(特制)意法半导体高性能MCU_STM32F7和H7系列对比

SMA半导体放电管规格书

PXXXXAA SERIES Over-voltage Protection Thyristor HIGHFAR PxxxxAA Series Do-214AC are designed to protect baseband equipment such as modems,line cards,CPE and DSL from damaging overvoltage transients. The series provides a surface mount solution that enables equipment to comply with global regulatory standards.Features * Low voltage overshoot * Low on-state voltage * Does net degrade with use * Fails short citcuit when surged in excess of ratings * Low Capacitance Pinout Designation Schematic Symbol Dot Applicable Electrical Parameters Peak Off-state Voltage - maximum voltage that can be applied while Revosion:17-Oct-11 1/4 C O V PP I PP Parameter I DRM I S I T I H V S V T Definition Switching Voltage - maximum voltage prior to switching to on state On-state Voltage - maximum voltage measured at rated on-state current Leakage Current - maximum peak off-state current measured at V DRM V DRM maintaining off state Switching Current - maximum current required to switch to on state On-state Current - maximun rated continuous on-state current Holding Current - minimum current required to maintain on state Off-state Capacitance - typical capactiance measured in off state Peak Pulse Voltage - maximum rated peak impulse voltage Peak Pulse Current - maximum rated peak impulse current

意法半导体(ST)

ROM，提高了产品制造的灵活性，缩短了从设计到制造的准备时间，同时90nm 技术还提高了成本效益。 新的ST21F系列产品使卡制造商能够对飞速变化的手机市场需求做出快速的注重成本效益的反应，然后在制造工序的智能卡个性化阶段自定义应用程序，用一个产品解决多家移动通信网络运营商(MNOs)的要求。因为与一个特定的运营商无关，所以新产品降低了供应链的风险和复杂性。 ST21F384的内核是一个8/16位CPU，线性寻址宽度16MB，典型工作频率21MHz。芯片内置7KB用户RAM存储器，以及128字节页面的384KB闪存，耐擦写能力与早期安全微控制器的EEPROM存储器相当。电流消耗完全符合2G和3G的电源规格，达到了(U)SIM的应用要求。该微控制器含有一个硬件DES (数据加密标准)加速器和用户可以访问的CRC (循环冗余代码)计算模块。 如果采用了这个闪存安全型微控制器，卡制造商将能够缩短在整个制造工序中从设计到投产的准备时间，验证卡上的操作系统（OS）和向运营商提供样片所需的时间会更短。因为可以库存没有编程的空白芯片，所以新产品还有助于缩短产品的量产周期，同时还会大幅度缩短操作功能升级和实现新的MNO要求所需的周期。 由于应用程序保存在闪存内，卡制造商无需再支付ROM掩模成本；此外，因为只需实现最终客户需要的功能，而不必设计一个标准解决方案，应用软件本身可以写得更小。ST的片上闪存装载器提供一个成本低廉的操作系统装载功能。 ST21F384的样片现已上市，定于2007年12月量产。ST的封装能力在业界堪称独一无二，其智能卡IC有两种封装形式：切割过的晶片和先进微型模块，其中模块的集成度和安全性都非常出色。 ST21F384产品分为切割过的晶片或没切割过的晶片，模块封装分为6触点（D17）和8触点（D95）两个规格，符合欧洲RoHS环保标准，触点排列符合ISO 7816-2标准。订购100000颗晶片，每颗0.45美元。

意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供货

意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供 货 意法半导体今天宣布开始向主要客户提供STM32L 系列微控制器样片，STM32L 系列产品是业界首款来自全球十大半导体供应商之一的超低功耗 ARM Cortex-M3 微控制器。STM32L 系列产品采用意法半导体独有的两大节能技术：130nm 专用低泄漏电流制造工艺和优化的节能架构，提供业界领先的节 能性能。全新STM32L 系列产品属于意法半导体的EnergyLite 超低功耗产品平台，设计人员能够优化终端产品的性能、功能和电池使用寿命，达到相关的 能效标准，如环保型设计目标。意法半导体微控制器产品部总经理Michel Buffa 表示：“在全球半导体公司提供的产品中，STM32L 系列产品实现最佳的 功耗性能比。STM32L 将会成为消费电子、工业应用、医疗仪器或能源计量表 等市场上低功耗应用设计的首选微控制器。”除极高能效外，STM32L 还具备提高数据安全性，促进系统安全操作的诸多安全功能，包括灵活的欠压复位、片 上闪存支持纠错码（ECC）、存储器保护单元（MPU）和JTAG 熔断器。这些 功能被推荐用于所有的需要安全产品特性和高度安全的代码及用户数据管理的 应用。片上集成的USB 2.0 Full Speed 支持模块使STM32L 还能支持移动外设。此外，STM32L 系列微控制器内置的LCD 驱动器，可轻松实现更低廉、更小的应用设计。STM32 系列的产品阵容非常强大，目前拥有超过135 款产品，全系列产品的引脚、软件和外设相互兼容，应用灵活性达到最高水平。作为 STM32 系列的新成员，STM32L 在32MHz 频率下的处理性能达到33DMIPS （最大值），片上闪存密度范围从64KB 到128KB。STM32L 系列样片已经开始交付给主要客户测试。STM32L151 内置64KB 闪存，采用LQFP48 封装；STM32L152 内置128KB 闪存，采用LQFP100 封装。将于2010 年第四季度量

