检测晶体常出现的错误

_diffrn_measured_fraction_theta_full Low ....... 0.93 采集数据的完成

度偏低，通常要在0.97 以上。最好是重新收集数据。解决方法：omit

0 50

问题：

No su's on H-atoms, but refinement reported as . mixed

报告中显示对H 原子的修正方法是混合模式但没有列出H 原子相关的偏差。

解决方法：把.CIF 中的"mixed" 改成"constr" 就可以了。

问题：

CIF Contains no X-H Bonds ...................... ?

CIF Contains no X-Y-H or H-Y-H Angles .......... ?

解决方法：在ins 文件中将Bond 改为Bond $h 命令,再在XL 中精修一下就可以了

问题：

PLAT080_ALERT_2_A Maximum Shift/Error ............................ 0.37 修正轮数不

够多Maximum Shift/Error 值应该接近于0，至少要在0.02 以下。解决方

法：增加修正轮数（L.S. 后的数值改大）

问题：

PLAT220_ALERT_2_A Large Non-Solvent O Ueq(max)/Ueq(min) ... 7.95 Ratio PLAT222_ALERT_3_A Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 7.78 Ratio 这二条是指原子有较大的非正定，说明没有修正好。解决方法：可以考虑将这个有较大无序的O 进行分比（如占位率0.5：0.5）再修。如果是衍射数据质量不够好而无法得到好的修正结果，那只有重新采集数据了。

问题：

DENSX01_ALERT_1_A The ratio of the calculated to measured crystal density lies outside the range 0.80 <> 1.20

Calculated density = 1.753

Measured density = 0.000

PLAT093_ALERT_1_A No su's on H-atoms, but refinement reported as . mixed

解决方法：在cif 里将_exptl_crystal_density_meas 0 改为：

_exptl_crystal_density_meas ?

将_refine_ls_hydrogen_treatment mixed

改为：_refine_ls_hydrogen_treatment constr

PLAT211_ALERT_2_A ADP of Atom C3 is NPD ..................... ? 解决方法：原子非正定，无序或者空间群错误，或者数据不好。这个原子如果在结构中不甚重要，可以按各向同性处理，一般不影响发表。用ISOR 命令各向同性，应该可以解决。

问题：

Hirshfeld Test Diff for C1 - C2 .. 7.53 su

解决方法：ins 文件里加入delu 0.02 c1 c2

（delu 限制所指定的原子具有接近指定范围内的位移参数）

问题：

PLAT052_ALERT_1_A (Proper) Absorption Correction Method Missing .. ? PLAT057_ALERT_3_C Correction for Absorption Required RT(exp) ... 1.11 解决方法：主要注意cif 文件中的以下这几行，_exptl_absorpt_correction_type 这一项只要做了xcif 就一般会自动填'Multi-scan'，你也可根据自己的校正方法来填。

一般可能出的问题就是这几行填得串了行，或者T_min 与T_max 填反了。仔细检查

问题：

PLAT220_ALERT_2_B Large Non-Solvent C Ueq(max)/Ueq(min) ... 3.83 Ratio

解决方法：simu 0.01 0.02 3.8 $c

（simu 限制在一定范围内的原子具有相同的位移参数）

问题：

解完晶体后check cif 出现 A 类错误No s.u. Given for Flack Parameter .............. ? 不知道如

何解决解决方法：你这个结构是否

有手性？

1. 如果有手性且有重原子，那在修正中加入Flack 指令，修正后重新产生CIF。

2. 如果没有手性，或有手性但用Mo 靶做小于Si 元素的结构，则可在CIF 的原子信息这一栏的最后面添加一句话，如下所示：

_chemical_formula_sum 'C10 H18 O5 '

_chemical_formula_moiety 'C10 H18 O5 '

_chemical_formula_weight 218.25

_chemical_melting_point ?

_chemical_absolute_configuration ' unk '

这样就可以了

问题：

一个B 类错误：Merging of Friedel Pairs is STRONGL Y Indicated

解决方法：在ins 文件中加入MERG 3 重新精修一轮即可。

问题：

ABSTM02_ALERT_3_A Test not performed as the _exptl_absorpt_correction_type has not been identified. See test ABSTY_01.

解决方法：The absorption correction should be one of the following

* none

* analytical

* integration

* numerical

* gaussian

* empirical

* psi-scan

* multi-scan

* refdelf

* sphere

* cylinder

问题：

Alert level A

PLAT031_ALERT_4_A Refined Extinction Parameter within Range ...... 0.00 Sigma

Alert level B

PLAT232_ALERT_2_B Hirshfeld Test Diff (M-X) Zn -- O1 .. 21.64

su

PLAT232_ALERT_2_B Hirshfeld Test Diff (M-X) Zn -- O2 .. 12.23 su 解决方法：第一个问题在INS 文件中把EXTI 这行命令删掉再修就可以了后两个B 类错误可以在-lst 文件中BOND 的下一行使用如写命令，然后精修：ELMU Zn O1 Zn O2

SIMU 0.007 0.001 Zn O1 Zn O2

附：

关于CIF 检测中出现的A,B 等类错误的说明

一般分为8 类，分别为：

# _0xx - general

# _1xx - cell/symmetry

# _2xx - adp-related

# _3xx - intra geometry

# _4xx - inter geometry

# _5xx - coordination geometry

# _6xx - void tests

# _7xx – various test

下面我们分几次把问题的简要说明翻译成献给大家，希望能对您有所帮助！

_201 检测分子结构主体中各向同性的非氢原子，各向同性在通常的精修中并不常用，只是在处理无序是才用到。

_202 检测溶剂分子或阴离子中各向同性的非氢原子

_211 检测主体分子的NPD ADP's 。检测主体分子中各相异性参数中负值部分（NPD is non-positive displacement ）

_212 检测溶剂或阴离子分子的NPD ADP's 。检测溶剂或阴离子分子中各相异性参数中负值部

_213 主体分子中ADP maximum/minimum 比例检测，较大的值意味着无序没有处理。

_214 溶剂或阴离子中ADP maximum/minimum 比例检测，较大的值意味着无序没有处理。

_220 检测主体结构非氢原子Ueq(max)/Ueq(Min)范围。对比平常之大的比值发出警报。太高或太低的值表明原子可能定错(i.e. Br versus Ag)

_221 检测非主体结构非氢原子Ueq(max)/Ueq(Min)范围。对比平常之大的比值发出警报

_222 检测主体结构氢原子Ueq(max)/Ueq(Min)范围。对比平常之大的比值发出警报

_223 检测非主体结构氢原子Ueq(max)/Ueq(Min)范围。对比平常之大的比值发出警报

_230, _233 : Hirschfield 刚性键检查。相近化学特征的原子应具有相同程度的各相异性参数，无序或过度精修可能会导致大小不一。原子的错误判定也会有这样的结果。DELREF 技术(e.g.DIFABS, SHELXA, XABS2) 校正的数据通常对含重原子的键有较大的DELU 值

_241, _242 检测相对于相邻原子过高或过低的U(eq)值。原子的U(eq) 值会被拿去与所有非氢原子的平均U(eq)去比较，如果值太大，可能是原子定错了。

