晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用_HOSONIC晶振

晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用

一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

和串联的电阻常用来预防被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大？

下图所示的一个晶振电路中，

电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶体的Q值非常高, 如何理解Q值高呢晶体的串联等效阻抗

是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。为了避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百K。串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策。可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp 就越大，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值 -----＞增大了Re -----＞降低了Q。

通过精确的分析还可以知道，对频率也会有很小很小的影响。

最后让我总结下晶振串联电子和并联电阻的四大作用：

1、电阻取值影响波形的脉宽。

2、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；

3、配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；

4、限流防止谐振器被过驱。

请问单片机晶震旁的2个电容有什么要求吗

这个是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。串电阻是降低驱动功率，避免过激励，并电阻是为了帮助起振，串的电阻一般都是百欧姆级，并的一般都上M，很怀疑楼主这个电路是否能正常工作。

电阻的串联和并联

电阻的串联和并联 知识点一:； :电阻的串联有以下几个特点：(指R1、R2串联，串得越多，总电阻越大) ①电流：I=I1=I2(串联电路中各处的电流相等) ②电压：U=U1+U2(串联电路中总电压等于各部分电路电压之和) ③电阻：R=R1+R2(串联电路中总电阻等于各串联电阻之和)；如果n个等值电阻（R）串联,则有R总=nR 注：总电阻比任何一个分电阻都大，其原因是电阻串联相当于增加了导体的长度； ④分压作用：U1/U2=R1/R2（阻值越大的电阻分得电压越多，反之分得电压越少） ⑤比例关系：电流：I1∶I2=1∶1 例题：电阻为12Ω的电铃正常工作时的电压为6 V，若把它接在8 V的电路上，需要给它串联一个多大的电阻?(要求画出电路图，在图上标出有关物理量) 例题：把电阻R1=20Ω与电阻R2=15Ω串联起来接入电路中，流过R1、R2的电流之比是 __________，R1、R2两端的电压之比是_____________。 例题：如图所示，电源电压为10V，闭合开关S后，电流表、电压表的示数分别为O.5A和6V。求：(1)通过R1的电流I1是多少? (2)马平同学在求R2的电阻值时，解题过程如下： 根据欧姆定律：R2=U/I=6V/0.5A=12Ω 请你指出马平同学在解题过程中存在的错误，并写出正确的 解题过程。 练习1．电阻R1和R2串联后接在电压为6 V的电源上，电阻R1=2Ω，R2=4Ω，求： (1)总电阻． (2)R1两端的电压．(要求画出电路图，在图上标出有关物理量) 2．如图所示的电路中，若电源电压保持6 V不变，电阻R1=10Ω，滑动变阻器R2的变化范围是O～20Ω．求： (1)欲使电压表的示数为4 V，则此时电流表的示数为多大?滑动变阻器连入电路的电阻是多大? (2)当滑动变阻器连人电路的电阻为20Ω时，电流表、电压表的示数分别是多大? 3．把电阻R1=5Ω与电阻R2=15Ω串联起来接入电路中，流过R1、R2的电流之比是__________，

晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用

晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用 和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。 电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。 Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大? 下图所示的一个晶振电路中， 电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。 晶体的Q值非常高, 如何理解Q值高呢？晶体的串联等效阻抗是Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。为了避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百K。串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策。可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值-----＞增大了Re -----＞降低了Q。 通过精确的分析还可以知道，对频率也会有很小很小的影响。 最后让我总结下晶振串联电子和并联电阻的四大作用： 1、电阻取值影响波形的脉宽。 2、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动； 3、配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区； 4、限流防止谐振器被过驱；

