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电力电子复习题

电力电子复习题
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1、同信息电子器件相比,用于主电路的电力电子器件有哪些特征?10页

答:

电功率-----承受电压和电流的能力---最重要的参数。

开关状态-----减小本身的损耗,提高效率。

驱动电路-----由信息电子电路来控制。

功率损耗-----远大于信息电子器件----安装散热器。

2、举例说明电压驱动型电力电子器件和电流驱动型器件的特点。12页

答:一、1)电压驱动型电力电子器件的特点:仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。

2)电流驱动型器件的特点:通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。

以三极管为例:场效应管的输入阻抗非常高,属于电压控制型,原极需输入电压而电流极低,普通三极管就属于电流控制型的器件,基极需要偏置电流才能工作于极大状态,这就是二者区别。

二、电压驱动型:单极型器件和复合型器件

特点:输入阻抗高,所需驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高。

电流驱动型:双极型器件

特点:具有电导调制效应,因而通态压降低,导通损耗小,但工作频率较低,所需驱动功率大,驱动电路较复杂。

3、单相桥式全控整流电路,当负载为电阻负载和电感负载时,晶闸管移相范围分别为多少?47页

答:当负载为电阻负载时,得a角的移相范围为0°—180°。

当负载为阻感负载时,得a角(晶闸管)的移相范围为0°—90°。

4、交流调压电路和交流调功电路有什么区别?140页

答案一:交流变压电路和交流调功电路的电路形式完全相同,二者区别在于控制方式不同,交流调压电路是在交流电源的每个周期对输出电压波形进行控制;交流调功电路是将负载于交流电源接通几个波,再断开几个周波,通过改变接通周波与断开周波的比值来调节负载所消耗的平均功率。

答案二:交流调压:通过控制交流电移相触发角控制输出电压大小。

交流调功:通过控制交流电通断比例(pwm)来控制输出功率大小。

5、换流方式有哪几种?各有什么特点?99页

换流方式有4种:

1)器件交换特点是利用全控型器件的自关断能力进行换流。

2)电网换流特点是由电网提供换流电压,这种换流方式应用于由交流电网供电的电路中,它利用电网电压自动过零并变负的性能来实现换流。

3)负载换流特点是由负载提供换流电压,这种换流方法多用于直流电源供电的负载电路中。

4)强迫换流特点是设置附加的换流电路,给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压或反向电流的换流方式称为强迫换流,换流回路的作用是利用储能原件中的能量,产生一个短暂的交流脉冲,使原来导通的晶闸管电流下降到零,再使它承受一段时间反压,便可关断。强迫换流常利用附加电容上所储存的能量来实现,因此也称电容换流。

6、画出BOSST升压交换器电路图,并简述其工作原理。123页

工作原理:

1)当可控开关V处于导通状态时,VD截止,电源E向电感L充电,随VL值上升L储能正价同时电容C上的电压向负载R供电(C处于放电状态)。

2)当可控开关V处于断开状态时,VD导通,E和L共同向电容C充电并向负载R提供能量(C处于充电状态)。

7、直流开关电源与直流线性电源相比具体有体积小、效率高等优点,试简要分析其原因。220页

答:由于开关电源采用了工作频率较高胡交流环节,变压器和滤波器都大大减小,因此同等功率条件下其体积和重量都远远小于线性电源,同时工作频率的提高还有利于控制性能的提高。

8、从晶闸管的物理结构角度,分析为什么晶闸管一旦触发导通之后,就可以自锁导通,而不再需要触发电流?晶闸管导通之后,门板就失去控制作用,那么如何使已导通的晶闸管关断?20页

答:晶闸管内部是PNPN四层伴导管结构,分别为P1、N1、P2、N2,P1区引出阴极K,P2引出门极G,四个区形成J1、J2、J3三个PN结,晶闸管可以看成P1、N1、P2和N1、P2、N2构成的两个晶体管V1、V2的组合,如果门极有驱动电流,则V2的基极有电流,产生集电极电流,它构成晶体管V1的基极电流,然后V1又产生集电极电流,这个电流又进一步增大V2的基极电流,如此形成强烈的正反馈,最后V1、V2进入完全饱和状态,即晶闸管完全导通,此时如果撤掉触发电流,晶闸管内部已经形成了强烈的正反馈会仍然维持导通状态。若要使晶闸管关断,必须去掉阳极所加的正向电压,或给阳极施加电压,或者设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一反值下,晶闸管才能关断。

