M5838-V1.1规格书(中文)

描述

l M583X是一种高性能离线式PWM控制器，主要用于中小功率AC/DC充电器和适配器中。它工作于原边采样和调节，可省除极间光耦和TL431，其恒压和恒流控制特性说明如下图。最大输出功率可达15W。

l在恒流控制时，其电流和输出功率的设定可由CS脚上的电流取样电阻Rs来调节；在恒压控制时，利用混合工作模式可以获得高效率和高性能。另外，利用内部的导线压降补偿功能可以得到良好的负载调整特性。在恒流模式重负载工作条件下，器件工作在PFM模式,中负载和轻负载，器件可工作在PWM模式和降频模式。

l M583X具有电源软启动控制和多种带自动恢复的有效保护，它包含逐周期电流限制，VDD过压保护，VDD箝位和欠压保护等。另外，M583X还有优良的EMI性能和频率抖动控制特性，使用M5838可获得高精确的恒压恒流特性。

典型应用图

单电压180—264V 全电压85—264V 型号 封装

开放式 封闭式 开放式 封闭式 M5835 SOP8 4W 3.5W 3.5W 3W

M5836 DIP8 9W 8W 8W 7.5W

M5838 DIP8 18W 13.5W 13.5W 12W

特征

l全电压范围内，恒压调节精度误差<5%，恒流调节精度误差<5% l原边采样和调节，无需光耦和TL431

l可编程CV和CC调节

l可设定恒流和输出功率

l内置原边反馈恒流控制

l内置自适应峰值电流调节

l内置原边变压器电感补偿

l可外部调整的输出线压降补偿

l开机软启动

l内置MOS开关管

l内置前沿消隐电路（LEB）

l可逐周期电流限制

l带有回差的欠压锁定（UVLO）

l VDD过压保护（OVP）

l VDD箝位功能

应用领域

适用于中小功率AC/DC离线式开关电源

l手机充电器

l数码相机充电器

l小功率适配器

l PC、TV等电器的辅助电源

l线性调节器/替代RCC变换器

l恒流LED照明

引脚功能描述

管脚描述

VDD 芯片电源输入

COMP 误差放大器输出，用于环路补偿

INV 电压检测。外接分压电阻检测辅助绕组电压，调整芯片恒压恒流。

CS 电流检测输入。通过检测连接CS到地电阻的电压来反映原边电感电流

DRAIN 内部MOS管漏极,连接到变压器

GND 地

极限参数

值

项目

最小值最大值

单位VDD直流供电电压-0.3 26 V

VDD 齐纳嵌位电流10 mA COMP输入电压-0.3 7 V

CS输入电压-0.3 7 V

INV输入电压-0.3 7 V

OTP输入电压-0.3 7 V

最小/最大工作结温-20 150 ℃

最小/最大贮存温度-55 165 ℃

最高温度（焊接，10秒）260 ℃

内置MOS管耐压值600 V

注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅仅是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。

引脚配置图

芯片框图

应用信息

M583X是一颗高性价比开关电源芯片，用于低功耗离线式AC/DC电源适配器与电池充电器。芯片通过原边取样来进行输出电压的调整，由此可以节省光耦与TL431。M583X内置恒流/恒压控制电路，由此获得较高的恒流/恒压精度，可以满足绝大部分电源适配器与电池充电器的使用要求。由于具有恒流特性，因此也可以应用于LED市场。

l启动电流和启动控制

M583X的启动电流非常低，所以VDD端电容电压可以很快充至开启电压。启动电路中可以使用一个大阻值的电阻，在满足启动要求的同时，减小工作时的损耗。

l工作电流

M583X的工作电流低至2.5mA，所以VDD启动电容可以取更小值，同时借助于多工作模式的特点，可以提高整体效率。

l软启动

M583X内置有软启动功能，可以减少系统上电启动时各元器件的电压应力。当VDD电压达到UVLO(OFF)时，芯片内部电路会将峰值电流阈值电压逐渐提升，具体来说是由接近于0V提升至正常工作时的0.9V。芯片的每一次重启都会伴随着这个软启动过程。

l 恒流/恒压工作

M583X在充电器应用中，未充电的电池首先在恒流状态下进行充电，当电池将要充满时，充电阶段会转换为恒压模式。在电源适配器的应用中，系统正常只工作于恒压状态。在恒流模式下，系统限定了输出电流，并且不论输出电压如何下降，系统只确保输出电流恒定。而在恒压模式下，系统通过原边取样来进行输出电压的调整。

l 工作原理

为了确保实现M583X的恒流/恒压控制，反激电源系统需要设计工作于断续模式（DCM）下，具体可以参见前面的典型应用图1。当反激系统工作于断续模式下，输出电压可以通过辅助线圈来取样。在功率MOSFET导通阶段，负载由输出端电容Co来提供，此时原边电流上升。当功率MOSFET关断时，原边电流按下述等式1.1向副边传递：

