SBP三极管调试

采用SBP系列三极管的电子镇流器

调试步骤

用SBP系列三极管直接替换原灯三极管(DKXX、130XX)，对大部分节能灯而言，都会出现灯管难点亮或点不亮、点亮后，功率比原灯低，三极管温度偏高，甚至出现损坏三极管现象。出现这些情况，是因SBP系列三极管比DKXX、130XX常规三极管开关速度快，输入结电容小，需要更大的驱动电流这一原因所致。因此，要想更充分地发挥该类三极管的优越性能，应按照以下步骤，重新进行调试：

一必备调试仪器：

1 两个250V-500W调压器，串联使用，使220V电源可升到280V左右。

2 万用表一个或电子镇流器专用电量测量仪一台，以便测定电压、电流和镇流器的有关其他数据。

3 数字或指针温度显示仪一个，用来测量三极管的温升情况。

（另外，可到计算机配套市场买一种声卡用的四线插头，将该线焊在三极管位置上，插、拨三极管，减少焊接工作。）

二用以上仪器测出原电子镇流器的有关数据做为调试参考：

1 测出在220V电压下，原灯的工作电流、功率、功率因数等参数，作为将来调灯检验标准。

2 测出该灯在低压、冷态（常温）启动情况，既最低启动电压。

3 测出该灯在高压、热态启动情况。（不超过250V，以防未测先坏。）

4 分别测出该灯在170V、220V、250V工作五分钟后的三极管温升情况。

三电路调试：

进行调试时，为了更好地把握三极管特性及与之相匹配的电子镇流器参数，应遵循由浅入深的规则，即：（1）先做整体，大方向的初调；（2）再进行细致、全面的综合调试；（3）最后再做一次微调。

A 初调：

1 换上SBP系列三极管。（以下以SBP11为例。）

2 用调压器逐渐从0V加到220V（可再高），（注意：不要直接接通220V），观察启动情况：

(1)若难启动，可用手轻触灯管，感应启动；

(2)若不启动，可将磁环初级线圈减少1-3圈；

(3)若还不能启动，可将磁环次级线圈增加1-2圈；

(4)若不能用加次级、减初级线圈的方法来解决启动问题的话（如温度上升过高）,可适当减少谐振电容的容值，如将10n换成8n2或6n8; 4n7、3n3、2n7改成2n2 等，视其情况而定。

一般来说，双U、3U或4U节能灯，其谐振电容值较小，选2n2到4n7之间的值较合适，而环型灯或直管灯30-40W镇流器其谐振电容值较大，选择4n7到8n2之间的值较合适。

注意：因电路正在初调阶段，不可直接加入220V电压，以防电路参数不匹配，导致烧坏。

3 在进行上边第2项实验时，要密切注视三极管的温度变化情况，这就是测温。初调过程，温度要求是在220V电压的情况下，三极管温升不超过200C为准（以当前环境温度为基础）。

若220V电压下点亮灯管时，三极管温升超过200C或持续上升时，可将移相电容的容值适当减小，如3n3改成2n2或1n5或1n0，视其温度情况进行调节。

一般来说，双U、3U、4U节能灯其移相电容值较小，一般选择在2n2到1n0之间；环型或直管30-40W镇流器其移相电容值较大，一般选择在2n2到4n7之间。

B 综合调试：

经过初调，220V时启辉、三极管温升等主要参数达到基本要求；但并不是理想参数。因此要结合高、低压启辉情况，高、低压工作时三极管温升情况和高、低压冷热冲击情况来进行综合调试，调试时应注意以下几点内在联系：

a）触发型电路及普通完整电路调试时应有的概念：

1 减小基极、发射极电阻、谐振电容值，加大泄放电容值、加次级线圈，减初级线圈时，启辉性能会变好，但三极管温度可能比较高（指180V到260V其间的三极管温度）。

2 增大基极、发射极电阻、谐振电容值，减小泄放电容值、减次级线圈，加初级线圈时，启辉性能会变差（或无法正常启动），但三极管的温度比较低（指180V 到260V其间的三极管温度）。

b)特殊电路，如双电解延时启动电路的不完整电路，加次级、减初级线圈时，启辉与上边刚好相反（主要是可能停振），其它则都相同。

在上边的调试基础上，想要高压开关时不崩三极管，关键要调节磁环初、次级线圈的比数，调节过程中，开关电压要从220V、230V、240V……280V逐步加压，进行开关实验，直到280V时开关能正常通过为止。

