编程器P800isp【使用手册】 STM8S系列芯片在线烧录指南

广州致远电子股份有限公司

P800烧写指南

STM8S 系列芯片在线烧写指南

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目录

1. 适用范围 (1)

2. 工程新建 (2)

2.1创建 (2)

2.2芯片选择 (3)

2.3查看描述 (3)

3. 配置 (4)

3.1烧写配置 (4)

3.2通道配置 (5)

3.3校验配置 (6)

3.4擦除配置 (6)

3.5查空配置 (7)

3.6读取配置 (7)

3.7组合配置 (8)

3.8设备配置 (8)

3.8.1程序烧写 (9)

3.8.2电源设置 (11)

3.9工程配置 (11)

3.10量产配置 (12)

3.11缓冲区 (12)

3.12系统设置 (13)

4. 工程管理 (14)

4.1保存工程 (14)

4.2打开与删除工程 (15)

5. 操作 (16)

6. 高级配置 (17)

6.1加密配置 (17)

6.2通讯波特率设置..................................................................... 错误！未定义书签。

7. 注意事项 (18)

1. 适用范围

本文档适合用于P800平台烧写STM8S系列芯片。

本文档以STM8S105K4芯片为例，详细讲解如何在P800平台上创建、配置和管理工程。

2. 工程新建

如下图，为P800的面板，点击创建开始P800工程的新建。

图2.0 P800顶层面板

2.1 创建

图2.1 新建工程

【工程名称】：输入工程的名称，一般以芯片的具体型号命名。【工程类型】：选择工程存放位置，可选本机、SD卡和U盘。【创建】：创建当前工程。

2.2 芯片选择

双击芯片厂商ST，选择需要烧写芯片的具体型号，如下图所示：

图2.2 芯片选择

2.3 查看描述

查看当前烧录芯片与P800的硬件连接图。

图2.3 查看描述

3. 配置

3.1 烧写配置

由于STM8S105K4芯片包含两个区域（Flash和EEPROM）,每个区域的烧写方式不一样，在P800平台上分别用两个算法对应每个区域的操作，如下图所示：

图3.1.0 两个不同的算法

需要用到某个区域时，选中对应区域的算法并添加对应烧写文件。以下演示两个算法分别加载文件的过程：

(1)首先选中【STM8S 16K medium density Flash】算法，点击【添加】，如图3.1.1所示，选

择烧到Flash区的烧写文件。

图3.1.1 加载EROM文件

(2)选中【STM8S 1K medium density EEPROM】算法，点击【添加】，如图3.1.2所示，选

择烧到EEPROM区的烧写文件。

图3.1.2 加载ULP EEPROM文件

3.2 通道配置

配置通道的操作方法以及开启的通道数。

图3.2 通道配置

【同步操作】：所有开启的通道同时烧录、同时结束，具有速度快的特点。

【异步操作】：每个通道独立工作，互不干扰，操作灵活。

【通道编号】：选择开启的通道编号。

3.3 校验配置

可设置屏蔽校验区间，芯片无特殊区域时默认即可。

图3.3 校验配置

【校验配置区】：需要校验配置区时可选此项。

3.4 擦除配置

配置芯片需要擦除的区域、扇区，默认为全片擦除。

图3.4 擦除配置

【擦除配置区】：需要擦除配置区时可选此项。

3.5 查空配置

配置芯片需要查空的区域、扇区，与擦除相对应，默认为全片查空。

图3.5 查空配置

3.6 读取配置

配置芯片需要读取的区域、扇区，可按扇区读取和地址读取，默认为全片读取。

图3.6 读取配置

【读取配置区】：需要读取配置区时可选此项。

3.7 组合配置

配置组合操作的步骤，通过【插入】可增加操作的步骤，【上移】【下移】可配置操作的顺序，默认为【擦除】——【烧写】——【校验】。

图3.7 组合配置