意法半导体发布迄今性能最强的电视系统芯片

意法半导体发布迄今性能最强的电视系统芯片 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、全球领先的数字 电视及机顶盒芯片提供商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)将在2012 中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN)上展出Newman 电视系统芯片(System-on-Chip，SoC)系列的首款产品。新系列产品是意法半导体的业界领先的电视广播互联网服务多功能电视平台的一部分。代号为Newman Ultra 的新产品FLI7680 拥有市场上无与伦比的性能，亦代表了智能电视(Smart TV)系统芯片技术水平的一次巨大飞跃。 随着高价值内容不断演进，除第一代电视广播宽带上网综合服务外，电 视还需要支持全新的增值服务和产业生态系统，例如Google TV。Newman Ultra 系统架构具有市场领先的性能，让电视应用程序具有令人惊喜的反应速度，同时拥有极其出色的视频解码功能，远超市场同类产品。有了这款芯片，消费 者只需通过一台智能电视机即可播放多种视频源，运行大量应用软件。 意法半导体WAVE 产品部总经理Luigi Mantellassi 表示：随着智能电视的概念正在快速演进，对处理性能、功能集成度、设计灵活性和数据安全的要 求不断提高。凭借我们在全球市场的领先地位和机顶盒软件开发能力，Newman Ultra 系统芯片让我们的客户能够扩大品牌价值，研制一个集传统电视广播、视频点播(Video on Demand，VOD)、游戏以及社交网络于一体的终极娱乐平台。 在优化平板电视技术的同时，Newman Ultra 还将继续使用Faroudja 品牌的音视频处理创新技术，为消费者带来无与伦比的视听盛宴。从大屏幕投影影院，到4Kx2K 3D 大屏幕，Faroudja 仍然是市场公认的高品质标杆。

放电管介绍及选型(详解)

放电管特性及选用 吴清海 放电管的分类 放电管主要分为气体放电管和半导体放电管，其中气体放电管由烧结的材料不同分为玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管，玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管具有相同的特性。 气体放电管主要有密封的惰性气体组成，由金属引线引出，用陶瓷或是玻璃进行烧结。其工作原理为，当加在气体放电管两端的电压达到气体电离电压时，气体放电管由非自持放电过度到自持放电，放电管呈低阻导通状态，可以瞬间通过较大的电流，气体放电管击穿后的维持电压可以低到30V以内。气体放电管同流量大，但动作电压较难控制。 半导体放电管由故态的四层可控硅结构组成，当浪涌电压超过半导体放电管的转折电压V BO时放电管开始动作，当放电管动作后在返送装置，的作用下放电管两端的电压维持在很低（约20V以下）时就可以维持其在低阻高通状态，起到吸收浪涌保护后级设备的作用。半导体放电管的保护机理和应用方式和气体放电管相同。半导体放电管动作电压控制精确，通流量较小。 放电管动作后只需要很低的电压即可维持其低阻状态，所以放电管属于开关型的SPD。当正常工作时放电管上的漏电流可忽略不计；击穿后的稳定残压低，保护效果较好；耐流能力较大；在使用中应注意放电管的续流作用遮断，在适当场合中应有有效的续流遮断装置。 气体放电管 气体放电管：气体放电管由封装在小玻璃管或陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成；其电气性能主要取决于气体压力，气体种类，电极距离和电极材料；一般密封在放电管中的气体为高纯度的惰性气体。放电管主要由：电极、陶瓷管(玻璃管)、导电带、电子粉、Ag-Cu 焊片和惰性气体组成。 在放电管的两电极上施加电压时，由于电场作用，管内初始电子在电场作用下加速运动，与气体分子发生碰撞，一旦电子达到一定能量时，它与气体分子碰撞时发生电离，即中性气体分子分离成电子和阳离子，电离出来的电子与初始电子在行进过程中还要不断地再次与气体分子碰撞发生电离，从而电子数按几何级数增加，即发生电子雪崩现象，另外，电离出来的阳离子也在电场作用下向阴极运动，与阴极表面发生碰撞，产生二次电子，二次电子也参加电离作用，一旦满足： r(ead-1)=1 时放电管由非自持放电过渡到自持放电，管内气体被击