_013 : 检测报告与衍射范围和数据的完整度

_020 : 检测R(int)。R(int)最好小于0.1。但是基于非常有限数量的平均数据的R(int) 没什么意义

_021 : 检查观测衍射数目/期望数目的比值期待数目对应于劳埃群的不对称单元中的数目。对于中心对称的结构，期望币值为小于或等于1.0;对于非中心对称结构则小于2。超过这些数据可能是：对称性消光没有从观测数据中消除或采用过多的数据进行精修

_022 :检测完整度，检测报道的独立衍射点与期望的给定的分辨率

_023 : Chec k θmax。检测分辨率。当sin (θ)/λ <0.6 时，发布警告。

_024 : 检测优化的平均Friedel 对。对于含有比硅轻的原子的MoKa 数据，平均Friedel 对是优先的。SHELXL97 精修中采用MERG 4。

_025 : 检查h,k,l 范围

_026 : 检查弱点，检查2σ 以上的独立数据的衍射是否充分

_030 检测精修的消光参数是否有意义，检测它的值是否明显大于相应的s.u。如果不是，这个参数应从结构模型精修中删除。目前默认值为3.33 s.u

_032 检测Flack 参数的S.U.

_033 检测Flack 参数偏离零的程度，即检查绝对构型的正确性。

_040 检查化合物中碳原子上是否有氢原子

_041 比较报道的与计算的总分子式Compare the Reported and Calculated Sum Formula

_042 比较报道的与计算的残基分子式Compare the reported and Calculated Moiety Formula

_043 比较报道的和计算的分子量Compare Reported and Calculated Molecular Weight

_044 比较报道的和计算的分子量密度

_045 比较报道的和计算的Z 值

_046 检测报道的Z, MW, D(calc) 是否一致

_050 检测给出的mu 值

_051 测试报道的和计算的mu 的差别。

_052 测试吸收校正方法的条件

_053 测试晶体尺寸最小值xtal_dimension_min 的条件

_054 测试晶体尺寸中间值

_055 测试晶体尺寸最大值

_056 检测晶体半径Test for specification xtal_radius

_057 检测必需的吸收校正Test for absorption correction needed

_058 检测规定的最大透过率Tmax

_059 检测规定的最小透过率Tmin

_060 RR Test

_061 RR' Test

_062 Rescale Tmin & Tmax

_063 测试晶体尺寸最小的一个尺寸应远大于采用的Xray 束。例外的情况是使用β 滤波器和足够大的准直仪。

_064 Test for T(max) .GE. T(min)

_065 检测（半）经验吸收校正的应用情况est for applicability of (semi-)empirical abs.corr.

_070 检测原子标签的重复情况Test for duplicate atom labels

_071 检测是否有无法解释的标签

_080 检测最大的漂移/误差比值maximum shift/error

_081 检测给出的漂移/误差比值Test for maximum shift/error given

_082 检测合理的R1 值

_084 检测合理的R2 值

R2 一般是基于F2 精修出的R1 的两倍

_086, _087 检测合理的S 值

_088 检测合理的Data / parameter 比值(中心对称)

_089 检测合理的Data / parameter 比值(非中心对称)

_095 检测给出的最大残余密度

_096 检测给出的最大残余密度

_097 检测给出的最大残余密度

_098 检测给出的最小残余密度

_099 检测给出的小于0 的最小残余密度

_410, _413 : 检测分子键或分子内短程的H----H 相互作用。当对称性错误的时候，空间群错误时（偏低或偏高）按照错误的对称操作衍生出来的原子上的氢原子本应不存在，这是就可能会产生果断的相互作用。短程分子内作用可能源于H 原子被放错误计算出来的原子上。也有可能是标志着分子位于不合适的点操作上而造成错的错误（比如 2 代替了“-1”），当忽略晶胞转换时常发生。短相互作用用1.2A 的范德华半径来表示，对分子间弱相互作用警报发生于距离短于2.4A。对分子内来说，警报值发生在小于 2.0A。这种警报对团簇构型很有意义，尤其是当氢原子按照理想位置参与计算时

_412 & _413 报告CH3 H-atoms 的相互作用，这些氢最好采用理论计算方法获取。

_416 : 检测分子内D-H .. H-D 作用。主要与放错位置的无序有关

_417 : 检测分子间D-H .. H-D 作用。主要与放错位置的无序有关

_420 : 检测D-H 没有受体用通常的氢键标准判断，氢键受体必须潜在。对OH

和常见的-NH and -NH2 很少有例外。通常出现的错误是：A common -OH 上氢

键指向有误。.

_430 : 检测D..A 距离。通常在D..A 距离小于范德华半径之和减去0.2 时，会

警报。

_431 : 检测Hl...D 距离，检测与卤素有关的分子间的距离

_432 : 检测分子间距离

THETM01_ALERT_3_B The value of sine(theta_max)/wavelength is less than 0.575

Calculated sin(theta_max)/wavelength = 0.5572

对于这个错误你可能在ins文件中删除的点或者角度范围太大了，也就是可能你用了omit命

令了

-------------------------------------------------------------------------------- PLAT148_ALERT_3_B su on the a - Axis is Too Large (x 1000) . 12 Ang. PLAT148_ALERT_3_B su on the b - Axis is Too Large (x 1000) . 13 Ang. PLAT148_ALERT_3_B su on the c - Axis is Too Large (x 1000) . 14 Ang. 对于这三个错误主要是收录晶体还原数据时，最终的晶胞参数偏差太大造成的，

最好重新收录，实在要消除也可以，就是在ins文件中把偏差改小，详见下面的例子：

TITL A in Pnma

CELL 0.71073 12.1750 8.9250 8.9372 90.000 90.000 90.000

ZERR 8.00 0.0014 0.0008 0.0009 0.000 0.000 0.000

LATT 1

SYMM 0.5-X, -Y, 0.5+Z

SYMM -X, 0.5+Y, -Z

SYMM 0.5+X, 0.5-Y, 0.5-Z

在ZERR 后面的三个单包参数的下面对应的偏差改到0.00**就可以了

--------------------------------------------------------------------------------

PLAT031_ALERT_4_B Refined Extinction Parameter within Range ...... 2.00

Sigma

这个错误是系统消光的问题，把ins文件中exti0.0000这个删除就可以了

PLAT026_ALERT_3_C Ratio Observed / Unique Reflections too Low ....

47 Perc.

晶体尺寸给的不合理，改变size后的数值。

1. 我的CIF文件不加氢键没有A类错误，但是一加氢键就有错误，还很多，（氢

键也很多，14个氢键），错误是下面的这样子的，错误都差不多，我找了几个人

都没有修改过来，所以请这里的高手来把把脉，谢谢了先！在投稿时CIF文件里

面必须要加氢键吗？

706_ALERT_1_A H...A Calc21.07(6), Rep 2.30(6), Dev.. 312.83

Sigma

H2#-O5 1.555 4.655

707_ALERT_1_A D...A Calc29.316(10), Rep 3.103(7), Dev..2621.30 Sigma

N1 -O2# 1.555 3.466

......