9、分析电力电子装置中产生过电压和过电流的原因。各举出3种常用的过电压和过电流保护措施。200页

答:电力电子装置中产生过电压的原因有两类:外因过电压和内因果电压。

外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因:1)雷击过压2)操作过压。

内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程,主要有换向多点呀和关断过电压。

过电流通常产生的原因是短路和过载。

保护措施:阻容RC过电压抑制电路是对过电压最常用的和有效的保护方法,利用电容电压不能突变的特性吸收过电压,电阻消耗吸收的能量,并抑制回路的震荡,快速熔断器(简称快熔)是电力电子装置中最有效,应用最广的一种电流保护措施。

10、简述单相功率因数校正的基本原理和特点。225页

u和实际的直流电压ud比较后送入PI调节器,得到指令信号id,答:给定信号*

d

id和整流后正弦电压相乘得到输入电流的指令信号i*,该指令信号和实际电感电流信号比较后,通过滞环对开关器件进行控制,便可使输入直流电流跟踪指令值,这样交流侧电流波形将近似成为与交流电压同相的正弦波,跟踪误差在由滞环环宽所决定的范围内。

实际上是二极管整流电路加上升压型斩波电路构成的。

下图所示的单相全桥逆变电路工作于双极性SPWM模式。设载波比N=9要求:在题图4-3中画出1个调制信号波周期内的开关控制信号波形和输出电压u O的波形。165页

u r

u

c u O ωt

u g1U d

u g4

u g2u g3

u o

-U d

ωt

ωt

ωt

反激变换器工作原理:开关管导通时,变压器储存能量,负载电流由输出滤波电容提供;开关管关断时,变压器将储存胡能量传递到负载肯输出滤波电容,以补偿电容单独提供负载电流时消耗的能量。133页大样

120页大样

三相交流全控桥式晶闸管整流器(没找到)

电力电子复习题含答案

考试试卷( 1 )卷 一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为____电压型____和 _____电流型___两类。 2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就 属于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。当器件的工作频率较高时, __开关_______损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______,当它为常数时的调制方式 称为_____同步____调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。 4、面积等效原理指的是,_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是___MOSFET______,单管输出功率最大 的是____GTO_________,应用最为广泛的是___IGBT________。 ,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大6、设三相电源的相电压为U 2 反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。 8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______; (5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电力电子考试题库(含答案)

一、填空(每空1分) 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管GTR;图形符号为; 可关断晶闸管GTO;图形符号为; 功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为; 绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。 6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可) 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫(脉冲)换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分 为有源逆变器与无源逆变器两大类。 16、一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为220V,流过晶闸管的大电 流有效值为15A,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 5.1( ;晶闸管 )2 220 2

的额定电流可选为A 57 .115)35.1(倍 是 阳极A , 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压, 阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ;关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时,导通的晶闸管关断 。 18、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0o—180o 变化,在阻感性负载时移相范围在 φ—180o 变化。 20、晶闸管的换相重叠角与电路的 触发角α 、 变压器漏抗 X B 、 平均电流I d 、 电源相电压U 2 等到参数有关。 21、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用 大于60o小于120o的宽脉冲 触发;二是用 脉冲前沿相差60o的双窄脉冲 触发。 27、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 √2U2 。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 √6 U2 。(电源电压为U2) 28、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制角,用 α 表示。 29、正弦波触发电路的理想移相范围可达 180o、 度,实际移相范围只有 150o 。 30、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压,经常使用的保护方法是 阻容保护 而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和 硒堆 。

电力电子复习题及总结答案

电力电子必胜 绪论 填空题: 1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。 2.电能变换的含义是在输入与输出之间,将________、________、________、________、________中的一项以上加以改变。 3.电力变换的四大类型是:________、________、________、________。 4. 在功率变换电路中,为了尽量提高电能变换的效率,所以器件只能工作在________状态,这样才能降低________。 5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类,即: ________、________、________。 6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支:________________ 技术和________技术。 7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成_____________电路和对其进行控制的技术,以及构成________装置和________系统的技术。 8.电力电子技术是应用在________领域的电子技术。 9.电力电子技术是一门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。 简答题 1. 什么是电力电子技术? 2. 电能变换电路的有什么特点?机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关? 3. 电力变换电路包括哪几大类? 电力电子器件 填空题: 1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为________,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成的系统,一般由________、________、________三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加________。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为________、________、________三类。 5.按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三类:、 和。 6.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为________和________两类。。 7. 电力二极管的主要类型有、、。 8. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为Hz以下的

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末复习题及其答案

第一章复习题 1.使晶闸管导通的条件是什么 答:当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 2.维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断 答:(1)维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 (2)若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能 答:(1)GTO在设计时,a2较大,这样晶体管v2控制灵敏,易于GTO关断; (2)GTO导通时a1+a2的更接近于1,普通晶闸管a1+a2≥,而GTO则为约等于,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制提供了有利条件; (3)多元集成结构每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得p2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 4.如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏 答:(1)一般在不用时将其三个电极短接; (2)装配时人体,工作台,电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地; (3)电路中,栅,源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。 (4)漏,源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 ,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点 答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。 6.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。 答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,du/dt或过电流和di/dt,减