各公司待遇

这里所说的待遇全部为税前，另外，年薪不是简单的*12，因为有年终奖。而互联网公司的待遇package，都是包含了年终奖的。 以下待遇无特别说明，默认都是硕士，本科的话会特别说明，关注软件的多一些，硬件ic 等行业希望大家继续补充。 1 华为 研发、服务、销售多数岗位本科9k~12k, 硕士10~13k 客户经理不分本硕11~14k 法务硕士12~15k 行政本科6k 但是华为三五年后还是很给力的，这也是华为薪资的策略，好处给那些想长远在华为发展的人，只是一开始三年比较难熬，连续三年考评b+以上（a,b+,b,c,d），那就功成名就了，不过一c败三年…… 2 中兴号称硕士7300，其实是5300的基本工资加上1200的浮动绩效工资加上400补助再加上公司帮你交的400的公积金，注意这400公积金的概念！一切缴费基数是5300，换句话说，华为要是和中兴这样计算工资，北京华为的工资比北京中兴高了1000都不止！西安华为也比中兴高六七百，中兴实习期80%。 3 中兴移动中兴子公司固定工资6800，餐补350，通信费200 其他没了，夏季有高温补贴350一个月，深圳和南京 4 阿里巴巴，阿里今年全国只招150个精英，15k*15，秒杀国内各公司，另外有30w 无息借款，一年内买房买车买老婆，阿里帮你实现梦想，唉，只怪自己没学计算机 5 中电28所双211硕士为起点普通211硕士：税前10w到15w 11所牛逼高校（清华北大北航浙大复旦上交南京东南武大华科西交）：15w-20w 博士18w起薪牛逼高校：25w-30w 博士一次性住房补贴10w5 航天科工二院总体设计部硕士15w起 6 苏州记忆科技硕士12w 包含了公积金和餐补的有一次性安家费3000 苏州那边全是电子芯片ic企业，感觉苏州在下一盘很大很大的棋，已经下的差不多了，苏州昆山已有号称八百里电子长廊 7 北京704所航天火箭税前8w--10w 无奖金签三年双人间住一年后两年自己找 8 北京17所税前10w起 9 深圳宏电硕士6k，待遇太低 10 威盛北京硕士9k*14 武汉和上海不详 11 宇龙酷派实习：研发北京深圳研究生八千本科4k5 西安研究生6400 本科5800 转正硕士北京深圳9000 西安8000 本科转正不详

半导体放电管检测及测试方法

半导体放电管检测要求及测试方法 1 本要求遵循的依据 1.1YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》 1.2YD/T694—1999《总配线架》 1.3GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》 2 测试前准备及测试环境条件 2.1对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。 2.2在标准大气条件下进行试验 2.2.1温度：15～35℃ 2.2.2相对湿度：45％～75％ 2.2.3大气压力：86～106Ｋpa 所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行： 温度：25±5℃ 相对湿度：45％～75％ 大气压力：86～106Ｋpa 在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。 2.3按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。 3 检测要求和测试方法 3.1外形检查 3.1.1要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。 3.1.2金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。 3.1.3外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。 3.1.4产品标志应清晰耐久 3.1.5包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用 3.2直流击穿电压测试 3.2.1用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。 3.2.1半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。 3.2.3试验所用的电压发生器必须保持表1所示的开路电压上升速率，上升速率应在一定的范围之内。试验电路如图1、图2所示。 图 1 电压上升速率的范围 a) 电压上升速率为100KV/S 注：为了得到足够的试验电流以使样品击穿，图（a）中的电阻R和图（b）中的电阻R4可能需要进行调整，一般取为50Ω。