ALERT_706 Type_1 CIF Construction/Syntax Error, Inconsistent or Missing Data.

Hydrogen-Bond H..A listed in the CIF is checked. Alerts are set at 1,2 and

3 sigma deviation levels.

This ALERT is generally related to incorrect symmetry codes. The symmetry

number s in the symmetry code s_pqr should correspond to the expression

for s in the CIF. Those expressions can be different for different

software packages. E.g. pasting H-bond table data generated with PLATON

into a CIF generated with SHELXL may raise this ALERT. Manual correction

of the symmetry code should be trivial.

.....

答：

1. 在投稿时所有的原子都要找全包括氢原子，否则化合物的电荷是不平的。

2. 前面二个问题按checking提示是H原子与O原子不在同一个分子套内，如： H2#-O5 1.555 4.655

H2#在第一套等效点系而O5在第四套等效点系且x方向还要加1；

N1 -O2# 1.555 3.466

N1在第一套等效点系而O2#在第三套等效点系且X-1,Y+1,Z+1

解决的办法是用push或move命令将原子移动到同一个分子套内。注意，用差值确定的H原子在修正前可用AFIX 93加以约束。其余十二个估计也是同样问题。

3. 最后一个问题是CIF的格式不对，请仔细检查。

2求助A类错误

ABSTM02_ALERT_3_A Test not performed as the

_exptl_absorpt_correction_type has not been identified. See test ABSTY_01.

哪位虫友知道怎么改阿？麻烦给解答一下

谢谢！

PLAT222_ALERT_3_A Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 9.21 Ratio

第一个，吸收校正的类型没有填。应该补上，如：

_exptl_absorpt_correction_type Multi-scan

或

_exptl_absorpt_correction_type none

问一下解结构的人，用的是什么方法？

第二个是H原子非正定，可能是修正时某个H原子没有固定导致H的漂移。

能用理论加氢的尽可能用理论加氢。

象羟基的氢原子等用差值找到的H，启动修正命令之前要修改INS文件，在这类H原子前加入指令HFIX 9n，将H原子跨骑在它（们）的母体上(riding model)，否则氢原子在修正过程中会产生漂移。

理论加氢时程序自动设置H为AFIX m3模式（按不同的杂化方式设计），其它方式的加氢采当采用 HFIX 9n 的模式跨骑，至于n的值请参阅shelx手册。

3.

ABSTY01_ALERT_1_A The absorption correction should be one of the following

* none

* analytical

* integration

* numerical

* gaussian

* empirical

* psi-scan

* multi-scan

* refdelf

* sphere

* cylinder

PLAT057_ALERT_3_A Correction for Absorption Required RT(exp) ... 1.35 PLAT052_ALERT_1_A (Proper) Absorption Correction Method Missing .. ?

这是没有吸收校正的A类错误

但是我随便加一吸收较正这个错误就没有了,

请问各位前辈,这样可不可以投ACTA-E?

这实际是个小问题，缺少吸收校正的方法，补上就可以了。目前，面探测的方法用得比较多，他们的吸收校正方法一般是multi-scan。你根据实际校正方法填写就可以了，不会影响投稿。

4求助A类错误的解决

PLAT057_ALERT_3_A Correction for Absorption Required RT(exp) ... 1.35

这个怎么修掉啊

先谢谢!

问题是“吸收校正是必须的”

显然在数据评价时没有做吸收校正。

重新解一遍，加入吸收校正，在CIF中应该出现最大、最小透过率的值。

就可以通过了。

5一个A类错误和一个B类错误，求助，谢谢

A：No_Chemical_absolute_configuration info given.

B：Merging of Friedel Pairs is Strongly Indicated

A. 没有给出绝对构型参数值。

B. 有较强的衍射对被Merg。

解决方法：

A. 如果用的是Mo靶且结构中有大于Si的原子或用的是Cu靶，那再修一个Flack 参数就可以了。注意此时的衍射数据不应被平均，即Merg指令应该是“MERG 3”。

最好是重新解析结构，评价数据时选择不平均数据。Flack的理想值是接近于0。

B. 如果用Mo靶且没有大于Si的原子，则可以在CIF的元素信息栏的最后，即分子量的的后面再加上一行：

_chemical_absolute_configuration … unk ?

上述二个问题旋即解决。

6急问：A类错误处理

No _chemical_absolute_configuration info given . ?

PLAT080_ALERT_2_A Maximum Shift/Error ............................ 0.37

PLAT093_ALERT_1_A No su?s on H-atoms, but refinement reported as . mixed PLAT220_ALERT_2_A Large Non-Solvent O Ueq(max)/Ueq(min) ... 7.95 Ratio PLAT222_ALERT_3_A Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 7.78 Ratio

这些都怎么处理阿？非常感谢

No _chemical_absolute_configuration info given . ?

见CIF专栏中的“一个A类错误和一个B类错误”

PLAT080_ALERT_2_A Maximum Shift/Error ............................ 0.37

修正轮数不够多 Maximum Shift/Error 值应该接近于0，至少要在0.02以下。

PLAT093_ALERT_1_A No su?s on H-atoms, but refinement reported as . mixed

在# 8. Refinement Data一栏中对氢的处理通常是用constr，如下：

_refine_ls_hydrogen_treatment constr

你这里用的是mixed，所以会要你提供H的su's。

PLAT220_ALERT_2_A Large Non-Solvent O Ueq(max)/Ueq(min) ... 7.95 Ratio PLAT222_ALERT_3_A Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 7.78 Ratio

这二条是指原子有较大的非正定，说明没有修正好可以考虑将这个有较大无序的O进行分比（如占位率0.5：0.5）再修。

如果是衍射数据质量不够好而无法得到好的修正结果，那只有重新采集数据了。

7急啊：求助A类错误，散金币

The absolute value of parameter shift to su ratio > 0.20

Absolute value of the parameter shift to su ratio given 0.367 Additional refinement cycles may be required.

能解决吗

把ins文件中的L. S. 后面的数值改得大一些，比如20

然后退出，精修。

ut无损检测工作技术总结

无损检测技术工作总结 （UT） 何建红 岳阳市长达无损检测有限公司 二O一O年三月

技术工作总结 我于2000年毕业于湖南省劳动人事学校无损检测技术与应用专业，毕业后一直坚持自学，在2008年取得由湖南大学主考的机电一体化工程专业大专文凭。从2002年到2007年这五年里，我在广东华泰检测科技有限公司茂名项目部工作，主要从事板材、管材入库检验中的无损检测工作部分以及压力管道安装对接焊缝的超声检测。2007年2月至2009年2月，在海南赛福特检测科技有限公司工作，主要负责化工设备安装的无损检测管理工作。2009年3月至今，任岳阳市长达无损检测有限公司南宁项目部技术负责人，参与了上十台1000M3以上球形储罐的超声、磁粉检测工作。 参加工作以来，时刻不忘向身边经验丰富的前辈学习，以提高自己的专业知识和业务能力，利用一切机会扩大自己的知识面，充实自己的理论知识和实践经验。经过多年的学习，专业水平有了一定的提高，也积累了一些超声检测的经验。 下面就我在超声检测工作中遇到的一个问题及解决此问题的方法及过程做一个简要的总结，恳请老师指导。 一、问题描述 在实际工作中，横波斜探头应用十分广泛，常用于对接焊缝、钢管、钢板、锻件等的检测。而K1探头由于其端角反射率高，经常用来检测焊缝单面焊根部未焊透或裂纹，在钢板、锻件、厚的对接焊接接头的横波检测及缺陷高度的测量中也经常会用到K1探头。 用2.5P14×14K1横波斜探头在CSK-ⅢA试块上制作DAC曲线时发现：