掌握好上边几点关系，调试实验时要相互兼容，反复实验，调出一个比较理想的参数。即：保证启辉电压不高于130V（最好110V以下，以保证在低温下（0℃以下）、或高温时（80℃以上），当磁环、电感磁特性、灯管参数变化时，仍能正常启动；保证工作电压在170V-250V内，灯正常工作时，三极管温升不超过100C（外测）；保证250V-280V之间能正常启辉工作。

在以上三个保证的基础上，才能进行模拟批量开关实验。即：280V电压下连续插30-50对三极管，进行开关时应无一损坏。否则就重新调试。重调时，可适当放宽三极管温升要求，即：不一定要求三极管温度必须要达到最低程度，以保证高压（280V）开关无损坏。

C 微调：

1 用上面确定的参数来点亮第二只相同的节能灯，在两只节能灯的对比之中，观察两灯的差别，找出其温度、启辉有不完善的地方，然后视其某一方面，将三极管b、e或be间的电阻做小范围的更改，一般而言基极选用5.1-10Ω、发射极选用0.5-1.5Ω，be间与二极管相串的电阻选用5.1-10Ω为好。

2 在最后确定了参数以后，若嫌功率小，可将电感磁芯采用加厚垫片的方法来提高2-3W的功率，这对于新参数不会产生什么大的影响。（功率大小根据厂家自已决定。）

四对于采用SBP系列其它三极管替换相应的双极型三极管时可参照上面方法进行，基本类似。

五模拟新参数说明举例：（注意一个“减”的趋势）

1 三极管换成SBP系列三极管。（SBP11、SBP13等）

2 磁环线圈L1：L2：L3由2：2：9改成3：3：6

3 基极电阻由22Ω改成10Ω，发射级电阻由3.3Ω改成1.0Ω

4 移相电容（一般为C2）由630V/2n2改成630V/1n0

5 调节电感量（加垫片）可适当增加2-3W功率

六在采用SBP系列三极管生产时，对于磁性材料的一致性要求比较严格：不应有大的差值。

由于在电子镇流器中，磁环与磁芯的磁特性对镇流器影响较大，因此，选择时材料时要尽量的一致。在调试完毕后，进入生产时，生产所用的磁性材料，应与所做灯的原材料为同一规格。若有所变动，为了保证电子镇流器的质量，原则上应重调电路、重订参数。一个电子镇流器中元件不多，但元件与元件之间相互影响、相互制约、尤其是目前的无保护的简易电子镇流器。为了保证电子镇流器的生产质量，当某一元件改变时，或灯管选用不同管电流的产品时，应对电路参数进行一次考核检验。

三极管输入输出特性测试(—)

电路分析实验报告 三极管输入输出特性测试（—） 一、实验摘要 通过对三极管输入回路和输出回路电压和电流的测量，得到三极管的输入特性和输出特性数据。 二、实验环境 三极管电阻电位器直流电源万用表 三、实验原理

三极管外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。 四、实验步骤 在面包板上搭建电路 设定直流电源输入/输出电流和 5v 0.1A 0V/1V/2V 0.1A 电压 调节电位器改变分压 记录电压电流得到三极管特性曲线

五、实验数据 VCE=0V V/v 0.5 0.625 0.628 0.648 0.652 0.659 0.664 0.706 I/A 0.00337 0.04928 0.06074 0.1208 0.14025 0.17675 0.20929 0.84831 VCE=1V V/v 0.613 0.755 0.756 0.763 0.773 0.779 0.784 0.788 I/A 0.00709 0.5514 0.61795 0.6531 0.7683 0.7836 0.85145 1.14519

VCE=2V V/v 0.757 0.762 0.774 0.781 0.783 0.786 0.791 0.793 I/A 0.54868 0.58846 0.86204 0.9535 1.10292 1.55215 1.56623 2.48202 六、实验总结 在本次实验中了解到了三极管的输入特性和输出特性以及 三极管的特性曲线。但是自己数据取的不好，特性图画出来不是很好。

