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《电子技术基础》题库

适用班级:2012级电钳3、4、5、6班

备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题:

第一章半导体二极管

○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。

Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。

○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。

Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。

○5、PN结具有单向导电特性。

○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。

Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类;

○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。

★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。

○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。

Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。

★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。

第二章半导体三极管及其放大电路

○15、三极管是电流控制元件。

○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。

★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。

Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。

Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小.

Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。

○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。

★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。

★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;

★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。

★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。

第三章集成运算放大器及其应用

○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

Δ30、集成运算放大器在比例运算电路中工作在线性放大区。

○31、在放大电路中为了提高输入电阻应引入串联负反馈。

Δ32、稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极-基极偏置电路。

★33、共集电极放大电路的输入电阻很大,输出电阻很小。

★34、放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。

Δ35. 共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用;

★36. 共射极、共基极放大电路有电压放大作用;

★37. 共射极、共集电极放大电路有电流放大作用;

★38. 射极输出器的输入电阻较大,输出电阻较小。

★39. 射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。

第五章直流稳压电源

○40、直流稳压电路按调整器件的工作状态可分为线性稳压电路和开关稳压电路两大类。

○41、直流稳压电源由整流变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路组成。

★42、滤波电路分为电容滤波、电感滤波、复式滤波和电子滤波。

Δ43、在稳压管稳压电路中,利用稳压管的反向击穿特性,实现稳压;

★44、整流二级管和整流堆统称为整流器件。

第六章晶闸管及应用电路

○45、晶闸管是一种电力半导体器件。

Δ46、单结晶闸管是种一具有负阻特性的半导体器件。

★47、晶闸管的缺点是承受过压和过流的能力差。

第七章门电路逻辑及组合逻辑电路

○48、门电路主要分为分立元件门路和集成电路门两类。

○49、门电路又称为逻辑门电路。

Δ50、门电路是组成数字电路的基本单元电路。

二、选择题

第一章半导体二极管

Δ1、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管(C)

A、立即导通

B、到0.3V才开始导通

C.、超过死区电压时才开始导通

Δ2、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管(A)

A、基本正常

B、将被击穿

C、将被烧坏

Δ3、当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于(B)

A.很小的电阻

B.很大的电阻

C.断路

★4、某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压(C)

A、约等于150V

B、略大于150V

C、等于75V

Δ5、当环境温度升高时,二极管的反向电流将(B)

A、增大

B、减小

C、不变

Δ6、测量小功率二极管的好坏时,一般把万用欧姆挡拨到(C)

A、R×100

B、R×1k

C、R×1

★7、用万用表R×100Ω挡来测试二极管,如果二极管(C)说明管子是好的。

A、正、反向电阻都为零

B、正、反向电阻都为无穷大

C、正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧

Δ8、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时,应选用(C)

A、R×1Ω挡

B、R×1kΩ挡

C、R×10挡

★9、在测量二极管正向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将会(A)A、变大B、变小C、不变化

Δ10、变容二极管工作时,应加(A)

A、反向电压

B、正向电压

C、反向电压或正向电压

○11、发光二级管工作时,应加(A)

A、正向电压

B、反向电压

C、正向电压或反向电压

★12、变容二极管常用在(A)电路中。

A、高频

B、低频

C、直流

★13、交通信号灯采用的是(A)管

A、发光二极管

B、光电二极管

C、变容二极管

第二章半导体三极管及其放大电路

Δ14、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C)。

A、(

B、

C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)

★15、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(B )

A、饱和失真

B、截止失真

C、交越失真

○16、差分放大电路是为了(C)而设置的。

A、稳定Au

B、放大信号

C、抑制零点漂移

Δ17、共集电极放大电路的负反馈组态是(A )。

A、电压串联负反馈

B、电流串联负反馈

C、电压并联负反馈

★18、为了使放大器带负载能力强,一般引入(A )负反馈。

A、电压

B、电流

C、串联

○19、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )

A 大

B 小C相等

Δ20、在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是( B ) A共基放大电路B共集放大电路C共射放大电路

○21、在(A)、(B)、(C)三种电路中既能放大电流,又能放大电压的电路是( ) A共基放大电路B共集放大电路C共射放大电路

★22、一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中(B )。

A、有微弱电流

B、无电流

C、有瞬间微弱电流

○23、晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将(B )。

A、增加

B、下降

C、不变

○24、放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力(A)。

A、强B、弱C、一般

第三章集成运算放大器及其应用

★25、射极跟随器具有(C)特点。

A、电流放大倍数高B、电压放大倍数高C、电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高,输出电阻低