深度20mm 的Φ1×6孔的反射回波比深度为10mm 的孔要高3dB 左右，这样在深度30mm 以前的DAC 曲线就会呈现一种忽高忽低的锯齿状。而2.5P14×14K2探头却没有这种情况发生。 导致这种情况发生的原因是什么？这种情况会对探伤产生什么影响及如何避免这种情况发生带着这三个问题，我做了如下的工作。 二、导致这种情况发生的原因是什么？ 初步分析，曲线呈现忽高忽低的锯齿状，可能的原因是深度10mm 、20mm 的Φ1×6短横孔处在探头的近场长度以内，致使反射回波声压不按与距离成反比的规律变化，而出现这种情况。 那么斜探头在CSK-ⅢA 试块中的近场长度又是多少呢？横波声场的近场长度N 以及在第二介质中的近场长度N ’可按以下公式计算： αβπλcos cos 2s s F N = β ααβπλtan tan cos cos '122L F L N N s s -=-= 式中： F s ：波源的面积，F s =a ×b λs 2：CSK-ⅢA 试块中的横波波长 β：CSK-ⅢA 试块中的横波折射角 α：探头在有机玻璃斜楔中的纵波入射角 L 1：入射点到波源的距离 L 2：入射点到假想波源的距离 由以上公式，可以看出来，参数L 1：入射点到波源的距离，是计算出N ’的关键，那么如何求得入射点到波源的距离L 1？ 根据超声波传播的距离d=声速c ×传播时间t 。有机玻璃中的纵波声速

三极管的识别检测教学方案计划设计

《三极管的识别和检测》 教 学 设 计

江苏省靖江中等专业学校 教学设计思想 对于高职院校五年制大专电子专业的学生来讲，《电子产品的装配与调试》是一门理论与实践紧密结合的课程。这门功课是学生通向就业之路的大门，也是电子类学生必须掌握的一门专业技能课。 《电子产品的装配与调试》在专业学习中占据了比较重要的地位，但是它也是很多学生学习的难点。传统的授课方式无法满足学生的学习需要，实践性强是这门功课最显著的特点，因此，如何改变传统教学模式，围绕教、学、做为一体，项目式、一体化教学一直是我们探索和实践的方向。下面我通过三极管的识别和检测这一教学章节的具体教学实践，具体阐述我的教学思想和方案。 教学思想：采用项目引领，任务驱动的模式，通过任务驱动和教师引导让学生自主学习动手参与。 一、以“情境聚焦”激发学习兴趣 学生的学习兴趣是学生学习的动力，也是学好一门功课的基础。对于一门比较枯燥的专业课来讲，如何激发学生的学习兴趣至关重要。在设计这节课的教学环节时，所

有任务的提出都采用“情境聚焦”的方式，例如：由音乐门铃引出三极管，由实物、图片引出认识三极管。通过我们日常生活中常见的现象引出课题，同时在授课过程中多采用多媒体教学手段，以播放视频、动画等方式让学生集中注意力，这样就可以把学生的学习兴趣激发出来，让他们带着热情去了解枯燥的知识点。 二、以“项目总结”梳理学习要点 这节课的教学过程总共提出了三个学习任务及拓展任务，在每个教学环节结束，我都会根据学生看一看、听一听和做一做等学习步骤得出的结论进一步进行总结和归纳，形成学习要点。学生要做的就是掌握这些知识点并把这些知识点应用到具体的实践操作中去。 三、以“思考实践”巩固学习效果 做中学，教中做，教、做、学一体式本堂课的主要教学特点。课堂中，老师把大量的教学内容用提问的方式给出，引发学生思考，引导他们自己寻求答案，而老师只需要把他们的答案进行系统的总结归纳。学习效果的巩固则依靠操作过程来完成，真正使学生做到融学于做。 教学方案

二极管的特性与应用

二极管的特性与应用 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si 管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称

晶体二极管的主要参数

晶体二极管的主要参数： 1 电阻 ⑴直流电阻 在晶体二极管上加上一定的直流电压V，就有一对那个的直流电流I，直流电压V与直流电流I的比值，就是晶体二极管的等效直流电流。 ⑵动态电流 在晶体二极管上加一定的直流电压V的基础上，再加上一个增量电压，则晶体二极管也有一个增量电流△I。增量电压△V与增量电流△I的比值，就是晶体二极管的动态电阻，即动态电阻为晶体二极管两端电压变化与电流变化的比值。 二极管的正向直流电阻和动态电阻都是随工作点的不同而发生变化的。 普通晶体二极管反响运动时，其直流电阻和动态电阻都很大，通常可以尽是为无穷大。 2 额定电流 晶体二极管的额定电流是指晶体二极管长时间连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。在二极管连续工作时，为使PN结的温度不超过某一极限值，整流电流不应超过标准规定的允许值。 例如：2AP1 的额定电流为12mA; 2AP5为16mA；2AP9为5mA。 对于大功率晶体二极管，为了降低它的温度，增大电流，必须加装散热片。 3 反向击穿电压 反向击穿电压是指二极管在工作中能承受的最大反向电压，它也是使二极管不致反响击穿的电压极限值。在一般情况下，最大反向工作电压应小于反向击穿电压。选用晶体二极管时，还要以最大反向工作电压为准，并留有适当余地，以保证二极管不致损坏。 例如：2AP21型二极管的反向击穿电压为15V最大反向工作电压小于10V；2AP26的反向

击穿电压为150V，最大反向工作电流小于100V。 4 最高工作频率 最高工作频率是指晶体二极管能正常工作的最高频率。选用二极管时，必须使它的工作频率低于最高工作频率。 例如：2AP8BD 最高工作频率为150MHz；2CZ12的最高工作频率为3kHz；2AP16的最高工作频率为40MHz。 晶体二极管的分类： 按用途分： 检波二极管

无损检测技术工作总结(磁粉)