电阻的串联、并联和混联习题

临河一职电工基础课程导学案 课题:电阻的串联、并联和混联习题主备人田乐备课时间2013-04-21 备课组组长签字教研组长签字一填空题 1.将l0和20两个电阻串联，总电阻是__________Ω。若通过它们的电流是 0.3A，则两电阻两端的总电压是__________V。 2.把R1=15和R2=5两个电阻并联接到6V电源上，等效电阻是 __________ Ω，通过R1电阻的电流是__________A。 3,某灯泡额定电压是24 V，正常发光时灯丝电阻为16Ω，若想使该灯泡在电源 电压为36V的电路中正常发光，可在电路中串联一个阻值为___________的电阻 4.有4Ω和6Ω两个电阻．将它们串联后的总电阻是___________Ω；将它们并 联后的总电阻是________Ω． 5.将两个电阻串联，R l=2R2，则通过R1、R2的电流之比为________，R1、R2 两端的电压之比为___________ 6．两个等值电阻，串联后总电阻为R1，并联后总电阻为R2，则R1：R2= _______ 7．已知:R1=R2=R3=2 Ω,在某一电路中，R1先与R2串联，再与R3并联，其 等效电阻的阻值为_______Ω． 8.串联电路的总电阻等于_________________，写成数学表达式是 _____________ ；串联电路中的电流______________ ，写成数学表达式是 _________________ ；串联电路的总电压等于________________，写成数 学表达式是_________________. 9. n个相等的电阻R串联，其等效电阻等于______；n个相等的电阻R并联， 其等效电阻等于___________. 10.有n个相同的电阻R，若把其中2个电阻串联起来，其等效电阻为 ；若把其中3个电阻串联起来，其等效电阻为________；若把n个电阻都串 联起来，其等效电阻应为_________ 11．电阻R1和R2串联后的总电阻为10Ω，已知R1=4Ω，则R2= ______Ω，它们并联后的总电阻为_______Ω． 二选择题 1.两电阻的阻值分别为10和20，它们串联的总电阻为 ( ) A．6．7Ω B．10 Ω C．20Ω D. 30Ω 2.．两个组织分别为6Ω和3Ω的电阻，串联接在9V的电源两端，闭合开关后，电路中的电流为( ) A．6A B．3A C．1A D．0.5A Ａ３ＡＢ５ＡＣ１Ａ ６．下图所示的是一个电路时的电表示数，请你判断下列说法中正确的是（A．电流表的读数是2.3A B．电压表的示数是

电阻的串联和并联

电阻的串联和并联 1、如图所示，电源电压保持不变，R1=l0Ω，R2=20Ω，当开关s断开时，电流表示数为0.6A;当s闭合时，电压表示数是多少伏?电流表示数为多少安?电路的总电阻又是多少? 2、如图所示，当开关S闭合后，滑动变阻器滑片p在B端时，电压表示数为9V，电流表示数为0.l5A;滑片P在中点c时电压表的示数为6V。 求:(1)滑动交阻器R1的最大阻值;(2)电源电压和R2的阻值. 3.如图所示的电路中，电源电压保持6V不变·当开关断开时，电流表的示数为0.6A，当开关闭合时，电流表的示数为1.OA.求电阻R1和R2的阻值· 4.电阻R1、R2串联接在电路中，R1两端的电压为3V，R2两端的电压为9V，并且有 R1 十R2=600Ω。求：（1）电路总电压;(2)电路申的电流;(3)电阻 R1和R2的阻值。 5.如图所示，电源电压保持不变·闭合开关S后，滑动变 理器R0的滑片P在移动过程中，电压表的示数变化范围为0～4V，电流表的示数变化范围为0·5～lA，求从（1）R的阻值；(2)R0的最大阻值;(3)电源电压·