几种常用的光耦反馈电路应用

几种常用的光耦反馈电路应用

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在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。而且在很多场合下，由于对光耦的工作原理理解不够深入，光耦接法混乱，往往导致电路不能正常工作。本研究将详细分析光耦工作原理，并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。 1 常见的几种连接方式及其工作原理 常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。这里以TLP521为例，介绍这类光耦的特性。 TLP521的原边相当于一个发光二极管，原边电流If越大，光强越强，副边三极管的电流Ic越大。副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大系数，该系数随温度变化而变化，且受温度影响较大。作反馈用的光耦正是利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈，因此在环境温度变化剧烈的场合，由于放大系数的温漂比较大，应尽量不通过光耦实现反馈。此外，使用这类光耦必须注意设计外围参数，使其工作在比较宽的线性带内，否则电路对运行参数的敏感度太强，不利于电路的稳定工作。 通常选择TL431结合TLP521进行反馈。这时，TL431的工作原理相当于一个内部基准为2.5 V的电压误差放大器，所以在其1脚与3脚之间，要接补偿网络。 常见的光耦反馈第1种接法，如图1所示。图中，Vo为输出电压，Vd为芯片的供电电压。com信号接芯片的误差放大器输出脚，或者把PWM 芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式，com信号则接到其对应的同相端引脚。注意左边的地为输出电压地，右边的地为芯片供电电压地，两者之间用光耦隔离。 图1所示接法的工作原理如下：当输出电压升高时，TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压上升，3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降，光耦TLP 521的原边电流If增大，光耦的另一端输出电流Ic增大，电阻R4上的电压降增大，com 引脚电压下降，占空比减小，输出电压减小；反之，当输出电压降低时，调节过程类似。 常见的第2种接法，如图2所示。与第1种接法不同的是，该接法中光耦的第4脚直接接到芯片的误差放大器输出端，而芯片内部的电压误差放大器必须接成同相端电位高于反相端电位的形式，利用运放的一种特性——当运放输出电流过大(超过运放电流输出能力)时，运放的输出电压值将下降，输出电流越大，输出电压下降越多。因此，采用这种接法的电路，一定要把PWM 芯片的误差放大器的两个输入引脚接到固定电位上，且必须是同向

三极管的测量方法

三级管的在路测量，(1).NPN管的电压正常是：VC＞VB＞VE.其中PN结电压是0.5V左右,也就是:VB＞VE的电压是0.5V,明显大于2V或者VB∠VE,三极管是损坏,(注: VC的电压大小是不固定的,看这个管的承受多大的内压) (2).PNP管的电压正常是：VE＞VB＞VC. 其中PN结电压是0.5V左右, 也就是: VE＞VB 的电压是0.5V,明显大于2V或者VE∠VB, 三极管是损坏,( VC的电压大小是不固定的,看偏置电路是要多大的电压,但一定适上面的VE＞VB＞VC电压的大小) 2.拆下来时的三极管测量(R＊1K档来测量) 根据PN结的原理:和二极管一样,正向电阻一边用万用表测是相通,对调红.黑笔反向来测是不通.拆下来时的三极管,(1) NPN管:任意测三极管的两个脚,当发现固定黑笔接的一脚不动,用红笔分别接另外两脚时,万用表的指针摆动,电阻是相同.反过来对调表笔,红笔固定的一脚不动,用黑笔分别接另外两脚时,万用表的指针不摆动,电阻是无穷大.哪确定;固定的一脚确定是b极(坏的三极管是对调表笔也是相通的) . (2) PNP管:任意测三极管的两个脚,当发现固定红笔接的一脚不动, 用黑笔分别接另外两脚时,万用表的指针摆动,电阻是相同.反过来对调表笔,黑笔固定的一脚不动, 用红笔分别接另外两脚时,万用表的指针不摆动,电阻是无穷大.哪确定;固定的一脚确定是b极 3(确定C极和E极) 三极管好坏的判断(R＊10K档来测量) （1）(确定C极和E极) NPN好坏的判断：上面已确定了B极，R＊10K档来测量.用黑笔和红笔分别接触另外两极,保持红笔和黑笔现在状态不变用手指捏b极+红笔接的一极,发现指针摆动的幅度大,放大倍数大,黑笔接的是c极,红笔接的是e极(坏的三极管，用万用表的R＊10K档来测量．红，黑笔测量c．e极，接法和二极管测量相同，一边相通，对调表笔另一边是不通,例如;R＊10K档的黑笔接C极红笔接E极指针摆动一点,说明是漏电损坏．经验总结：如果是好的三级管，用万用表的R＊10K档来测量c．e电阻一边不通,极笔对调后，另一边是相通的有电阻，电阻大的和原来没有用过的同型号的三极管对比.B极E极输出电压偏低的. (2) (确定C极和E极) PNP好坏的判断 R＊10K档来测量.用黑笔和红笔分别接触另外两极保持红笔和黑笔现在状态不变用手指捏b极+黑笔接的一极，同时捏两极,发现指针摆动的幅度大,放大倍数大,黑笔接的是e极,红笔接的是c极(坏的三极管，用万用表的R＊10K档来测量．红，黑笔测量c．e极，接法和二极管测量相同，一边相通，对调表笔另一边是不通,例如:R＊10K档的黑笔接E极红笔接极

