多晶硅级别指标

多晶硅级别

太阳能级别的多晶硅polycrystalline silicon

性质：灰色金属光泽。块壮的.密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃. P 型的达到6N 以上.是高纯度的,可达到99.99999% 。进口的每吨160万元.

中国太阳能级多晶硅等级标准

项目（一）太阳能级多晶硅等级指标（一）

1级品2级品3级品

基磷电阻率，Ωcm≥100≥40≥20

基硼电阻率，Ωcm≥500≥200≥100

少数载流子寿命，μs≥100≥50≥30

氧浓度，atoms/cm3 ≤1.0×1017≤1.0×1017≤1.5×1017

碳浓度，atoms/cm3 ≤2.5×1016≤4.0×1016≤4.5×1016

项目（二）太阳能级多晶硅等级指标（二）

1级品2级品3级品

施主杂质浓度ppba ≤1.5≤5.4≤50.4

受主杂质浓度ppba ≤0.5≤2.7≤27

基体金属杂质，ppmw Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.05Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.1Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.2

注：

1，基体金属杂质检测可采用二次离子质谱、等离子体质谱和中子活化分析，由供需双方协商解决。

2，每个等级的产品应该同时满足本等级的要求，若某项超出指标，则降为下一级。

3, 3级品主要应用于多晶硅锭的生产。

施主杂质和受主杂质的定义

在硅中掺入V族元素杂质（如磷P，砷As，锑Sb等）后，这些V族杂质替代了一部分硅原子的位置，但由于它们的外层有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可以导电的自由电子，这样一个V 族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，把这种杂质称为施主杂质；若在硅中掺入III族元素杂质，（如硼B，铝Al，镓Ga，铟In等），这些III族杂质原子在晶体中替代了一部分硅原子的位置，由于它们的最外层只有3个价电子，在与硅原子形成共价键时产生一个空穴，这样一个III 族杂质原子可以向半导体硅提供一个空穴，而本身接受一个电子成为带负电的离子，把这种杂质称为受主杂质。

是相对于硅、锗等四价（四个价电子）元素而言的，譬如向纯净的硅晶体中掺入五价元素如磷，当一个磷原子取代一个硅原子的位置后，会多出一个价电子（相当于施舍一个电子），此时掺入的磷被称为施主杂质。

杂质价态小于本征价态，n型半导体，产生施主能级，杂质为施主杂质

杂质价态大于本征价态，P型半导体，产生受主能级，杂质为受主杂质

施主杂质

电子学概念。对于N型半导体来说，其中的5价杂质成为施主杂质在硅中掺入V族元素杂质（如磷P，砷As，锑Sb等）后，这些V族杂质替代了一部分硅原子的位置，但由于它们的外层有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可以导电的自由电子，这样一个V族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，把这种杂质称为施主杂质在本征半导体中掺入某种特定的杂质（掺杂），成为杂质半导体后，可以使其导电性能发生质的变化

根据所掺元素的不同，又可将掺杂后的半导体分为N型半导体（掺入5价元素）和P型半导体（掺入3价元素）