石英晶振参数规格说明

无论什么型号的晶振都会有他相对于的参数规格,然而这些参数代表什么样的意义呢?关于这个问题,我想很多从事晶振行业多年的人都有很多回答不上来,下面我将相关参数的解释简单例举出来和大家分享.

1、工作温度范围

技术条件中规定的一种环境温度范围，在该温度范围内晶体振荡器性能应满足技术要求。

2、基准温度

测量晶体振荡器电参数所指定的环境温度，通常规定为+25℃±2℃。

3、标称频率

技术条件所指定的频率，通常也就是晶体振荡器铭牌上标志的频率。系指晶体振荡器输出频率的名义值。

4、频率允许偏差

4.1 频率准确度（初始频率-温度精度）

在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度以及其他条件下晶体振荡器稳定输出频率相对于标称频率的最大频偏。对于非频率可调（制造厂校准）振荡器，初始频率-温度精度在制造时和发货后的规定时间内适用。对于频率可调（制造厂和用户校准）振荡器，初始频率-温度精度经制造厂和用户校准后就适用。

4.2 频率温度稳定度

在标称电源和标称负载及其他条件不变的情况下，工作在规定温度范围内的频率最大允许频偏。通常有三种定义：不带隐含基准温度的频率稳定度fT；带隐含基准温度的频率稳定度fTref；初始频率温度精度的频率稳定度fT0。采用fTref指标的晶体振荡器性能优于采用fT指标的晶体振荡器。

4.3 电压频差

在其他条件均保持不变的情况下，由于电源电压在规定范围内（±5%）变化，振荡器与规定标称电源电压下的频率的最大允许频偏。

4.4 负载频差

在其他条件均保持不变的情况下，由于负载阻抗在规定范围内（±5%）变化，振荡器与规定标称负载阻抗下的频率的最大允许频偏。

4.5 老化频差

在其他条件均保持不变的情况下，石英晶体振荡器经规定稳定时间后，在规定时间范围内输出频率相对于初始频率的允许频偏。

4.6 环境频差

任一和全部规定标准环境影响引起的振荡器频率对初始基准频率的最大允许频差。如冲击后要求的频率变化值。

5、频率调节范围

不拆卸晶体振荡器而通过某可变化元件改变输出频率的范围。频率调节的作用是：

（1）将输出频率调到该频率调节范围内的某一预定值；

（2）由于老化或其他原因，晶体振荡器输出频率产生偏移时，用其将输出频率调到规定值。频率调节方式有内置电阻、外置电阻和外接电压。

6、频率稳定时间

晶体振荡器接通电源后，输出频率达到规定频率偏差所需的时间（ts）

7、开机特性

晶体振荡器接通电源后，一段时间内输出频率~时间变化曲线来描述的频率时间特性。

我们一般规定开机五分钟频率相对于开机一小时后的频率的频差。

8、频率重现性

工作的振荡器关机后保持在规定的使用温度（25±2℃）下一段规定的时间（24小时），然后开机，工作规定时间内其输出频率与振荡器关机前规定的稳定频率之差。

9、频率老化率（长期稳定度）

在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路的其他元器件缓慢变化造成的，可用规定时限后的最大变化率（如1×10-10/天，30天后），或规定的时限内最大的总频率变化（如1×10-8/月），或两者来表示。TCXO通常采用年老化率。

10、短期频率稳定度

短期频率稳定度是晶体振荡器输出频率相对于其平均值随机起伏特性的量度。它已排除了系统性的变化。短期频率稳定度有时域和频域两种表征。

10.1 相位噪声

短期频率稳定度的频域量度，用单边带噪声与载波噪声之比￡（f）表示，￡（f）与噪声起伏的频谱密度SΦ（f）和频率起伏的频谱密度Sy（f）直接相关。

10.2 阿仑方差

振荡器短期频率稳定度的时域优选定义如下：式中为各测量元素之间无间歇时间而顺序观察到的第k个瞬时频率的平均相对频率起伏；t是每测量M次的平均采样时间；k 是频率采样序号；是阿仑方根值。

11、加速度敏感度

由单幅值和方向表征的晶体振荡器频率~加速度关系的一种矢量特征。晶体振荡器加速度敏感度是加速度敏感度矢量的幅值，并用每单位加速度的频率变化表示（如1×10-9/g）。

12、谐波/子（副）谐波失真

一种与有用信号频率有谐波关系的频谱分量表示的非线性失真。通常用每个谐波分量相对于有用信号输出功率比（单位：dBc）表示。子（副）谐波通常出现在采用倍频方式输出的晶体振荡器中。

13、杂波抑制

振荡器输出信号中与有用信号频率无谐波关系的离散频谱分量与有用信号输出功率比（单位：dBc）

14、输出波形

晶体振荡器输出波形通常有正弦波(Sine、Clipped Sine) 、方波（TTL、HCMOS、CMOS、ECL 、PECL等）其波形如图：输出波形图

15、脉冲时间参数

15.1 上升时间

在两个规定的电压电平（电平“1”的10%~90%）之间测量方波脉冲的前沿时，观察到的电平“0”至电平“1”

的转换时间。

15.2 下降时间

在两个规定的电压电平（电平“1”的90%~10%）之间测量方波脉冲的前沿时，观察到的电平“1”至电平“0”