（MT） 北方重工业集团公司：王海岭2002年8月30日

本人于1987年7月毕业于内蒙古大学物理系，被分配到北方重工业集团公司（原内蒙古第二机械制造总厂）计量检测中心理化室工作，1998年被评聘为高级工程师，我自参加工作以来，一直从事无损检测工作，1988年5月参加了内蒙劳动人事厅举办的无损检测学习班并取得锅炉压力容器超声波探伤Ⅱ级资格证书。同年11月取得了XX行业无损检测磁粉探伤Ⅱ级资格证书，1996年取得了锅炉压力容器磁粉探伤、渗透探伤Ⅱ级资格证书。现就我自参加工作以来所从事的无损检测技术及相关技术的主要工作总结如下： 一、参加的科研工作 1、1988年-1991年，我参加了部标准WJ2022-91“XXXX磁粉探伤方法”的编制工作，并主要负责涂覆层对管材表面磁粉探伤的影响，经过大量实验，为编制该标准提供了准确的数据。该标准于1991年颁布实施。该标准是XX系统第一个无损检测标准，该项目被工厂在标准化成果评选中评为优秀成果。 2、我参加了国军标GJB2977-97“XX静态检测方法”中无损检测部分的编制工作，并负责其中的“磁粉探伤方法”的编制工作，该标准已于1997年颁布实施，并荣获部级科技进步二等奖。 3、1997年-1999年，做为主笔人我负责编制了部标准WJ2545-99“XXXX接触法超声波探伤方法”，经过总结我厂几十年对XX超声波探伤的经参考了大量的国内外先进的标准，98年通过专家审定，99年正式颁布实施。这是XX行业XXXX唯一的超声波探伤标准，该项目被评为工厂科技进步二等奖。 4、我厂军品用的厚壁管材品种多，质量要求严，只能采取超声波探伤来控制产品质量，但由于壁较厚，而且有多个台阶，无法进行纯横波探伤，以往探伤时发现缺陷无法确定位置，这给缺陷处理带来困难，我通过大量的实际探伤摸索，结合理论计算，终于找到区别横纵波的有效方法，解决了这个难题，我椐此撰写的论文“厚壁管材超声波探伤方法”1994年被刊登在“无损检测”杂志1997年上，此论文在1996年兵工学会论文评选中荣获二等奖。 5、自1999年以来，我一直负责我厂某重点工程项目理化检测设备更新改造的论证工作，我根据生产高质量军事装备的需要，结合我厂设备实际情况，作了详尽、细致的论证，经过XX工业总公司、国防科工委专家的多次审查，经国际评估公司评估，最后，我单位有包括德国SEIFERT公司X 射线工业电视改造、购置多功能磁粉探伤机、X荧光光谱仪、红外碳硫仪等12台设备（价值近一千万元）获得通过。这些项目实施后，将大大提高我厂理化检测特别是无损检测的能力，对提高我厂生产高、新XX的能力，确保XX装备产品的质量具有重要意义。 6、2002年4月，我做为国防科工委检测技术体系专家组成员，参与编制《国防科技工业检测技术体系研究报告》，该研究报告根据我国检测技术特别是我国国防科技工业检测技术现状的分析，按照现代国防科技工业发展的需要，并根据国防科技工业的特点和当前需求，建立了一个适合我国国情的国防科技工业检测技术体系并确定了重点研究方向和关键领域，确立了理化检测和无损检测技术研究为当前工作重点，该研究报告将为国防科技工业发展检测技术提供重要的决策依据。此项目已于2002年9月底完成初稿。 二、解决生产中的技术难题 在工厂军民品的实际生产中，我利用自己所学知识，结合工厂生产检验中出现的探伤技术问题，组织技术人员进行攻关，为工厂解决了许多无损检测技术难题：

光盘错误检测和校正

光盘错误检测和校正 光盘、磁盘和磁带一类的数据记录媒体一样，由于盘的制作材料的性能、盘制造生产技术水平的限制、驱动器的性能以及使用不当等诸多原因，从盘上读出的数据不可能完全正确。据有关厂家的测试和统计，一片未使用过的只读光盘，某原始误码率约为3×10－4；沾有指纹的盘的误码率约为6×10－4；有伤痕的盘的误码率约为5×10－３。针对这种情况，激光盘存储器采用了功能强大的错误码检测和纠正措施。采用的具体对策归纳起来有三种： (1) 错误检测：采用CRC(Cyclic Redundancy Code)检测读出数据是否有错。 (2) 错误校正码：采用里德－索洛蒙码(Reed－Solomon Code)，简称为RS码，进行纠错。RS码被认为是性能很好的纠错码。 (3) 交叉交插里德－索洛蒙码CIRC(Cross Interleaved Reed－Solomon Code), 这个码的含义可理解为在用RS编译码前后，对数据进行交插处理和交叉处理。 对这些码的理论分析和计算有许多专著作了详尽的深入论述，对不需要开发纠错技术的读者仅需要了解错误检测和校正的一些基本概念即可。 1 .CRC错误检测原理 在纠错编码代数中，把以二进制数字表示的一个数据系列看成一个多项式。例如，二进制数字序列10101111，用多项式可以表示成： = 式中的表示代码的位置，或某个二进制数位的位置，前面的系数a i表示码的值。若a i 是一位二进制代码，则取值是0或1。称为信息代码多项式。 在模2多项式代数运算中定义的运算规则有： 例如，模2多项式的加法和减法：

从这两个例子中可以看到，对于模2运算来说，代码多项式的加法和减法运算所得的结果相同。所以在做代码多项式的减法时，可用做加法来代替做减法。 代码多项式的除法可按长除法做。例如： 如果一个k位的二进制信息代码多项式为，再增加(n－k)位的校验码，那么增加(n －k)位之后，信息代码多项式在新的数据块中就表示成，如图13-01所示。 图13-01 信息代码结构 如果用一个校验码生成多项式去除代码多项式，得到的商假定为，余 式为，则可写成

二极管的特性与应用及英文代码含义

二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。

桥梁检测技术研究现状与发展趋势

桥梁检测技术研究现状与发展趋势 （湖北省武汉市 430070） 摘要：随着我国公路、市政桥梁事业的发展,新建高公路及市政桥梁越来越多,同时既有的许多桥梁亦逐渐进入了养护维修阶段,有关专家认为桥梁使用超过25年以上则进入老化期。桥梁在长期运营过程中不可避免会产生各种结构性损伤, 桥梁的结构承载能力和耐久性逐步降低，直至影响到桥梁的运营安全。为了保证桥梁结构的安全使用, 桥梁结构的检测工作也日益凸现出它的必要性和重要性。鉴于此，主要阐述了桥梁检测现状、桥梁检测新技术以及桥梁检测技术的发展趋势（无损伤检测技术研究）。 关键词：结构承载力；耐久性；桥梁检测；无损伤检测技术； Bridge Detection Technology Research Status and Development Rrends (School of Science，Wuhan 430070，China) Abstract: With the development of roads, municipal bridges career, More and more new high road and municipal bridges, At the same time, there are many bridges have gradually entered the maintenance phase. Experts believe that the use of bridges over more than 25 years to enter the aging period. Bridge in the long-term operation of the process will inevitably produce a variety of structural damage. The bearing capacity and durability of the bridge are gradually reduced, until affecting the operation safety of the bridge. In order to ensure the safe use of the bridge structure, The detection work of the bridge structure has also become more and more important and necessary. In view of this,the paper mainly expounds the bridge detection status, bridge detection technology and the development trend of bridge detection technology (research on non damage detection technology). Key words:structure bearing capacity; durability; bridge detection; no damage detection technology;