如何测量三极管的好坏

下面是三极管的架构以及在电路图中的各种标识方法

万用表打到二极管档(蜂鸣档)对三极管测量时...首先我们要确定哪只脚是b极.于是用红表笔接触其中任意一只脚不动.用黑表笔去接触另外两只脚.如果能够测得两组相近且小于1的数字.说明此时红笔接触的就是b极.如果测得两组数字不相近..那说明此时红笔接触的不是b极..应把红笔换一只脚..黑笔去测另外两只脚...直到找到b极为止...假设我们知道哪只脚是b极...怎样去判断另外两只脚c极和e极呢？如下图:

图中红笔为b极.黑笔在另外两脚分别没得两组相近的数据..其中有一组数据会稍微大一点...此脚即为e极.小的那脚则为c极....并且我们知道此管为NPN三极管.因为红笔在b 极! 而对于PNP型三极管的测量方法也一样...只不过是黑表笔在b极..红笔接触另外两脚能测得两组相近的数据.,如下图: 下面是对场效应管的测量方法 场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管. 下图为MOS管的标识

我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。。。不管是N沟道还是P沟道都一样。。。把芯片放正。。。从左到右分别为G极D极S极!如下图: 用二极管档对MOS管的测量。。。首先要短接三只引脚对管子进行放电。。。 1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..

2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1. 3红笔移回到S极.此时管子应该为导通...

三极管的判断方法

三极管的判断方法一，三极管类型

1. 先判定基极b(一般中间的就是)：先假定一个管脚是b，把 红表笔接这个b，用黑表笔分别接触另两个管脚，测得或者都是高阻值时，说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极，所以 当测得都是低阻值时，b是N型材料， 两端是P型材料，就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时，b是P型材料， 两端是N型材料，就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b，但另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c 极，红表笔接假设的e极，万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce；之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致，所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e，红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量：先转动开关至晶体管调节 Adj位置上，将红黑测试笔短接，调节欧姆调零电位器，使指针对准300hFE刻度线上，然后转动开关到hFE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内，指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座，P型插入P型插座。 5.

(整理)常见光耦电路

常见光耦电路 光电耦合器具有体积小、使用寿命长、工作温度范围宽、抗干扰性能强．无触点且输入与输出在电气上完全隔离等特点，因而在各种电子设备上得到广泛的应用．光电耦合器可用于隔离电路、负载接口及各种家用电器等电路中．下面介绍最常见的应用电路． 1.组成开关电路 图1电路中，当输入信号ui为低电平时，晶体管V1处于截止状态，光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零，输出端Q11、Q12间的电阻很大，相当于开关“断开”；当ui为高电平时，v1导通，B1中发光二极管发光，Q11、Q1 2间的电阻变小，相当于开关“接通”．该电路因Ui为低电平时，开关不通，故为高电平导通状态．同理，图2电路中，因无信号(Ui为低电平)时，开关导通，故为低电平导通状态．

2．组成逻辑电路 图3电路为“与门”逻辑电路。其逻辑表达式为P=A．B.图中两只光敏管串联，只有当输入逻辑电平A=1、B=1时，输出P=1．同理，还可以组成“或门”、“与非门”、“或非门”等逻辑电路． 3．组成隔离耦合电路 电路如图4所示．这是一个典型的交流耦合放大电路．适当选取发光回路限流电阻Rl，使B4的电流传输比为一常数，即可保证该电路的线性放大作用。 4．组成高压稳压电路

电路如图5所示．驱动管需采用耐压较高的晶体管(图中驱动管为3DG27)。当输出电压增大时，V55 的偏压增加，B5中发光二极管的正向电流增大，使光敏管极间电压减小，调整管be结偏压降低而内阻增大，使输出电压降低，而保持输出电压的稳定． 5.组成门厅照明灯自动控制电路 电路如图6所示。A是四组模拟电子开关（S1~S4）：S1，S2，S3并联（可增加驱动功率及抗干扰能力）用于延时电路，当其接通电源后经R4，B6驱动双向可控硅VT，VT直接控制门厅照明灯H；S4与外接光敏电阻Rl等构成环境光线检测电路。当门关闭时，安装在门框上的常闭型干簧管KD受到门上磁铁作用，其触点断开，S1，S2，S3处于数据

