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华科光电考研复试(光电检测技术与应用题)

华科光电考研复试(光电检测技术与应用题)
华科光电考研复试(光电检测技术与应用题)

1、温度变化与自发极化强度有何关系?

答:晶体的整体温度的微小变化ΔT产生自发极化强度Ps的变化可表示为ΔˉPs=ˉPΔT式中ˉP为热释电系数矢量,一般有三个分量Pi(i=1.2,3)Pi=dPsi∕dT(单位c∕㎡k)

在与电热释电晶体的自发极化强度Ps轴垂直的表面内出现的束缚电荷面密度等于Ps,晶体内部电荷中和束缚电荷的平均时间て=ε∕r这里ε为晶体的介电常数,r为晶体的电导率,多数热释电晶体て值在1——1000s之间。

2、热电势探测器能否测量直流信号?为什么?

答:用于人体的热释电探测器,它的工作波长为7——15μm,人体辐射为9μm,图中被测物体(或人体)所辐射的红外线经过遮光盘的调制产生调制频率为?的红外光照摄热释电晶体,当?>1∕て时,晶体内自由电荷来不及中和表面束缚电荷的变化结果就使在垂直于极化强度Ps的两端面间出现交流电压,在端面上敷以电极,并接上负载电阻就有电流通过,在负载R两端就有交流电压输出,设温度变化率为dT∕dt,极化强度Ps对时间的变化率为dPs∕dt,电极面积为A,则AdPs∕dt就相当于电路上的电流,于是电压输出与温度变化率成正比。

3、硅光电池为什么使用梳状电池?

答:梳状电极:大面积光敏面采用梳状电极可以减少光载流子的复合,从而提高转换率,减少表面接触电阻。

4、为什么有些光敏二极管在制作PN结的同时还做出一个环极?

答:无光照时反向电阻很大(MΩ级)只有打在PN结附近,使PN结空间电荷区(耗尽层)产生光生电子空穴对时它们与P区、N区的少数载流子一起在PN结内电场的作用下做定向移动形成光电流,此时它的反向电阻大为降低,一般只有1KΩ到几百欧,当负偏压增加时耗尽层加宽使光电流增大,灵敏度提高,光电流与入射光照度成线性关系。

光敏二极管的缺点:暗电流较大

为了减少无光照时反向漏电流(暗电流)的影响有些光敏二极管(如2DU型)在制作PN结的同时还做出一个环形的扩散层引出的电极称为环极,如图所示因环极电位比负极电位高所以反向漏电流(暗电流)直接从环极流过而不再经过负极从而可以减少负极与正极之间的暗电流。

5、两种高速的光电二极管的结构特点和原理?(PIN、APD)

答:PIN光电二极管结构特点:P层和N层之间增加了一层很厚的高电阻率的本征半导I

增加I区优点:(1)因为I区相对的P区和N区是高阻,在反偏的工作情况下,它承受极大部分电压降,使耗尽区增大,这样展宽了光电转换有效工作区,使灵敏度增大(2)又因为PIN结光电二极管的工作电压是很高的反偏电压,使PIN结的耗尽层加宽,电场强光生电流加速因而大幅度减少了载流子在结构内漂移时间元件的响应速度加快

电路特点:反偏电压高

APD光电二极管结构特点:在光照时P+层受光子能量激发的电子从所带电跃迁到导带,在高电场作用下,电子从高速通过P层产生碰撞电离,形成大量新生电子空穴对,并且它们也从电场中获得高能量与从P+层来的电子一起再次碰撞P区的其他原子,又产生大批新生电子

6、光纤传感器种类?

答:光纤传感器一般可分为两大类:一类是功能型传感器,又称FF型光纤传感器,它是利用光纤本身的特性,把光纤作为敏感元件,既感知信息又传输信息,所以又称传感型光纤传感器。另一类是非功能型传感

器,又称NF型光纤传感器,它是利用其他敏感元件感受被测量的变化,光纤仅作为光的传输介质,用以传输来自于远处或难以接近场所的光信号,因此,也称为传光型光纤传感器。

7、硅光电池和硒光电池的结构,适用的波长范围(光谱特性),适合何种光,在实际中应用如何?

答:硒光电池结构:先在铝片上覆盖一层P型半导体硒,然后蒸发一层镉,然后加热生成N型硒化镉,与原来P型硒形成一个大面积PN结,然后涂上半透明保护层,焊上电极,铝片为正极,硒化镉为负极。适用波长0.3~0.7λ∕μm。在实际应用中,由于硒光电池的光谱响应曲线与V(λ)很相似,很适合做光度测量的检测量。

硅光电池结构:它是用单晶硅组成的,在一块N型硅片上扩散P型杂质(如硼),形成一个扩散P+N结;或在P型硅片扩散N型杂质(如磷),形成N+P结;再焊上两个电极。P端为光电池正极,N端为光电池负极,作光电检测器在地面技术上使用的最多为P+N型。适用波长0.5—1.0λ∕μm在实际应用中,把硅光电池单体经串联、并联组成电池组,与镍镉蓄电池配合,可作为卫星、微波站、野外灯塔、航标灯和无人气象站等无输电线路地区的电源供给。

8、光电导效应:在物质受到辐射光的照射后,材料的电学性质发生了变化(电导率改变、发射电子、产生感应电动势等)的现象称为光电效应。

外光电效应:是指受到光辐射的作用后,产生电子发射的现象。

内光电效应:是指受到光照射的物质内部电子能量状态产生变化,但不存在表面发射电子的现象。

光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子显著增加而电阻减小的现象。

光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属半导体接触面上时,会在PN结或金属半导体接触的两侧产生光电动势。

本征光电导效应:只有光子能量m大于材料禁带宽度Eq的入射光,才能激发出电子空穴对,使材料产生光电导效应现象

光热效应:某些物质受到光照后,由于温度变化而造成材料性质发生变化的现象

温差电效应:由两种材料制成的结点出现温差而在两结点间产生电动势回路产生电流

杂质光电导效应:是指杂质半导体中的施主或者受主吸收光子能量后电离,产生自由电子或空穴,从而增加材料电导率的现象

9、两种高速的光电二极管的结构特点,原理

答:APD:在光照时,P+层受光子能量激发的电子从价带跃迁到导带,在高电场作用下,电子从高速通过P层并在P层产生碰撞电离形成大量新生电子空穴对,并且它们也从电厂中获得高能量,与从P+层来的电子一起再次碰撞P区的其他电子,又产生大批新生中子

PIN:P层和N层之间增加了一层很厚的高电阻率的本征半导体I

10、光电管、光电倍增管的光谱特性取决于什么、结构和原理

答:光电管:光谱特性——阴极材料不同时,对不同波长的光敏感度不同工作原理和结构如图。光电倍增管:光谱响应宽特别是对红光和红外光。工作原理:阴极在光照下发射出光电子,光电子受到电极间电场作用而获得较大的能量,当电子以足够的速度打到倍增电极上时,倍增电极便会产生二次电子发射,使得向阳极方向运动的电子数目成倍的增加,经过多极倍增,最后到达阳极被收集而形成阳极电流随着光信号的变化、在倍增极不变的条件下,阳极电流也随光信号而变化达到把小的光信号变成大的电信号的目的。结构:光阳极K,倍增极D,阳极A

11、为什么功能型光纤传感器在结构上是连续的?