意法ST系列芯片型号

ST(意法半导体)提供全系列具备各种外设的稳定型8位单片机以及高性能32位ARM芯片。ST系列单片机的8位ST6系列一直以来都是面向简单强劲的成本敏感型应用的安全并受到广泛欢迎的选择，其中包括家庭应用、数字消费类设备和电机控制。ST6器件采用16引脚到28引脚封装，内部集成了1到4KB的OTP(一次性可编程)或ROM存储器。 ST62E系列单片机： ST62E01, ST62E01C, ST62E01CF1, ST62E10, ST62E18, ST62E18C, ST62E18CF1, ST62E20, ST62E20B, ST62E20C, ST62E20CF1, ST62E25, ST62E25C, ST62E25CF1, ST62E28CF1, ST62E28C6, ST62E30B, ST62E30BF1, ST62E32BF1, ST62E40BG1, ST62E42BG1, ST62E46BG1, ST62E60B, ST62E60C, ST62E62CF1, ST62E62B, ST62E62C, ST62E65B, ST62E65C, ST62E65CF1, ST62E80B, ST62E80BG1, ST62E85BG1； ST62T系列单片机： ST62T00, ST62T01, ST62T03, ST62T08, ST62T09, ST62T10, ST62T15, ST62T18, ST62T20, ST62T25, ST62T28, ST62T30, ST62T32, ST62T40, ST62T42, ST62T46, ST62T52, ST62T53, ST62T55, ST62T60, ST62T62, ST62T63, ST62T65, ST62T80, ST62T85； ST62系列单片机：ST6200C, ST6201C, ST6203C, ST6210C, ST6220C, ST6225C, ST6260C, ST6262C, ST6265C； ST63E系列：ST63E73 …… ST7系列单片机解密： ST7FOXF1, ST7FOXK1, ST7FOXK2, ST7FOXA0； ST7LITE0, ST7LITE2, ST7LITE49K2, ST7LITE39F2, ST7LITE30F2, ST7LITE35F2, ST7LITE49M, ST7LITE1xB, ST7LITEU09, ST7LITEU05, ST7LITEUS5, ST7LITEUS2； ST72260G, ST72262G, ST72264G, ST72321, ST7232A, ST72321B, ST72321M, ST72325, ST72323, ST72323L, ST72340, ST72344, ST72345, ST72324B, ST72324BL, ST72361, ST72521B, ST72561, ST7260, ST7263B, ST7265, ST7267R8, ST7267C8, ST72681, ST72682； ST72C216 ST7LCRE4U1, ST7LCRDIE6, ST7SCR1R4, ST7SCR1E4； ST7GEME4, ST7LNB0V2Y0, ST72F521, ST72F324L； ST7LNB1Y0, ST7MC1, ST7MC2, ST7DALIF2, ST7SUPERLITE； ST10系列单片机解密： 新ST10闪存系列：ST10F271Z1, ST10F272Z2, ST10F273Z4, ST10F276Z5； ST10传统闪存系列：ST10F168S, ST10F269, ST10F269Z1, ST10F269Z2； ST10 ROMless 系列：ST10R172L, ST10R272L, ST10R167-Q； STR7系列ARM芯片解密： STR750F：STR755FV2, STR755FV1, STR755FV0, STR755FR2, STR755FR1, STR755FR0, STR752FR2, STR752FR1, STR752FR0, STR751FR2, STR751FR1, STR751FR0, STR750FV2, STR750FV1, STR750FV0； STR71x：STR715FR0, STR712FR2, STR712FR0, STR711FR2, STR712FR1, STR711FR1, STR711FR0, STR710RZ, STR710FZ2, STR710FZ1； STR73xF：STR736FV2, STR736FV1, STR736FV0, STR735FZ2, STR735FZ1, STR731FV2, STR731FV1, STR731FV0, STR730FZ2, STR730FZ1； STR9系列ARM芯片解密： STR91xFA：STR912FAZ44, STR912FAZ42, STR912FA W44, STR912FA W42, STR911FA W44, STR911FA W42, STR911FAM44, STR911FAM42, STR910FAZ32, STR910FA W32, STR910FAM32；

放电管介绍及选型(详解)

放电管介绍及选型(详解)

放电管特性及选用 吴清海 放电管的分类 放电管主要分为气体放电管和半导体放电管，其中气体放电管由烧结的材料不同分为玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管，玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管具有相同的特性。 气体放电管主要有密封的惰性气体组成，由金属引线引出，用陶瓷或是玻璃进行烧结。其工作原理为，当加在气体放电管两端的电压达到气体电离电压时，气体放电管由非自持放电过度到自持放电，放电管呈低阻导通状态，可以瞬间通过较大的电流，气体放电管击穿后的维持电压可以低到30V以内。气体放电管同流量大，但动作电压较难控制。 半导体放电管由故态的四层可控硅结构组成，当浪涌电压超过半导体放电管的转折电压V BO 时放电管开始动作，当放电管动作后在返送装置，的作用下放电管两端的电压维持在很低（约20V以下）时就可以维持其在低阻高通状态，起到吸收浪涌保护后级设备的作用。半导体放电管的保护机理和应用方式和气体放电管相同。半导体放电管动作电压控制精确，通流量较小。