如何检测三极管的三个极

如何检测三极管的三个极 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型), 并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧 至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被 测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为 内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。 三极管的管型及管脚的判别 为了迅速掌握测判方法，结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面进行解释。 一、三颠倒，找基极 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管； 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位，红表笔正，黑表笔负。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的

晶体管特性图示仪测试

XJ4810晶体管特性图示仪说明书 晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。 图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮

光耦反馈常见几种连接方式及其工作原理

光耦反馈常见几种连接方式及其工作原理 来源：互联网?作者：佚名? 2017-11-07 14:12 ? 23793次阅读 在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光 耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。而且在很 多场合下，由于对光耦的工作原理理解不够深入，光耦接法混乱，往往导致 电路不能正常工作。本研究将详细分析光耦工作原理，并针对光耦反馈的几 种典型接法加以对比研究。 1、常见的几种连接方式及其工作原理常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。这里以TLP521为例，介绍这类光耦的特性。TLP521的原边相当于一个发光二极管，原边电流If越大，光强越强，副边三极管的电流Ic 越大。副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大 系数，该系数随温度变化而变化，且受温度影响较大。作反馈用的光耦正是 利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈，因此在环境温度变 化剧烈的场合，由于放大系数的温漂比较大，应尽量不通过光耦实现反馈。 此外，使用这类光耦必须注意设计外围参数，使其工作在比较宽的线性带内，否则电路对运行参数的敏感度太强，不利于电路的稳定工作。 通常选择TL431结合TLP521进行反馈。这时，TL431的工作原理相当于 一个内部基准为2.5V的电压误差放大器，所以在其1脚与3脚之间，要接 补偿网络。常见的光耦反馈第1种接法，如图1所示。图中，Vo为输出电压，Vd为芯片的供电电压。com信号接芯片的误差放大器输出脚，或者把PWM芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式，com 信号则接到其对应的同相端引脚。注意左边的地为输出电压地，右边的地为 芯片供电电压地，两者之间用光耦隔离。图1所示接法的工作原理如下：当输出电压升高时，TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压 上升，3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降，光耦TLP521的原 边电流If增大，光耦的另一端输出电流Ic增大，电阻R4上的电压降增大，

三极管的检测及其管脚的判别

三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极（B极）。

图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知，对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，看图3。对于PNP管，当黑表笔（连表内电池负极）在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0.5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数（一般为1）。对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。

图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)

图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了，甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性，我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上，BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母。读数，再把它的另二脚反转，再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E 极。学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速。 图5万用表上的hFE档

光电二三极管特性测试实验报告分解

光敏二极管特性测试实验 一、实验目的 1.学习光电器件的光电特性、伏安特性的测试方法； 2.掌握光电器件的工作原理、适用范围和应用基础。 二、实验内容 1、光电二极管暗电流测试实验 2、光电二极管光电流测试实验 3、光电二极管伏安特性测试实验 4、光电二极管光电特性测试实验 5、光电二极管时间特性测试实验 6、光电二极管光谱特性测试实验 7、光电三极管光电流测试实验 8、光电三极管伏安特性测试实验 9、光电三极管光电特性测试实验 10、光电三极管时间特性测试实验 11、光电三极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电二三极管综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1个 4、电源线 1根 5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1、概述

随着光电子技术的发发展,光电检测在灵敏度、光谱响应范围及频率我等技术方面要求越来越高，为此，近年来出现了许多性能优良的光伏检测器，如硅锗光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD）等。光敏晶体管通常指光电二极管和光电三极管，通常又称光敏二极管和三敏三极管。 光敏二极管的种类很多，就材料来分，有锗、硅制作的光敏二极管，也有III－V族化合物及其他化合物制作的二极管。从结构我来分，有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点接触型等。从对光的响应来分，有用于紫外光、红外光等种类。不同种类的光敏二极管，具胡不同的光电特性和检测性能。例如，锗光敏二极管与硅光敏二极管相比，它在红外光区域有很大的灵敏度，如图所示。这是由于锗材料的禁带宽度较硅小，它的本征吸收限处于红外区域，因此在近红外光区域应用；再一方面，锗光敏二极管有较大的电流输出，但它比硅光敏二极管有较大的反向暗电流，因此，它的噪声较大。又如，PIN型或雪崩型光敏二极管与扩散型PN结光敏二极管相比具有很短的时间响应。因此，在使用光敏二极管进要了解其类型及性能是非常重要的。 光敏二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结。与光电池相比，它的突出特点是结面积小，因此它的频率特性非常好。光生电动势与光电池相同，但输出电流普遍比光电池小，一般为数微安到数十微安。按材料分，光敏二极管有硅、砷化铅光敏二极管等许多种，由于硅材料的暗电流温度系数较小，工艺较成熟，因此在实验际中使用最为广泛。 光敏三极管与光敏二极管的工作原理基本相同，工作原理都是基于内光电效应，和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上，PN结参与了光电转换过程。 2、光电二三极管的工作原理 光生伏特效应：光生伏特效应是一种内光电效应。光生伏特效应是光照使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象。对于不均匀半导体，由于同质的半导体不同的掺杂形成的PN结、不同质的半导体组成的异质结或金属与半导体接触形成的肖特基势垒都存在内建电场，当光照射这种半导体时，由于半导体对光的吸收而产生了光生电子和空穴，它们在内建电场的作用下就会向相反的方向移动和聚集而产生电位差。这种现象是最重要的一类光生伏特效应。均匀半导体体内没有内建电场，当光照射时，因眼光生载流子浓度梯度不同而引起载流子的扩散运动，且电子和空穴的迁移率不相等，使两种载流