答:功能型传感器利用光纤本身的特性,把光纤作为敏感元件既感知信息又传输信息,光纤与被测对象相

互作用时光纤本身的结构参量(尺寸和形状)发生变化,光纤的传光特性发生相关变化,光纤中的光波参量受到相应控制即在光纤中传输的光波受到了被测对象的调制,空载波变为调制波,携带了被测对象的信息,另一层意思,光纤与被测对象作用时,光纤自身的结构参量并不发生变化,而光纤中传输的光波自身发生了某种变化,携带了待测信息

12、APD光电二极管在结构上有什么优点,为什么?

答:雪崩式光电二极管(APD)结构特点:在光照时,P+层受光子能量激发的电子从价带跃迁到导带,在高电场作用下电子从高速通过P层产生碰撞电离形成的大量新生电子空穴对,并且它们也从电场中获得高能量,与从P+层来的电子一起再次碰撞P区的其他原子,又产生大批新电子

13、PIN结光电二极管增加了一层I区有什么优点?

答:(1)因为I区相对于P区的高阻,在反偏的工作情况下,它承受极大部分电压降使耗尽区增大,这样展宽了光电转换的有效工作区,使灵敏度增大(2)又因为PIN结光电二极管的工作电压是很高的反偏电压,使PIN结的耗尽层加宽电场强光生电流加速,因而大幅度减少了载流子在结构漂移时间,元件的响应速度加快

14、为什么说光纤传感器不受电磁场干扰?

答:因为光纤传感器是利用光波传输信息,而光纤是一种多层结构的圆柱体,由石英玻璃或塑料制成的电绝缘耐腐蚀的传输媒质,并且安全可靠

15、试画出激光多普勒光纤测速系统的原理图,说明其工作原理?

答:图中He-Ne激光器是经稳频后的单模激光,分束镜把激光分成两路,在两束光经汇聚透镜L1把它们汇聚成焦点,在焦点附近两束光形成涉场、流体流经这一范围时,流体中的微小颗粒对光进行散射聚焦透镜L2把这些散射光聚焦在光电倍增管上,产生包含流速信息的光电信号,经适当的电子线路处理可测出流体的流速

16、物质、能量和信息是人类发展的三大基本要素。

信息技术是一种综合技术,它包括四个基本内容,即感测技术,通信技术、人工智能与计算机技术和控制技术。

信息技术包括微电子信息技术、光子信息技术和光电信息技术等,作为核心的是微电子信息技术。

17、光敏电阻原理,如何构成?它的亮电阻、暗电阻是什么级别、它们之比是什么范围?

答:在均匀的具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极,便构成光敏电阻,当光敏电阻的两端加上适当的偏置电压Ubb时,便有电流Ip流过,用检流计可以测到该电流,改变照射到光敏电阻上的光度量,发现流过光敏电阻的电流Ip将发生变化,说明光敏电阻的阻值随入射光辐射照度变化而变化,暗电阻为MΩ级,亮电阻为几千欧的下之比可达102——10000000(暗与亮)

光电检测技术课程作业及答案(打印版)

思考题及其答案 习题01 一、填空题 1、通常把对应于真空中波长在(0.38m μ)围的电磁辐射称 μ)到(0.78m 为光辐射。 2、在光学中,用来定量地描述辐射能强度的量有两类,一类是(辐射度学量),另一类是(光度学量)。 3、光具有波粒二象性,既是(电磁波),又是(光子流)。光的传播过程中主要表现为(波动性),但当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的(粒子性)。 二、概念题 1、视见函数:国际照明委员会(CIE)根据对许多人的大量观察结果,用平均值的方法,确定了人眼对各种波长的光的平均相对灵敏度,称为“标准光度观察者”的光谱光视效率V(λ),或称视见函数。 2、辐射通量:辐射通量又称辐射功率,是辐射能的时间变化率,单位为瓦(1W=1J/s),是单位时间发射、传播或接收的辐射能。 3、辐射亮度:由辐射表面定向发射的的辐射强度,除于该面元在垂直于该方向的平面上的正投影面积。单位为(瓦每球面度平方米) 。 4、辐射强度:辐射强度定义为从一个点光源发出的,在单位时间、给定方向上单位立体角所辐射出的能量,单位为W/sr(瓦每球面度)。 三、简答题 辐射照度和辐射出射度的区别是什么? 答:辐射照度和辐射出射度的单位相同,其区别仅在于前者是描述辐射接

收面所接收的辐射特性,而后者则为描述扩展辐射源向外发射的辐射特性。 四、计算及证明题 证明点光源照度的距离平方反比定律,两个相距10倍的相同探测器上的照度相差多少倍?答: 2 22 4444R I R I dA d E R dA d E R I I ===∴=ππφπφφπφ=的球面上的辐射照度为半径为又=的总辐射通量为在理想情况下,点光源设点光源的辐射强度为 ()1 2222222221 122 12 11001001010E E L I E L I L I L I E R I E L L L L =∴====∴= = 又的距离为第二个探测器到点光源, 源的距离为设第一个探测器到点光 习题02 一、填空题 1、物体按导电能力分(绝缘体)(半导体)(导体)。 2、价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是(具有能向电子提供能量的外力作用)、(电子跃入的那个能级必须是空的)。 3、热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关:一是在能带中(能态的分布),二是这些能态中(每一个能态可能被电子占据的概率)。 4、半导体对光的吸收有(本征吸收)(杂质吸收)(自由载流子吸收)(激子吸收)(晶格吸收)。半导体对光的吸收主要是(本征吸收)。 二、概念题 1、禁带、导带、价带:

光电检测技术试题及答案

光电检测技术试题及答案 光电检测技术试题及答案1、光电器件的基本参数特性有哪些? (响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度) @响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应 @噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声 1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。 (光电子学光电子器件) 3、光电检测系统通常由哪三部分组成 (光学变换光电变换电路处理) 4、光电效应包括哪些 外光电效应和内光电效应) 外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。 光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为哪几种? (光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池) 6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么? ( 定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔) 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出? (交变辐射) 8、 CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的基本功能是什么? (电荷 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。) 9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。 (直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法) 10、光热效应应包括哪三种。 (热释电效应辐射热计效应温差电效应) 11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么?