放电管动作后只需要很低的电压即可维持其低阻状态，所以放电管属于开关型的SPD。当正常工作时放电管上的漏电流可忽略不计；击穿后的稳定残压低，保护效果较好；耐流能力较大；在使用中应注意放电管的续流作用遮断，在适当场合中应有有效的续流遮断装置。 气体放电管 气体放电管：气体放电管由封装在小玻璃管或陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成；其电气性能主要取决于气体压力，气体种类，电极距离和电极材料；一般密封在放电管中的气体为高纯度的惰性气体。放电管主要由：电极、陶瓷管(玻璃管)、导电带、电子粉、Ag-Cu焊片和惰性气体组成。 在放电管的两电极上施加电压时，由于电场作用，管内初始电子在电场作用下加速运动，与气体分子发生碰撞，一旦电子达到一定能量时，它与气体分子碰撞时发生电离，即中性气体分子分离成电子和阳离子，电离出来的电子与初始电子在行进过程中还要不断地再次与气体分子碰撞发生电离，从而电子数按几何级数增加，即发生

ST意法半导体代理

意法半导体-万联芯城全国供应，电子元器件采购网，就找万联芯城，万联芯城专售原装进口现货电子元器件，与国内外原厂达成深度合作，坐拥三千平方米现代化仓库，解决终端生产研发物料问题，专为客户节省采购成本。 点击进入万联芯城 意法半导体代理_ST代理是一家法国 - 意大利跨国电子和半导体制 造商，总部位于瑞士日内瓦。它通常被称为意法半导体代理_ST代

理，它是欧洲大的基于收入的半导体芯片制造商。虽然意法半导体代理_ST代理公司总部和EMEA地区总部设在日内瓦，但控股公司意法半导体代理_ST代理 N.V.在荷兰阿姆斯特丹注册。 意法半导体代理_ST代理的美国总部位于德克萨斯州的Coppell。亚太地区总部位于新加坡，日本和韩国业务总部位于东京。大中华区的公司总部位于上海。 意法半导体代理_ST代理成立于1987年，由意大利的半导体公司SGS Microelettronica（SocietàGeneraleSemiconduttori）和法国Thomson的半导体部门Thomson Semiconducteurs合并而成。在合并时，意法半导体代理_ST代理被称为SGS-THOMSON，但在Thomson SA 作为所有者撤回后于1998年5月取得现在的名称-意法半导体代理 _ST代理。 SGS Microelettronica和Thomson Semiconducteurs都是历史悠久的半导体公司。 SGS Microelettronica始于1972年，此前两家公司合并： ATES（Aquila Tubi e Semiconduttori），一家真空管和半导体制造商，总部位于阿布鲁兹市的拉奎拉市，于1961年更名为Azienda

P0080SB系列半导体放电管固体放电管

THYRISTOR SURGE SUPPRESSER DESCRIPTION DO 214AA SMB Thyristor solid state protection thyristor protect telecommunications equipment such as modems -/,line cards fax machines and other CPE ,,. This Series devices are used to enable equipment to meet various regulato-ry requirements including GR1089ITU-,K 20K 21and K 45IEC 60950and TIA 968formerly known as FCC Part 68.,..,,-(). FEATURES >Excellent capability of absorbing transient surge >Quick response to surge voltage >Eliminates overvoltage caused by fast rising transients >Non degenerative DO-214AA PACKAGE PART NUMBER AND ELECTRICAL PARAMETER @ T=25RH = 45%-75% ℃

PART NUMBERING AND MARKING SYSTEM P 3100 SB (1) Thyristor Surge Suppresser (2) Series: 0080, 0300, 0800, 1800, 2300, 2600, 3100, 3500,4200 etc.(3) Package : SMB 10/700uS:4KV (1) (2) (3) SEMIWILL LOGO Part Number DIMENSIONS SOLDERING PARAMETERS SMB/DO-214AA

意法半导体公司产品导购手册

意法半导体 意法半导体 （ ST ）公司成立于 1987 年，是意大利 SGS 半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业，公司总部设在瑞士日内瓦。公司创立目标是在亚微米时代挤身于世界一流的半导体公司之列。新公司采纳并实施一个锐意进取的公司发展战略，将大量的资金投入到产品技术的研发活动中，与业绩优异的客户和享誉全球的学术机构建立战略联盟，在主要的经济地区建立集研发、制造和销售于一体的业务网络，力争成为世界上生产效率最高的制造公司之一。 ST 是世界上最大的半导体公司之一， 2006 年净营业收入 98.5 亿美元。 ST 还是多个领域的市场领导者，例如：据初步的工业数据显示， ST 是世界第五大半导体公司，模拟产品、模拟专用集成电路（ AASIC ）和模拟专用标准产品（ ASSP ）的销售额居市场领先水平。 ST 是第一大手机相机模块供应商和第二大分立器件供应商，第三大 NOR 闪存供应商，在汽车电子、工业用产品和无线应用领域，市场排名居第三。 ST 同时是全球第一大的机顶盒和电源管理芯片制造商。在中国市场上， ST 是 2005 年第三大半导体供应商。 相关产品 ?S T7单片机 ?S TM8单片机 ?S TM32单片机 ?I GBT ?功率放大器