三极管单元测试题

三极管单元测试题 一、单选题(每题2分) 1. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。 A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>> B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>> C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>> D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>> 2. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。 A. mA 10,V 3C CE ==I U B. mA 40,V 2C CE ==I U C. mA 20,V 6C CE ==I U D. mA 2,V 20C CE ==I U 3. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 4. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。 A. NPN 管和PNP 管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管 D. 三极管和二极管 5. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。 A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号 6. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =，则此时三极管工作于（ ） 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 7. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。

实验二常见三极管特性测试的综合实验

实验二常见三极管特性测试的综合实验 一、实验目的 1.学会用万用表判别常见双极型三极管的类型和管脚。 2.测量常见双极型三极管的输入，输出特性。 二、实验预先要求 1.了解使用万用表判别晶体三极管的类型和管脚的方法。明确当万用表拨到电阻档时， 红、黑表笔各接通表内电池的正极还是负极？如何根据测量表笔的颜色和测得的阻 值来判断管型和管脚，测试方法的依据是什么？ 2.复习双极型三极管的工作原理，熟悉三极管共射接法的输入、输出特性。 三、主要实验设备 1.电路实验箱 2.数字式万用表 3.半导体图示仪 四、实验原理 1．利用万用表检测三极管（9013） （1）判断基极和管子类型 把三极管插入实验箱对应在插孔，由于三极管的基极对集电极和发射极的正向电阻都较小，据此，可先找出基极。例如数字式万用表中，黑表笔接基极，红表笔接另外两个极，阻值都很小，则为PNP型三极管的基极。如果红表笔接基极、黑表笔接另外两个极，阻值都很小，则为NPN管的基极 （2）判断集电极和发射极 数字式万用表具有测放大倍数的功能，可以将三极管三个脚插入数字式万用表专用插头Cxhef脚（注意：三极管平面背对自己）测量即可。同时也可判断三极管的集电极和发射极。 2.三极管静态特性测量的实验线路 三极管共发射极输出特性曲线的实验线路如下页图所示。 五、实验内容 1．用万用表判别三极管类型和引出脚，并估测质量。 2．用逐点测量法测量晶体三极管共发射极输出特性曲线。 六、实验步骤 1．用万用表欧姆档测量晶体三极管 （1）测量三极管各级间双向电阻。 （2）测量晶体三极管各极间的正，反向阻值。 按实验报告表要求进行测量，数据填入表2-1中。

光耦pc817应用电路

光耦pc817应用电路 pc817是常用的线性光藕，在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。 <光耦pc817应用电路图> 当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。 普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敏晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。

\ \当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。 普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敏晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。 光耦的测量： 用数字表测二极管的方法分别测试两边的两组引脚,其中仅且仅有一次导通的，红表笔接的为阳极，黑表笔接的为阴极(指针表相反)。且这两脚为低压端，也就是反馈信号引入端。 在正向测试低压端时，再用另一块万用表测试另外高压端两只脚，接通时，红表笔所接为C极，黑表笔接为E极。当断开低压端的表笔时，高压端的所接万用表读数应为无穷大。 同理：只要在反馈端加一定的电压，高压端就应能导通，反之，该器件应为损坏。光耦能否代用，主要看其CTR参数值是否接近。 测量的实质就是：就是分别去测发光二极管和3极管的好坏。 另外一种测量说法： 用两个万用表就可以测了。光电耦合器由发光二极管和受光三极管封装组

三极管的识别与检测方法(2)