光电检测技术作业答案

光电检测技术作业2 光电导灵敏度S g = 0.5X10 -6S/lx,1. 设某只CdS光敏电阻的最大功耗为30mW, =0 。试求当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的极限照度。 暗电导 g 2. 在如图所示的照明灯控制电路中,将上题所给的CdS光敏电阻用作光电传感 器,若已知继电器绕组的电阻为 5 K ,继电器的吸合电流为2mA,电阻R 1K 。求为使继电器吸合所需要的照度。要使继电器在 3lx时吸合,问应如何调整电阻器R?

3. 在如图所示的电路中,已知R b 820 ,R e 3.3k ,U w 4V,光敏电 阻为R p ,当光照度为40lx时输出电压为6V,80lx时为9V。设该光敏电阻在30~100lx之间的 值不变。试求: (1)输出电压为8V时的照度。 (2)若R e增加到6k ,输出电压仍然为8V,求此时的照度。 (3)若光敏面上的照度为70lx,求R e 3.3k 与R e 6k 时输出的电压。(4)求该电路在输出电压为 8V时的电压灵敏度。

4. 影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz? 5为什么在光照度增大到一定程度后,硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增大?硅光电池的最大开路电压为多少?为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开路电压? 6硅光电池的内阻与哪些因素有关?在什么条件下硅光电池的输出功率 最大? 答:(1)极电容,串接电阻,串接电阻越小越好。 (2)显然,存在着最佳负载电阻Ropt,在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率Pmax

光电检测技术期末试卷试题大全

1、光电器件的基本参数特性有哪些? (响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度) 响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应 噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的 形成、传输、接收、变换、处理和应用。 (光电子学光电子器件) 3、光电检测系统通常由哪三部分组成 (光学变换光电变换电路处理) 4、光电效应包括哪些 外光电效应和内光电效应) 外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。 内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。 光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为 哪几种? (光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池) 6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么? (定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔) 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出? (交变辐射) 8、CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的 基本功能是什么? (电荷CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。) 9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。 (直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法) 10、光热效应应包括哪三种。 (热释电效应辐射热计效应温差电效应) 11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么? (一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置;二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。) 12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器,它的结构特点是有一个真空管,其他元件都在真空管中,真空光电器件包括哪两类。 (外光电效应光电管光电倍增管) 二、名词解释 1、响应度 (响应度(或称灵敏度):是光电检测器输出信号与输入光功率之间关系的度量。)2、信噪比 (是负载电阻上信号功率与噪声功率之比)

光电检测技术与应用-郭培源-课后答案

光电检测技术与应用课后答案 第1章 1、举例说明你说知道的检测系统的工作原理。 (1)光电检测技术在工业生产领域中的应用:在线检测:零件尺寸、产品缺陷、装配定位…(2)光电检测技术在日常生活中的应用: 家用电器——数码相机、数码摄像机:自动对焦---红外测距传感器自动感应灯:亮度 检测---光敏电阻 空调、冰箱、电饭煲:温度检测---热敏电阻、热电偶遥控接收:红外检测---光敏二极管、光敏三极管可视对讲、可视电话:图像获取---面阵CCD 医疗卫生——数字体温计:接触式---热敏电阻,非接触式---红外传感器办公商务——扫描仪:文档扫描---线阵CCD 红外传输数据:红外检测---光敏二极管、光敏三极管(3)光电检测技术在军事上的应用:夜视瞄准机系统:非冷却红外传感器技术激光测距仪:可精确的定位目标光电检 测技术应用实例简介点钞机 (1)激光检测—激光光源的应用用一定波长的红外激光照射第五版人民币上的荧光字,会使荧光字产生一定波长的激光,通过对此激光的检测可辨别钞票的真假。由于仿制 困难,故用于辨伪很准确。(2)红外穿透检测—红外信号的检测红外穿透的工作原理是利用人民币的纸张比较坚固、密度较高以及用凹印技术印刷的油墨厚度较高,因而 对红外信号的吸收能力较强来辨别钞票的真假。人民币的纸质特征与假钞的纸质特征 有一定的差异,用红外信号对钞票进行穿透检测时,它们对红外信号的吸收能力将会 不同,利用这一原理,可以实现辨伪。 (3)荧光反应的检测—荧光信号的检测荧光检测的工作原理是针对人民币的纸质进行检测。人民币采用专用纸张制造(含85%以上的优质棉花),假钞通常采用经漂白处理后的普通纸进行制造,经漂白处理后的纸张在紫外线(波长为365nm的蓝光)的照射下会出现荧光反应(在紫外线的激发下衍射出波长为420-460nm的蓝光),人民 币则没有荧光反应。所以,用紫外光源对运动钞票进行照射并同时用硅光电池检测钞 票的荧光反映,可判别钞票真假。 (4)纸宽的检测—红外发光二极管及接收二极管的应用主要是用于根据钞票经过此红外发光及接收二极管所用的时间及电机的转速来间接的计算出钞票的宽度,并对机器 的运行状态进行判断,比如有无卡纸等;同时也能根据钞票的宽度判断出其面值。

光电检测技术考试试卷

光电检测技术期中考试试卷 2014 一.选择题(20分) 1.对于费米能级,以下说法不正确的是( ) A 一个平衡的系统只能有唯一一个费米能级 B 电子占据率为0.5时所对应的能级 C p 型半导体材料费米能级靠近价带顶 D n 型半导体材料费米能级靠近价带顶 2.负电子亲和势阴极和正电子亲和势比较有重要差别,参与发射的的电子( ) A 不是冷电子,而是热电子 B 不是热电子,而是冷电子 C 既是冷电子,又是热电子 D 既不是冷电子,也不是热电子 3.下列器件按照响应速度由快到慢的顺序,正确的是( ) A PIN 光电二极管 PN 结光电二极管 光电三极管 光敏电阻 B PIN 光电二极管 光敏电阻PN 结光电二极管 光电三极管 C 光电三极管 PIN 光电二极管 光敏电阻PN 结光电二极管 D PN 结光电二极管 光电三极管 PIN 光电二极管 光敏电阻 4.下列探测器的光-电响应时间,由少数载流子的寿命决定: ( ) A 光电导探测器 B 光电二极管 C 光电倍增管 D 光电倍增管 5.对于光敏电阻,下列说法不正确的是( ) A 弱光照下,光电流与照度之间具有良好的线性关系 B 光敏面做成蛇形,有利于提高灵敏度 C 光敏电阻光谱特性的峰值波长,低温时向短波方向移动 D 光敏电阻具有前历效应 6.下列光源中哪一种光源,可作为光电探测器在可见光区的积分灵敏度测量标准光源:( ) A 氘灯 B 低压汞灯 C 色温2856K 的白炽灯 D 色温500K 的黑体辐射器 7.当黑体的温度升高时,其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为( ) A.向短波方向移动 B.向长波方向移动 C.不移动 D.均有可能 8.表中列出了几种国外硅APD 的特性参数 根据表中数据,要探测830nm 的弱光信号,最为合适的器件是 ( ) A C30817E B C30916E C C30902E D C30902S 9.已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K 标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为uW uA S e /5=, lm A o S v /4.=,则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是( ) A. 甲场灵敏度高 B. 乙场灵敏度高 C. 甲乙两场灵敏度一样高 D. 无法比较