的转换时间。

15.3 占空因数（占空比）

高于规定基准电平（电平“1”的50%）的时间相对于该波形周期的百分数。

方波输出波形

16、调频（压控）特性

16.1 调频（压控）频偏

压控晶体振荡器外加控制电压由规定最大值变化到最小值时输出频率之差。

16.2 调频（压控）灵敏度

压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的频率的变化量。

16.3 调频（压控）线性度

与理想（直线）函数相比的输出频率~输入控制电压传输特性的一种量度。通常是以百分数表示在规定的范围内频偏的可容许非线性度。

压控特性曲线

A线——理想的直线

B线——实际的压控特性曲线

C、D线——偏离极限（均平行于A线）

本文摘自https://www.wendangku.net/doc/da3712056.html,如需转载请注明出处

选择晶振时要考虑哪些参数

选择晶振时要考虑哪些参数？ 2011-7-19 14:26 提问者：rinkeigun|浏览次数：2555次 谢谢好心人。我想知道的是： 1. 晶振之身的参数（频率等） 2. 与周围的器件（51单片机）有什么关联，影响 3. 构成晶振的元件是什么（如C，Y） 4.哪里有最简单的电路图 我来帮他解答 2011-7-25 14:05 满意回答 1、 晶体谐振器的等效电路 图1是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。 其中：C1为动态电容也称等效串联电容；L1为动态电感也称等效串联电感； R1为动态电阻也称等效串联电阻；C0为静态电容也称等效并联电容。 这个等效电路中有两个最有用的零相位频率，其中一个是谐振频率(Fr)，另一个是反谐振频率(Fa)。当晶体元件实际应用于振荡电路中时，它一般还会与一负载电容相联接，共同作用使晶体工作于Fr和Fa之间的某个频率，这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定，通过改变电路的电抗条件，就可以在有限的范围内调节晶体频率。 2、晶体的频率 晶体在应用的电路中，其电气特性表现较复杂，与其相关的频率指标也有多个，主要的是： a）标称频率（F0） 指晶体元件规范中所指定的频率，也即用户在电路设计和元件选购时所希望的理想工作频率。 b）谐振频率（Fr） 指在规定条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个频率。根据图1的等效电路，当不考虑C0的作用，Fr由C1和L1决定，近似等于所谓串联（支路）谐振频率（Fs）。 这一频率是晶体的自然谐振频率，它在高稳晶振的设计中，是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数。c）负载谐振频率（FL） 指在规定条件下，晶体元件与一负载电容串联或并联，其组合阻抗呈现为电阻性时两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，FL是两个频率中较低的那个频

晶振基础知识

晶振基础知识（第一版） 摘要：本文简单介绍了晶体谐振器和晶体振荡器的结构，工作原理，振荡器电路的分类，晶体振荡器的分类，晶振类器件的主要参数指标和石英晶体基本生产工艺流程。 一、振荡电路的定义，构成和工作原理 (2) 二. 晶体振荡器分类： (16) 三、石英晶体谐振器主要参数指标 (19) 四、石英晶体振荡器主要参数指标 (20) 五．石英晶体基本生产工艺流程 (26)

一、振荡电路的定义，构成和工作原理 1. 振荡器：不需外加输入信号，便能自行产生输出信号的电路，通常也被成为。 2. 振荡器构成：谐振器（选频或滤波）+驱动（谐振）电路构成振荡器电路。 3. 谐振器的种类有：RC 谐振器，LC 并联谐振器，陶瓷谐振器，石英（晶体）谐振器，原子谐振器，MEMS （硅）振荡器。本文只讨论石英晶体谐振器。 石英谐振器的结构 石英谐振器，它由石英晶片、电极、支架和外壳等部分组成。它的性能与晶片的切割方式、尺寸、电极的设置装架形式，以及加工工艺等有关。其中，晶片的切割问题是设计时首先要考虑的关键问题。由于石英晶体不是在任何方向都具有单一的振动模式（即单频性）和零温度系数，因此只有沿某些方向切下来的晶片才能满足设计要求。 Mounting clips Top view of cover Resonator

普通晶振内部结构 石英晶体振荡器主要由基座、晶片、IC 及外围电路、陶瓷基板（DIP OSC ）、上盖组成。 普通晶体振荡器原理图 胶点 基座 晶片 Bonding 线 IC

4. 振荡电路的振荡条件： （1）振幅平衡条件是反馈电压幅值等于输入电压幅值。根据振幅平衡条件，可以确定振荡幅度的大小并研究振幅的稳定。 （2）相位平衡条件是反馈电压与输入电压同相，即正反馈。根据相位平衡条件可以确定振荡器的工作频率和频率的稳定。 （3）振荡幅度的稳定是由器件非线性保证的，所以振荡器是非线性电路。 （4）振荡频率的稳定是由相频特性斜率为负的网络来保证的。 （5）振荡器的组成必须包含有放大器和反馈网络，它们必须能够完成选频、稳频、稳幅的功能。（6）利用自偏置保证振荡器能自行起振，并使放大器由甲类工作状态转换成丙类工作状态。