三极管的识别与检测方法（2） 课型：理论+实践 教学目标 1、熟悉三极管外形，图形符号和文字符号； 2、了解三极管的种类与特点； 3、了解三极管的特性与参数； 4、掌握常用三极管的命名方法； 教学重点与难点 1、掌握三极管的外形，图形符号和文字符号； 2、了解三极管的种类与特点； 教学方法 讲授法、演示法 教学安排：2课时 教学过程 一、项目实施 任务一：普通三极管的识别与检测 工作任务： 1.识别不同类别的三极管 2.测量三极管 工作步骤： 1.识别各种三极管(按功率) （1）普通小功率三极管 普通小功率三极管通常采用TO-92封装，如图所示为9013三极管，其引脚顺序为E、B、C（引脚向下，面向元件型号）。 （2）中功率三极管 图所示为NPN型中功率三极管TIP41，其引脚顺序为B、C、E（引脚向下，面向元件型号），中功率三极管通常采用TO-220封装。 （3）金属外壳三极管 如图所示为开关三极管2N2222A，该三极管为NPN型三极管，采用金属外壳封装TO-18或TO-39，其引脚顺序如图所示，引脚向下，从凸起位置依次为E、B、C。

（4）大功率金属外壳三极管 图为大功率金属外壳三极管，其封装形式通常为TO-3,其外壳通常为集电极（C），另外两个引脚分别为基极（B）和发射极（E）。 （5）贴片三极管 图为贴片三极管8550,8550为小功率PNP三极管,其贴片型号为2TY，引脚顺序如图所示。 2、识别各种三极管（按引脚的现状） （1）色点标志 （2）凸形标记 （3）三角排列 （4）三脚等距平面性 （5）带散热片的三极管 3.用指针式万用表测量三极管 步骤一：判断三极管的基极(B) 用万用表R×1K档或R×100档依次测量三极管各极之间的正反向阻值，并将测得阻值填入表中。然后分析表中测得数据，观察哪一个引脚与其他两个引脚之间的测得的阻值均较小，如果符合这一条件，则这个引脚就是三极管的基极（B）。 步骤二：判断三极管的管型(PNP还是NPN) 将万用表置于R×1K档或R×100档，将万用表的黑表笔接三极管的基极，红表笔在其他极，如果阻值均较小，则表明这是一个NPN型三极管。如果是高阻值，改用红表笔接三极管的基极，黑表笔在其他引脚，若阻值均较小，则表明这是一个PNP型三极管。 步骤三：辨别三极管的集电极(C)和发射极（E） 方法一：将万用表置于R×1K档或R×100档，用“鳄鱼夹”夹持管脚，或用两手分别捏住表笔和管脚，然后用舌尖舔基极，利用人体电阻作为基极偏流电阻，也可进行测量。指针偏转较大的那一次，黑表笔所接为集电极（NPN管），红表笔所接为发射极。PNP管正好相反。 方法二：将万用表置于HFE档，将三极管管按假定的E、C插入万用表的“三极管测量

三极管特性实验报告

三极管特性实验报告 篇一：三极管伏安特性测量实验报告 实验报告 课程名称：__电路与模拟电子技术实验_______指导老师：_____干于_______成绩：__________________ 实验名称：_______三极管伏安特性测量______实验类型：________________同组学生姓名：__________ 一、实验目的和要求（必填）二、实验内容和原理（必填）三、主要仪器设备（必填）四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析（必填）七、讨论、心得 一、实验目的 1．深入理解三极管直流偏置电路的结构和工作原理2．深入理解和掌握三极管输入、输出伏安特性 二、实验原理 三极管的伏安特性曲线可全面反映各电极的电压和电流之间的关系，这些特性曲线实际上就是ＰＮ结性能的外部表现。从使用的角度来看，可把三极管当做一个非线性电阻来研究它的伏安特性，而不必涉及它的内部结构。其中最常用的是输入输出特性。１）输入特性曲线 输入特性曲线是指在输入回路中，Ｕce为不同常数值时的Ｉb～Ｕbe曲线。分两种情形来讨论。 （１）从图（ａ）来看，Ｕce＝０，即ｃ、ｅ间短路。

