F =V j +V c +V m

其中V j 、V c 与少子寿命无关，当基区宽度W 远远小于扩散长度Lp 时，有

2

2

38m KT W V q D τ=?

式中W 为N 型基区宽度，D H 为大注入下双扩散系数，D H = 0.5 D n 只，τ为大注入寿命，如公式所示，在其它条件一定的情况下，大注入寿命越高，V m 越小。因此，为了减小正向功耗，应选择大注入寿命τ较大的杂质。同时从公式中可看出，Vm 与基区电阻率ρ成反比，与基区宽度的平方成正比。因此从降低Vm 出发，宜选用较小的ρ和较小的W B ，而要提高反向击穿电压则要求较大的W B 和较大的ρ。可见，正、反电参数对ρ、W B 的要求相互矛盾，因此在器件设计是要兼顾两方面。另外，在保证一定的反向击穿电压的前提下，硅片应尽量选薄。 4.2快恢复二极管的击穿电压 4.2.1 非穿通型二极管击穿电压

当反向电压增高，导致PN 结的耗尽层电场强度足够强来引起碰撞电离(雪崩倍增)，这就会导致反向电流的增加。PN 结的最大反向阻断能力由雪崩电流无限

增加时的电场强度决定，这个极限情况称为PN 结的雪崩击穿,二极管在非穿通时，N -区的宽度要比反偏时的空间电荷区要宽，反向击穿电压要有低掺杂的本征区杂质浓度决定，可以表示为如下公式：

2

02B B D

r R E V eN εε=

式中: E BR 为临界击穿电场强度

ε0为自由空间介电常数 εr 为相对介电常数

N D 为低掺杂侧的施主浓度

由上式可以看出，功率PIN 二极管反偏时，反向击穿电压V BR 与I 区参杂浓度N D 成反比。二极管要想具有较高的反向击穿电压V BR ，初始材料硅片应该具有很低的施主杂质浓度N D ，即要具有较高的电阻率。为达到非穿通条件，PIN 二极管的I 区还必须具有足够的厚度能够让空间电荷区在反偏时有足够的扩展空间，因此PIN 二极管的一般具有较大的芯片很厚，但芯片厚度的增加对减小正向压降是不利的，非穿通型二极管的击穿电压可按以下公式进行计算：

V B =5.34×1013N D -3/4 Xm=2.67 × 1014N D -7/8

4.2.2穿通型的PIN 二极管的阻断参数的设计

当PIN 二极管为穿通结构时，PIN 二极管的电场分布结构如图5

图5 PIN二极管的电场分布结构根据图5可知：

W PT / W

PN

=η(0＜η≤1)

W

PT

/ W

PN

=2η-η 2

将非穿通型击穿电压公式：BV PN=5.34×1013 N D-3/4，可得：

BV

PN

=5.34×1013（2η-η2） N D-3/4

W PT / W

PN

=2η-η 2

上式中η的取值范围在0.4～0.6之间，可获得较优化的正向压降与反向击穿电压的折衷。

5 提高快恢复二极管电参数成品率工艺方案及原理论述

调整前2CZ5806的主要生产工艺流程见表4：

表4 调整前2CZ5806的主要生产工艺流程

我们对2CZ5806的生产工艺进行梳理，同时进行了调整，方案如下：

5.1采用穿通型结构设计，调整单晶硅片电阻率

调整前2CZ5806采用电阻率为（1.5～1.6）Ω·cm的N型单晶硅片，我们利用SILVACO仿真软件对原工艺的设计结构进行反向击穿电压仿真，如图5所示：

图5 仿真图

由仿真曲线可以看出，电阻率在（1.5～1.6）Ω·cm在该结构下的击穿电压为220V，我们按下公式进行高阻区计算：XmB =2.57×10-2V BR7/6μm 可以计算出该结构下的耗尽型宽度为：13.94μm

该电阻率及结构下的器件耗尽区宽度仅为13.94μm，这种非穿通结构制造的快恢复器件正向压降一般较大，为此，我们调整了器件的电阻率，将电阻率的选取由原来的（1.5～1.6）Ω·cm调整为（4～5um）。