?L DO ST7单片机 ST7系列单片机的内核是一个8位CPU，CPU中具有6个内部寄存器。ST7系列单片机内部集成低电压检测器（LVD）、看门狗、高抗干扰的电磁兼容电路。通过编程可实现读/写保护、多种低功耗模式等，片上外设包括10位多通道A/D转换器、SCI、SPI、I2C、USB和CAN接口，还有各种8位和16位带PWM功能的定时器。 它的复位和时钟电路可以不用任何外部组件，内部的低电压检测器和一个完整的1% RC振荡器就能确保充分安全地启动单片机工作，从而是其应用成本降至最低。 ST7系列单片机都建立在一个满足通用工业标准的8位CPU之上，具有增强的指令集。ST7系列的闪存具有可逐字节在线编程和在应用中编程的功能。ST7系列单片机有等待、慢速、暂停、掉电等多种低功耗工作模式。 ST7单片机最新报价 产品型号产品描述价格($) ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 0.776 ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 1.903 ST7FLITES5Y0M6 MCU 8BIT 1K FLASH 16SOIC 1.452 ST72F60E1M1 MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 24SOIC 1.848 ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 2.213 ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 3.967 ST7FLIT19BY1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 16DIP 2.555 ST7FLIT19BF1M6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.705 ST7FLIT19BF1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20DIP 2.553 ST7FLITE15F1M6 MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.477 ST7FLITE20F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 3.103 ST7FLITE19F1M6 IC MCU 8BIT 4K 20-SOIC 3.19 ST72F324LJ2T5 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.652 ST7FLITE25F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 2.867 ST72F324BJ2T6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.918

意法半导体(ST)新的32位系列Cortex-M3内核微控制器重塑MCU市场

意法半导体（ST)新的32位系列Cortex-M3内核微控制器重塑MCU 市场 --STM32 MCU系列大幅度提高了嵌入式系统的性价比和功耗水准 中国，2007年6月11日--世界领先的半导体制造厂商意法半导体（纽约证券交易所：STM）今天推出一个新的32位微控制器系列产品，新产品所用微处理器是ARM公司为要求高性能（1.25 Dhrystone MIPS/MHz）、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM ?Cortex?-M3内核。STM32系列产品得益于Cortex-M3在架构上进行的多项改进，包括提升性能的同时又提高了代码密度的Thumb-2指令集和大幅度提高中断响应的紧耦合嵌套向量中断控制器，所有新功能都同时具有业界最优的功耗水平。ST是Cortex-M3内核开发项目的一个主要合作方，现在是第一个推出基于这个内核的主要微控制器厂商。 以实现出色的性能和能效为设计目标，同时保留开放工业标准的ARM架构和开发环境的优点，STM32系列产品按性能又分成两个不同的系列：STM32F103“增强型”系列和 STM32F101“基本型”系列。增强型系列时钟频率达到72MHz，是同类产品中性能最高的产品；基本型时钟频率为36MHz，以16位产品的价格得到比16位产品大幅提升的性能，是16位产品用户的最佳选择。两个系列都内置32K到128K的闪存，不同的是SRAM的最大容量和外设接口的组合。时钟频率72MHz时，从闪存执行代码，STM32功耗仅36mA，是32位市场上功耗最低的产品，相当于0.5mA/MHz。