PCB晶振放置封装尺寸

直接相连 地线环绕

敷铜 一般我画图时会像你第二种那样,用地包起来,这样别的线就不会在这附近走了.心理有个数.曾经有一位高手给我一篇文章,很多年前的事了, 其实晶振分很多种的 像你的这种,他的两个脚是XTAL_IN,XTAL_OUT,它自己是不能起振的.需要IC来配合.所以最好加个1M~10M电阻. 说一下俺的理解，门电路构成振荡电路，利用的就是门电路的线性范围，或者说边沿的斜率。某些类型的门电路线性范围比较大，比较适合用作放大、振荡。但某些门电路的边沿则极陡，典型的例子就是 HC 类和 HCU 类的对比，这与门电路的组成结构有关。 至于电阻的作用，等同于运放构成的比例放大电路中的反馈电阻。 设计建议： 1、确保晶振和X1、X2之间的连线距离最短，<5mm 2、保证VDD具有良好的褪藕性，靠近引脚处接一个0.1uF的瓷片电容到底 3、不允许信号靠近X1、X2引脚，周围做接地保护环或者做敷铜接地保护 A、直插封装（Through-Hole） 1、HC-51/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7

2、HC-33/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7

3、HC-49/U 1 - 150 MHz 11.2 x 4.7 x 13.6

4、HC-49/U-S 3.2 - 70 MHz 11.2 x 4.7 x 3.6 5、CSA-310 3.5 - 4 MHz ? 3.2 x 10.5

6、CSA-309 4 - 70 MHz ? 3.2 x 9.0 7、UM-1 1 - 200 MHz 7.0 x 2.2 x 8.0

晶振基础知识

1、晶体元件参数 1.1等效电路 作为一个电气元件，晶体是由一选定的晶片，连同在石英上形成电场能够导电的电极及防护壳罩和内部支架装置所组成。 晶体谐振器的等效电路图见图1。 等效电路由动态参数L 1、C 1、R 1和并电容C 0组成。这些参数之间都是有联系的，一个参数变化时可能会引起其他参数变化。而这些等效电路的参数值跟晶体的切型、振动模式、工作频率及制造商实施的具体设计方案关系极大。 下面的两个等式是工程上常用的近似式： 角频率ω=1/11C L 品质因数Q=ωL 1/R 1 其中 L1为等效动电感，单位mH C1为等效电容，也叫动态电容，单位fF R1为等效电阻，一般叫谐振电阻，单位Ω 图2、图3、图4给出了各种频率范围和各种切型实现参数L 1、C 1、R 1的范围。 图2常用切型晶体的电感范围 图3 常用切型的电容范围 对谐振电阻来说，供应商对同一型号的任何一批中可以有3：1的差别，批和批之间的差别可能会更大。对于一给定的频率，采用的晶体盒越小，则R 1和L 1的平均值可能越高。

1.2 晶体元件的频率， 晶体元件的频率通常与晶体盒 尺寸和振动模式有关。一般晶体尺 寸越小可获得的最低频率越高。晶 体盒的尺寸确定了所容纳的振子的 最大尺寸，在选择产品时应充分考 虑可实现的可能性，超出这个可能 范围，成本会急剧增加或成为不可 能,当频率接近晶体盒下限时,应与 供应商沟通。下表是不同晶体盒可 实现的频率范围。 图4 充有一个大气压力气体 （90%氮、10%氦） 的气密晶体元件的频率、切型和电阻范围 1.3 频差 规定工作温度范围及频率允许偏差。 电路设计人员可能只规定室温频差，但对于在整个工作温度范围内要求给定频差的应 用，除了给定室温下的频差还应给出整个工作温度范围内的频差。给定这个频差时，应充分 考虑设备引起温升的容限。 通常有两种方法规定整个工作温度范围的频差。 1）规定总频差 如从-10℃—+85℃，总频差为±50×10-6，通常这种方法一般用于具有较宽频差而不采

晶振地主要全参数及其对电路地影响

Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mH High Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0 Low Limit -20.0 1.0 1 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.8 3 3,744.8 4 1.0 2 10.75 2 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.8 6 4,113.2 9 0.9 4 11.70 3 Fail DLD2 High 0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.7 4 3,613.2 7 1.0 3 10.63 4 Fail SPDB High -8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.9 2 5,538.0 1 0.7 1 15.54 5 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.8 6 3.8 9 3,955.0 9 0.9 8 11.17 6 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.8 1 3,608.8 5 1.0 6 10.42 7 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.8 5 4,670.1 9 0.8 2 13.35 8 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.8 8 5,017.9 5 0.7 7 14.23 9 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.8 3 3,018.1 7 1.2 7 8.67 10 Fail DLD2 High -3.62 24.75 52.36 78.55 -10.3 3.8 6 2,943.3 9 1.3 1 8.37 晶振的等效电器模型 C0 ，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板

晶振基础知识

晶振基础知识

晶振基础知识（第一版） 摘要：本文简单介绍了晶体谐振器和晶体振荡器的结构，工作原理，振荡器电路的分类，晶体振荡器的分类，晶振类器件的主要参数指标和石英晶体基本生产工艺流程。 一、振荡电路的定义，构成和工作原理 (3) 二. 晶体振荡器分类： (23) 三、石英晶体谐振器主要参数指标 (27) 四、石英晶体振荡器主要参数指标 (30) 五．石英晶体基本生产工艺流程 (43)