电力电子技术复习题及答案汇编

电力电子技术试题 1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。。 4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。 6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移 相使输出电压下降。(写出四种即可) 10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器,电压 型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180o 度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120o 度。 11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。 14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表 示900V。 15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲;主要用于驱动小功率的晶闸管;锯齿波同 步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触发大功率的晶闸管。 19、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于 1.57倍I T(AV),如果I T(AV)=100安培, 则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5—2倍的裕量。 20、通常变流电路实现换流的方式有器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流四种。 21、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是0,负载是阻感性时移相范围是 。 22、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有避雷器;阻容吸收;硒堆;压敏电阻;整流式阻容吸收等几种。 23、。晶闸管的维持电流I H是指在温度40度以下温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到 刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。 25、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是阳极A,阴极K和门极G晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时,导通的晶闸管关断。.。 27、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极;作为栅极,以以电力晶体管集电极和发射极复合而成。 29、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α;变压器漏抗X B;平均电流I d;电源相电压U2。等到参数有关。

电力电子基础考试题库

作业1 一、判断题(C第1-10题每题4分) 1. 逆变器采用负载换流方式实现换流时,负载谐振回路不一定要呈电容性。 (A) A (B) B 2. 双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是?用电流有 效值来表示的。 (A) A (B) B 3. 在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。 (A) A (B) B 4. 为避免三次谐波注入电网,晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法 (A) A (B) B 5. 电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。 (A) A (B) B

6. 过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。 (A) A (B) B 7. 在变流装置系统中,增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。 (A) A (B) B 8. PWM脉宽调制型逆变电路中,采用不可控整流电源供电,也能正常工作。 (A) A (B) B 9. 对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时,只有采用双窄脉冲触发,电路才能正常工 作。 (A) A (B) B 10. 无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。 (A) A (B) B

[参考答案:B] 分值:4 二、单选题(第1-15题每题4分) 1. 在晶闸管触发电路中,改变()的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目 的 (A) 同步电压 (B) 控制电压 (C) 脉冲变压器变比 (D) 整流变压器变比 2. 直流斩波电路是一种______变换电路 (A) AC/AC (B) DC/AC (C) DC/DC (D) AC/DC 3. 功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压,集电 极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和______ (A) 基极最大允许直流功率线

《电力电子技术》复习题

《电力电子技术》复习题 一、是非题 1、表示各种电力半导体器件的额定电流,都是以平均电流表示的。(╳) 2、对于门极可关断晶闸管,当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通,当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。 () 3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流,称为该管的维持电流。(╳)

4、在规定条件下,不论流过晶闸管的电流波形如何,也不论晶闸管的导通角是多大,只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值,管子的发热就是允许的。 () 5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°~180°。 (╳) 6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。() 7、正弦波脉宽调制(SPWM)是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。()

8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。() 9、斩波器的定频调宽工作方式,是指保持斩波器通端频率不变,通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。 () 10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强,适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。 () 11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时,其触发延迟角的最大移相范围为0°~90°。

() 12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管,两者的电流容量是相同的。(╳) 13晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。 () 14、在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变参考信号正弦波的幅值,就可以调节逆变器输出交流电压的大

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电力电子试题及答案A

交通大学电力电子复习 一、 选择题 1、下列电力电子器件中,存在电导调制效应的是(ABD ) A 、GOT B 、GTR C 、power MOSFET D 、IGBT 2、单相桥式全控整流电路,阻感性负载R L ?? ω 。设变压器二次侧电压为U 2,则晶体管承受的最高正、反向电压分别为(D ) A 、2222 ,22U U B 、 222,2 2U U C 、 222 2 , 2U U D 、222,2U U 3、单相半控桥式整流电路带大电感负载,为了避免出现一只晶体管一直导通,另两只整流二极管交替换相导通的失控现象发生,采取的措施是在负载两端并联一个(D ) A 、电容 B 、电感 C 、电阻 D 、二极管 4、逆变电路的功能是将直流电能转换为(B ) A 、直流电能 B 、交流电能 C 、磁场储能 D 、电场储能 5、三相桥式变流电路工作在有源逆变状态,其输出侧平均电压U d 与外接直流电动势 E 间的关系为(C ) A 、E U d = B 、E U d > C 、E U d < D 、U d =-E 6、三相桥式全控整流电路变压器二次侧电流中有(C ) A 、12±k B 、13±k C 、16±k D 、112±k (k 为整数) 7、交—直—交电流型逆变器中间直流环节的储能元件是(B )

