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2SK176中文资料(hitachi)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

2SK1761

硅N沟道MOS FET

应用

高速功率开关

特征

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适于switchingregulator,DC-DC转换

概要

TO-220A B

D G 1

2

3

1.门

2.排放

(法兰)

3.源

S

2SK1761

绝对最大额定值(Ta = 25°C)

Item

漏极至源极电压

门源电压

漏极电流

漏电流峰值

身体流失二极管反向漏电流

频道耗散

通道温度

储存温度

注1. PW 10μs,占空比 1 %

2.价值在Tc = 25°C 符号

V

V

I

I*

I

Pch*

Tch

Tstg

额定值

250

±30

12

48

12

75

150

-55到+150

Unit

V

V

A

A

A

W

°C

°C

2

2SK1761电气特性(Ta = 25°C)

Item

漏源击穿电压

门源击穿电压

门源漏电流符号

V

V

I

Min

250

±30

2.0

5.0

Typ

0.23

8.0

1100

440

68

20

65

100

44

1.0

200

Max

±10

250

3.0

0.35

Unit

V

V

μA

μA

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

I= 12 A, V= 0

I= 12 A, V= 0,

di/ dt = 100 A /μs

测试条件

I=10毫安,V= 0

I=±100 μA,V= 0

V=±25V, V= 0

V= 200 V, V= 0

I=1毫安,V= 10 V

I= 6 A

V= 10 V*

I= 6 A

V= 10 V*

V= 10 V

V= 0

F = 1兆赫

I= 6 A

V= 10 V

R= 5

零栅压漏电流I

门源截止电压

静态漏极至源极导通状态抵抗性

远期转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

车身漏二极管反向

恢复时间

Note 1.脉冲测试V

R

|y|

Ciss

Coss

Crss

t

t

t

t

V

t

3

2SK1761

最大安全作业区

功率与温度降额

160

1001030

Pch (W)

120μs

10

0Drain Current I (A)

10D C PW =

1

μs 10m s m

Channel Dissipation

s (1O n

tio ra pe 3180

s h ot )c

(T

Ta = 25°C =°C 25)

40

0.30.11

50100Case T emperature 150T c (°C)

200

Operation in this area

is limited by R (on)3

10

30

100

3001000

Drain to Source Voltage V

(V)

典型输出特性

20

10 V

16Drain Current I (A)

6V

Puls e Tes t 5.5 V

Drain Current I (A)

8

10

典型传输特性

V = 10 V Puls e Tes t

12

5V

8

4.5 V

4

V

= 4 V

6Tc = 75°C

4

25°C – 25°C

2

12

16Drain to Source Voltage V

(V)

4820

0246

810

Gate to Source Voltage V

(V)

4

2SK1761

漏极至源极饱和电压

与门源电压5

Puls e Tes t

Drain to Source Saturation Voltage

V

(on) (V)Puls e Tes t

Static Drain–Source on State

Res is tance R

(on) (

)

4

21

0.5V = 10 V

5

静态漏极至源关于国家电阻与漏极电流310 A

2

5A 1

I

= 2 A 0.215 V

0.10

4

8

12

16

20

0.050.5

125

102050

Gate to Source Voltage V

(V)Drain Current I

(A)

静态漏极至源关于国家电阻与温度

1.0

50

远期转移导纳

主场迎战漏电流V = 10 V Puls e Tes t

Forward Trans fer Admittance

|y

fs

| (S)2010

575°C

25°C

21

Tc = –25°C

Static Drain–Source on State

Res is tance R (on) ( )0.8Puls e Tes t V = 10 V

0.6

I = 10 A

0.4

5A

0.2

2A

0– 40

04080120160

0.50.1

0.20.512510

Cas e Temperature Tc (°C)Drain Current I

(A)

5

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