Cortex-M3内核主打存储器和处理器的尺寸对产品成本影响极大的各种应用市场，是针对这些市场的低成本需求，专门开发设计的微处理器内核。Cortex-M3内核增强了芯片上集成的各种功能，包括把中断之间延迟降到6个CPU周期的嵌套向量中断控制器、允许在每一个写操作中修改单个数据位的独立位操作、分支指令预测、单周期乘法、硬件除法和高效的 Thumb 2指令集，这些改良技术使Cortex-M3内核具有优异的性能、代码密度、实时性和低功耗。 STM32采用2.0到3.6V电源，当复位电路工作时，在待机模式下最低功耗2μA，因此最适合电池供电的应用设备。其它省电功能包括一个集成的实时时钟、一个专用的32kHz振荡器和四种功率模式，其中实时时钟含有一个电池操作专用引脚。 “直到现在，16位和32位的设计工程师还要面对很多困难的选择，例如，他们必须在性能、成本、功耗等因素之间做出折衷和取舍，决定使用业界标准还是使用某一公司独有的平台，”ST微控制器产品部总经理Jim Nicholas表示，“通过消除这些需要折衷的因素，STM32走在了融合16位和32位微控制器市场的前列。” 在性能方面，STM32系列的处理速度比同级别的基于ARM7TDMI的产品快30%，换句话说，如果处理性能相同，STM32产品功耗比同级别产品低75%。同样地，使用新内核的Thumb 2指令集，设计人员可以把代码容量降低45%，几乎把应用软件所需内存容量降低了一半。此外，根据Dhrystones和其它性能测试结果，STM32的性能比最好的16位架构至少高出一倍。 新产品提供多达128KB的嵌入式闪存、20KB的RAM和丰富的外设接口，包括两个12位模数转换器（1微秒的转换时间）、三个USART、两个SPI（18MHz主/从控制器）、两个I2C、三个16位定时器（每个定时器有4个输入捕获模块/4个输出比较器/4个PWM控制器），以及一个专门为电机控制向量驱动应用设计的内嵌死区时间控制器的6-PWM定时器、USB、CAN和7个DMA通道。内置复位电路包括上电复位、掉电复位和电压监控器，以及一个可用作主时钟的高精度工厂校准的8MHz阻容振荡器、一个使用外部晶振的4-16MHz振荡器和两个看门狗。因为集成度如此之高，除一个电源外，LQFP100封装产品的最小系统只需要7个电容器。 除工业可编程逻辑控制器（PLC）、家电、工业及家用安全设备、消防和暖气通风空调系统等传统应用，智能卡和生物测定等消费电子/PC应用外，新的STM32系列还特别适合侧重低功耗的设备，如血糖和血脂监测设备。 “融低功耗、易用性和低成本于一身的STM32系列克服了现有的阻碍32位微控制器推广应用的全部问题，”Nicholas表示，“我们相信STM32将满足每一个设计人员的期望。未来的STM32系列产品将扩充已有的功能选项，达到512KB闪存和64KB SRAM以及更多的功能。” STM32系列产品配有成套的ST和第三方的开发工具。ST提供一个评估板、USB开发工具包和一个免费的软件库。Hitex、IAR、Keil和Raisonance不久将在经过验证的基于ARM 内核的工具解决方案的基础上推出入门级开发工具。目前，Hitex、IAR、Keil、Raisonance 和Rowley的工具链支持STM32。

半导体放电管和气体放电管的基础知识

半导体放电管和气体放电管的基础知识 气体放电管的结构及特性 开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到保证。为了提高气体放电管的工作稳定性，目前的气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术，从而保证了封接的外壳与放电间隙的气密性，这就为优化选择放电管中的气体种类和压力创造了条件，气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。气体放电管的各种电气特性，如直流击穿电压、冲击击穿电压、耐冲击电流、耐工频电流能力和使用寿命等，能根据使用系统的要求进行调整优化。这种调整往往是通过改变放电管内的气体种类、压力、电极涂敷材料成分及电极间的距离来实现的。气体放电管有二极放电管及三极放电管两种类型。有的气体放电管带有电极引线，有的则没有电极引线。从结构上讲，可将气体放电管看成一个具有很小电容的对称开关，在正常工作条件下它是关断的，其极间电阻达兆欧级以上。当浪涌电压超过电路系统的耐压强度时，气体放电管被击穿而发生弧光放电现象，由于弧光电压低，仅为几十伏，从而可在短时间内限制了浪涌电压的进一步上升。气体放电管就是利用上述原理来限制浪涌电压，对电路起过压保护作用的。 随着过电压的降低，通过气体放电管的电流也相应减少。当电流降到维持弧光状态所需的最小电流值以下时，弧光放电

停止，放电管的辉光熄灭。气体放电管主要用来保护通信系统、交通信号系统、计算机数据系统以及各种电子设备的外部电缆、电子仪器的安全运行。气体放电管也是电路防雷击及瞬时过压的保护元件。气体放电管具有载流能力大、响应时间快、电容小、体积小、成本低、性能稳定及寿命长等特点;缺点是点燃电压高，在直流电压下不能恢复截止状态，不能用于保护低压电路，每次经瞬变电压作用后，性能还会下降。 半导体放电管也称固体放电管是一种PNPN元件，它可以被看作一个无门电极的自由电压控制的可控硅，当电压超过它的断态峰值电压或称作雪崩电压时，半导体放电管会将瞬态电压箝制到元件的开关电压或称转折电压值之内。电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态。只有在当电流小于维持电流时，元件才会复位并恢复到它的高阻抗状态。半导体放电管的优点包括它的快速响应时间，稳定的电气性能参数以及长期使用的可靠性。其响应速度是气体放电管的千分之一，而寿命是气体放电管的10倍以上。半导体放电管是负阻元件，其能量转移特性使之不会被高电压是你坏。这一点是远胜于TVS二极管的。另一方面，半导体放电管也能做到较高的浪涌电流和很低的电容值。 半导体放电管主要用作电子通讯和数据通讯电路的首级和二级过电压保护器。一、半导体放电管的结构和工作原理