光电检测技术课程作业及答案(打印版)

光电检测技术课程作业及答案(打印版)

思考题及其答案 习题01 一、填空题 1、通常把对应于真空中波长在(0.38m μ)范围内的电磁辐 μ)到(0.78m 射称为光辐射。 2、在光学中,用来定量地描述辐射能强度的量有两类,一类是(辐射度学量),另一类是(光度学量)。 3、光具有波粒二象性,既是(电磁波),又是(光子流)。光的传播过程中主要表现为(波动性),但当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的(粒子性)。 二、概念题 1、视见函数:国际照明委员会(CIE)根据对许多人的大量观察结果,用平均值的方法,确定了人眼对各种波长的光的平均相对灵敏度,称为“标准光度观察者”的光谱光视效率V(λ),或称视见函数。 2、辐射通量:辐射通量又称辐射功率,是辐射能的时间变化率,单位为瓦(1W=1J/s),是单位时间内发射、传播或接收的辐射能。 3、辐射亮度:由辐射表面定向发射的的辐射强度,除于该面元在垂直于该方向的平面上的正投影面积。单位为(瓦每球面度平方米) 。 4、辐射强度:辐射强度定义为从一个点光源发出的,在单位时间内、给定方向上单位立体角内所辐射出的能量,单位为W/sr(瓦每球面度)。 三、简答题 辐射照度和辐射出射度的区别是什么? 答:辐射照度和辐射出射度的单位相同,其区别仅在于前者是描述辐射接

收面所接收的辐射特性,而后者则为描述扩展辐射源向外发射的辐射特性。 四、计算及证明题 证明点光源照度的距离平方反比定律,两个相距10倍的相同探测器上的照度相差多少倍?答: 2 22 4444R I R I dA d E R dA d E R I I ===∴=ππφπφφπφ=的球面上的辐射照度为半径为又=的总辐射通量为在理想情况下,点光源设点光源的辐射强度为ΘΘ ()1 2222222221 122 12 11001001010E E L I E L I L I L I E R I E L L L L =∴====∴= =ΘΘ又的距离为第二个探测器到点光源, 源的距离为设第一个探测器到点光 习题02 一、填空题 1、物体按导电能力分(绝缘体)(半导体)(导体)。 2、价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是(具有能向电子提供能量的外力作用)、(电子跃入的那个能级必须是空的)。 3、热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关:一是在能带中(能态的分布),二是这些能态中(每一个能态可能被电子占据的概率)。 4、半导体对光的吸收有(本征吸收)(杂质吸收)(自由载流子吸收)(激子吸收)(晶格吸收)。半导体对光的吸收主要是(本征吸收)。 二、概念题 1、禁带、导带、价带:

传感器与检测技术期末考试试卷及答案

传感器与自动检测技术 一、填空题(每题3分) 1、传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件、产生可用信号输出的转换元件、以及相应的信号调节转换电路组成。 2、金属材料的应变效应是指金属材料在受到外力作用时,产生机械变形,导致其阻值发生变化的现象叫金属材料的应变效应。 3、半导体材料的压阻效应是半导体材料在受到应力作用后,其电阻率发生明显变化,这种现象称为压阻效应。 4、金属丝应变片和半导体应变片比较其相同点是它们都是在外界力作用下产生机械变形,从而导致材料的电阻发生变化。 5、金属丝应变片和半导体应变片比较其不同点是金属材料的应变效应以机械形变为主,材料的电阻率相对变化为辅;而半导体材料则正好相反,其应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主,而机械形变为辅。 6、金属应变片的灵敏度系数是指金属应变片单位应变引起的应变片电阻的相对变化叫金属应变片的灵敏度系数。 7、固体受到作用力后电阻率要发生变化,这种现象称压阻效应。 8、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器。 9、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器。 10、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器,传感器由在弹性元件上粘贴电阻敏感元件构成,弹性元件用来感知应变,电阻敏感元件用来将应变的转换为电阻的变化。 11、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器,传感器由在弹性元件上粘贴电阻敏感元件构成,弹性元件用来感知应变,电阻敏感元件用来将应变的转换为电阻的变化。 12、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器,传感器由在弹性元件上粘贴电阻敏感元件构成,弹性元件用来感知应变,电阻敏感元件用来将应变的转换为电阻的变化。 13、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器,传感器由在弹性元件上粘贴电阻敏感元件构成,弹性元件用来感知应变,电阻敏感元件用

光电检测技术的现状及发展趋势

光电检测作为光学与电子学相结合而产生的一门新兴检测技术,主要包括光信息获取、光电变换、光信息测量以及测量信息的智能化处理等,具有精度高、速度快、距离远、容量大、非接触、寿命长、易于自动化和智能化等优点,在国民经济各行业中得到了迅猛的发展和广泛的应用,如光扫描、光跟踪测量,光纤测量,激光测量,红外测量,图像测量,微光、弱光测量等,是当前最主要和最具有潜力的光电信息技术。本文从光电检测技术本身特点出发,分析其发展现状及发展趋势。 一、光电检测技术的概述 光电检测技术是光学与电子学相结合而产生的一门新兴检测技术。它主要利用电子技术对光学信号进行检测,并进一步传递、储存、控制、计算和显示。光电检测技术从原理上讲可以检测一切能够影响光量和光特性的非电量。它可通过光学系统把待检测的非电量信息变换成为便于接受的光学信息,然后用光电探测器件将光学信息量变换成电量,并进一步经过电路放大、处理,以达到电信号输出的目的。然后采用电子学、信息论、计算机及物理学等方法分析噪声产生的原因和规律,以便于进行相应的电路改进,更好地研究被噪声淹没的微弱有用信号的特点与相关性,从而了解非电量的状态。微弱信号检测的目的是从强噪声中提取有用信号,同时提高测系统输出信号的信噪比。 光电检测的系统机构比较简单,分为信号的处理器,受光器,光源。在实际检测过程中,受光器在获得感知信号后,就会被反映为不同形状、颜色的信号,同时根据这些器件所处在的不同位置,就能够将他分为反射型与透过型的两种比较的模式。光电检测的媒介光应当是自然的光,例如白炽灯或者萤光灯。特别是随着这些技术的发展,光电技术也取得的非常好发展。由于投光器在发出光后,会以不一样的方式触摸这些被检测物中,直到照射到检测系统中的受光器中,同时受光器在此刺激下,会产生一定量的电流,这就是我们常说的光敏性的原件,实际生活中应用比较广泛的有三极管、二极管。 光电检测技术主要包括光电变换技术、光信息获取与光信息测量技术以及测量信息的光电处理技术等。光电检测技术将光学技术与电子技术相结合实现对各种量的测量,它具有高精度、高速度、远距离、大量程、非接触测量等特点。 二、光电检测技术的发展现状

