Electronic Design & Application World-Nikkei Electronics China
引言
目前,扩频通信技术已经在低压电力线通信上得到广泛应用,并已取得了很大的进展。PL3105即为内嵌直接序列扩频通信方式的一种芯片,同时内部集成了高速微处理器,适宜在智能仪表的设计中选用。
PL3105简介
PL3105采用直接序列扩频的载波通信方式,是一种帧同步方式的串行移位通信芯片,其速率为
500bps/250bps可选,默认为500bps,载波的中心频率为120KHz。由于PL3105的CPU和载波模块内嵌,所以载波通信控制可以通过配置片内寄存器来实现。
PL3105芯片的载波功能使能后,即可进行载波通信。载波通信工作于半双工模式,收发转换时需要进行控制,当载波收发控制位PLM_RS(D8H.0)=1,载波处于发送状态,该位设置为0时,载波处于接收状态。
载波通信要求必须使用
9.6MHz晶体。发射时载波电路对晶振信号进行分频后,每隔2ms(对应500bps)产生一次载波同步信号HEAD,内嵌CPU从INT2检测到下降沿中断后,将待发送数据位送到数据引脚P3.7,内部硬件完成数据的扩频调制后从P1.7送出。
载波信号功率放大及
接收电路设计
电力线载波通信所需的直接序列扩频调制电路已在PL3105芯片内集成,外围的配置电路主要包括
功率放大电路、滤波整形电路、谐振电路及二次滤波电路。功率放大电路、载波耦合电路及接收电路可
如图1所示进行设计。
功率放大电路是用来将PL3105芯片产生的载波调制信号进行功率放大后耦合到电力线上。载波功能被使能后,载波信号由P17输出,波形为0 ̄5V的方波,包含丰富的谐波;经过推挽电路进行功率放大后,P17点的方波信号被放大为O1
点信号。图1电路中D3、D4起钳位作用、吸收低压电力线上的尖峰干扰。载波发射功率的大小与VHH电源幅值的高低以及电源电流提供能力密切相关,在一定范围内提高电源幅值、增大电源功率,可以有效地加大发射功率、从而延长通信距离。
基于PL3105的低压电力线
载波通信硬件设计
■ 中科院过程工程所 张瑞红
(a)功率放大电路
(b)载波耦合及接收电路
图1 载波通信接口电路原理图
12 电子设计应用 www.eaw.com.cn
芯片应用
由于放大后的信号O1波形富含谐波,为减少对电网的谐波污染,需进行滤波整形。图1(b)中电感L1、电容C3完成整形滤波后,再通过耦合线圈T1耦合到低压电力线上,双向二极管D7起保护作用。
图1(b)中包含接收回路部分。R3在接收本地强发射信号时可以有效吸收衰减。电感L2、电容C6组成并联谐振回路,谐振以中心频率为120KHz进行设计,完成对有效信号的带通滤波,良好的选频回路可以有效提高载波接收灵敏度。
如选择电容C6=1.5nF,根据并联谐振公式计算后,即可以选择合适的电感值:
(1)
以f=120KHz带入计算得到L=1.17mH。
二极管D5、D6
的作用是将接收信号的电位钳制在±0.7V。接收信号经
过电容C4后引入到芯片内部进行混
频处理,SIGIN被内部上拉后平移到2.5V±0.7V,以利于后续处理。
载波信号的后处理
并联谐振后接收的载波信号经SIGIN引脚进入芯片。由于陶瓷滤波器通频带只能在中频附近,所以芯片内部将接收到的120KHz信号与内部的600KHz本振信号进行混频,得到480KHz中频带宽的差频信号。
混频信号由FLTI引脚输入到陶瓷滤波器的输入引脚,陶瓷滤波器滤波后再送回芯片的FLTO引脚进行内部限幅放大。然后由芯片内的硬件解扩电路进行有效数据的还原。数据解扩完成后将数据位锁存
图2 陶瓷滤波器接口电路
到P3.7引脚,同时产生同步信号HEAD。
陶瓷滤波器接口电路参见图2。陶瓷滤波器的设计参数为:中心频率f=480KHz,带宽15K;该带宽与伪码长度有关,具体关系如下:
500bps:15位伪码,载波同步捕获门限默认为30H,带宽±7.5KHz;
250bps:31位伪码,载波同步捕获门限默认为60H,带宽±7.5KHz。
结语
按以上原理设计的载波通信产品,具有很高的接收灵敏度和很强的抗干扰能力。实验条件下,在1000m距离内,达到了令人满意的通信成功率。在外围通信电路的设计中根据实际线路阻抗状况,恰当进行并联谐振的电容电感选值、计算,选择效率更高的放大电路、调整发射功率,则可达到低成本、远距离、高可靠性的设计目标。■
富士通微电子亚洲公司近期发布了与COSMORAM Revision 3兼容的、脉冲工作模式的 128MbitFCRAM样片,以供移动电话应用。当单独与1.8V电源电压一起使用时,新的 128Mbit MB82DBS04314C和MB82DBS08164C模块可提供高达 108MHz 的脉冲工作频率,其高
这种脉冲工作方式使其具有更快的连续读/写操作功能,从而能够满足下一代移动电话存储器应用的需
要。
此外,新产品最高待机电流低达300μA,可以用于迅速设置电源开关的切换,例如睡眠方式和部分节电方式。与传统产品相比,
MB82DBS04314C是业界第一个采
用32位数据/地址多路复用传输方式的128兆位 PSRAM。可提供超过两倍以上的数据传送率,通过扩展数据总线和减少引脚数,为线路板设计用户提供了更多的方便。非常适合于被植入应用于单芯片以及包括芯片组的存储解决方案中,从而更好地满足3G 移动电话厂商的需求。
富士通推出与 COSMORAM Rev.3 兼容的 128Mbit FCRAM