Δ26、引入并联负反馈,可使(C)。

A、输出电压稳定B、反馈环内输入电阻增加C、反馈环内输入电阻减小

★27、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的(A)。

A、好B、差C、相同

★28、产生正弦波自激震荡的稳定条件是(C)。

A、引入正反馈

B、|AF|≥1

C、AF=1

○29、稳压二极管是利用PN结的(C )。

A 单向导电性 B. 反偏截止特性

C反向击穿特性

○30、只用万用表判别晶体管3个电极,最先判别出的应是B 。

Ae极Bb极Cc极

第五章直流稳压电源

★31、共发射极接法的晶体管,工作在放大状态下,对直流而言其 A 。

A输入具有近似的恒压特性,而输出具有恒流特性。

B输入和输出均具近似的恒流特性。

C输入和输出均具有近似的恒压特性。

第六章晶闸管及应用电路

★32、放大电路中有反馈的含义是 B 。

A、输出与输入之间有信号通路

B、电路中存在反向传输的信号通路

C、除放大电路以外还有信号通道

○33、根据反馈的极性,反馈可分为 C 反馈

A直流和交流B电压和电流C正反馈和负反馈○34、根据反馈信号的频率,反馈可分为 A 反馈

A直流和交流B电压和电流C正反馈和负反馈○35、根据取样方式,反馈可分为 B 反馈

A直流和交流B电压和电流C正和负

○36、根据比较的方式,反馈可分为 C 反馈

A直流和交流B电压和电流 C 串联和并联Δ37、负反馈多用于 A 。

A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压Δ38、正反馈多用于 B 。

A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压Δ39、交流负反馈是指 B 。

A只存在于阻容耦合电路中的负反馈

B交流通路中的负反馈

C变压器耦合电路中的负反馈

Δ40、若反馈信号正比于输出电压,该反馈为 C 反馈。

A串联B电流C电压 D 并联

○41、若反馈信号正比于输出电流,该反馈为 B 反馈

A串联B电流C电压

○42、当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为 A

反馈。

A串联B电流C电压

○43、当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为 C 反馈。

A串联B电流C并联

★44、电压负反馈可以 A 。

A稳定输出电压B稳定输出电流C增大输出功率

Δ45、串联负反馈 A 。

A 提高电路的输入电阻

B 降低电路的输入电阻

C 提高电路的输出电压

★46、电压并联负反馈 B 。

A 提高电路的输入电阻

B 降低电路的输入电阻

C 提高电路的输出电压

Δ47 、电流串联负反馈放大电路的反馈系数称为 B 反馈系数。

A电流B互阻C互导

★48、负反馈所能抑制的干扰和噪声是指 C 。

A输入信号所包含的干扰和噪声

B反馈环外的干扰和噪声

C反馈环内的干扰和噪声

Δ49、负反馈放大电路是以降低电路的 C 来提高电路的其它性能指标。

A通频带宽B稳定性C增益

○50、PN结的最大特点是具有(C)。

A导电性 B.绝缘性 C.单向导电性

三、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。

第一章半导体二极管

Δ1、半导体随温度的升高,电阻会增大(×)

Δ2、PN结正向偏转时电阻小,反向偏置时电阻大。(×)

○3、二极管是线性元件。(×)★4、一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。(×)○5、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。(×)○6、二极管具有单向导电性。(√)○7、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。(×)★8、当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。

(√)

Δ9、二极管加正向电压时一定导通。(×)Δ10、二极管加反向电压时一定截止。(×)★11、有两个电极的元件都叫二极管。(×)○12、二极管一旦反向击穿就一定损坏。(√)第二章集成运算放大器及其应用

Δ13、可以说任何放大电路都有功率放大作用;(√)

★14、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;(×)

Δ15、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(×)

★16、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;(√)

★17、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出毫无变化;(×)

★18、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(×)第三章集成运算放大器及其应用

Δ19、电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。(√)

★20、使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。(×)

○21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。(√)

○22、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。(√)

○23、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。(√)

★24、只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。(×)

第五章直流稳压电源

Δ25、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。(×)

○26、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变化电路。(×)。

○27、直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换成直流能量。(√)。★28、在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下,桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。

(√)。

★29、若V2变压器副边电压的有效值,则半波整流有电容滤波电路和全波整流滤波电

路在空载输出电压均为

2V。

2(√)。

★30、一般情况下,开关型稳压电路比线性稳压电路的效率高。(√)。○31、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。(√)。★32、整流的目的是将高频电流变为低频电流。(×)。Δ33、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。