5.2调整磷扩散工艺，采用多次扩散工艺实现穿通型结构

提高单晶硅片的电阻率后我们必须通过扩散方式减少高阻区的宽度，我们采用的扩散工艺方案为：

液态源扩散→一次涂源扩散→二次涂源扩散→液态源扩散

扩散结深：75～80μm

方块电阻：R□≤0.12Ω/□

下面我们将介绍四次磷扩散的目的：

第一次液态源扩散的目的是在硅片表面淀积一定浓度的磷源，为后面的涂源

扩散做预淀积。

两次涂源扩散的目的是形成类似双基区结构，这对提高器件的恢复软度有利。同时是器件形成穿通型结构，两次涂源扩散的浓度分布见图6：

图6 两次扩散形成的双基区结构

第四次磷扩散的目的是在形成深结的硅片表面再淀积一定表面浓度的磷源，前面我们介绍到，快恢复二极管的正向压降由接触压降V c和N型基区压降V m三个部分组成，由于2CZ5806产品采用玻璃钝化实体封装结构，这种结构的焊接材料为铝，铝为三价元素，产品经过烧焊时，会出现硅-铝补偿现象，为保证器件N+区与焊料层形成良好的欧姆接触，减少器件接触压降，为此，我们在磷扩散的最后一步增加了一次液源扩散。

5.3调整磨片厚度

之前的快恢复二极管的制造中，通常将硅片厚度减薄的控制在180μm左右。180μm的硅片减薄厚度是我们通常认为的加工极限，但硅片厚度与器件的体压降有直接联系，为了降低器件的体压降，我们将硅片厚度由原来的180±5μm调整至165±5μm，磨片后硅片率在正常范围内。我们采用穿通型结构设计并将磨片厚度减薄至165μm，硼扩散后控制器件基区宽度在20～25μm,采用SILVACO仿真软件对调整后的结构进行仿真，情况如下：

图7 仿真图

由软件仿真结果可以看出，采用穿通型结构的器件，反向击穿电压在250V 左右，调整后的结构产品反向击穿电压满足设计要求, 同时我们仿真了两种结构下的正向压降，如图8、9所示：

图8原芯片结构器件正向压降图9 调整后芯片正向压降

由上图可以看出，采用新结构下的器件产品正向压降仿真结构小于原结构的正向压降，调整的器件正向压降水平和反向击穿电压水平均优于原结构。

5.4调整铂扩散工艺，提高器件V

与trr的折衷性

F

在本论文发表之前，在制造超快恢复二极管方面，之前的工艺人员已经将器件由原来的金扩散工艺调整为铂扩散工艺。两种工艺各有其特点，在相同的反向恢复时间及耐压下，采用扩铂工艺的器件正向压降大，但反向电流较小（特别是高温反向电流），相反，扩金工艺的器件正向压降小，但反向漏电却很大。理论分析计算可知，扩金器件相比扩铂器件具有更好的关断速度与正向压降折衷，而扩铂器件相比扩金器件具有更好的反向漏电流与正向压降折衷。在达到相同的trr 下，扩金器件正向压降只比扩铂器件低约35% ，而反向漏电流因为指数关系通常会大上一个甚至数个数量级，为了保证器件在高温工作状态下具有更稳定的工作状态，我们采用铂扩散工艺实现器件的反向恢复时间。下图是铂与金的能级。

图10 铂与金的能级

但我们分析之前采用的铂扩散工艺，其工艺方案为：

扩散温度：930℃左右

扩散时间：30 min～40min

我们对该工艺进行梳理，首先在温度一定的情况下，反向恢复时间trr随扩散时间增加而降低，下图为不同扩散温度下铂扩散时间与trr的关系图：

图11 不同扩散温度下铂扩散时间与trr的关系

从图11中可以看出，trr随铂扩散时间的增加而减小。870℃时Trr减小幅度比900℃时明显。说明在较高扩散温度时，增加扩散时间对trr的改善不大；而在较低扩散温度时，扩散时间对trr产生较为明显的影响。这可以从铂扩散系