期末考试传感器题库试卷5

试卷五 一、单项选择题(每小题 1分,共 15分) 1.传感器一般包括敏感元件和( D ) A .弹性元件 B.霍尔元件 C.光电元件 2.如果按被测对象分类,温度传感器和压力传感器属于(C ) A .物理型传感器 B.生物量传感器 C.物理量传感器 D.转换元件 D.化学量传感器 D.压电传感器 D.稳定性 3.以下传感器中具有能量放大作用的是( B ) A .热电偶 B.电感式传感器 C.光电池 4.以下特性属于传感器动态特性的是( A ) A .瞬态响应 5.传感器在零点附近的分辨力称为(A A .阀值 B.线性度 C.灵敏度 ) B.分辨力 C.迟滞 D.重复性 6.电阻式传感器是一种基本电量传感器,其非电量与电量转换是通过测量( D ) A .电流值 7.据光生伏打效应制成的光电器件是( B ) A .光敏电阻 B.电压值 C.电感值 D.电阻值 B.光电池 C.光敏二极管 D.光敏晶闸管 8.家用彩色电视机的色彩调整使用的传感器是(A A .光纤传感器 B.红外传感器 C.色彩传感器 D.温度传感器 9.弹性敏感元件的灵敏度和线性度有相互矛盾的问题,提高灵敏度,线性度会(C A .变差 B.变好 10.利用霍尔效应制成的传感器是( C ) A .磁敏传感器 B.温度传感器 C.霍尔传感器 D.气敏传感器 11.影响超声波的衰减程度的因素有介质和( B A .温度 B.频率 12.用来衡量物体温度数值的标尺称为( D ) A .摄氏度 13.属于半导体气敏传感器的是( C ) A .固体电解质式 14.微生物传感器和酶传感器都属于(D ) ) C.不变 D.不能确定 ) C.湿度 D.浓度 B.华氏温度 C.绝对温标 D.温标 B.光干涉式 C.氧化物系 D.接触燃烧式 ) A .电阻传感器 B.电感传感器 C.电容传感器 D.生物传感器 15.智能传感器不具有的功能是( C ) A .自检 16.在测谎仪中一般采用(a A .热敏电阻 17.电容式湿度传感器主要包括陶瓷电容式和( B ) A .金属电容式 B.高分子电容式 C.半导体电容式 D.单晶电容式 18.酶传感器的信号变换方法有电位法和( C ) A .电压法 19.弹性滞后的主要原因是材料内部存在的分子间( D ) A .吸引力 20.以下不属于传感器主要发展方向的是( B ) A .开发新材料 B.简单化 B.自诊断 C.自修复 D.自维护 ) B.光敏电阻 C.磁敏电阻 D.压敏电阻 B.电阻法 C.电流法 D.电容法 D.内摩擦 B.排斥力 C.相容性 C.集成化 D.智能化

光电检测技术与应用期末考试复习资料

光电检测技术与应用期末考试复习资料 1、光电信息技术是以光电子学为基础,以光电子器件为主题,研究和发展光电信息的形成、 传输、接收、减缓、处理和应用的技术。 2、检测是通过一定的物理方式,分辨出被测参数量并归属到某一范围带,以此来判别被测 参数是否合格或参数量是否存在。测量是将被测的未知量与同性质的标准量进行比较,确定被测量对标准量的倍数,并通过数字表示出这个倍数的过程。 3、光学变换与光电转换是光电测量的核心部分。 4、光电检测技术是将光学技术与电子技术相结合实现各种量的检测,具有以下特点:a、 高精度,b、高速度,c、远距离、大量程,d、非接触测量,e、寿命长,f、具有很强的信息处理和运算能力,可将复杂信息并行处理。 5、在物质受到辐射光照射后,材料的电学性质发生了改变的现象称为光电效应,光电效应 可分为外光电效应和内光电效应。 6、内光电效应是指受到光照射的物质内部电子能量状态产生变化,但不存在表面发射电子 的现象。 7、响应时间是描述检测器对入射辐射响应快慢的一个参数。 8、光电检测器的工作温度就是最佳工作状态时的温度,它是光电检测器重要的性能参数之 一。 9、光电耦合器件的主要特性为传输特性与隔离特性。 10、散粒噪声或称散弹噪声,即穿越势垒的载流子的随机涨落所造成的噪声。 11、Is=1/2@A2+@A2d(t)式中:第一项为直流项,若光电检测器输出端有隔直流电 容,则输出光电流只包含第二项,这就是包络检测的意思。 12、热噪声是指载流子无规则的运动造成的噪声,存在于热河电阻中,与温度成正比, 与频率无关。 13、光外差检测系统对检测器性能的要求:a、响应频带宽,b、均匀性好,c、工作温 度高。 14、光波导是指将以光的形式出现的电磁波能量利用全反射的原理约束并引导光波在 光纤内部或表面附近沿轴线方向传播。 15、光纤一般由两层光学性质不同的材料组成,它由折射率n1较大的纤芯和折射率n2 较小的包层同心圆柱结构。 16、将光电信号转换成0、1数字量的过程称为光电信号的二值化处理。 17、在图像识别与图像测量等应用领域常将视频信号的A/D数据采集方法分为“板卡 式”和“嵌入式”。 18、在要求光电检测系统的精度不受光源的稳定性的影响下,应采用浮动阀值二值化 处理电路。 19、HI1175JCB为高速A/D转换器,其最高工作频率为20MHz,DIP封装的器件,转换 器提供参考电源电压。 20、锁相放大器是一种对交变信号进行相敏检波的放大器,三个主要部分:信号通道、 参考通道和相敏检波。 21、相敏检波由混频乘法器和低通滤波器组成,所用参考方式是方波形式。 22、光纤的特性:损耗和色散 23、引起光纤损耗的因素可归结为:吸收损耗(吸收引起)色散损耗(材料引起)。 24、光纤色散可分为:a、材料色散b、波导色散c、多模色散。 25、功能型传感器可实现传光和敏感的作用,而非功能型传感器光纤只起传光作用。