无损检测工作技术总结

无损检测工作技术总结 报考项目: RT 论文题目: 浅谈小径管透照布置的选择 姓名: 庞兵 工作单位: 安徽津利能源科技发展有限责任公司

浅谈小径管透照布置的选择 随着近年来电力行业趋势不断上升，射线检测作为无损检测方法的一个重要方法，射线检测在电站安装中具有与其它无损检测方法不可替代的优越性。电站锅炉主要以小口径管对接接头为主，多采用射线检测。笔者近期参与完成了***发电厂(2×1000MW)超超临界燃煤发电机组安装工程的无损检测工作，对射线检测小径管时透照位置的选择有了新的认识和理解。 1.小径管透照在实际应用中暴露的问题： 在某电厂安装项目现场抽查中发现炉管焊缝存在大量的根部裂纹（见附图一、二），而这些焊缝则是已在预制厂检测合格的焊口。为什么会造成这种现象呢？为此笔者分析了产生这种现象原因。该炉管材质为T92规格为Φ51×8mm，检测执行标准JB/T4730.2-2005，技术等级AB级，Ⅱ级合格。在预制阶段由于条件较好，所以按JB/T4730.2-2005标准规定采用椭圆成像法透照，相隔90度透照2次。在这一阶段也发现了少量的根部裂纹，但并未引起检测人员的足够重视。在炉管组装运抵现场后由于现场条件的限制没有采用椭圆成像法透照而是采用垂直透照的方法进行检测，相隔120度透照3次重叠成像，结果发现了大量的根部裂纹。为保证产品质量我们要求对所有运抵现场的炉管按用垂直透照的方法进行100%重新检测，同时要求预制厂在预制阶段也采用同样的方式进行检测。但这一要求似乎并

不完全符合JB/T4730.2-2005的规定，检测单位对此也有所顾忌。 2.小径管经常采用倾斜透照椭圆成像的原因小径管通常是指外直径Do小于或等于100mm的管子，在射线检测中倾斜透照椭圆成像通常是首选。小径管采用倾斜透照椭圆成像可以将源侧和胶片侧焊缝影像分开便于影像的评定及缺陷的定位返修，而且在大多数条件下有较少透照次数，这样既可以减少成本又可以提高检测效率保证工程进度。笔者认为小径管采用倾斜透照椭圆成像检测工艺优化的体现，是质量、费用、进度及返修难易程度相互平衡的共同结果。实践证明此方法确实是一种行之有效地透照方法，在可以实施的情况下也确应采用。垂直透照重叠成像的方法对于根部裂纹、根部未熔、根部未焊透等根部面状缺陷的检出率较高，但发现缺陷后由于分不清是源侧还是胶片侧的缺陷会对缺陷的定位返修造成不便。焊缝表面的不规则也会影像的评定造成一定的影响，此外在检测成本、检测进度上也略逊于倾斜透照，它出常常作为倾斜透照的一种补充方法加以应用。综上原因在射线检测中经常采用倾斜透照椭圆成像。 附图一

晶体管的识别与检测.(DOC)

1、检测小功率晶体二极管 A、判别正、负电极 (a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。 (b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 B、检测最高工作频率FM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。 C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2、检测玻封硅高速开关二极管 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。 3、检测快恢复、超快恢复二极管 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。 4、检测双向触发二极管 A、将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。 5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测 A、用万用表R×1k挡测量管子的好坏 对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。 对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。 6、高频变阻二极管的检测 A、识别正、负极 高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。 B、测量正、反向电阻来判断其好坏 具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k～5.5k，反向电阻为无穷大。

帧检测序列错误(FCS)

帧检测序列错误（FCS） FCS是802.3帧和Ethernet帧的最后一个字段（4字节）. 帧校验序列（FCS）是指特别的检测码字符被添加到在一个通信协议中的帧中进行检错和纠错。发送主机在整个帧中有一个检测码随着发送。接收主机在整个帧中的检测码使用相同的运算法则，并将它与接收到的 FCS 相比较。这样，它能够探测是否任何数据在运输中丢失或被改变。它可能当时丢失这个数据，和请求错误帧的重传。一个循环冗余码校验常被用来估算 FCS。 FCS 字段—包含帧的 32 位循环冗余校验 (CRC), 数据链路 层帧方式接入协议（LAPF）中的字段，是一个 16 比特的序列。它具有很强的检错能力，它能检测出在任何位置上的 3 个以内的错误、所有的奇数个错误、16 个比特之内的连续错误以及大部分的大量突发错误。 据信而泰科技的经验表明：一个符合长度但FCS错误的信息包可能有几种可能的问题。问题可能是延迟碰撞，坏的网卡或驱动器，电缆，集线器或是噪声等。一般而言，主要是物理链路层的错误引起的。比如：1、阻容匹配不合适，电阻值偏大或偏小，电容型号的匹配都会造成FCS错误的产生。还有电阻电容的错焊或者漏焊以及虚焊都容易造成这种问题。 2、PCB线路的设计问题，尤其是千兆以太网的PCB设计，千兆信号的对信号质量要求很高，如果线路排列不合理，会造成线间串扰，影响信号质量。 3、FCS错误主要发生在PHY与RJ45接口之间的链路上，所以出

现FCS错一定需要排查PHY与RJ45之间的错焊、漏焊、虚焊等问题。 4、在一些设备生产厂遇到FCS错误出现的问题，也可能是由于使用的物理连接介质质量太差造成的（千兆以太网对网线的要求至少是超5类线缆），还包括RJ45的水晶头的制造（制作）工艺。 5、FCS错误的出现，我们可以通过使用以太网测试仪来检测到，通过强压力的冲击，容易暴露一些错焊，虚焊的问题。 如果有1%以上的帧是FCS错误就必须作为严重问题来对待。因为它严重影响网络的吞吐量。

第四章 晶体二极管与晶体三极管复习课程

第四章晶体二极管与晶体三极管 本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在 电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。 第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法 一、中华人民共和国国家标准（GB249-74） 国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。 表4-1 国标半导体器件型号命名方法

例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即 ３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 三、日本半导体器件型号命名方法 表4-3 日本半导体器件型号命名方法 第二节半导体器件的外形识别

一、晶体二极管的外形识别 1.晶体二极管的结构与特性 定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。所以，二极管实际就是一个PN结。电路图中文字表示符号为用V表示。 基本结构：PN结加上管壳和引线，就成为了半导体二极管。 图4-1 二极管的结构和电路符号 二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图4-2所示。 1）正向特性 当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。