电流做功的快慢 1、小红同学把一个标有"220V4OW"字样的灯泡接人110V的电源上，这时灯泡的实际电功率将减小到_____________W. 2、lkW·h电可以使1OOW的电烙铁正常工作_______h，可以便40W的灯泡正常工作_________h。 3、在某段电路上每通过lC的电荷量时，电流所做的功如果是lJ，这段电路两端的电压就是_______. 4、有一盏"220V25W"的电灯，在额定电压下正常工作，在lmin内电流做的功是_______. 5、一只电能表上标有"220V 5A 5OHz”的字样，接在电压是220V的电路中，这只电能表最多可以接入标有"P2220-40"字样的白炽灯____________盏。 6、判别电灯亮度的主要根据是( ) A、电压 B、电流 C、电功 D、实际电功率 7、两个分别标有"220V6OW"和"220V25W"字样的灯泡，如果将它们并联接在220V的电路中，则( ) A、电阻大的灯泡较亮 B、额定功率大的灯泡较亮 C、两个灯泡一样亮 D、额定功率小的灯泡较亮 8、家庭电路中，已有两盏灯正常发光，如果再使用一个电熨斗，则该电路的( ) A、总电流变小 B、总电流变大 C、总电压变大 D、总电阻变大 9、将一个标有"6V3W"的灯泡接入某电路中，测得通过它的电流为0.4A，那么该灯的( ) A、实际功率小于3W B、实际功率等于3W C、实际功率大于3W D、无法判断 10、分别标有"220V4OW"和"220V6OW"字样的甲、乙两盏电灯，若将它们串联起来仍接在220V的电路中，则下列判断中正确的是( )， A、甲灯亮些 B、乙灯亮些 C、两灯一样亮 D、无法判定 11、两个额定功率都是60W的灯泡，第一个灯泡的额定电压是220V，第二个灯泡的额定电压是110V，它们分别在额定电压下工作时，则( ) A、第一个灯泡较亮 B、第二个灯泡较亮 C、通过灯泡电流较大的亮 D、两个灯泡一样亮 12、两只额定电压相同的灯泡串联后接入电路，亮度不同·下列正确的是( ) A、较亮灯泡的额定功率较大 B、较亮灯泡两端的电压较小 C、较亮灯泡中通过的电流较大 D、较亮灯泡的电阻较大 13、家庭电路中导线连接处如果接触不好，往往会在那里发热，出现危险·为什么? 14、实验探究:废灯泡的学问 (1)灯泡的灯丝断了，把它摇一摇，让灯丝再搭上，这样的灯泡还能用吗? (2)如果把这种灯泡接太原电路，它的亮度有变化吗? (3)这种灯泡下次烧断时，一般会出现在什么位置? 15、小李同学家里一台电冰箱的工作电阻为20Ω，工作电流为0.5A，你能估算出这台电冰箱的电功率吗?有位同学这样算:P=I2R=（0.5A）2×20Ω=5W.你觉得他算的对吗?

选择晶振时要考虑哪些参数

选择晶振时要考虑哪些参数？ 2011-7-19 14:26 提问者：rinkeigun|浏览次数：2555次 谢谢好心人。我想知道的是： 1. 晶振之身的参数（频率等） 2. 与周围的器件（51单片机）有什么关联，影响 3. 构成晶振的元件是什么（如C，Y） 4.哪里有最简单的电路图 我来帮他解答 2011-7-25 14:05 满意回答 1、 晶体谐振器的等效电路 图1是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。 其中：C1为动态电容也称等效串联电容；L1为动态电感也称等效串联电感； R1为动态电阻也称等效串联电阻；C0为静态电容也称等效并联电容。 这个等效电路中有两个最有用的零相位频率，其中一个是谐振频率(Fr)，另一个是反谐振频率(Fa)。当晶体元件实际应用于振荡电路中时，它一般还会与一负载电容相联接，共同作用使晶体工作于Fr和Fa之间的某个频率，这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定，通过改变电路的电抗条件，就可以在有限的范围内调节晶体频率。 2、晶体的频率 晶体在应用的电路中，其电气特性表现较复杂，与其相关的频率指标也有多个，主要的是： a）标称频率（F0） 指晶体元件规范中所指定的频率，也即用户在电路设计和元件选购时所希望的理想工作频率。 b）谐振频率（Fr） 指在规定条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个频率。根据图1的等效电路，当不考虑C0的作用，Fr由C1和L1决定，近似等于所谓串联（支路）谐振频率（Fs）。 这一频率是晶体的自然谐振频率，它在高稳晶振的设计中，是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数。c）负载谐振频率（FL） 指在规定条件下，晶体元件与一负载电容串联或并联，其组合阻抗呈现为电阻性时两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，FL是两个频率中较低的那个频