数和固溶度与温度的关系得到解释：由于铂的扩散系数和固溶度随扩散温度的升

高显著变大，在温度较高时，铂能够在很短的时间内基本扩透整个硅片，达到接

近饱和的浓度值，再增加铂扩散时间对铂浓度的改变很小。因此，在温度较高时，

随着铂扩散时间的增加，trr的变化不大。而铂扩散温度较低时其扩散系数较小，

扩散时间越长，扩散进入硅中的铂浓度就越高，从而trr变化较明显。

有文献资料指出，铂扩散温度越低，V F―trr特性越好。这是因为温度升高，

晶格振动加剧，从而体电阻增加，致使V F升高。随着温度升高，铂在硅中的浓

度增加，由于杂质补偿作用使样品衬底电阻率增加，导致V F―trr特性变差。因

此，降低铂扩散温度对获得理想V F―trr特性有益，而由图10可以看出，在30

min～40min的铂扩散时间器件的反向恢复时间trr仍然处于降低的趋势，并未

达到铂扩散温度的最低值。因此，为了在实现2CZ5806反向恢复时间trr并保证

V

-trr具有最优的折衷性能，我们调整了铂扩散工艺，通过降低铂扩散温度并增F

加扩散时间来实现产品的制造。

调整后的工艺方案如下：

扩散温度：905℃左右

扩散时间：100min～120min

6 工艺验证情况及结论

2015年我们采用调整后的工艺对2CZ5806进行投料试制，按以下工艺方案

进行流水：

表5 调整后2CZ5806的主要生产工艺流程

后部封装工艺：切割（Ф1.5）→真空烧焊→腐蚀成型→高温贮存→温度循环→电镀→校直→测试等步骤，流水了10000只产品，产品击穿电压V BR范围：

：0.80～0.86V,反向恢复时间trr：15～19ns，下表是220～300V，正向压降V

F

我们抽取20只产品的测试数据：

表6 2CZ5806电参数测试情况

我们通过从分析快恢复二极管理论原理并结合我厂实际生产工艺，选用N 型单晶硅片，采用多次磷扩散工艺实现穿通型结构设计；调整硅片减薄硅片减薄厚度，降低了器件的体压降，对铂扩散工艺引入符合中心进行工艺优化，通过调整铂扩散温度和铂扩散时间，折衷了器件正向压降与反向恢复时间的矛盾，获得了在铂扩散工艺下最优的V F-t rr特性，实现了对超快恢复二极管2CZ5806的参数指标，同时按新工艺流水的产品，电参数指标比额定值留有较大余量，

快恢复二极管

快恢复二极管 快恢复二极管 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN 结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A 以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。 采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴

1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM 值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。 2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。

超快恢复二极管SFR08S60T2

8A、600V 快速恢复二极管 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SFR08S60T2 TO-220-2L SFR08S60T2 无铅料管SFR08S60F2 TO-220F-2L SFR08S60F2 无铅料管SFR08S60D TO-252-2L SFR08S60D 无铅料管SFR08S60DTR TO-252-2L SFR08S60D 无铅编带

极限参数 参数名称符号参数范围单位 反向重复峰值电压V RRM 700 V 正向平均整流电流I F(AV) 8.0 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms I FSM 120 A 工作结温范围T J -50～+150 °C 贮存温度范围T stg -50～+150 °C 热阻特性 参数名称符号参数范围单位 芯片对管壳热阻R θJC 2.0 °C/W 电气特性参数 参数符号最小值典型值最大值单位 最大正向电压 I F=8.0Amps，T C=25°C V F-- 1.95 2.2 V 最大反向漏电流 在直流工作电压下，T C=25°C I R-- -- 10.0 μA 最大反向恢复时间 I F=0.5 Amp，I R=1.0Amp，I REC=0.25Amp t rr-- -- 35 ns

典型特性曲线

封装外形图 15.80±0.30 0.20

封装外形图（续） 声明： ?士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。 ?任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！ ?产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！

RS1G快速恢复二极管规格书

(RS1A~RS1M) SMA A Fast Recovery rectifiers Major Ratings and Characteristics I F(AV) 1.0 A V RRM50 V to 1000 V I FSM30 A t rr150nS, 250nS, 500nS V F 1.3 V T j max.150 °C Features ●Low profile package ●Ideal for automated placement ●Glass passivated chip junction ●Fast switching for high efficiency ●High forward surage capability ●High temperatrue soldering： 260℃/10 seconds at terminals ●Component in accordance to RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC Mechanical Date ●Case: JEDEC DO-214AC molded plastic over glass passivated chip ●Terminals: Solder plated, solderable per J-STD-002B and JESD22-B102D ●Polarity: Laser band denotes cathode end Maximum Ratings & Thermal Characteristics & Electrical Characteristics (TA = 25 °C unless otherwise noted) Symbol(RS1A)(RS1B)(RS1D)(RS1G)(RS1J)(RS1K)(RS1M)UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage V RRM501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS3570140280420560700V Maximum DC blocking voltage V DC501002004006008001000V Maximum average forward rectified current I F(AV)1A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load I FSM30A Maximum instantaneous forwad voltage at 1.0V F 1.3V Maximum DC reverse current T A = 25 ℃at Rated DC blocking voltage T A = 125℃I R 5.0μA 50μA Maximum reverse recovery time at I F = 0.5 A , I R = 1.0 A , I rr = 0.25 A t rr150250500nS Typical junction capacitance at 4.0 V ,1MHz C J118pF Thermal resistance from junction to ambient RθJA75℃/ W Operating junction and storage temperature range T J,T STG–55 to +150 ℃- 1 - https://www.wendangku.net/doc/c114191554.html,