(√)。

○34、直流稳压电源中滤波电路的目的是将交流变为直流。(×)。

第六章晶闸管及应用电路

Δ35、晶闸管和晶体三极管都能用小电流控制电流,因此它们都具有放大作用。(×)Δ36、晶闸管和二极管一样具有反向阻断能力,但没有正向阻断能力(×)

★37、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门限电流称为维持电流。(√) 第七章门电路逻辑及组合逻辑电路

○38、逻辑电路中、一律用“1”表示高电平,用“0“表示低电平。(×)

Δ39、”与“门逻辑功能是”“有1出1,全0出0”(×)

Δ40、“异或”门的逻辑功能是“相同出0,不同出1”(×)

○41、常用的门电路中,判断两个输入信号的是否相同的门电路是“与非”门。(×)★42、由分立元件组成的三极管“非”门电路,实际上是一个三极管反相器。

○43、逻辑代数又称为布尔代数。(√)

○44、常用的化简方法有代数法和卡诺图法。

★45、任何一个逻辑函数的表达式一定是唯一的。(×)

Δ46、任何一个逻辑表达式经化简后,其简式一定是唯一的。(√)

四综合题

第一章半导体二极管

○1、半导体的特性是什么?

答;光敏特性,热敏特性,掺杂特性。

Δ2、从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?

答:从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管的死区电压为0.5V, 锗管的死区电压为0.2V; 硅管的导通管压降为0.7 V,锗管的导通管压降为0.3 V。

Δ3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和A

. 20,在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA,你认为哪一个管的性能较好?

答:B好,因为B的单向导电性好;当反向偏置时,反向饱和电流很小,二极管相当于断路,其反向偏置电阻无穷大。

★4、温度对二极管的正向特性影响小,对其反向特性影响大,这是为什么?

答:正向偏置时,正向电流是多子扩散电流,温度对多子浓度几乎没有影响,因

此温度对二极管的正向特性影响小。但是反向偏置时,反向电流是少子漂移电流,温度升高少数载流子数量将明显增加,反向电流急剧随之增加,因此温度对二极管的反向特性影响大。

第二章半导体三极管及其放大电路

△5.如图所示,已知V CC=10V,R B=250KΩ,R C=3KΩ,β=50,试求放大电路的静态工作点。

解:I BQ=V CC/R B=10/250mA=0.04mA

I CQ=βI BQ=50×0.04=2mA

U CEQ=V CC-I C R C=(10-2×3)=4V

Δ6、在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。

△7测得

电路中

几个三极管的各极对地电压

如题图3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。

管 号 T 1

T 2 T 3 管 号

T 1 T 2 T 3 管 脚 电 位 (V ) ①

0.7 6.2 3

B E E ② 0 6 10 ②

E

B

C

③ 5

3 3.7 ③

C

C

B

材 料

S i

G e

S i

类 型

NP N

PNP

NPN

答:题图所示的各个三极管的工作状态,图(a)为放大,图(b)为放大,图(c)为饱和,图(d)为C、E极间击穿。

第三章集成运算放大器及其应用

Δ8. 什么叫“虚短”“虚断”?

答:“虚短”两输入电压u P _u N=0, u N=u P“虚断”两输入端的输入电流为零,即i N =i P=0

第五章直流稳压电源

★9. 单相半波整流电路,已知变压器一次侧电压U i=220V,变压比n=10,负载电阻R L=10kΩ,试计算:

(1)整流输出电压U L。

(2)二极管通过的电流和承受的最大反向电压。

解:(1)因为n=U i/U2 U2 =220/10=22v

又因为U L=0.45U2=0.45×22=9.9v

(2)I F=I L=U L/R L=0.99mA

U Rm=2U2=31.11v

△10. 一个单相桥式整流电容滤波电路,变压器二次侧电压为10V。

(1)如果空载电压为14V,满载为12V,是否正常?

(2)如果空载电压低于10V是否正常?为什么?