晶振在PCB中的放置位置

晶振为什么不能放置在PCB边缘 深圳市韬略科技 一、问题描述： 某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其辐射超标产生的原因，并给出相应的对策。辐射测试数据如下： 二、辐射源头分析： 该产品只有一块PCB，其上有一个12MHZ的晶体。其中超标频点恰好都是12MHZ的倍频，而分析该机器容易EMI辐射超标的屏和摄像头，发现LCD-CLK是33MHZ，而摄像头MCLK是24MHZ；通过排除发现去掉摄像头后，超标点依然存在，而通过屏蔽12MZH 晶体，超标点有降低，由此判断144MHZ超标点与晶体有关，PCB布局如下：

三、辐射产生的原理： 从PCB布局可以看出，12MHZ的晶体正好布置在了PCB边缘，当产品放置与辐射发射的测试环境中时，被测产品的高速器件与实验室中参考接地会形成一定的容性耦合，产生寄生电容，导致出现共模辐射，寄生电容越大，共模辐射越强；而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布，当两者之间电压恒定时，两者之间电场分布越多，两者之间电场强度就越大，寄生电容也会越大，晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下： PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 从图中可以看出，当晶振布置在PCB中间，或离PUB边缘较远时，由于PCB中工作地（GND）平面的存在，使大部分的电场控制在晶振与工作地之间，即在PCB内部，分布到参考接地板去的电场大大减小，导致辐射发射就降低了。

四、处理措施 将晶振内移，使其离PCB边缘只是1cm以上的距离，并在PCB表层离晶振1cm的范围内敷铜，同时把表层的铜通过过孔与PCB地平面相连。经过修改后的测试结果频谱图如下，从图可以看出，辐射发射有了明显改善。 五、思考与启示 高速的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合，会产生EMI问题，敏感印制线或器件布置在PCB边缘会产生抗扰度问题，如果设计中由于其他一些原因一定要布置在PCB边缘，那么可以在印制线边上再布一根工作地线，并多增加过孔将此工作地线与工作地平面相连。

晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用_HOSONIC晶振

晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用 一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。 和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。 电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。 Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向?180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大？ 下图所示的一个晶振电路中， 电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶振地主要全参数及其对电路地影响

Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mH High Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0 Low Limit -20.0 1.0 1 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.8 3 3,744.8 4 1.0 2 10.75 2 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.8 6 4,113.2 9 0.9 4 11.70 3 Fail DLD2 High 0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.7 4 3,613.2 7 1.0 3 10.63 4 Fail SPDB High -8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.9 2 5,538.0 1 0.7 1 15.54 5 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.8 6 3.8 9 3,955.0 9 0.9 8 11.17 6 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.8 1 3,608.8 5 1.0 6 10.42 7 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.8 5 4,670.1 9 0.8 2 13.35 8 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.8 8 5,017.9 5 0.7 7 14.23 9 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.8 3 3,018.1 7 1.2 7 8.67 10 Fail DLD2 High -3.62 24.75 52.36 78.55 -10.3 3.8 6 2,943.3 9 1.3 1 8.37 晶振的等效电器模型 C0 ，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板