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

整流管与快恢复二极管区别

整流电路由于频率很低，故只对耐压有要求，只要耐压能满足，肯定是可以代用的，且快恢复二极管也有用于整流的情况，就是在开关电源次级整流部份，由于频率较高，只能使用快恢复二极管整流，否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低，严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多，耐压越高越贵，所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。当然，如果你手头上只有快恢复二极管而没有一般整流管时，想怎么用就怎么用，只要耐压足够即可。 提问者评价 首先谢谢你的回答！！！ 是的，没有刚好合适耐压的整流二极管。所有用快恢复代替的 肖特基二极管和快恢复二极管的区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS 的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

常用二极管型号及参数大全

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0

DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别 肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管(Schottky Diodes)：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 1．结构原理 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns 以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

US1G快恢复二极管

MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS SYMBOL US 1A US 1B US 1D US 1G US 1J US 1K US 1M UNITS Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS Voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC Blocking Voltage V DC 501002004006008001000V Maximum Average Forward Rectified Current (T L =100o C) Peak Forward Surge Current (8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load)Maximum Instantaneous Forward Voltage (at rated forward current) Maximum DC Reverse Current T a =25o C μA (at rated DC blocking voltage)T a =100o C μA Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)trr nS Typical Junction Capacitance (Note 2) C J pF Typical Thermal Resistance (Note 3) R θ(ja)o C/W Storage and Operation Junction Temperature T STG ,T J o C Note: 1.Reverse recovery condition I F =0.5A, I R =1.0A,Irr=0.25A. 2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0V dc 3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area US1A THRU US1M SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER (Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25o C, unless otherwise stated, for capacitive load,derate current by 20%) RATINGS I F(AV) 1.0 A I FSM 30A V F 1.0 1.4 1.7 V I R 5.020********* 32-50 to +150TECHNICAL SPECIFICATION

快恢复二极管选型

快恢复二极管参数 型号品牌电流电压时间极性参考售价IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管 3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管 1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管 3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管 3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管 5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管 4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管 4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管 6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管 4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管 6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管 2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管 4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管 3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60 BYV26E PHI 1A 1000V 30ns 0.90 FR607 GI 6A 1000V 200ns 1.80 MUR8100 MOT 8A 1000V 35ns 单管 4.50 HFA15TB60 IR 15A 600V 35ns 单管 3.50

肖特基二极管与快恢复二极管区别

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 （他们恢复时间都是很快的）： 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V）(此处为什么不提是什么材料？)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）（用这个方法可以判断出该器件）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 想问一下，为何会有反向恢复时间