3.8 设备配置

配置设备的电源输出、时钟频率等信息。

图3.8 设备配置

3.8.1 主要设置

设置系统时钟、SWIM频率，无特殊需求时，默认即可。

图3.8.1 主要设置

3.8.2 程序烧写

可查看、配置当前算法属性。双击算法可查看或配置当前算法的属性，如图3.8.3所示，双击空白处可添加新的算法，无特殊需求时，默认即可。

图3.8.2 程序烧写

图3.8.2 算法属性

3.8.3 硬件自检

点击【开始】，可以检测芯片Flash信息、RAM区信息等，一般用于测试P800与芯片是否正常通讯。

图3.8.3 硬件自检

3.8.4 电源设置

配置编程器的电源输出使能、输出稳定时间等。当使用编程器供电时，此处需要配置。

图3.8.4 电源设置

【允许输出】：允许编程器输出电压，使用编程器供电时需选此项。

【禁止输出】：禁止编程器输出电压，使用外部供电时需选此项。

【按照器件】：按照芯片标准电压输出。

【稳定时间】：配置电压输出的稳定时间。

【电压测试和调整】：可以测试和校正当前的输出电压。

3.9 工程配置

配置当前工程的属性。

图3.9 工程配置

【工程信息】：配置当前工程的信息、加密设置等。

【工程选项-操作】：配置【操作】的选项。

【工厂选项-配置】：配置【配置】的选项。

3.10 量产配置

配置量产的属性、自动上下电检测等。

图3.10 量产配置

【批量操作】：配置量产的操作，默认为【组合操作】。【量产次数】：配置量产的次数，默认为-1，即无穷多次。【稳定上电时间】：配置量产操作的稳定上电时间。

【成功次数】：显示当前量产操作的成功次数。

【清空量产】：清空当前量产的计数。

3.11 缓冲区

查看当前数据的缓冲区信息，包括源数据和读数据。

图3.11 缓冲区

3.12 系统设置

配置本机的IP地址。

图3.12 系统设置

4. 工程管理

4.1 保存工程

完成芯片工程的新建和配置后，需要对工程进行保存。首先返回P800的顶层操作面板，如图4.1.0所示。

图4.1.0 工程管理

点击【保存】，可以直接保存工程，或点击【选择工程】，进入到工程管理面板，如图4.1.1所示，为保存工程的图标按钮，单击即可保存工程。

图4.1.1 保存工程

4.2 打开与删除工程

点击【选择工程】，进入到工程管理面板，选择需要打开或删除的工程，如图4.2所示。

为打开工程的图标按钮，为删除工程的图标按钮，单击即可打开或删除工程。

图4.2 打开与删除工程

5. 操作

图5.0 操作

【烧写】：将代码烧进芯片内部的Flash。

【校验】：校验芯片内部的Flash代码与烧写文件是否一致，检测【烧写】操作是否成功。【擦除】：根据【擦除配置】，擦除芯片内部的Flash数据。

【查空】：根据【查空配置】，查询芯片内部Flash是否为空，检测【擦除】操作是否成功。【读取】：根据【读取配置】，读取芯片内部的Flash代码，可在【缓冲区】——【读数据】查看。

【解锁】：此操作为MC9S12XEP系列芯片特有的操作，解除芯片的加密状态，并将芯片全片擦除。

【组合】：根据【组合配置】，依次执行各操作。

【量产】：根据【量产配置】，执行各操作，适合工厂大规模生产。

【烧写配置】：将配置区信息烧进芯片，需要在【烧写配置】使能【烧写配置区】，详细配置可参考第6章高级配置。

【校验配置】：校验配置区是否烧写成功，需要在【校验配置】使能【校验配置区】。

【擦除配置】：擦除配置区，需要在【擦除配置】使能【擦除配置区】。

【读取配置】：读取配置区，需要在【读取配置】使能【读取配置区】。

6. 高级配置

操作路径：【配置】——【烧写配置】

图6.0 配置与选项

图标为STM8S105K4系列芯片的特有的高级配置选项，根据用户需求选择。

6.1 芯片Option配置

操作路径：【配置】——【烧写配置】——【配置】

点击【配置】进入芯片Option配置面板，如图6.1所示，可以设置芯片的保护使能等信息。此处配置完成后，需要使能【编程配置区】才会生效。

图6.1 配置