那些被晶振傻傻忽悠的曾经

那些被晶振傻傻忽悠的曾经 前不久，有个客户打电话抱怨说到，产品生产出来后，时间一会儿走一会儿不走的，由于他不懂，所以很着急。他工厂是生产电子表的，在他当时提出这个问题，时钟突然停止工作什么原因造成的呢？后而又立马随即而出的指向了晶振的问题，因为晶振是各板卡的心跳发生器， 说为什要卧装，而不像电解电容那样直立安装呢？直立安装岂不省事多了吗？而且还用一个倒U 型卡子焊在主板上，这不是其外壳应接地吗？轻轻一按则晶振与卡子间还会出现很大的间隙。大家都一致认可很有可能是晶振的安装方式不正确，最后实验得出结论，部分板卡是这个原因。其实提出这个问题，最主要还是看你是什么板卡，什么样的IC ，当然 时间存在偏差主要是频率有偏差，1PPM 的频率偏差换算成天时间误差就是0.0864S 。那么如果需要时间误差要做到准确就最好晶振两端的电容要按正常配比焊接，同时要晶振供应商帮忙通过QWA 检测找最好的0误差PPM 值，按0误差的标准来指定供货的频率范围。20PPM 的标准误差一个月60秒，这还要根据所指向的IC 和线路设计，匹配要求对不上偏差可能还会大一点。 差范围内。最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF 左右。太小了不容易起振。在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm 量级。晶振的匹配电容的主要作用是匹配晶振和振荡电路，使电路易于启振并处于合理的激励态下，对频率也有一定的“微调”作用。对MCU ，正确选择晶振的匹配电容， 关键是微调晶体的激励状态，避免过激励或欠激励，前者使晶体容易老化影响使用寿命并导致振荡电路EMC 特性变劣，而后者则不易启振，工作亦不稳定，所以正确地选择晶体匹配电容是很重要的。 关于晶振时振时不振，其实无非是晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大，或者说晶振本身就存在着问题，寄生、阻抗值波动大、内部焊点不牢等。或遇晶振装板上不行时，用电热风吹一下或者拆下来重新装上去又可以了，其实这完全关系到晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大。然而在这里，电热风实际上是起到了改变了线路的杂散电容的作用。 许多工程师开始纠结于此了，晶振的负载与晶振两端的电容如何匹配呢？其实很简单，用个科学计算的方程式来推算，就是CL=(C1*C2)/(C1+C2)+C ”，其中CL 指的是晶振的负载电容值， C1 C2指的是晶振两端的电容值，C ”指的是线路杂散电容。 的结果只会导致因焊接时间太长将晶振内部的焊点融化，内部结构晶片倾斜碰壳而短路。然而最好的方法是PCB 板上设有两个针孔使用铜线捆绑晶振，或者使用橡胶粘结剂进行。晶振弯脚时随意弯曲，最佳的弯曲是用手指捏住圆柱晶体的外壳，用镊子夹住离晶体基座底部3mm 以上的引线处，用镊子夹住弯曲引线成90°，不要用力拉引线。用力拉引线可能造成引线根部的玻璃子破裂，而产生漏气导致电气性能损坏。如果漏气了晶振也就基本上是不能用了。因为焊接时有阻焊剂等脏污就选择使用超声波清洗PCBA 板：经超声波清洗或超声波焊接会影响和损坏石英晶体的内部结构甚至晶片破损。晶振起振时间长，开机不振关机再开机就起振，耗电量大成品电池不耐用。这主要是晶振的电阻太大造成的，低电压下晶振就无法起振了。

晶振电路原理介绍

晶体振荡器，简称晶振。在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。 晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。 一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。 一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。 晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。 谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。

晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。 石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。如在极板间所加的是交变电压，就会产生机械变形振动，同时机械变形振动又会产生交变电场。一般来说，这种机械振动的振幅是比较小的，其振动频率则是很稳定的。但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决定于晶片的尺寸）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为压电谐振，因此石英晶体又称为石英晶体谐振器。其特点是频率稳定度很高。 石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC来共同作用来工作的。振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求。RR 的大小直接影响电路的性能，也是各商家竞争的一个重要参数。 概述 微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；基于相移电路的时钟源，如：RC (电阻、电容)振荡器。硅振荡器通常是完全集成的RC振荡器，为了提高稳定性，包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。图1给出了两种时钟源。图1给出了两个分立的振荡器电路，其中图1a为皮尔斯振荡器配置，用于机械式谐振器件，如晶振和陶瓷谐振槽路。图1b为简单的RC反馈振荡器。 机械式谐振器与RC振荡器的主要区别 基于晶振与陶瓷谐振槽路(机械式)的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温 度系数。相对而言，RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。图1所示的电路能产生可靠的时钟信号，但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏)。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰(EMI)、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。 振荡器模块 上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波

电阻的串联、并联和混联.