Is=(Np/Ns)Ip （1）

辅助绕组电压如下式：

Vaux=(Naux/Ns)×(Vo+ΔV) （2）

通过在辅助线圈与INV（PIN 3）之间设置电阻分

压电路，辅助线圈的电压在每个消磁阶段将结束的时

候被采样，并且这个采样电压将会被保持直到下一个

采样周期。采样电压与内部EA（误差放大器）的参考

电压Vref（2.0V）进行比较，它们之间的误差将被放大。EA的输出端COMP反映了负载情况，这个脚上的电压也决定了PWM的开关频率，通过这样一个闭环控制，M583X实现了对恒定输出电压的控制。

当取样电压低于Vref（2.0V），COMP脚电压达到最大值时，芯片进入恒流控制状态，开关频率直接由INV脚采样电压决定，实现了对恒定输出电流的控制。

l 恒流和输出功率的调节

在M583X里，恒流点和最大输出功率可由CS端的采

样电阻RS来调节，见典型应用图，输出功率可以通过CC

点变化来调节，RS大，输出功率小，RS小，输出功率大，

说明见图3 。

l 工作开关频率

M583X的开关频率是根据负载的条件和工作模式控制的，无需外部元件设定频率，最大输出功率时，开关频率为60KHz，在DCM方式反激工作情况下，最大输出功率可由下式给出：

Po max=(1/2)LpFsw Lp2 （3）

这里Lp为初级线圈电感，Ip为初级峰值电流，参考式（3），初级电感量的变化将导致最大输出功率的变化和恒流模式下输出电流的变化，为补偿初级电感偏差的变化，开关频率将有内部环路锁定，如下式：Fsw=1/(2Tdemag) （4）

由于Tdemag和电感成反比，可使Ip和fsw乘积为恒定。所以在恒流模式下，原边电感的变化不会影响最大输出功率和恒流输出，即可补偿初级电感偏差±10%以上。

l EMI频率抖动的改良

在M583X里，可以进行频率抖动控制（开关频率调制），从而分散噪声的频谱分布，分散的频谱将EMI 减至最小，更容易设计系统。

l 电流调节和输出波形毛刺处理

在M583X里，设置有逐周期电流限制电路，这个开关电流由CS脚上的采样电阻检测。在功率MOS管打开初期，内部的前沿消隐电路可以消除采样信号中的电压尖峰，所以在CS输入上不再需要外接RC滤波器，PWM占空周期由CS输入电压和EA输出电压决定。

l 可设定的线压降补偿

在M583X内建了线压降补偿电路，以此取得更好的负载调整率。内部的补偿电流流入外部电阻分压网络，由此在INV脚产生一个抵消电压。补偿电流与COMP脚的电压成反比，也就意味着与输出负载成反比，输出线压降补偿由此实现。当输出由满载向空载变化时，INV脚产生的补偿电压也会增大。

值得注意的是，通过改变INV脚分压网络中的电阻值，可以达到不同的补偿效果，获得所需的负载调整率。图1中R5的推荐阻值范围为500Ω~4.7KΩ之间，R6根据式1.5计算：

……………………… 1.5

l 保护控制

一个良好的电源系统，其可靠性好是必要的，即需要有一个完整的保护系统，主要包括逐周期电流限制（OCP），VDD箝位，电源软启动，欠电压锁定（UVLO）等。VDD电压由辅助绕组产生，当VDD电压低于UVLO（ON）时M583X的输出就会关闭。

电气参数(Ta=25o C, 其余情况会做说明)

项目参数测试条件最小典型最大单位供电电压（VDD）

I _Startup VDD启动电流VDD=13V 5 20 uA

I_VDD_Ops 工作电流INV=2V，CS=0V，

VDD=18V

2 3 mA

VDD_OFF 欠压锁存开启VDD上升13.5 14.8 16.0 V VDD_ON 欠压锁存结束（恢复）VDD下降8.2 9.0 10.5 V Vpull_up 上拉PMOS启动13 V Vdd_Clamp VDD最大工作电压IVDD=10mA 27 28.5 30 V

OVP(ON) 过压保护电压VDD升高直到DRV时钟

关闭

26 27.5 29 V

电流传感输入

TLEB LEB时间625 ns

Vth_oc 过流门限880 910 940 mV Td_oc OCP传送延时110 ns Zsense_IN 输入阻抗50 KΩT_ss 软启动时间17 ms 频率部分

Freq_Max IC最大频率55 60 65 KHz Freq_Nom 系统正常开关频率50 KHz Freq_startup INV=0V，Comp=5V 14 KHz Δf/Freq 频率抖动+/-6 % 误差放大器部分

Vref_EA EA参考电压 1.95 2 2.05 V

Gain EA DC增益60 dB I_COMP_MAX 最大缆线补偿电流INV=2V，Comp=0V 37.5 uA 注：Freq_Max是指IC内部最大时钟频率，在系统应用里，60KHz的最大工作频率正常发生在最大输出功率或者从CV到CC状态的转换点。

DIP8封装外形尺寸图

丝印描述

型号

封装

描述

M583XPR

DIP8

2000PCS/盒，管装

SOP8封装外形尺寸图

丝印描述

型号封装描述

M583XDR SOP8 2500PCS/盘，盘装