半导体放电管2SA的培训内容

2SA器件相关知识培训内容 一、2SA器件相关术语及基本特性； 二、器件制造工艺介绍； 三、产品品质控制方法； 四、器件常规检测方法及参考标准； 五、使用的标准与国际标准符合性介绍； 六、器件寿命分析； 七、器件保存和使用的注意事项。

一、2SA器件相关术语及基本特性 1、产品名称：过电压保护用半导体管。 简称：半导体放电管，也有称固体放电管。 2、2SA110-J型号说明： “2”——器件的电极数目 “SA”——过电压保护用半导体管（Semiconductor arrester for the over-voltage protection of telecommunications installations） “110”——产品系列号 “J”——表示夹持安装 3、过电压保护用半导体管的定义： 当在两个电极上施加的电压超过额定值时迅速变成低阻（导通）状态，电压撤消后又恢复成高阻状态且正反特性一致的器件。 相关语术： 最高限制电压——在规定上升速率的电压冲击下半导体管上允许出现的最高电压。 不动作电压——半导体放电管保持高阻状态时所能承受的最高电压。 标称冲击电流——半导体放电管正常工作所允许通过的额定脉冲电流（峰值）。 标称工频电流——半导体放电管正常工作时所允许通过的频率为50HZ的额定交流电流（有效值） 4、SA110-J型放电管的结构如图1所示： 图1 1——上、下两个电极；2——封装材料（环氧树脂）；3——半导体芯片放电管的电性能是由半导体芯片生成的。半导体放电管芯片的结构如图2所示：

图2 图3 根据芯片结构图可以画出等效电路图3 图2中P1和P11、P2和P22实际上是同一工艺步骤形成的相同区域，为了清楚分析而特定划分开的。当外加电压施于A1、A2两电极之间，设若A1为正电压，A2为负电压时，PN结J1为正向偏置，呈低阻抗，而PN结J2为反向偏置，呈高阻抗。此时所有的晶体管Q1~Q4皆被截止。放电管呈开路状态。但是当外加电压不断增高，达到和超过PN结J2的击穿电压V BR时，J2立即发生雪崩击穿，有电流通过P2和P22区域并在其上产生电压降。当P22与N2间结上的电压差接近0.6V时，Q2晶体管的发射极N2有电子注入基区P22，晶体管Q2开始动作并有放大作用。电流经过反复放大，于是Q1、Q2迅速进入深饱和区，使A1与A2之间导通，其间的残压可达到3.5V以下，外加的高电压迅即释放。从而起到过电压保护作用，随着外加高电压泄放完毕，晶体管重又自动恢复到截止状态。 由于放电管芯片结构上上下完全对称，因此，反过来A1端为负、A2端为正，动作过程与上述完全类似。半导体放电管伏安特性曲线如图4所示：

意法半导体公司介绍

ST Microelectronics (ST,意法半导体)公司介绍STMicroelectronics（ST,意法半导体,ST Microelectronics)是全球最大 的半导体公司之一，法意半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换 芯片制造商，世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商，而且在分立器 件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。意法半导体(ST Microelectronics)是业内半导体产品线最广的厂商之一，从分立二极管与 晶体管到复杂的片上系统（SoC）器件，再到包括参考设计、应用软件、制造工具与规范的完整的平台解决方案，其主要产品类型有3000多种。意法半导体是各工业领域的主要供应商，拥有多种的先进技术、知识产权（IP）资源与世界级制造工艺，拥有13,000位研究人员和19,000项专利。 历史 意法半导体集团在1987年6月由意大利的Società Generale Semiconduttori (SGS) Microelettronica与法国汤姆逊(Thomson)公司的半导体分部Thomson Semiconducteurs两家半导体公司合并而成，该公司自1998年5月汤姆逊撤股后由SGS-THOMSON更名为意法半导体(STMicroelectronics)。 SGS Microelettronica与Thomson Semiconducteurs均是创立已久的半导体公司： * SGS Microelettronica从前名为SGS-ATES (Aquila Tubi E Semiconduttori)，通过Aziende Tecnica ed Elettronica del Sud(于1963年创立)与Società Generale Semiconduttori(于1957年由Adriano Olivetti创立)于1972年的合并组成。