第五节电阻的串联、并联和混联 一、电阻串联电路 定义：电阻的串联一一把两个或两个以上的电阻依次联接起来，使电流只有一条通路, 如图1-5-1。 （一）串联电路的特点 a 6+ u-ad 图1-5-1电阻串联电路 （1）电路中电流处处相等。 （2）电路总电压等于各部分电路两端的电压之和。 U U1 U2 U3 （3）总电阻 R R1 R2 R3 结论：串联电路的总电阻等于各个电阻之和。 （4）电压分配 I 5 ；I R U2 ； R2 I 土; R3 ;I丄 Rn U1 U2U3U n I R R3 I Rn 结论：串联电路中各电阻两端的电压与它的阻值成正比。 若两个电阻串联，贝y 1U I R R? R1R2 .. U1U ；U 2U R，1 R2R1 R2 （5）功率分配 旦旦旦旦 R R2R3R n 结论：串联电路中各电阻消耗的功率与它的阻值成正比。 又因P P P2 P3 所以，串联电路总功率等于各电阻上消耗的功率之和。 （二）串联电路的应用 1 ?获得大阻值电阻：总电阻。 2.限流：总电流。 3 .分压：电压分配。 4.扩大电压表的量程：分压。 例2：有一只电流表，满刻度电流I g= 100 A，表头线圈电阻R g= 1 k ，若将它改装成10V的电压表，应串联多大的电阻?

11 I 、电阻并联电路 电阻的并联：把若干个电阻一端连在一起，另一端连接在一起，如图 1-5-3。 A A 尬 r* --- L 卜 --------- ---------- [ [ — - I 】 ----------------- N A _ A 0+ u —u 何 （b ） 图1-5-3 电阻并联电路 （一）并联电路的特点 （1）电路中各支路两端的电压相等。 U 1 U 2 U 3 （2 ） 电路中总电流等于各支路的电流之和 I I 1 I 2 1 3 （3） 总电阻 设电压为U ，根据欧姆定律，则 1 = U ； I U ； I U ； I U R 丨1 R R 2 R n 所以 1 1 1 1 1 R 瓦 瓦 R 3 R n 结论: 并联电路总电阻的倒数，等于各个电阻的倒数之和。 （4） 电流分配 U =丨1 R 1 = I 2 R 2= I 3 R 3 结论：并联电路中通过各个电阻的电流与它的阻值成反比。 当只有两个电阻并联时 R.1 R 2 U g =R g I g = 1 k 100 A = 0.1 V 串联电压需分压 U U g (10 0.1) V 9.9V 串联阻值 U U g 10 0.1 R 6 k I lg 100 10 6 解：表头流过最大电流时，表头两端的电压 图1-5-2 例2串联电路的应用

晶振电路设计

模拟电路部分晶振设计 1. 振荡器原理 振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。从能量的角度来说，正弦波振荡器是通过自激方式把直流电能转换为特定频率和幅度的正弦交变能量的电路。 对于任何一个带有反馈的放大电路，都可以画成下图所示结构： 图4 振荡器 当增益满足1≥?a f ，且相位条件满足πβα2=+时，构成正反馈环路，起振条件得以满足。上图即构成一个振荡器。 2. 晶振原理 当在晶体两端加上一定的交变电场,晶片就会产生机械形变, 石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制的一种谐振器件, 若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。同时这个机械形变又会产生相应的交变电压,并且其特征频率下的振幅比其他频率点的振幅大得多。根据这个特点,为了得到低的起振电压和短的起振时间,在晶体两端施加的交变电压的频谱能量应主要集中在晶体的特征频率附近。 在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振。石英晶体振荡器的等效电路如图5 所示。当用石英晶体组成并联谐振电路时,晶体表现为 感性,其等效品质因数Q 值很高。等效阻抗2频率特性如图6所示。

图5 晶振等效电路 图6 晶振等效阻抗 图6中，Fr 为串联谐振点。在频率为)2/(1LC F r π=时，图2中串联的L 、C 谐振，串联支路等效为一个纯电阻。Fa 为并联谐振点，此时串联支路等效为电感，与并联的C0谐振，0/1C C F F r a +=。此时等效阻抗趋于无穷大。通常这两个频率点之间的差值很小。 总的来说，可以认为晶振在串联谐振时表现为电阻，在并联谐振时表现为电感。这里建议设计时采用并联谐振。