此时Ｉb与Ｕbe间的关系就是两个正向二极 管并联的伏安特性。每改变一次Ｕbe，就可读到一组数据（Ｕbe，Ｉb），用所得数据在坐标纸上作图，就得到图（ｂ）中Ｕce＝０时的输入特性曲线。 ２）输出特性曲线 输出特性曲线是指在Ｉb为不同常量时输出回路中的Ｉc～Ｕce曲线。测试时，先固定一个Ｉb，改变Ｕce，测得相应的Ｉc值，从而可在Ｉc～Ｕce直角坐标系中画出一条曲线。Ｉb取不同常量值时，即可测得一系列Ｉc～Ｕce曲线，形成曲线族，如图所示。 三、实验仪器 三极管，HY3003D-3型可调式直流稳压电源，万用表、电子技术实验箱。 四、实验步骤 1．输入特性的测量 Rb=100KΩ。取Vcc=0以及5V，输入不同的Vbb，测出Vbe以及VRb，间接测出ib。将所得的数据写入表格并画出图线。 2.输出特性的测量 Vbb=5V，Rc=470Ω。取Rb=100KΩ和400KΩ。输入不同的Vcc，测量Vce和VRc，间接测量出ic。将所得的数据写入表格并画出图线。 五、数据记录与处理

使用线性光耦HCNR200制作交流电压测量模块

使用线性光耦HCNR200制作交流电压测量模块 测量范围：幅值30V 测量精度：0.5%误差 电路自行设计，要求写好设计报告，制作出实物模块。 参考原理见 https://www.wendangku.net/doc/dd14507339.html,/hiwxzh/blog/item/e145eff1965a43bba40f52a7. html 1. 线性光耦介绍 光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单,在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到,如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号,光耦因为输入输出的线形较差,并且随温度变化较大,限制了其在模拟信号隔离的应用。 对于高频交流模拟信号,变压器隔离是最常见的选择,但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案,如ADI的AD202,能够提供从直流到几K的频率内提供0.025%的线性度,但这种隔离器件内部先进行电压-频率转换,对产生的交流信号进行变压器隔离,然后进行频率-电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂,体积大,成本高,不适合大规模应用。 模拟信号隔离的一个比较好的选择是使用线形光耦。线性光耦的隔离原理与普通光耦没有差别,只是将普通光耦的单发单收模式稍加改变,增加一个用于反馈的光接受电路用于反馈。这样,虽然两个光接受电路都是非线性的,但两个光接受电路的非线性特性都是一样的,这样,就可以通过反馈通路的非线性来抵消直通通路的非线性,从而达到实现线性隔离的目的。 市场上的线性光耦有几中可选择的芯片,如Agilent公司的HCNR200/201,TI 子公司TOAS的TIL300,CLARE的LOC111等。这里以HCNR200/201为例介绍 2. 芯片介绍与原理说明 HCNR200/201的内部框图如下所示

实验一-万用表测量二极管、三极管

实验一万用表测量二极管、三极管 一、实验目的 1.熟练掌握指针式万用表和数字万用表的使用方法。 1.熟练掌握用指针式万用表测量普通二极管和三极管。 2.熟练掌握用数字万用表测量普通二极管和三极管。 二、主要元件及仪器 1、MF-47指针式万用表 2、VC890D数字万用表 3、1N4001～1N4007系列普通整流二极管 4、1N4735（6.2V）、1N4738(8.2V)稳压二极管 5、9011～9014小功率晶体三极管 二、实验原理 （一）指针式万用表测量二极管： 二极管参数的测试可用晶体管图示仪，或其它仪器进行测试。 在没有仪器的情况下也可用万用表来简单检查二极管的好坏，但这种检测方法不能测量二极管的参数。 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1k档位（注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管，也不要用RX10K，该档电压太高，可能击穿管子），再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。

正向特性测试： 把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般小功率锗管的正向电阻为1KΩ左右，硅二极管约为5KΩ左右。一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 反向特性测试： 把万用表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。一般小功率锗管的反向电阻为几十KΩ，硅二极管约为500KΩ以上。 1.普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。 （1）极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 （2）单向导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300 kΩ左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。 2.稳压二极管的检测 （1）正、负电极的判别测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k 档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。 （2）稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表

模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定

模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定 三极管饱和问题总结： 1.在实际中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 2.集电极电阻越大越容易饱和； 3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制 问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。 对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表： 问题：如何判断饱和？

判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。 饱和的条件： 1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c 电压高的情况。 影响饱和的因素：1.集电极电阻越大越容易饱和；2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小； 饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地） 谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R，则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。 另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。 注意：饱和时Vb>Vc，但Vb>Vc不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数，有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数。例如：有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和，Ic/Ib<1应该属于深饱和了。 从晶体管特性曲线看饱和问题：我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。 以某晶体管的输出特性曲线为例。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。 如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：Ic = (V-Vce)/R 在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R（也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”）。这条斜线称为“静态负载线”（以下简称负载线）。各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见下图：