解:(1)空载时电压U L =2U 2 =1.414×10=14.1v 带负载时电压U L =1.2 U 2=1.2×10=12v 所以正常

(2)不正常 因为正常情况下U L =2U 2=14v

★ 11.试判断图5-3所示电路中元件R 、L 、C 能否起滤波作用。

★12. 直流电源如图5-7所示,已知U O =24V ,稳压管稳压值U Z =5.3V ,三极管的U BE =0.7V 。

(1) 试估算变压器二次侧电压的有效值。 (2) 若R 3=R 4=R P =300Ω,试计算U L 的可调范围。

R L a )

R L b )

R L

c ) R L

d )

R L

e )

R L

f ) 图5-3

×

√ ×

√ √

×

图5-7

解:(1)因为U L=1.2 U2U2=24/1.2=20v

(2)RP滑到最上端时U L最小

U Lmin=(R3+R4+R p)/(R4+R p)×(U Z+U BE)=9V RP滑到最下端时U L最大

U Lmax=(R3+R4+R p)/R4×(U Z+U BE)=18 V

稳压电路输出U L的调整范围是9≤U L≤18

第六章晶闸管及应用电路

△13.简述晶闸管导通的条件。

答:(1)阳极和阴极间加正向电压(2)门极与阴极间加正向电压以上两个条件,必须同时满足,晶体管才能导通。

请说明下列型号规格中各项所代表的含义。

Δ14. 3CT-200/150

3——三个电极 C ——N 型硅材料 T ——晶闸管元件 200——额定正向平均电流 150——正向阻断峰值电压 Δ15 K P200-18F

K ——晶闸管 P ——普通型 200——额定电流 18F ——通态平均电压组别F △ 16 什么是控制角?

答:把晶闸管从开始承受正向阳极电压起,到触发导通,期间的电角度称为控制角。

★17.有一单相半波可控制整流电路,交流电源电压U2=220V ,R L =5Ω,控制角α=60°。求输出电压平均值和负载中的平均电流。

解:V COS COS U U L 25.742

60122045.02145.02

=+??=+=ο

α

A R U I L L L 85.145

25

.74===

答:输出电压平均值74.25v 。负载中的平均电流14.85A 。

★18.电阻性负载单相半控桥式整流电路最大输出电压时110V ,输出电流为50A 。

电子技术基础试题及答案

1 电子技术基础试题(八) 一.填空题:(每题 3 分,共 30 分) 1、 PN 结具有 __单向导电特性____ 性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而___ 增大__ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的______输入电阻_____ 大和___ 输出电阻小_____ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻 RL 和信号源的内阻 rs__相等 __时,负载获得的功率最大,这种现象称为__ 阻抗匹配 ___。 5、运算放大器的输出是一种具有__深度负反馈高增益 ___的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:________ 甲__类功放, ___乙 ___类功放和___ 甲乙___类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放管提供少量__偏流IBQ _____ ,以减少 __交越__失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__采样电路 _ 、基准电源,比较放大电路和__调整元件 __四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是_逻辑乘 __ 、 __逻辑加 _和 ___逻辑非 __。 10.主从触发器是一种能防止 __空翻 _现象的实用触发器。 二.选择题(每题 3 分,共 30 分) 1.晶体管二极管的正极的电位是- 10V ,负极电位是- 5V ,则该晶体二极管处于:( C )。A. 零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:( A)。A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压 VCE上升 C.集电极电流增大

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

数字电子技术试题及答案(题库)

《数字电子技术》试卷 姓名:__ _______ 班级:__________ 考号:___________ 成绩:____________ 1. 有一数码10010011,作为自然二进制数时,它相当于十进制数( ),作为8421BCD 码时,它相当于 十进制数( )。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和( )3种状态。 3.TTL 与非门多余的输入端应接( )。 4.TTL 集成JK 触发器正常工作时,其d R 和d S 端应接( )电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ,该函数的反函数F =( ) 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码,则至少要( )位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为( )V ,其输出高电平为( )V ,输出低电平为( )V , CMOS 电路的电源电压为( ) V 。 8.74LS138是3线—8线译码器,译码为输出低电平有效,若输入为A 2A 1A 0=110时,输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为( )。 9.将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有( )根地址线,有( )根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后,最大计数容量为( )位。 11. );Y 3 =( )。

12. 某计数器的输出波形如图1所示,该计数器是( )进制计数器。 13.驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为( )有效。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) (在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。) 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A .F(A,B,C)=∑m (0,2,4) B. (A,B,C)=∑m (3,5,6,7) C .F(A,B,C)=∑m (0,2,3,4) D. F(A,B,C)=∑m (2,4,6,7) 2.8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ,当优先级别最高的I 7有效时,其输出012Y Y Y ??的值是( )。 A .111 B. 010 C. 000 D. 101 3.十六路数据选择器的地址输入(选择控制)端有( )个。 A .16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器,当预先置入1011后,其串行输入固定接0,在4个移位脉冲CP 作用下,四位数据的移位过程是( )。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5.已知74LS138译码器的输入三个使能端(E 1=1, E 2A = E 2B =0)时,地址码A 2A 1A 0=011,则输出 Y 7 ~Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A .15 B .8 C .7 D .1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8.N 个触发器可以构成最大计数长度(进制数)为( )的计数器。