一、振荡电路的定义，构成和工作原理 1. 振荡器：不需外加输入信号，便能自行产生输出信号的电路，通常也被成为。 2. 振荡器构成：谐振器（选频或滤波）+驱动（谐振）电路构成振荡器电路。 3. 谐振器的种类有：RC谐振器，LC并联谐振器，陶瓷谐振器，石英（晶体）谐振器，原子谐振器，MEMS（硅）振荡器。本文只讨论石英晶体谐振器。石英谐振器的结构 石英谐振器，它由石英晶片、电极、支架和外壳等部分组成。它的性能与晶片的切割方式、尺寸、电极的设置装架形式，以及加工工艺等有关。其中，晶片的切割问题是设计时首先要考虑的关键问题。由于石英晶体不是在任何方向都具有单一的振动模式（即单频性）和零温度系数，因此只有沿某些方向切下来的晶片才能满足设计要求。

普通晶振内部结构 Base Mounting clips Bonding area Electrodes Quartz blank Cover Seal Pins Top view of cover Metallic electrodes Resonator plate substrate (the “blank”)

晶振电路知识讲解之晶体参数详解

晶振电路知识讲解之晶体参数详解 1. 晶振与晶体的区别晶振是有源晶振的简称，又叫晶体则是无源晶振的简称，也叫（无源）一般是直插两个脚的无极性元件，需要借助（有源）一般是表贴四个脚的封装，内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号。一般分7050、5032、3225、2520几种封装形式。 2. MEMS硅晶振与石英晶振区别MEMS硅晶振采用硅为原材料，采用先进的半导体工艺 3. 晶体谐振器的等效电路 4. 关键参数4.1 标称频率4.2 调整频差4.3 温度频差在整个温度范围内工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离。常用ppm表示。4.4 老化率指在规定条件下，由于时间所引起的频率漂移。这一指标对精密晶体是必要的，但它“没有明确的试验条件，而是由制造商通过对所有产品有计划抽验进行连续监督的，某些晶体元件可能比规定的水平要差，这是允许的”（根据IEC的公告）。老化问题的最好解决方法只能靠制造商和用户之间的密切协商。4.5 谐振电阻（Rr）指晶体元件在谐振频率处的等效电阻，当不考虑C0的作用，也近似等于所谓晶体的动态电阻R1或称等效串联电阻(ESR)。这个参数控制着晶体元件的品质因数，还决定所应用电路中的晶体振荡电平，因而影响晶体的稳定性以致是否可以理想的起振。所以它是晶体元件的一个重要指标参数。一般的，对于一给定频率，选用的晶体盒越小，ESR的平均值可能就越高；绝大多数情况，在制造过程中并不能预计具体某个晶体元件的电阻值，而只能保证电阻将低于规范中所给的最大值。4.6 负载谐振电阻（RL）指晶体元件与规定外部电容相串联，在负载谐振频率FL时的电阻。对一给定晶体元体，其负载谐振电阻值取决于和该元件一起工作的负载电容值，串上负载电容后的谐振电阻，总是大于晶体元件本身的谐振电阻。4.7 负载电容（CL）与晶体元件一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容。晶体元件规范中的CL是一个4.8 静态电容（C0）等效电路静态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。4.9 动态电容（C1）等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积，另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。4.10 动态电感（L1）等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一对相关量。4.11 谐振频率（Fr）指在规定条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个

有源晶振32.768K规格书

DxSX RTC (32.768KHz OSC) Series F0 T OPR T STG V DD I DD Sym T r T f V OH V OL Parameter Condition Frequency Range All Condition ±±±25ppm,50ppm,100ppm 40/60%(45/55%Option) 90%V Min DD 10%V Max DD -20~+70(-40~+85option) ℃℃ ℃℃-55~+125℃℃2.5V 10%±10%V ~90%V DD DD 90%V ~10%V DD DD 10mS Max Ts Frequency Stability* Operating Temperature Range Storage Temperature Range Power supply V oltage Supply Current Output Symmetry Rise time Fall Time Output V oltage HCMOS Load CL Output Load Start Time 15pF Max Pin 1,tri-state function Pin 1=H or open....Output active at pin 3Pin 1=L.....high impedance at pin 3 At 1/2V DD 10nS Max 10nS Max 3.3V 10% ± 1.8V 10%±Aging(First Year)±2ppm Max 32.768KHz 1mA Max 1000pcs/reel(HXO-D3x/5x)Packing Unit 32.768KHz 3000pcs/reel(HXO-DSx/Nx) 3.3V,2.5V 1.8V option and D2SX/D3SX/D5SX/D7SX 21 Low current consumption RF power saving application on portable devices

晶振的主要参数与对电路的影响

Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mH High Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0 Low Limit -20.0 1.0 1 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.83 3,744.84 1.0 2 10.75 2 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.86 4,113.29 0.94 11.70 3 Fail DLD2 High 0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.74 3,613.27 1.03 10.63 4 Fail SPDB High -8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.92 5,538.01 0.71 15.54 5 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.8 6 3.89 3,955.09 0.98 11.17 6 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.81 3,608.85 1.06 10.42 7 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.85 4,670.19 0.82 13.35 8 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.88 5,017.95 0.77 14.23 9 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.83 3,018.17 1.27 8.67 10 Fail DLD2 High -3.62 24.75 52.36 78.55 -10.30 3.86 2,943.39 1.31 8.37 晶振的等效电器模型 C0，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和。几~几十pF。 R1等效石英片产生机械形变时材料的能耗；几百欧 C1反映其材料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pF L1大体反映石英片的质量.mH~H

晶振选型指南(精)