《光电检测技术题库》

《光电检测》题库 一、填空题 1.光电效应分为内光电效应和外光电效应,其中内光电效应包括 和。 2.对于光电器件而言,最重要的参数是、和。 3.光电检测系统主要由光电器件、和等部分组成。 4.为了取得很好的温度特性,光敏二极管应在较负载下使用。 5.光电倍增管由阳极、光入射窗、电子光学输入系统、和等构成。 6.光电三极管的工作过程分为和。 7.激光产生的基本条件是受激辐射、和。 8.检测器件和放大电路的主要连接类型有、和 等。 https://www.wendangku.net/doc/df6065161.html,D的基本功能是和。 10.已知本征硅材料的禁带宽度E g=1.2eV,则该半导体材料的本征吸收长波限为。 11. 非平衡载流子的复合大致可以分为和。 12.在共价键晶体中,从最内层的电子直到最外层的价电子都正好填满相应的能带,能量最高的是填满的能带,称为价带。价带以上的能带,其中最低的能带常称为,与之间的区域称为。 13.本征半导体在绝对零度时,又不受光、电、磁等外界条件作用,此时导带中没有,价带中没有,所以不能。 14.载流子的运动有两种型式,和。 15. 发光二极管发出光的颜色是由材料的决定的。 16. 光电检测电路一般情况下由、、组成。 17. 光电效应分为内光电效应和效应,其中内光电效应包括和,光敏电阻属于效应。 18.导带和价带中的电子的导电情况是有区别的,导带愈多,其导电能力愈强;而价带的愈多,即愈少,其导电能力愈强。 19.半导体对光的吸收一般有、、、和这五种形式。 20. 光电器件作为光电开关、光电报警使用时,不考虑其线性,但要考虑。 24.半导体对光的吸收可以分为五种,其中和可以产生光电效应。 22.光电倍增管由阳极、光入射窗、电子光学输入系统、和等构成,光电倍增管的光谱响应曲线主要取决于材料的性质。 23.描述发光二极管的发光光谱的两个主要参量是和。

光电检测技术题库试卷

光电检测技术题库试卷 一、单项选择题(每小题2分,共40分) 1.材料的禁带宽度,最大的是( C ) A. 金属; B. 杂质半导体 C. 绝缘体; D. 本征半导体. 2.紫外线频率的范围在( D ). A. 1011~1012 B. 108~109 C. 1013~1014 D. 1015~1016 3.等离子体是一种( B ). A. 气体光源 B. 固体光源 C. 液体光源 D. 激光光源4.费米能级Ef的意义是电子占据率为( D )时所对应的能级 A. 0; B. 0.1; C. 0.2; D. 0.5. 5.光源在指定方向上通过单位立体角内的辐射通量的多少,称为( B ). A. 辐功率; B. 辐强度; C. 辐照度; D. 辐出度 6.光子探测是利用入射光和磁,产生( B )。使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。 A. 光子效应 B. 霍尔效应 C. 热电效应 D. 压电效应7.在光源λ一定的情况下,通过半导体的透射光强随温度T 的增加而( B )。

A. 增加; B. 减少; C. 不变; D. 不能确定. 8.电子亲和势,是指电子从(A 差。 A.导带底能级 B. 价带顶能级 C. 费米能级 D. 施主能级 9.光纤通信指的是( B )。 A. 以电波作载波、以光纤为传输媒介的通信方式 B. 以光波作载波、以光纤为传输媒介的通信方式 C. 以光波作载波、以电缆为传输媒介的通信方式 D. 以激光作载波、以导线为传输媒介的通信方式 10.光电探测器单位信噪比的光功率,称为光电探测器的( C )。 A. 电流灵敏度; B. 光谱灵敏度; C. 噪声等效功率; D. 通量阈 11.N型半导体的费米能级处于禁带(B). A. 中间 B. 上部 C. 下部 D. 不确定. 12.PN结和光敏电阻的时间常数( B ). A前者大 B. 后者大 C. 一样大 D. 不能确定 13. 下列像管的性能指标( A )的值越高,像管的成像质量越好。

光电检测思考题及部分答案

1.什么是光电检测系统?其基本组成部分有哪些? 答:指对待测光学量或由非光学待测物理量转换的光学量,通过光电变换和电路处理的方法进行检测的系统。 组成部分:光源;被检测对象及光信号的形成;光信号的匹配处理;光电转换;电信号的放大与处理;微机;控制系统;显示。 2.简要说明光电检测技术的重要应用范围? 答:辐射度量和光度量的检测;光电元器件及光电成像系统特性的检测;光学材料、元件及系统特性的检测;非光学量的光电检测。 3.光电探测器的原理有几种效应?分别是什么?内容是什么? 答:四种。光电子发射效应:在光辐射作用下,电子逸出材料表面,产生光电子发射。光电导效应:光照射某些半导体材料,某些电子吸收光子变成导电自由态,在外电场的作用下,半导体的电导增大。光生伏特效应:光照射在PN结及其附近,在结区中因电场作用,产生附加电动势。光磁电效应:半导体置于磁场中,用激光垂直照射,由于磁场产生洛伦兹力,形成电位差。。 4. 光电探测器的种类及相应的光电器件? 答:光电子发射器件:光电管、光电倍增管; 光电导器件:光敏电阻; 光生伏特器件:雪崩光电管、光电池、光电二极管、光电三极管。 5. 光电探测器的性能参数有哪些?详细叙述之。 答:量子效率:响应度:光谱响应:响应时间和频率响应:噪生等效功率:探测度:线性度:。

6. 光电探测器的噪声主要来源于什么? 答:热噪声;暗电流噪声;散粒噪声;低频噪声。 7.作为性能优良的光电探测器应具有哪三项基本条件? 答:光吸收系数好;电子亲和力小;光电子在体内传输过程中受到的能量损失应该小,使其逸出深度大。 8.常见的光阴极材料有哪些? 答:银氧铯;锑钾;锑铯。 9.真空二极管与充气二极管的工作原理与结构以及它的优缺点比较。答:真空二极管工作原理:当入射光透过光窗射到光阴极面上时,光电子从阴极发射到真空中,在阴极电场作用下,光电子加速运动到阳极被吸收,光电流数值可在阳极电路中测出。优缺点:电流与入射光通量成正比,因此可精确测量光通量;噪声小,但增益小。 充气二极管工作原理:光电管中充入低压惰性气体,在光照下光阴极发射出的光电子受电场作用加速向阳极运动,途中与气体原子相碰撞,气体原子发生电离形成电子与正离子,不断繁衍构成电子流。优缺点:高灵敏度,结构简单,但噪声大频响差。 10.光电倍增管的工作原理及结构(组成部分),他有什么特点?答:工作原理:光照射在光电阴极上,从光阴极激发出的光电子,在电场U1的加速下,打在第一个倍增级D1上,由于光电子能量很大,它打在倍增极上时就又激发出数个二次光电子,在电场U2的作用下,二次光电子又打在第二个倍增极上,又引起电子发射,如此下去,电子流迅速倍增,最后被阳极收集。组成部分:光电阴极、倍增极、阳