《电路与电子技术基础》期末考试卷以及答案

《电路与电子技术基础》2004~2005学年第二学期期末考试试卷(A) 时间:120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔,作图可以用铅笔; 2.除可以携带指定的文具用品(钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器)外,其他物品不准带入考场(手机必须关机,参考资料与书包全部放到教室前面); 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题,可以先举手,经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题(本题共40分,每题2分,将你认为正确的选项对应的字母填在括号内) 1.测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示:该管为()。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 D. NPN型锗管 2.正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的()。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3.组合逻辑电路的设计是指()。 A. 已知逻辑要求,求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求,列真值表的过程 C. 已知逻辑图,求解逻辑功能的过程 4.考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V,则电感电流 i L(t)的初相等于()。 A. 26.6° B. -26.6° C. 63.4° D. -63.4° 5.电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是()。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6.考试题图3所示电路中的电压U为()。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7.TTL与非门中多余的输入端应接电平是()。 考试题图3 ① -2V ③-2.2V -8V 考试题图1 考试题图2 u s(t

2020年8月自考04730电子技术基础三试题答案及评分参考

电子技术基础(三)试题答案及评分参考 第 1 页 (共 5 页) 绝密★启用前 2020 8 04730 一、单项选择题:本大题共15小题,每小题1分,共15分。 1.B 2.C 3.D 4.A 5.D 6.A 7.B 8.A 9.B 10.D 11.D 12.A 13.B 14.B 15.D 二、填空题:本大题共15小题,每小题1分,共15分。 16.0 17.?∠1.5310 18.0 19.单向导电性 20.截止 21.电压串联 22.反 23.同 24.增大 25.1A 26.1 27.32 28.4 29.2kHz 30.可编程 三、分析题:本大题共8小题,每小题5分,共40分。 31.(1)5 '31010V 105U =??=+,(1分) 10 ''1510V 105U =?=+,(1分) 101020V U =+=(1分) (2)2 2 2040W 10U P R ===(2分) 32.(1)1 o i u u dt t RC =-=?(3分) (2)t=3s 时,3V o u =;而t=6s 时,输出电压饱和,所以5V o u =(2分) 33.(1)U O(A V) =0.9U 2=18V (1分) (2)U O(A V) =1.2U 2=24V (1分) (3)U O(A V) =0.45U 2=9V (1分) (4)I D(A V) =0.5*18V/1 k Ω=9mA (2分) 34.(01000111)2=(71)10 (2分) (01000111)2=(47)16 (2分) (01000111)2=(01110001)8421BCD (1分)

电工电子技术基础试题库

电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020

一、判断题 1.理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。 (错) 2.因为正弦量可以用相量来表示,所以说相量就是正弦量。 (错) 3.自耦变压器由于原副边有电的联系,故不能作为安全变压器使用。(对) 4.电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 (对) 5.一个1/4W,100Ω的金属膜电阻,能够接在50V 电源上使用。 (错) 6.三相对称电路中,负载作星形联接时,P 3I I l 。 (错) 7.电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 (错) 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 (错) 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 (错) 10.负载作星形联接时,必有线电流等于相电流。 (对) 11.一个实际的电感线圈,在任何情况下呈现的电特性都是感性。 (错) 12.正弦交流电路的频率越高,阻抗越大;频率越低,阻抗越小。 (错) 13.中线不允许断开,因此不能安装保险丝和开关。 (对) 14.互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 ( 错 ) 15.变压器是依据电磁感应原理工作的。 ( 对 ) 16.电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 ( 对 ) 17.自耦变压器由于原副边有电的联系,所以不能作为安全变压器使用。 ( 对 ) 18.电动机的转速与磁极对数有关,磁极对数越多转速越高。 ( 错 ) 19.三相异步电动机在满载和空载下起动时,起动电流是一样的。( 错 ) 20.二极管若工作在反向击穿区,一定会被击穿。 (错) 21.晶体管可以把小电流放大成大电流。 (对) 22.在P 型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 (对)

电工电子技术试题及答案..