有源晶振接法

有源晶振接法 有源晶振型号纵多，而且每一种型号的引脚定义都有所不同，接发也不同,下面我介绍一下有源晶振引脚识别，以方便大家 有个点标记的为1脚，按逆时针（管脚向下）分别为2、3、4。 有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。 有源晶振不需要处理器的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（有源晶振的VCC端不要直接接VCC，要做好电源滤波，典型的接法J 使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络如下图所示： 输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。 有源晶振是右石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡器使用，是基于它的压电效应：在晶片的两个极上加一电场，会使晶体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交

变电压的频率与晶片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。 压电谐振状态的建立和维持都必须借助于振荡器电路才能实现。图3是一个串联型振荡器，晶体管T1和T2构成的两级放大器，石英晶体XT与电容C2构成LC电路。在这个电路中，石英晶体相当于一个电感，C2为可变电容器，调节其容量即可使电路进入谐振状态。该振荡器供电电压为5V，输出波形为方波 《有源晶振引脚》有源晶振与无源晶振 在电子学上，通常将含有晶体管元件的电路称作“有源电路”（如有源音箱、有源滤波器等），而仅由阻容元件组成的电路称作“无源电路”。电脑中的晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，其中除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件，因此体积较大。 石英晶体振荡器的频率稳定度可达10^-9/日，甚至10^-11。例如10MHz的振荡器，频率在一日之内的变化一般不大于0.1Hz。因此，完全可以将晶体振荡器视为恒定的基准频率源(石英表、电子表中都是利用石英晶体来做计时的基准频率)。从PC诞生至现在，主板上一直都使用一颗14.318MHz的石英晶体振荡器作为基准频率源。主板上除了这颗14.318MHz的晶振，还能找到一颗频率为32.768MHz的晶振，它被用于实时时钟(RTC)电路中，显示精确的时间和日期 方形有源晶振引脚分布： 1、正方的，使用DIP-8封装，打点的是1脚。1-NC；4-GND；5-Output；8-VCC 2、长方的，使用DIP-14封装，打点的是1脚。1-NC；7-GND；8-Output；14-VCC BTW： 1、电源有两种，一种是TTL，只能用5V，一种是HC的，可以3.3V/5V 2、边沿有一个是尖角，三个圆角，尖角的是一脚，和打点一致。 Vcc out NC（点）GND 有源晶振为四角方形或矩形金属盒子，看着标称一面（顶），左下空脚，右下地，左上VCC（5V），右上输出。接上电源可以用示波器看到波形。

电阻的串联与并联 教案设计(鲁科版)

电阻的串联与并联 【教学目标】 1．通过实验和推导理解串联电路和并联电路的等效电阻和计算公式。 2．会利用串联、并联电路特点的知识，解答和计算简单的电路问题 【教学重点】 串联和并联电路总电阻的计算公式及运用公式进行简单的计算。 【教学难点】 用“等效替代”的观点分析串联和并联电路。 【教学准备】 实验器材（每组学生电源1个、相同阻值的电阻6只、电流表1只、开关一只、导线若干）。【教学过程】 （一）复习提问，导入新课 1．串联电路中电流有什么特点？I_____I1_____I2 2．串联电路中电压有什么特点？U____U1_____U2 那么，在串联电路中，电阻又有什么特点呢？ （二）电阻的串联 1．实验探究 提出问题： 电阻串联后，其总电阻会增大还是减小？ 猜想与假设： 教师充分收集学生的种种猜想与假设。 问：你们的猜想是否正确呢？ 进行实验与收集证据。 （1）将一个定值电阻R接在如图所示的A、B之间，闭合开关、观察电流表的示数。