简答题——光电检测技术期末整理

1、雪崩光电二极管的工作原理 (当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压(100~200V)时,在结区产生一个很强的电场,使进入场区的光生载流子获得足够的能量,在与原子碰撞时可使原子电离,而产生新的电子—空穴对。只要电场足够强,此过程就将继续下去,使PN结内电流急剧增加,达到载流子的雪崩倍增,这种现象称为雪崩倍增效应。) 2、光生伏特效应与光电导效应的区别和联系? (共性:同属于内光电效应。区别:光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应,而光电导效应是多数载流子导电的光电效应。) 什么是敏感器?敏感器与传感器的区别和联系? (将被测非电量转换为可用非电量的器件。共性:对被测非电量进行转换。 区别:敏感器是把被测量转换为可用非电量,传感器是把被测非电量转换为电量) 发光二极管的工作原理。 (在PN结附近,N型材料中的多数载流子是电子,P型材料中的多数载流子是空穴,PN结上未加电压时构成一定的势垒,当加上正向偏压时,在外电场作用下,P区的空穴和N区的电子就向对方扩散运动,构成少数载流子的注入,从而在PN 结附近产生导带电子和价带空穴的复合。一个电子和一个空穴对每一次复合,将释放出与材料性质有关的一定复合能量,这个能量会以热能、光能、或部分热能和部分光能的形式辐射出来。 说明光子器件与热电器件的特点。 光子器件热电器件 响应波长有选择性,一般有截止波长,超过该波长,器件无响应。响应波长无选择性,对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感 响应快,吸收辐射产生信号需 要的时间短,一般为纳秒到几 百微秒 响应慢,一般为几毫秒 PIN型的光电二极管的结构、工作原理及特点 (它的结构分三层,即P型半导体和N型半导体之间夹着较厚的本征半导体I层,它是用高阻N型硅片做I层,然后把它的两面抛光,再在两面分别作N+和P+杂质扩散,在两面制成欧姆接触而得到PIN光电二极管。原理:层很厚,对光的吸收系数很小,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量的电子-空穴对,因而大幅度提供了光电转换效率,从而使灵敏度得以很高。两侧P层和N层很薄,吸收入射光的比例很小,I层几乎占据整个耗尽层,因而光生电流中漂移分量占支配地位,从而大大提高了响应速度。特点: PIN管的最大特点是频带宽,可达10GHz。缺点:由于I层的存在,管子的输出电流小,一般多为零点几微安至数微安。) 热辐射检测器通常分为哪两个阶段?哪个阶段能够产生热电效应。 (第一步:是热探测器吸收红外辐射引起温升,这一步对各种热探测器都一样; 第二步:利用热探测器某些温度效应把温升转换为电量的变化。 第二阶段) 8、光电检测系统由哪几部分组成?作用分别是什么? 1.论述光电检测系统的基本构成,并说明各部分的功能。(10分) 下面是一个光电检测系统的基本构成框图:

光电检测技术与应用课后答案

第2章 1、简述光电效应的工作原理。什么是暗电流?什么是亮电流?P11 答:暗电流指的是在无光照时,由外电压作用下P-N结内流过的单向电流; 光照时,光生载流子迅速增加,阻值急剧减少,在外场作用下,光生载流子沿一定方向运动,形成亮电流。 2、简述光生伏特效应的工作原理。为什么光伏效应器件比光电导效应器件有更快的响应速度?P15 答:(1)光生伏特效应的工作基础是内光电效应.当用适当波长的光照射PN结时,由于内建场的作用(不加外电场),光生电子拉向n区,光生空穴拉向p区,相当于PN结上加一个正电压。 (2)光生伏效应中,与光照相联系的是少数载流子的行为,因为少数载流子的寿命通常很短,所以以光伏效应为基础的检测器件比以光电导效应为基础的检测器件有更快的响应速度。 3、简述光热效应工作原理。热电检测器件有哪些特点?P15、P17 第3章 2、对于同一种型号的光敏电阻来讲,在不同光照度和不同环境温度下,其光电导灵敏度与时间常数是否相同?为什么?如果照度相同而温度不同时情况又会如何? 3、为什么结型光电器件在正向偏置时,没有明显的光电效应?它必须在哪种偏置状态?为什么? 答:因为p-n结在外加正向偏压时,即使没有光照,电流也随着电压指数级在增

加,所以有光照时,光电效应不明显。 p-n结必须在反向偏压的状态下,有明显的光电效应产生,这是因为p-n结在反偏电压下产生的电流要饱和,所以光照增加时,得到的光生电流就会明显增加。 5、光电导器件响应时间(频率特性)受哪些因素限制?光伏器件与光电导器件工作频率哪个高?实际使用时如何改善其工作频率响应? 6、硅光电池的开路电压为什么随着温度的升高而下降?影响光电倍增管工作的环境因素有哪些?如何减少这些因素的影响? 答:温度升高时,半导体的导电性将发生一定的变化,即少数载流子浓度随着温度的升高而指数式增大,相对来说多数载流子所占据的比例即越来越小,这就使得多数载流子往对方扩散的作用减弱,从而起阻挡作用的p-n结势垒高度也就降低。从Fermi能级的变化上来理解:温度越高,半导体Fermi能级就越靠近禁带中央(即趋于本征化),则两边半导体的Fermi能级之差也就越小,所以p-n结势垒高度也就越低,也就是开压降低。 光电倍增管的响应度受多方面的因素影响,比如:偏置电压的高低、环境光和温度变化等多方面因素的影响。无光时光电倍增管对光的响应度更趋于平稳,使实验数据也更具有可靠性。因此,无光环境是决定光电倍增管对微弱光信号的检测能力的重要因素之一。光电倍增管工作时由于阴极材料发热,这样对光电倍增管的响应度产生较大的影响,因此不稳定的工作温度对光电倍增管的响应度也会带来不同程度的影响。 降低光电倍增管的使用环境温度可以减少热电子发射,从而降低暗电流。另外,光电倍增管的灵敏度也会受到温度的影响。 10、简述光电耦合器件的工作原理? 光电偶合器件(简称光耦)是把发光器件(如发光二极体)和光敏器件(如光敏三极管)组装在一起,通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。 15、光生伏特器件有几种偏置电路?各有什么特点? (1)光生伏特器件有反向偏置电路,零偏置电路,自偏置电路。 (2)特点: 自偏置电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功率,且当负载为最佳负载电阻时具有最大的输出功率,但是自偏置电路的输出电流或输出电压与入射辐射间的线性关系很差,因此在测量电路中好少采用自偏置电路。 反向偏置电路:光生伏特器件在反向偏置状态,PN结势垒区加宽,有利于光生载流子的漂移运动,使光生伏特器件的线性范围加宽,因此反向偏置电路被广泛应用到大范围的线性光电检测与光电变换中。