电工电子技术试题 一、填空题(共133题,每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点,参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律,说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比,而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆,简称欧,用符号表示,而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E,电源的内阻压降为U0,则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路,电源端电压为220伏,负载电流为10安,线路的总阻抗为0.2欧姆,那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等,总电压等于各电阻上之和。 9、一只220伏15瓦的灯泡与一只220伏100瓦的灯泡串联后,接到220伏电源上,则 15 瓦灯 泡较亮,而 100 瓦灯泡较暗。 10、1度电就是1千瓦的功率做功1小时所消耗的电量,所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流,频率为50赫,最大值为20安,初相位为-40°,此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- 40°) ,相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压,其读数为380伏,此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个100欧的电阻元件接到频率为50赫、电压为10伏的正弦交流电源上,其电流为 0.1A 安。 15、有一电感L为0.08亨的纯电感线圈,通过频率为50赫的交流电流,其感抗X L= 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫,其感抗X L= 5024 欧。 16、一个10微法的电容接在50赫的交流电源上,其容抗X C= 318 欧,如接在2000赫的交流电源上, 它的容抗X C= 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为i=100sin(6280t- π/4)毫安,它的频率f= 1000Hz ,周期T= 0.001 秒, 角频率ω= 6280 ,最大值Im= 100mA ,有效值I= 100/1.414 mA ,初相位φ=π/4 。 18、已知两交流电流分别为i1=15sin(314t+45°)安,i2=10sin(314t-30°)安,它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中,电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中,电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中,电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示,其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示,其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示,其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序,就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时,则负载的相电压等于电源的相电压,线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时,则负载的相电压等于电源的线电压, 倍。 28、在三相对称电路中,已知线电压U、线电流I及功率因数角φ,则有功功率P=UICOSφ,无功功率 Q=UISINφ,视在功率S=UI 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时,其线电压为380伏,它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机,额定电压为380伏,三角形联接,若测出线电流为30安,那么通过每相绕

期末测验计算机电路与电子技术及答案

广东省高级技工学校江门分校 2013~2014学年第一学期期末考试试卷 考试科目:电路与模拟电子技术 类别:理论 试卷适用专业(计算机应用与维修) 考核时间:90分钟 一、填空题(本大题共12小题,每空1分,共35分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1、用戴维南定理求等效电路的电阻时,对原网络内部电压源作_短路_处理,电流源作__开路_处理。 2、理想电压源输出的 _电压 值恒定,输出的 电流由它本身和外电路共同决定;理想电流源输出的 电流 值恒定,输出的 电压 由它本身和外电路共同决定。 3、已知正弦交流电压()V 60314sin 22200+=t u ,它的最大值为__311伏_,有效值为_220V ,角频率为___314弧度每秒,相位为__314t+60o_,初相位为_60o__。 4、电阻元件上的电压、电流在相位上是 _同相 关系;电感元件上的电压、电流相位 _相差90° ;且电压_滞后 电流;电容元件上的电压、电流相位 __90° ,且电压 _超前 电流。 5、电感元件能存储_磁场_能 6.PN 结正偏时_导通_,反偏时__截止_,所以PN 结具有_单向导电性。 7.漂移电流是反向_电流,它由_少数载流子形成,其大小与_温度_有关,而与外加电压_无关__。 8.三极管放大电路共有三种组态分别是_共射__、_共基、__共集_放大电路。 9.为了消除乙类互补功率放大器输出波形的__交越_失真,而采用_甲乙_类互补功率放大器。 10.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结_正偏_,集电结__反偏_。 总 分 题 号 一 二 三 四 核分人 题 分 得 分 评卷人

电子技术基础试题

电子技术基础(三)试题 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题1分,共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.以下关于脉动直流电压的描述中,正确的是() A.电压的大小和方向均不随时间变化 B.电压的大小随时间变化,但方向不随时间变化 C.电压的大小不随时间变化,但方向随时间变化 D.电压的大小和方向均随时间变化 2.以下关于理想电流源特性的描述中,正确的是() A.理想电流源的信号源内阻接近于零 B.理想电流源任何时候都可以串联在一起 C.理想电流源的输出电流与负载无关 D.理想电流源两端的电压与负载无关 3.电路如题3图所示,已知相量电流则向量电流I为() A.10∠90° (A) B.10∠-90° (A) C.2∠45° (A) D.2∠-45° (A) 4.N型半导体中的多数载流子是() A.自由电子B.空穴 C.五价杂质原子D.五价杂质离子 5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示,则a、b、c三个电极分别为() A.发射极、基极、集电极 B.发射极、集电极、基极 C.基极、发射极、集电极 D.基极、集电极、发射极 6.理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为() A.R id=0,R O=0 B.R id=0,R O=∞ C.R id=∞,R O=0 D.R id=∞,R O=∞ 7.为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏,在两输入端间应采取的措施是() A.串联两个同向的二极管B.串联两个反向的二极管 C.并联两个同向的二极管D.并联两个反向的二极管 8.在单相半波整流电路中,如变压器副方电压的有效值为U2,则二极管所承受的最高反向电压为()