恒温晶振、温补晶振选用指南 晶体振荡器被广泛应用到军、民用通信电台,微波通信设备,程控电话交换机,无线电综合测试仪, BP 机、移动电话发射台,高档频率计数器、 GPS 、卫星通信、遥控移动设备等。它有多种封装,特点是电气性能规范多种多样。它有好几种不同的类型:电压控制晶体振荡器(VCXO 、温度补偿晶体振荡器(TCXO 、恒温晶体振荡器(OCXO ,以及数字补偿晶体振荡器(MCXO 或 DTCXO , 每种类型都有自己的独特性能。如果您需要使您的设备即开即用, 您就必须选用 VCXO 或温补晶振,如果要求稳定度在 0.5ppm 以上,则需选择数字温补晶振 (MCXO 。模拟温补晶振适用于稳定度要求在 5ppm ~0.5ppm 之间的需求。 VCXO 只适合于稳定度要求在 5ppm 以下的产品。在不需要即开即用的环境下,如果需要信号稳定度超过 0.1ppm 的,可选用OCXO 。 频率稳定性的考虑 晶体振荡器的主要特性之一是工作温度内的稳定性, 它是决定振荡器价格的重要因素。稳定性愈高或温度范围愈宽,器件的价格亦愈高。工业级标准规定的 - 40~+75℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯, 倘若 -30~+70℃已经够用, 那么就不必去追求更宽的温度范围。设计工程师要慎密决定特定应用的实际需要,然后规定振荡器的稳定度。指标过高意味着花钱愈多。晶体老化是造成频率变化的又一重要因素。根据目标产品的预期寿命不同, 有多种方法可以减弱这种影响。晶体老化会使输出频率按照对数曲线发生变化,也就是说在产品使用的第一年, 这种现象才最为显著。例如, 使用 10年以上的晶体, 其老化速度大约是第一年的 3倍。采用特殊的晶体加工工艺可以改善这种情况,也可以采用调节的办法解决,比如, 可以在控制引脚上施加电压 (即增加电压控制功能等。与稳定度有关的其他因素还包括电源电压、负载变化、相位噪声和抖动,这些指标应该规定出来。对于工业产品,有时还需要提出振动、冲击方面的指标,军用品和宇航设备的要求往往更多,比如压力变化时的容差、受辐射时的容差,等等。输出必须考虑的其它参数是输出类型、相位噪声、抖动、电压特性、负载特性、功耗、封装形式,对于工业产品,有时还要考虑冲击和振动、以及电磁干扰 (EMI 。晶体振荡器可 HCMOS/TTL兼容、 ACMOS

晶振的重要参数

晶振的重要参数 石英晶体振荡器是一种高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。国际电工委员会（IEC）将石英晶体振荡器分为4类：普通晶体振荡（SPXO），电压控制式晶体振荡器（VCXO），温度补偿式晶体振荡（TCXO），恒温控制式晶体振荡（OCXO）。目前发展中的还有数字补偿式晶体损振荡（DCXO）微机补偿晶体振荡器（MCXO）等等。 石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振[1]；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

⒈总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡 器频率与给定标称频率的最大频差。 说明：总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳 定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频 率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。 ⒉频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度 或带隐含基准温度的最大允许频偏。 fT=±（fmax-fmin)/(fmax+fmin) fTref =±MAX[|（fmax-fref)/fref|，|(fmin-fref)/fref|] fT：频率温度稳定度 （不带隐含基准温度） fTref：频率温度稳定度（带隐含基准温度） fmax ：规定温度范围内测得的最高频率 fmin：规定温度范围内测得的最低频率 fref：规定基准温度测得的频率 说明：采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器，故

ZKJ晶振3225封装8MHz-10PF-20PPM规格书

深圳市中科晶电子有限公司 一、适用范围 本规格书用于规定(A)MHz石英晶体谐振器。 A：8.000000MHZ 二、构造 2.1封装： 3.2*2.5 2.2封装形式： □1.冷压焊■2.电阻焊□ 3.锡焊2.3封装介质： □1.氮气■2.真空 三、尺寸、材料 单位：mm

四、晶体技术参数指标 1.频率:8.000000MHz 2.型号:3225 3.振荡模式:Fundamental(AT) 4.频率频差:±20ppm at25℃±3℃ 5.温度频差:±30ppm温度频差测试的基准温度是:25±2℃ 6.工作温度范围:-20℃~+70℃ 7.储存温度范围:-30℃~+85℃ 8.负载(CL):10.0pF 9.激励功率:100uW/Max 10.静电容: 2.0pF MAX 11.等效电阻:80ΩMax. 12.绝缘阻抗:500MΩmin/DC100V 13.年老化率:±3ppm/年 14.包装方式:卷包3000PCS/Reel 15.备注

五、可靠性试验

六、包装方式 6.1带子尺寸（ unit:mm ） Marking Marking A B C D E F G H J K t 2.7 3.4 8.0 3.5 1.75 4.0 2.0 4.0 1.55 1.4 0.25 6.2卷盘尺寸（unit:mm ） 七、注意 本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏，同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适用。 M N P Q R S U 178.0 60.2 11.5 8.0 2.5 11.0 13.0