A、大电容 B、大电感 C、蓄电池 D、电动机 8、无源逆变电路不能采用的换流方式是(A) A、电网换流 B、负载换流 C、强迫换流 D、器件换流 9、、电压型逆变电路的输出电压波形为(A) A、矩形波 B、三角波 C、正弦波 D、与负载性质有关 10、支路控制三角形连接三相交流调压电路的典型应用是(B) A、TSC B、TCR C、SVC D、SVG 二、填空题 1、晶闸管是一种由四层半导体材料构成的三端器件,它有3个PN节,阳极用字母A表示,阴极用字母K表示,门极用字母G 表示。 2、在规定条件下,晶闸管取正、反向重复峰值电压中较小的作为其额定电压。 3、晶闸管的维持电流I H是指晶闸管维持导通所需的最小电流。 4、如图:

电力电子期末考试题

二、判断题 XX VW W X vV 1、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 x 2、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。 x 3、在单相桥式半控整流电路中, 带大电感负载,不带续流二极管时,输出电压波形中没 有负面积。 yes 4、 GTO 属于双极性器件。 yes 5、电压型逆变电路, 为了反馈感性负载上的无功能量, 必须在电力开关器件上反并联反 馈二 极管 yes 。 6、对于三相全控桥整流电路,控制角a 的计量起点为自然换相点。 yes 7、 IGBT 属于电压驱动型器件。 yes 8、 晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。 x 9、 在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。 yes 10、 G TO 的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。 yes 三、选择题 CADCA AAC 1、 普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( C )来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 2、 普通的单相半波可控整流装置中一共用了( A )晶闸管。 A 、一只 B 、二只 C 、三只 D 、四只 3、 变流器工作在逆变状态时,控制角a 必须在( D )。 A 、 0°-90 ° B 、 30°-120 ° C 、 60°-150 ° D 、 90°-150 ° 4、 比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( C )。 A 、 GTO B 、 GTR C 、 MOSFET D 、 IGBT 5、 可实现有源逆变的电路为( A )。 A 、三相半波可控整流电路 C 、 单相全控桥接续流二极管电路 6、 可实现有源逆变的电路为( A )。 A 、三相半波可控整流电路 C 、 单相全控桥接续流二极管电路 X L 8、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于( 四、简答题 B 、三相半控桥整流桥电路 D 、单相半控桥整流电路 B 、三相半控桥整流桥电路 D 、单相半控桥整流电路 7、三相半波可控整流电路在换相时,换相重叠角 丫的大小与哪几个参数有关(A )。 A 、 a 、 I d 、 X L 、 U 2 B 、 a 、 I d C 、 a 、 U 2 D 、 a 、 U 2、 C )负载。

《电力电子技术》复习题

《电力电子技术》复习题 一、就是非题 1、表示各种电力半导体器件的额定电流,都就是以平均电流表示的。( ╳ ) 2、对于门极可关断晶闸管,当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通,当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。 ( ) 3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流,称为该管的维持电流。( ╳ ) 4、在规定条件下,不论流过晶闸管的

电流波形如何,也不论晶闸管的导通角就是多大,只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值,管子的发热就就是允许的。( ) 5、三相半波可控整流电路的最大移相范围就是0°~180°。 (╳) 6、无源逆变就是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。( ) 7、正弦波脉宽调制(SPWM)就是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。( ) 8、直流斩波器可以把直流电源的固

定电压变为可调的直流电压输出。( ) 9、斩波器的定频调宽工作方式,就是指保持斩波器通端频率不变,通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。 ( ) 10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强,适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。 ( ) 11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时,其触发延迟角 的最大移相范围为0°~90°。() 12、额定电流为100A的双向晶闸管

与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管,两者的电流容量就是相同的。( ╳ ) 13晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开与正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。 ( ) 14、在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变参考信号正弦波的幅值,就可以调节逆变器输出交流电压的大小。 ( ) 15在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变载波信号的频率,就可以改变

电力电子技术复习试题与答案

电力电子技术复习2011 一、选择题(每小题10分,共20分) 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°, B、60°, c、360°, D、120° 2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0度, B,60度, C,30度, D,120度, 3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。 6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中,逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o, B、=35o∽90o, C、 =0o∽90o, 8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。

A、U相换相时刻电压u U , B、V相换相时刻电 压u V , C、等于u U +u V 的一半即: 9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C =0,改变C的大小,可使 直流电动机负载电压U d =0,使触发角α=90o。达到调定移相控制围,实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压, B、控制电压, C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能(C) A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V, 则该晶闸管的额定电压应为(B) A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是( D )

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为,UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ , 2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2;带 阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出 现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC ≥_1.5-2.5_T ,此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

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