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

电子技术考题大全及答案(完整版)

习题 【2-1】填空、选择正确答案 1.对于阻容耦合放大电路,耦合电容器的作用是 A.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端; √B.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;同时防止偏置电流被信号源旁路; C.将输入交流信号加到晶体管的基极。 2.在基本放大电路中,如果集电极的负载电阻是R c,那么R c中: A.只有直流; B.只有交流; √ C.既有直流,又有交流。 3.基本放大电路在静态时,它的集电极电流的平均值是();动态时,在不失真的条件下,它的集电极电流的平均值是()。(I CQ;I CQ) 4.下列说法哪个正确: A.基本放大电路,是将信号源的功率加以放大; √B.在基本放大电路中,晶体管受信号的控制,将直流电源的功率转换为输出的信号功率; C.基本放大电路中,输出功率是由晶体管提供的。 5.放大电路如图2.1.7所示,试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变(包括基本不变) (1) 要使静态工作电流I c减少,则R b1应。(a) (2) R b1在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻 。(b;a;c) (3) R e在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻 。(b;a;c) (4) 从输出端开路到接上R L,静态工作点将,交流输出电压幅度要。 (c;b) (5) V cc减少时,直流负载线的斜率。(c) 6.放大电路的输出电阻越小,放大电路输出电压的稳定性()。(越好) 7.放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的()而引起的非线性失真。(饱和区) 8.在共射基本放大电路中,若适当增加 ,放大电路的电压增益将()。(基本不增加) 9.在共射基本放大电路中,若适当增加I E,电压放大倍数将如何变化()。(增加) 10.在共射基本放大电路中,适当增大R c,电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A.放大倍数变大,输出电阻变大 B.放大倍数变大,输出电阻不变 C.放大倍数变小,输出电阻变大 D.放大倍数变小,输出电阻变小 11.有两个电压放大电路甲和乙,它们的电压放大倍数相同,但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大,在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。(对放大电路输出电压大小的影响,一是放大电路本身的输入电阻,输入电阻越大,加到放大电路输入端的信号就越大;二是输出电阻,输出电阻越小,被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小,输出信号就越大。在负载

电路与电子技术基础习题答案

《电路与电子技术基础》参考解答 习题一 1-1 一个继电器的线圈,电阻为48Ω,当电流为0.18A 时才能动作,问线圈两端应施加多大的电压? 答:根据欧姆定律可得:U=IR=0.18*48=8.64V 1-2 一个1000W 的电炉,接在220V 电源使用时,流过的电流有多大? 答:由电路的功率计算公式可知:P=UI ,所以A 55.4220 1000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。 解:(1)图(a),由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ,假定电流方向如图所示,沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周,电压方程式为: -6+4I+2I=0 即得:I=1A 则U ac =2(-I)=-2V (或者U ac =-6+4I=-2V ) 对于cb 支路:因为构不成回路,所以电流为零。故:U cb =4V # 所以:U ab =U ac +U cb =-2+4=2V # (2)图(b),由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ,假定电流方向如图所示,与(a)同理在回路中列出电压方程为: -3+1I+2I=0 即得:I=1A 则U ac =1(-I)=-1V (或者U ac =-3+2I=-1V ) 对于cb 支路:因为构不成回路,所以电流为零。故:U cb =8V 所以:U ab =U ac +U cb =-1+8=7V # 1-7 电路如题图1-2所示,求 (1)列出电路得基尔霍夫电压定律方程; (2)求出电流 (3)求U ab 及U cd 解:(1)假设电流的参考方向如图所示,对于db 支路,因为不构成回路,支路电流等于零, U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为:2I+12+1I+2I+2I+1I-8+2I=0 得:10I+4=0 # (2)求电流 由上面得回路电压方程式得: )A (4.010 4 -=- =I # 6V I 2Ω a 4Ω b c 4V 2Ω (a) I 1Ω 2Ω 3V c a 8V 5Ω b (b) 题图1-1 习题1-3电路图 I 12V 1Ω 2Ω 10V 2Ω a b c d 4Ω 2Ω 2Ω 8V 1Ω 题图1-2 习题1-7电路图