快恢复二极管参数

快恢复二极管参数大全 IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60

常用二极管型号参数大全

For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41

肖特基二极管和快恢复二极管

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件

快恢复二极管与普通二极管的区别

下述说明只适用于需要“单向导电”特性的二极管应用(特殊二极管，如稳压、变容二极管等不适用） 二极管一般工作在交流下，粗划为高低频两类，低频以集中参数为主，高频以分布参数为主。在低频下，电路特性只与零件本身的物理参数有关，比如一颗二极管在直流时降压是0.7V，反向漏电流<0.1uA，那么它在低频时基本与直流下的状态基本一致。所以，可以认为，只要是二极管，无论它是什么类型，只要能满足耐压、电流等要求，在低频下都是可以相互代用的，正如你所说，它们在低频下没有任何区别（严格上说是有区别的，但是这些区别影响不大），除了厂家、型号、外型不一样，它们的作用都一致，只是个“单向导电”的二极管罢了。但是到了高频情况就完全不一样了，二极管的应用及划分就只是在高频领域里才会体现出来，因为高频时，集中参数影响随频率升高而减弱，分布参数参数开始发威。什么是分布参数？举个例子来说明，同样的一根铜走线，在低频时，它的电抗小于0.1欧，到了高频，它可能会变成100欧甚至无穷大。分布参数只在高频才会出现，它要求我们把平时并不在意的走线，排线、布局方式等都要考虑到设计里面，因为一段导线，在高频下它会表现出感抗及容抗的特性，而不单单只是纯阻性。同样，电子元件本身在高频下也存在分布参数，对于二极管，影响最严重的就是本身的垒式电容，简单来说，就是以“PN结”为绝缘体，P、N极为平板构成的一个电容器，这个电容与二极管并联。这个电容也是分布参数的一部份，现在来考虑，在高频工作的二极管，你希望这个电容是大一些还是小一些？答案当然是小一些，越小越好。因为频率越高，容抗越小，容抗越小，二极管的“单向导电”性就越来越不明显，到了一定频率时，二极管直接变成一个电容了，完全失去了它应有的作用。现在我有个1Mhz的应用，手里有两个二极管，二极管A在1Mhz时，它的分布电容<10pF，另一个B在同样频率下，分布容>0.1uF，噢，毫无疑问我应该用A。为了区分它们，我把A叫“开关”二极管，意思是它能在高频下像个开关一样正常工作，为了减小分布电容，开关二极管的内部结构与其它二极管也是大不相同的，具体你可以上网搜索。那B呢？它可能是一个普通的整流二极管，也可能是一个快恢复二极管。快恢复二极管，如果它的分布电容能小到与开关管一样的程度，那么它就是一个开关管了。既然它还叫快恢复二极管，那就说明它与开关管是有区别的。虽然它有“快恢复”三个字，但并不代表它就能用于高频，相反，此类二极管多数都是在几百Khz以下工作，比如开关电的整流。对于普通二极管来说，它的工作环境算是高频了，但是，它的“快恢复”并不是用来提升它的工作频率的，而是用来减小开关损耗的，主要是方波整流的损耗，比如开关电源里的整流，它整的就是一个方波。我们知道电子运动也是需要时间的，简单的说，假定方波的上升延很陡，是90度。经过二极管时，因为足够的载流子运动一个距离需要一个时间，这个时间越小，输出的上升延波形就越接近90度且平均损耗的功率越小（与斜率有关），这个时间称之为恢复时间。快恢复二极管使用的制造工艺使得它能在很短的时间内产生足够的载流子并且移动距离很短，用来满足低损耗的需求。所以恢复时间越短表示在相同频率下越小表示损耗越小，在相同损耗下，越小表示能应用的频率越高。当然，快恢复二极管也有高频或超高频的，它可以代替相同等级的开关管，但是开关二极管就没办法代替快恢复二极管，那全部都用快恢复得了，为什么还要分？因为价格！可以在相同频率下工作的快恢复二极管价格是开关管的N倍（具体看频率，越高N越大），如果是你，明明可以用开关管解决的电路你不可能全部都用快恢复吧，所以还是要区别对待。它们的名称主要还是跟它们的应用场合相关的：开关管，用于高频整流；普通管，低频整流；快恢复管，方波整流（高低频）。

快恢复整流二极管参数

快恢复整流二极管参数 IF VR 1.0A 50V100V200V400V600V800V1000V 1N49331N49341N49351N49361N4937 1N4933G1N4934G1N4935G1N4936G1N4937G BA157BA159BA159D BA159 DSH6 ERB4302ERB4304ERB4306ERB4308 ERB4402ERB4404ERB4406ERB4408ERB4410 ES1Z ES1ES1A EU01Z EU01EU01A EU01B EU01C EU1Z EU1EU1A EU1B EU1C EU02Z EU02EU02A EU2Z EU2EU2A FR101FR102FR103FR104FR105FR106FR107 FR101G FR102G FR103G FR104G FR105G FR106G FR107G MPG06A MPG06B MPG06D MPG06G MPG06J MPG06K MPG06M RGP10A RGP10B RGP10D RGP10G RGP10J RGP10K RGP10M RU1RU1A RU1B RU1C S5295B S5295G S5295J TVR1B TVR1D TVR1G TVR1J S5295B TVR2B TVR2D TVR2G TVR2J TVR10G TVR06J TVR5B TVR5D TVR5G TVRGJ 1.5A 1S18341S1835 BYD33D BYD33G BYD33J BYD33K BYD33M BYV95A BYV95B BYV95C BYT42M FR151FR152FR153FR154FR155FR156FR157 FR151G FR152G FR153G FR154G FR155G FR156G FR157G PR1501/S PR1502/S PR1503/S PR1504/S PR1502/S PR1506/S PR1507/S RGP15A RGP15B RGP15D RGP15G RGP15J RGP15K RGP15M

整流二极管选型大全

整流二极管选型大全 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V. 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 整流二极管的常用参数 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 （1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 （2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV （3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。 （4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 （5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 （6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 （7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。 整流二极管的选用 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。