晶振关键参数

晶振关键参数 1、工作频率 晶振的频率范围一般在1到70MHz之间。但也有诸如通用的32.768kHz钟表晶体那样的特殊低频晶体。晶体的物理厚度限制其频率上限。归功于类似反向台面(inverted Mesa)等制造技术的发展，晶体的频率上限已从前些年的30MHz提升到200MHz。工作频率一般按工作温度25°C时给出。 可利用泛频晶体实现200MHz以上输出频率的更高频率晶振。另外，带内置PLL 频率倍增器的晶振可提供1GHz以上的频率。当需要UHF和微波频率时，声表波(SAW)振荡器是种选择。2、频率精度：1PPM=1/1,000,000 频率精度也称频率容限，该指标度量晶振实际频率于应用要求频率值间的接近程度。其常用的表度方法是于特定频率相比的偏移百分比或百万分之几(ppm)。例如，对一款精度±100ppm的10MHz晶振来说，其实际频率在10MHz±1000Hz之间。 (100/1,000,000)×10,000,000=1000Hz 它与下式意义相同：1000/10,000,000=0.0001=10-4或0.01%。典型的频率精度范围在1到1000ppm，以最初的25°C 给出。精度很高的晶振以十亿分之几(ppb)给出。 3、频率稳定性 该指标量度在一个特定温度范围(如：0°C到70°C 以及-40°C到85°C)内，实际频率与标称频率的背离程度。稳定性也以ppm给出，根据晶振种类的不同，该指标从10到1000ppm 变化很大(图2)。 4、老化 老化指的是频率随时间长期流逝而产生的变化，一般以周、月或年计算。它于温度、电压及其它条件无关。在晶振上电使用的最初几周内，将发生主要的频率改变。该值可在5到10ppm 间。在最初这段时间后，老化引起的频率变化速率将趋缓至几ppm。 5、输出 有提供不同种类输出信号的晶振。输出大多是脉冲或逻辑电平，但也有正弦波和嵌位正弦波输出。一些常见的数字输出包括：TTL、HCMOS、ECL、PECL、CML 和LVDS。 许多数字输出的占空比是40%/60%，但有些型号可实现45%/55%的输出占空比。一些型号还提供三态输出。一般还以扇出数或容抗值(pF)的方式给出了最大负载。 6、工作电压 许多晶振工作在5V直流。但新产品可工作在1.8、2.5和3.3V。 7、启动时间 该规范度量的是系统上电后到输出稳定时所需的时间。在一些器件内，有一个控制晶振输出开/闭的使能脚。 8、相噪 在频率很高或应用要求超稳频率时，相噪是个关键指标。它表度的是输出频率短时的随机漂移。它也被称为抖动，它产生某类相位或频率调制。该指标在频率范围内用频谱分析仪测量，一般用dBc/Hz表示相噪。 晶振输出的不带相噪的正弦波被称为载波，在频谱分析仪上显现为一条工作频率上的垂直线。相噪在载波之上和之下产生边带。相噪幅度表示为边带功率幅值(Ps)与载波功率幅值(Pc)之比，以分贝表示： 相噪(dBc)=10log(Ps/Pc)

常用无源晶振封装尺寸及实物图

常用无源晶振封装尺寸及实物图 晶振尺寸较多,为了查找资料方便,特整理一下: 石英晶振：即所谓石英晶体谐振器（无源晶振）和石英晶体振荡器（有源晶振）的统称。一般的概念中把晶振就等同于谐振器理解了，振荡器就是通常所指钟振。石英晶振是一种用于稳定频率和选择频率的电子元件，已被广泛地使用在无线电话、载波通讯、广播电视、卫星通讯、仪器仪表等各种电子设备中。 石英晶振封装一般分为插件（DIP）和贴片（SMD）。 插件中又分为HC-49U、HC-33U、HC-49S、全尺寸（长方体）、半尺寸（正方体）、音叉型（圆柱状晶振）。HC-49U一般称49U，有些采购俗称“高型”，而HC-49S一般称49S，俗称“矮型”，音叉型（圆柱状晶振）按照体积分可以分为φ3*10、φ3*9、φ3*8、φ2*6、φ1*5、、φ1*4等。贴片型是按尺寸大小和脚位来分类：例如7050（7.0*5.0）、6035（6.0*3.5）、5032（5.0*3.2)、3225（3.2*2.5）、2025（2.0*2.5）等。脚位有4pin和2pin之分。所谓全尺寸的，又称长方形或者14pin，半尺寸的又称正方形或者8pin。不过要注意的是，这里的14pin 和8pin都是指振荡器内部核心IC的脚位数，振荡器本身是4pin。 而从不同的应用层面来分，有源晶振又可分为普通晶振（OSC）、温补晶振（TCXO）、压控晶振（VCXO）压控晶振恒温晶振（OCXO）等。 A、直插封装（Through-Hole） 1、 HC-51/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7

2、HC-33/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7 3、HC-49/U 1 - 150 MHz 11.2 x 4.7 x 13.6

NDK晶振NX2016GB晶体谐振器规格书

Crystal Units - 12 - 1604A_NX2016GB_e NX2016GB For Automotive High reliability small surface-mount type crystal unit for automotive.●High resistance to solder cracking. ●Ultra compact and thin. (2.0 x 1.6mm, H: Max. 0.8mm) ●Stable start-up characteristics even under extremely severe environmental conditions.●Excellent environment-resistant performance, including heat, vibration and shock resistance. ●Meets the requirements for re-flow profiling using lead-free solder.●Conforms to AEC-Q200. ■ Features ■ Specifications ■ Dimensions Please specify the model name, frequency, and specification number when you order products.For further questions regarding specifications, please feel free to contact us. 【NDK晶振授权代理商-深圳扬兴科技有限公司】www.yxc.hk