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电子技术基础试题(八) 一、填空题(每题3分,共30分) 1、P N结具有—单向导电特性—性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的—输入电阻—大和—输出电殂—小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R和信号源的内阻r s一相等—时,负载获得的功率最大,这种现象称为—阻抗匹配_。 一5、运算放大器的输出是一种具有—深度负反馈高增益_的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:_甲_类功放,_乙_类功放和—甲 乙_类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放管提供少量—偏流 I B^,以减少_交越—失真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由—采样电路、基准电源、比较放大电路和—调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。 10、主从触发器是一种能防止_空翻一现象的实用触发器。 二、选择题(每题3分,共30分) 1 ?晶体管二极管的正极的电位是一10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管处于:(C )。 A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2?若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:(A )。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:(B )。 A.3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:(A )。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:(C)。 A.有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6.有两个2CW15急压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V,若把两管的正极 并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是: (B )。 A.8V 7?为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:(A )。 A.在开启时提供很大的正向基极电流,并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8.逻辑函数式E F+E F+EF,化简后答案是:(C )。 A.EF B. F E+E F C.E+F 9.基本RS触发器电路中,触发脉冲消失后,其输出状态:(B )。A.

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资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。 一、填空题: 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极:反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12讥增大到22讥时,I c从1mA变为2mA,那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置,集电结正向偏置,贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、0TL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在 输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流

2017华南理工电路与电子技术计算题

《 电路与电子技术 》计算题 1.在图所示电路中,求各支路电流。 解: I 2 = 4A I 3 = I 1 + I 2 I 3 = I 1 + 4 R 1 * I 1 + I 3*R 3 = 10 联立求解,得I 1 = 2A I3 = 6A 2.电路如题图所示,已知CC U =12V , 1B R =68kΩ, 2B R =22kΩ, C R =3kΩ,E R =2kΩ, L R =6kΩ晶体管β=60。 (其中C be I r 26 200β+≈进行计算)。 (1)计算静态值B I ,C I ,CE U (BE U =0.7V ); (2)画出微变等效电路,求电压放大倍数? u A 、输入电阻i r 和输出电阻o r 解:(1) I BQ = (V CC - U BEQ ) / R b = (12 - 0.7)/ 68 * 103

= 17μA I CQ = βI BQ = 60 * 0.17 = 10 mA U CEQ = V CC - I CQ * C R = 12 - 10* 3 = -18V U CEQ << U BEQ , 即V C < V B

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有_____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题: 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; ○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

电路与电子技术基础复习题

电路与电子技术基础复习题 一、基本概念题: 1、电路包括电源、负载和中间环节三个组成部分。 2、电源或信号源的电压或电流,称为激励,它推动电路的工作;由它在电路各部分产生的电压和电流称为响应。 3、习惯上规定正电荷运动的方向为电流的实际方向。 4、选定同一元件的电流参考方向与电压参考方向一致,称为关联参考方向。选定同一元件的电流参考方向与电压参考方向相反,称为非关联参考方向。 5、若电阻元件的伏安特性可以用一条通过平面坐标原点的直线来表征,称为线 性电阻元件。若电阻元件的伏安特性可以用一条通过、平面坐标原点的曲线来表征,就称为非线性电阻元件。 6、在电压和电流的关联参考方向下,欧姆定律表示为u=Ri 。 在电压和电流的非关联参考方向下,欧姆定律表示为u=-Ri 。 7、基尔霍夫电流定律(KCL):任何时刻,对任一节点,所有支路电流的代数和恒 等于零。 基尔霍夫电压定律(KVL):任何时刻,沿任一回路各支路电压的代数和恒等于零。 8、下图所示电路中,I1=2 A,I2=3 A, I3=-2 A;I4=-3A 。

9、下图所示电路中,已知I1=1 A,I2=10A,I3=2 A,I4=-13A 。 10、1度=1KWh=3.6×106 J 11、将放大电路中的一部分或全部回送到输入回路的过程称为反馈。 12、整流的目的是将交流电变成直流电。 13、串联型稳压电路中的调整管必须工作在放大状态。 14、多级放大电路中输入信号为零时,输出信号电压不为零的现象称为零点漂 移,能够抑制此现象的放大电路是差动放大电路。 15、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号;在时间上和数值 上离散的信号叫做数字信号。 16、数字电路中机器识别和常用的数制是二进制。 17、(365)10=(101101101)2=(555)8=(16D)16 18、在正逻辑的约定下,“1”表示高电平,“0”表示低电平。 19、数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系,所以数字电路 也称为逻辑电路。在逻辑关系中,最基本的关系是与逻辑、或逻辑

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