光电检测技术作业答案

光电检测技术作业2 光电导灵敏度=0.5 X10-6 S / ,暗电1. 设某只光敏电阻的最大功耗为30, =0 。试求当光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的极限照度。 导 g 2. 在如图所示的照明灯控制电路中,将上题所给的光敏电阻用作光电传感器, 若已知继电器绕组的电阻为 5 K,继电器的吸合电流为 2,电阻R 1K。求为使继电器吸合所需要的照度。要使继电器在 3 时吸合,问应如何调整电阻器R?

3. 在如图所示的电路中,已知820, 3.3k4V ,光敏电阻为,当光照度为40 时输出电压为6V,80 时为9V。设该光敏电阻在30~100 之间的 值不变。试求: (1)输出电压为8V 时的照度。 (2)若增加到6k,输出电压仍然为8V,求此时的照度。 (3)若光敏面上的照度为70,求 3.3k与6k时输出的电压。(4)求该电路在输出电压为 8V 时的电压灵敏度。

4. 影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107 ? 5 为什么在光照度增大到一定程度后,硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增大?硅光电池的最大开路电压为多少?为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开路电压? 6 硅光电池的内阻与哪些因素有关?在什么条件下硅光电池的输出功 率最大? 答:(1)极电容,串接电阻,串接电阻越小越好。 (2)显然,存在着最佳负载电阻,在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率

7 光生伏特器件有几种偏置电路?各有什么特点? 8. 选择最适当的答案填入括号中(只有一个答案正确) (1)用光电法测量某高速转轴(15000r / )的转速时,最好选用(D)为光电接收器件。 A B 光敏电阻 C 242 硅光电池 D 3 型光电三极管 (2)若要检测脉宽为107 s 的光脉冲,应选用(A)为光电变换器件。 A 型光电二极管 B 3 型光电三极管 硅光电池 C 结型光电二极管D2 11 (3)硅光电池在(D)偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。 A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 (4)硅光电池在(B)情况下有最大的功率输出。 A 开路 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 9. 假设调制波是频率为500,振幅为5V,初相位为0 的正弦波,载波频率为10,振幅为50V,求调幅波的表达式、带宽及调制度。 10. 利用 222 光电二极管和 340 三极管构成如 下图所示的探测电路。已知光电二极管的电流灵

光电检测技术与应用(题)

第1、温度变化与自发极化强度有何关系? 答:晶体的整体温度的微小变化ΔT产生自发极化强度Ps的变化可表示为ΔˉPs=ˉPΔT式中ˉP为热释电系数矢量,一般有三个分量Pi(i=1.2,3)Pi=dPsi∕dT(单位c∕㎡k) 在与电热释电晶体的自发极化强度Ps轴垂直的表面内出现的束缚电荷面密度等于Ps,晶体内部电荷中和束缚电荷的平均时间て=ε∕r这里ε为晶体的介电常数,r为晶体的电导率,多数热释电晶体て值在1——1000s之间。 第2、热电势探测器能否测量直流信号?为什么? 答:用于人体的热释电探测器,它的工作波长为7——15μm,人体辐射为9μm,图中被测物体(或人体)所辐射的红外线经过遮光盘的调制产生调制频率为?的红外光照摄热释电晶体,当?>1∕て时,晶体内自由电荷来不及中和表面束缚电荷的变化结果就使在垂直于极化强度Ps的两端面间出现交流电压,在端面上敷以电极,并接上负载电阻就有电流通过,在负载R两端就有交流电压输出,设温度变化率为dT∕dt,极化强度Ps对时间的变化率为dPs∕dt,电极面积为A,则AdPs∕dt就相当于电路上的电流,于是电压输出与温度变化率成正比。 第3、硅光电池为什么使用梳状电池? 答:梳状电极:大面积光敏面采用梳状电极可以减少光载流子的复合,从而提高转换率,减少表面接触电阻。 第4、为什么有些光敏二极管在制作PN结的同时还做出一个环极? 答:无光照时反向电阻很大(MΩ级)只有打在PN结附近,使PN结空间电荷区(耗尽层)产生光生电子空穴对时它们与P区、N区的少数载流子一起在PN结内电场的作用下做定向移动形成光电流,此时它的反向电阻大为降低,一般只有1KΩ到几百欧,当负偏压增加时耗尽层加宽使光电流增大,灵敏度提高,光电流与入射光照度成线性关系。 光敏二极管的缺点:暗电流较大 为了减少无光照时反向漏电流(暗电流)的影响有些光敏二极管(如2DU型)在制作PN结的同时还做出一个环形的扩散层引出的电极称为环极,如图所示因环极电位比负极电位高所以反向漏电流(暗电流)直接从环极流过而不再经过负极从而可以减少负极与正极之间的暗电流。 第5、两种高速的光电二极管的结构特点和原理?(PIN、APD) 答:PIN光电二极管结构特点:P层和N层之间增加了一层很厚的高电阻率的本征半导I 增加I区优点:(1)因为I区相对的P区和N区是高阻,在反偏的工作情况下,它承受极大部分电压降,使耗尽区增大,这样展宽了光电转换有效工作区,使灵敏度增大(2)又因为PIN结光电二极管的工作电压是很高的反偏电压,使PIN结的耗尽层加宽,电场强光生电流加速因而大幅度减少了载流子在结构内漂移时间元件的响应速度加快 电路特点:反偏电压高 APD光电二极管结构特点:在光照时P+层受光子能量激发的电子从所带电跃迁到导带,在高电场作用下,电子从高速通过P层产生碰撞电离,形成大量新生电子空穴对,并且它们也从电场中获得高能量与从P+层来的电子一起再次碰撞P区的其他原子,又产生大批新生电子 第6、光纤传感器种类? 答:光纤传感器一般可分为两大类:一类是功能型传感器,又称FF型光纤传感器,它是利用光纤本身的特性,把光纤作为敏感元件,既感知信息又传输信息,所以又称传感型光纤传感器。另一类是非功能型传感

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