贴片元件尺寸及焊盘尺寸

贴片元件尺寸及焊盘尺寸

【SMD贴片元件的封装尺寸】 公制：3216——2012——1608——1005——0603——0402 英制：1206——0805——0603——0402——0201——01005 注意： 0603有公制，英制的区分 公制0603的英制是英制0201， 英制0603的公制是公制1608 还要注意1005与01005的区分， 1005也有公制，英制的区分 英制1005的公制是公制2512 公制1005的英制是英制0402 像在ProtelDXP(Protel2004)及以后版本中已经有SMD贴片元件的封装库了，如 CC1005-0402：用于贴片电容，公制为1005，英制为0402的封装 CC1310-0504：用于贴片电容，公制为1310，英制为0504的封装 CC1608-0603：用于贴片电容，公制为1608，英制为0603的封装 CR1608-0603：用于贴片电阻，公制为1608，英制为0603的封装，与CC16-8-0603尺寸是一样的，只是方便识别。

国内贴片电阻的命名方法： 1、5%精度的命名：RS-05K102JT 2、1％精度的命名：RS-05K1002FT R －表示电阻 S －表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1 812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1 812表示1812、10表示1210、12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM, 102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝100000Ω＝10 KΩ。 J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 1：0402(1/16W) 2:0603(1/10W) 3:0805(1/8W) 4:1206(1/4W) 5:1210(1/3W) 6:2010(1/ 2W) 7:2512(1W) 内贴片电阻的命名方法： 1、5%精度的命名：RS-05K102JT 2、1％精度的命名：RS-05K1002FT R －表示电阻 S －表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1 812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1 812表示1812、10表示1210、12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM, 102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝10000Ω＝10K Ω。 J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 1、贴片电阻的阻值表示与贴片电容容值表示都是数字与“R”组合表示的。譬如：3ohm用3R0表示，10ohm用1 00表示，100ohm用101表示，也就是说“R”表示点“.”的意思，而101后面个位数的“1”表示的是带有1个0，例如102表示10000。 2、电阻上的数字和字母表示的就是阻值，R002就表示0.002ohm，180表示的就是18ohm. 3、怎样区分贴片的电阻与电容，由于电阻上面有白色的字体表示，所以除端角外背景颜色应该是黑色的，而电容上就

晶振技术参数(精)

晶振 每个晶振都会有它的参数 中心频率:?? Hz 。晶振的频率 稳定度:?? PPN 。温度对晶振频率的影响这个数字越大晶振就越稳定 可调范围:?? PPM 。晶振频率的可调范围这个数字越大那晶振频率的可调范围就越小 负载电容:?? PF 。晶振在中心频率下所要求的电容值 谐振电阻:??欧姆。晶振的交流电阻 震荡方式:基频和泛音。 基频的震荡方式一般都不会高于 25MHz 。如果要更高的频率就可以用泛音晶振。泛音的次数一般是单数如 3次泛音 5次泛音 7次泛音 当晶振接到震荡电路上在震荡电路所引入的电容不符合晶振的负载电容的容量要求时震荡电路所出的频率就会和晶振所标的频率不同 例如:一个 4.0000MHz +-20PPM 负载电容是 16PF 的晶振 当负载电容是 10PF 时震荡电路所出的频率就可能会是 4.0003MHz 当负载电容是 20PF 时震荡电路所出的频率就可能会是 3.9997MHz 晶振负载电容有 2种接法 1 并联在晶振上 2 串联在晶振上 第 2种比较常用 2个脚都接一个电容对交流地 在一些对频率精度要求高的电路上如 PLL 的基准等。。。就是并多个可调电容来微调频率的

如果对频率精度要求不高就用固定电容就行了 晶振的分类 根据晶振的功能和实现技术的不同,可以将晶振分为以下四类: 1 恒温晶体振荡器 (以下简称 OCXO 这类型晶振对温度稳定性的解决方案采用了恒温槽技术,将晶体置于恒温槽内,通过设置恒温工作点,使槽体保持恒温状态,在一定范围内不受外界温度影响,达到稳定输出频率的效果。这类晶振主要用于各种类型的通信设备,包括交换机、 SDH 传输设备、移动通信直放机、 GPS 接收机、电台、数字电视及军工设备等领域。根据用户需要,该类型晶振可以带压控引脚。 OCXO 的工作原理如下图 3所示: 图 3恒温晶体振荡器原理框图 OCXO 的主要优点是,由于采用了恒温槽技术,频率温度特性在所有类型晶振中是最好的,由于电路设计精密,其短稳和相位噪声都较好。主要缺点是功耗大、体积大,需要 5分钟左右的加热时间才能正常工作等。 2 温度补偿晶体振荡器 (以下简称 TCXO 。 其对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段,主要原理是通过感应环境温度,将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率,达到稳定输出频率的效果。传统的 TCXO 是采用模拟器件进行补偿,随着补偿技术的发展,很多数字化补偿大TCXO 开始出现,这种数字化补偿的 TCXO 又叫 DTCXO ,用单片机进行补偿时我们称之为 MCXO ,由于采用了数字化技术,这一类型的晶振再温度特性上达到了很高的精度, 并且能够适应更宽的工作温度范围,主要应用于军工领域和使用环境恶劣的场合。在广大研发人员的共同努力下,我公司自主开发出了高精度的 MCXO ,其设计原理和在世界范围都是领先的,配以高度自动化的 生产测试系统,其月产可以达到 5000只,其设计原理如图 4。