（2）将两个同样的定值电阻R串联起来，接在如图所示的A、B之间，闭合开关、观察电流表的示数。 （3）在A、B之间换上三个串联着的同样阻值的电阻R，合上开关前先预计一下电流表的示数会发生什么变化，再合上开关。看看自己的预测是否正确。 （教师引导学生了解“等效替代”法） 分析论证： （学生结合实验现象，充分交流讨论，得出结论。） 串联电路的总电阻的阻值比任何一个分电阻的阻值都大。 （通过以上实验探究，让学生经历从猜想与假设到实验验证的过程，培养学生实事求是的科学态度和同学之间的协作意识。） 思考：这个结论还能不能用前面所学过的知识来解释呢？（引导学生复习决定电阻大小的因素，然后分析，将电阻串联，相当于是增加了导体的长度，所以串联电路的总电阻的阻值比任何一个分电阻的阻值都大。） （三）电阻的并联 复习提问： 1．并联电路中电流有什么特点？I_____I1_____I2 2．并联电路中电压有什么特点？U____U1_____U2 3．串联电路中电阻有什么特点？（总电阻大于任何一个电阻；电阻的串联相当于增加了导体的长度。） 思考：电阻的并联，相当于增加了什么？电阻并联后的总电阻是增大了还是减小了？ 实验探究（参照探究串联电阻的思路和步骤进行实验探究。）

单片机外部晶振详解 计算方法波形图

应用报告 ZHCA048–2004年1月 CMOS非缓冲反向器在振荡器电路中的使用Moshiul Haque and Ernest Cox 摘要 CMOS器件具有高输入阻抗、高增益和高带宽。这些特性与理想放大器特性相似，因此CMOS缓冲器或反向器可在振荡器电路中与其它无源组件一起使用。正因为CMOS振荡器电路经济高效、简便易用且占用的空间比传统振荡器要小得多，所以目前它们在高速应用领域中得到了广泛应用。在CMOS器件中，非缓冲反向器('U04)广泛用于振荡器应用领域。本应用报告讨论了一些TI'U04器件在典型晶体振荡器电路中的性能。 主题页 ZHCA048–2004年1月CMOS非缓冲反向器在振荡器电路中的使用1

https://www.wendangku.net/doc/dd15448003.html, 1简介 2振荡器原理 对于|f | |a |w 1如果满足振荡条件，该系统将象振荡器那样工作。|f | |a | exp ?j ǒa )b ǔw 1? |f | |a |w 1 ǒa )b ǔ+2 p 简介 电阻、电感、电容和高增益放大器是振荡器的基本组件。在设计振荡器时，由于晶体振荡器具有出色的频率稳定性和宽广的频率范围，所以最好选择晶体振荡器来代替使用分立无源组件（电阻、电感和电容）。晶体在本质上是具有自然谐振频率的RLC 网络。 从原理来看，振荡器可以由具有电压增益a 和相移α的放大器A 和具有传输函数f 和相移β的反馈网络F 图1）。 图1.振荡器 f 和a 是复杂量；可以根据等式1推算 振幅 和相位 要实现振荡，必须满足这些振幅和相位条件。这些条件被称作巴克豪森标准。闭环增益应≥1，并要提供360?°的总相移。 CMOS 非缓冲反向器在振荡器电路中的使用2ZHCA048–2004年1月

晶振旁的电阻(并联与串联)

晶振旁的电阻(并联与串联) 一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。 晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。 和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。 Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?

电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。 晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢? 晶体的串联等效阻抗是Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到104量级。 避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百K。 串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策 可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值 -----> 增大了Re -----> 降低了Q 关于晶振

电子元器件晶振的检测方法

电子元器件晶振的检测方法 电子元器件在电子设备中被大量使用着，电子元器件种类众多，当设备发生故障时大多是由于电子元器件失效或损坏而引起的。这时正确检测电子元器件显得尤其重要，这也是电子维修人员必懂技能之一。下面是总结介绍电子元器件检测经验和技巧，希望可以帮到大家。 1、判断晶振的好坏 先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电;再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的;若氖泡不亮，则说明晶振损坏。 2、测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10kΩ，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。 3、单向晶闸管检测 可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN 结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路;测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大; 4、双向晶闸管的极性识别 双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我们也很容易通过测量电阻大小来识别主电极1和主电极2。 5、检查发光数码管的好坏 先将万用表置R×10k或R×l00k挡，然后将红表笔与数码管(以共阴数码管为例)的“地”引出端相连，黑表笔依次接数码管其他引出端，七段均应分别发光，否则说明数码管损坏。 6、三极管电极的判别 对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。