工艺条件对CdS纳米粒子量子尺寸效应的影响
第!"卷第#期$%%!年"月
浙江大学学
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收稿日期A $%%$B C %B $C ?
基金项目A 国家自然科学基金重大资助项目&D E F E %$!%’G
教育部跨世纪优秀人才培养计划基金?作者简介A 姚建曦&C E "#H’I 男I 河北石家庄人I 博士I 从事纳米粒子的制备及性能研究?;B J -4.A 34-,K 4:-)L :-1))?=)J ?=,
联系人A 赵高凌I 女I 研究员I 博士I ;B J -4.A 5.M 1-)L M 3*?2N *?=,
工艺条件对O P Q 纳米粒子量子尺寸效应的影响
姚建曦I 赵高凌I 韩高荣
&硅材料国家重点实验室I 浙江大学材料科学与工程学系I 浙江杭州!C %%$"’
摘
要A 以硫脲为表面修饰剂对R N <进行表面修饰I 并将R N <分散在S >S
&聚乙烯吡咯烷酮’的乙醇水溶液中I 用紫外可见吸收光谱分析了各种反应条件对R N <纳米粒子量子尺寸效应的影响?结果表明I 将硫脲用于R N <纳米粒
子的表面修饰能有效地降低R N <纳米粒子的粒径I 大大提高了其量子尺寸效应?硫脲与R N $T
之间的不同比例U
硫脲修饰前后溶液的V W 值对R N <纳米粒子的量子尺寸效应产生了明显的影响?在V W 值为$?%%I 硫脲与R N $T
比例为F XC 的条件下I 得到了粒径大小为Y ,J U 粒径分布均匀的R N <纳米粒子?Z ;[观察到的结果与\+*8
公式计算的结果是一致的?
关键词A R N <纳米粒子G 量子尺寸效应G 表面修饰G 吸收边中图分类号A ]D #F ?C D G Z @!
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文章编号A C %%F B E "!_
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近年来I R N <半导体纳米粒子由于本身具有优良的性能而成为研究的热点?它的制备及性能研究
引起了国内外学者的广泛兴趣@C H "A
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常见的化学制备方法有A 溶胶法U 反相胶束法及固体介质&聚合物
膜U 玻璃及沸石等’等方法@!H "A
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一般用有机物对R N <纳米粒子表面进行修饰的方法来控制纳米粒子的粒径和粒径分布I 同时表面修饰剂能增加纳米粒
子的稳定性和可分散性?目前多采用苯硫酚或硫醇基团对R N <进行表面修饰I 但苯硫酚修饰对R N <纳
米粒子的荧光具有强烈的淬灭作用I 同时硫醇本身具有较强的毒性I 以上缺点制约了它们的应用?而由
于硫脲易于和R N $T 进行配位而且无毒等优点I 笔者已成功地将硫脲应用于对R N <纳米粒子的表面修
饰并将其分散在有机高分子S >S
&聚乙烯吡咯烷万方数据