常用无源晶振封装尺寸及实物图.562

常用无源晶振封装尺寸及实物图 A、直插封装（Through-Hole） (3) 1、HC-51/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7 (3) 2、HC-33/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7 (3) 3、HC-49/U 1 - 150 MHz 11.2 x 4.7 x 13.6 (4) 4、HC-49/U-S 3.2 - 70 MHz 11.2 x 4.7 x 3.6 (4) 5、CSA-310 3.5 - 4 MHz ? 3.2 x 10.5 (5) 6、CSA-309 4 - 70 MHz ? 3.2 x 9.0 (5) 7、UM-1 1 - 200 MHz 7.0 x 2.2 x 8.0 (6) B、贴片封装（SMD） (7) 1、HC-49/MJ 1 - 150 MHz 13.8/17.1 x 11.5 x 5.4 (7) 2、UM-1/MJ 1 - 200 MHz 7.9 x 3.5 x 8.2/12.5 (8) 3、UM-5/MJ 10 - 200 MHz 7.9 x 3.5 x 6.2/10.5 (8) 4、SM-49 3.2 - 66 MHz 12.9 x 4.7 x 4.0 (9) 5、SM-49-4 3.5 - 66 MHz 13.0 x 4.7 x 5.0 (9) 6、SM-49-F 3.5 - 60 MHz 12.5 x 5.85 x 3.0 (10) 7、MM-39SL 3.579 - 70 MHz 12.5 x 4.6 x 3.7 (11) 8、CPX-25 3.5 - 30 MHz 11.6 x 5.5 x 2.0 (11) 9、CPX-20 3.5 - 60 MHz 11.0 x 5.0 x 3.8 (12) 10、CPX-84 10 - 80 MHz 8.0 x 4.5 x 1.6 (13) 11、CPX-02 8 - 100 MHz 8.0 x 4.5 x 1.8 (13) 12、CPX-75GN 9.8 - 100 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 (14) 13、CPX-75GN2 9.8 - 100 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 (15) 14、CPX-75GT 12.8 - 100 MHz 7.0 x 5.0 x 1.1 (15) 15、CPX-75GT2 12.8 - 100 MHz 7.0 x 5.0 x 1.1 (16) 16、CPX-49S 8 - 150 MHz 7.5 x 5.0 x 1.5 (17) 17、CPX-63GA 10 - 100 MHz 6.0 x 3.5 x 1.1 (18) 18、CPX-63GB 10 - 100 MHz 6.0 x 3.5 x 1.1 (18) 19、CPX-49SM 8 - 150 MHz 6.0 x 3.5 x 1.2 (19) 20、CPX-49SP 8 - 45 MHz 5.0 x 3.2 x 0.8 (20) 21、CPX-53GA 8 - 50 MHz 5.0 x 3.2 x 0.8 (21) 22、CPX-53GB 8 - 50 MHz 5.0 x 3.2 x 1.2 (22) 23、CPX-42 12 - 40 MHz 4.0 x 2.5 x 0.8 (23) 24、CPX-32 13 - 54 MHz 3.2 x 2.5 x 0.7 (24) 25、CPX-22 16 - 40 MHz 2.5 x 2.0 x 0.45 (25) C、时钟晶振（CLOCkCrystals (kHz-Crystals)） (26) 1、TC-38 32.768 kHz ? 3.0 x 8.2 (26) 2、TC-26 32.768 kHz ? 2.1 x 6.2 (26) 3、TC-26 Funkuhrquarz 77.5 kHz ? 2.1 x 6.2 (26) 4、TC-15 32.768 kHz ? 1.5 x 5.1 (27) 5、MM-25S 30 - 150 kHz 8.0 x 3.8 x 2.5 (27) 6、MM-20SS 32.768 kHz 8.0 x 3.8 x 2.5 (27)

vetron晶振PX-990系列晶体振荡器规格书

PX-990 Crystal Oscillator Ultra Low Noise and G-Sensitivity ? Ultra low Phase Noise ? Ultra low G-Sensitivity ? Vibration hardened ? Tight Tolerances ? Frequency Range 60 - 120MHz ? Standard Frequency 120MHz ? Vibration Environment ? Airborne and Military Equipment ? Portable Equipment ? Radar Features Applications Performance Specifications 【vectron晶振授权代理商-深圳扬兴科技有限公司】 www.yxc.hk

Performance Specifications

Outline Drawing / Enclosure Housing Options

Typical Phase Noise @ 120 MHz without vibration Typical Frequency Stability vs Temperature

Comments: Measured without shock absorbers Armin Beck24.02.2011 Notes: 1. Contact factory for improved stabilities or additional product options. Not all options and codes are available at all frequencies. 2. Phase noise degrades with increasing output frequency. 3. Contact factory for availability. Unless other stated all values are valid after warm-up time and refer to typical conditions for supply voltage, frequency control voltage, load, temperature (25°C). Subject to technical modification.