无损检测工作技术总结

无损检测工作技术总结 （MT） 江苏省淮安特种设备安全监督检验中心 二OO 五年五月

工作技术总结 我于1982 年毕业于沈阳冶金机械专科学校焊接专业毕业后一直在淮安锅炉压力容器检验所工作，主要从事锅炉压力容器检验和无损检测工作，1991 年取得射线高级资格，任检验所无损检测责任工程师。 参加工作以来，时刻不忘向身边的老同志学习，以提高自己的专来知识和业务能力，利用一切机会扩大自己的知识面，充实自己的理论知识和实践经验。经过多年的学习，专业水平有了明显的提高，编制了所里的无损检测专用工艺规程和几种工艺卡，校验仪器，同时也能带领一批人进行技术探讨。发表过《管子全位置下向焊焊接工艺要求及操作要点》、《锅炉汽泡裂纹的检测和产生原因分析》、《硫化罐罐圈与筒体焊缝裂纹产生原因分析及处理》等论文。 面就以我们工作中采用弧焊电源作为磁粉探伤电源的经验。

弧焊电源在磁粉探伤中的应用 一、前言 磁粉探伤有检测铁磁性材料表面及近表面缺陷灵敏度高，速度快，成本低等优点，是无损检测的专业单位、锅炉压力容器检验单位拥有的常规检测手段之一，但多数检验单位，特别是锅炉压力容器检验单位以检验焊缝为主，配备的磁粉探伤设备是以单磁轭和交叉磁轭，很少有触头式磁粉探伤机。随着其它行业对设备的安全性、可靠性、减少大修保养次数等要求，无损检测等越来越受到重视，检测部位不再是焊接接头，因此要求检测人员掌握探伤原理利用可用资源拓展检测范围。如将弧焊电源作为磁粉探伤电源。 二、弧焊电源特点 几乎所有企业都有电弧焊设备，其输出的电流有交流和直流两种，由于电弧燃烧特性，为使电弧稳定燃烧要求弧焊电源有陡降的外特性。一定的短路电流，并全在一定范围内连续可调。为保证焊机在规定温度下安全运行，焊机有一个额定载的参数Z%。国家标准规定以5分钟为一个周期，额电流下额定暂载率为60%。 当用焊机作为磁粉探伤电源时，一般都在短路状态下工作，焊机的短路 电流约为额定电流的1.6 倍，此时允许的暂载率为： I i ――额定电流乙一一额定暂载率 I d――短路电流Z2――短路时暂载率 经计算Z2?23%,可以在5分钟内工作1分钟，能满足磁粉探伤的要求。常用焊机参数为：直流焊机：

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 （1）鉴别正负极性 机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源，r 为等效内阻，I 为被测回路中的实际电流。由图可见，黑表笔接表内电源的正端，红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档，并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示，即红表笔接二极管的负极，而黑表笔接二极管的正极，则二极管处于正向偏置状态，因而呈现出低电阻，此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之，若将红表笔接二极管的正极，而黑表笔接二极管的负极，则二极管被反向偏置，此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 （2）测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，可测得二极管的正向电阻，此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小，则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大，表明管子已断路；反之，二者都为零，表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 （1）判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间，分别是两个PN 结，而PN 结的反向电阻值很大，正向电阻值很小，因此，可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极，然后将红表笔先后接其余两个极，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的为NPN 型管子基极，如图所示，若测得电阻都很大，则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小，则黑表笔所接的电极不是三极管的基极，应另接一个电极重新测量，以便确定管子的基极。

检验方法选择错误

医学统计学论文错误辨析报告 论文一：陈宁勇,周英,董勤,周春祥.针刺治疗高血压病的疗效观察[J].针刺研究,2010,06:462-466. 【错误一】作者对上表采用的统计学方法是X2检验，这是错误的。该资料属于单项有序的RXC表，属于等级资料，对于等级资料科采用Ridit分析或秩和检验，而不应用RXC的X2检验，RXC表的X2检验只能两组内部构成是否相同或频数的分布是否相同，不能检验疗效有无差别。所以对上表采用的正确方法应该是Ridit分析或秩和检验。【正确做法】单项有序行×列表应使用秩和检验。 （1）建立假设： H0：两组临床疗效分布相同； H1：两组临床疗效分布不同。取α=0.05。 （2）计算： 1）编秩：将两组数据按等级顺序由小到大统一编制。 2）求各组秩和 3）得出结论

论文二：陈宁勇,周英,董勤,周春祥.针刺治疗高血压病的疗效观察[J].针刺研究,2010,06:462-466. 【错误二】只是简单提到“差异均无统计学意义”，并没有详细说明组间基线资料的均衡性检验如何操作。 【正确做法】详细说明组间基线资料的均衡性检验，给出具体的统计量以及P值。 论文三：张海荣,赵红.醒脑开窍针刺法治疗高血压合并中风临床观察[J].上海针灸杂志,2012,08:550-552. 【错误三】对计量资料应当根据是否符合正态分布而采用不同的描述方法，符合者一般采用“均数±标准差”或“均数±标准误”表示，而不符合者则采用中位数和四分位间距来进行表示，不按上述规定进行描述者均属于错误描述。文中对于平均年龄，平均病程等计量资料未经正态性检验而直接将数据描述成“均数±标准差”或“均数±

MT无损检测工作技术总结

无损检测技术工作总结 （MT） 何建红 南京佳业检测工程有限公司 二O一二年六月

技术工作总结 我于2000年毕业于湖南省劳动人事学校无损检测技术与应用专业，毕业后一直坚持自学，在2008年取得由湖南大学主考的机电一体化工程专业大专文凭。从2002年到2007年这五年里，我在广东华泰检测科技有限公司茂名项目部工作，主要从事板材、管材入库检验中的无损检测工作部分以及压力管道安装无损检测。2007年2月至2009年2月，在海南赛福特检测科技有限公司工作，主要负责化工设备安装的无损检测管理工作。2009年3月至2009年8月，任岳阳市长达无损检测有限公司南宁项目部技术负责人，参与了上十台1000M3以上球形储罐的超声、磁粉检测工作。2009年9月至今任南京佳业检测工程有限公司UT检测责任师，全面参与了扬子-巴斯夫二期A3区的RT检验和公司的UT检测质量管理工作。 参加工作以来，时刻不忘向身边经验丰富的前辈学习，以提高自己的专业知识和业务能力，利用一切机会扩大自己的知识面，充实自己的理论知识和实践经验。经过多年的学习，专业水平有了一定的提高，也积累了一些射线检测的工作经验。 下面就我在1000M3液化石油气球罐定期开罐检验时，用浮排代替脚手架时，做罐内表面磁粉检测方面的技术认识进行一些总结，恳请老师指导。 一、背景概述 根据TSG R0004-2009《固定式压力容器安全技术监察规程》的规定，压力容器一般应当于投用3年内进行首次全面检验，即使是安全状况等级最好的压力容器，一般每6年也要进行一次全面检验。而每次全面检验，置换、清洗、喷砂除油漆、搭脚手架等等，工作量非常大。特别是罐内脚手架的搭设，由于下人孔离地面的高度不大，搭设脚手架的钢管进出很不方便，再加

无损检测工作实习总结文档2篇

无损检测工作实习总结文档2篇Summary document of NDT practice

无损检测工作实习总结文档2篇 小泰温馨提示：工作总结是将一个时间段的工作进行一次全面系统的总检查、总评价、总分析，并分析不足。通过总结，可以把零散的、肤浅的感性认识上升为系统、深刻的理性认识，从而得出科学的结论，以便改正缺点，吸取经验教训，指引下一步工作顺利展开。本文档根据工作总结的书写内容要求，带有自我性、回顾性、客观性和经验性的特点全面复盘，具有实践指导意义。便于学习和使用，本文下载后内容可随意调整修改及打印。 本文简要目录如下：【下载该文档后使用Word打开，按住键盘Ctrl键且鼠标单击目录内容即可跳转到对应篇章】 1、篇章1：无损检测工作实习总结文档 2、篇章2：无损检测实习总结文档 篇章1:无损检测工作实习总结文档 来公司已有三个月的时间了，回顾这三个多月的工作， 我总结了以下几点。 首先，我要诚挚的感谢公司领导给我进入公司的机会， 让我能继续从事无损检测这个行业。自从我进入公司，在领导的关怀与照顾下，让我感觉有家的温暖，使我倍受感动的同时也对在公司的工作有了很大的信心与动力，也使我坚信在公司

领导的带领下，公司会不断的发展壮大，公司的发展前景一片光明。 其次是对这几个月工作的总结。自从我到公司以来，在公司领导的安排指导下，大家齐心协力建立起了暗室等办公场所，为公司的正常运行打下了坚实的基础。7月份环评工作已正式结束，在公司各级领导和同事的共同努力下，取证工作已圆满结束，这项证件的取得，使公司取得了质的进展。由于公司领导组织专业知识的学习，我也逐步的加深了对专业知识的了解和掌握，在不断的实践中，理论与实际相结合，不断的学习新的知识，积累工作经验，以便在以后的工作能更加得心应手。 再次是对下半年工作的计划。下半年公司的工作重心是特种设备检验检测资质体系认证的取得。在此期间，努力的做好自己的工作，仔细阅读公司纲领性文件，不断加深专业知识的学习，使自己成为一个更加专业的无损检测人员。相信在公司领导和同事的共同努力下，这项资质证件的申办一定能取得圆满的结果。 最后，作为公司的一名员工，我会踏踏实实的做好自己的本职工作，维护好公司的形象，跟随公司发展的步伐，不断的进步，相信我们的公司也会越来越好，越做越大!

基于胶体金技术快速检测试纸条的错误信号的处理

基于胶体金技术快速检测试纸条的错误信号的处 理 2015-10-15 00:00 来源：点击次数：关键词：基于胶体金技术快 速检测试纸条错误信号处理 对错误信号的处理和检测操作的优化的系统化处理方法的导 言。 在近些年来，体外诊断产业（IVD）增加了巨大的投入来开发基 于膜技术的快速检测试纸条。类似的的检测已经应用在临床和非临 床领域。在早期的论文中已有一篇是关于这些方法得到广泛应用的 综述。 虽然基于膜技术的快速检测试纸条是相当简单的，但是此方法 的实行的效果依赖于大量的关键参数，在《体外诊断技术》的早期 论文中已经探讨了金标液（gold conjugate）的质量和与膜结合的 蛋白捕捉的方式的重要性。此篇论文探讨了导致产生假阳性和假阴 性信号的错误的检测操作的可能原因，并且提供了一套解决此类问 题和优化检测效能的系统方法。虽然此文章是有针对性地说明了胶 体金检测技术中的相关问题，但是在胶乳检测技术中也能发现类似 的问题。为了避免重复，我们假定读者熟悉快速检测技术的机理和 快速检测试剂的基本特性——尤其是抗体、金标粒子、硝酸纤维素 膜、结合垫、样品垫和吸收垫——并且熟悉检测中用于处理不同试 纸条和硝酸纤维素膜的各种化学试剂。对于不熟悉这些概念的读 者，在其他文章里已经对此进行了详细的解释。

假阳性结果和假阴性结果的特征 假阳性结果是样品中没有待检测物时在检测带上出现了一条彩线（对于金标而言是红线）。这条线可能在检测的初期或在一段明显的时间延迟之后出现。假阴性结果是有可检的阳性样品时在抗体捕捉点上没有出现一条可见的线。 假信号可能在许多种样品中发生，也可能仅仅发生在一种特定类型或来源的样品中。这个问题可能出现于一个单独检测批次的每个样品，也可能仅仅发生于一个样品检测中随机数量的检测带。后一种情况说明了对于整个操作而言在进行下一步前进行每个步骤时对大量检测带的处理的重要性。甚至在整个操作水平时从标准阴性样品中也可能发现假阳性结果，同样对于标准阳性样品亦是如此。由于批次检测失败后的巨大的成本损失，因此在进行达到大量产生前对假阳性和假阴性结果准确判断和产生原因的了解是必要的。 假阳性和假阴性信号的产生有许多不同的原因。这些信号可能由样品或由检测技术本身的设计缺陷和操作不当引起。我们可以通过在研制时的每个步骤进行彻底的、反复的大量的检测装置的试验可以消除产生假信号的潜在因素。 图 1 在抗体和一个胶体金颗粒之间的结合力 当进行检测时，假阳性或假阴性结果产生的原因有时是由信号的观测产生，也可能由于流动相的特征导致假信号的产生。然而，

实验一晶体二极管特性分析

实验一实验报告 实验名称：晶体二极管特性分析 实验目的： 1.熟悉仿真软件MULTISIM的使用，掌控基于软件的电路设计和仿真分析方法； 2.熟悉PocketLab硬件实验平台，掌握基本功能的使用方法； 3.通过软件仿真和硬件实验验证，掌握基本二极管的基本特性。 实验内容： 一．仿真实验 1.根据如图所示电路，在Multisim中进行仿真分析，得到二极管的伏安特性。 仿真任务：二极管选取型号 1N3064，对直流电压源V1进行DC扫描，扫描范围0~1V，步长0.01V，测量二极管中的电流，得到二极管的伏安特性曲线。 仿真设置：Simulate->Analyses->DC Sweep，设置电压扫描范围和输出变量。 实验结果： 在软件中绘得电路图如下：

对直流电压源V1进行DC扫描，得到二极管的伏安特性曲线如下： 实验结论： 1)在V1电压很小的情况下，二极管不导通。 2)该二极管的导通电压大约为0.7V. 3)导通后二极管呈现低阻性，截止时为高阻性。 2.根据如图所示的半波整流电路，在Multisim 中进行仿真分析，得到输出电压随不 同参数的变化情况。 仿真任务及分析方法： a.固定输入信号频率50HZ,振幅5V，直流电压0V,负载电容C1=10uf,改变负载电阻， 采用Agilent 示波器观察输入输出波形，测量输出电压的平均值和纹波电压，完成表1-1。 b.固定输入信号频率50HZ,振幅5V，直流电压0V,负载电阻R1=10K欧,改变负载电阻， 采用Agilent 示波器观察输入输出波形，测量输出电压的平均值和纹波电压，完成表1-2。 c.根据仿真实验数据，给出输出电压的平均值和纹波电压与负载电阻和负载电容的相 互关系。 仿真设置方法： 1）双击信号源设置输入信号，双击示波器观测波形。 2）Simulate->run 3）Simulate->Analyses->Transient Analysis 实验结果：