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模拟电路复习提纲(第二部分)

1 *、书P98习题3.4.6

*、书P186习题4.2.1 c 和d

*、书P190习题4.4.3

*、书P190习题4.4.6

*、书P316习题6.2.1

*、书P316习题6.2.2

*、书P374习题7.1.1 b 和d 和f

*、书P477习题9.7.2

*、功放电路如图所示，设V CC =12V ，R L =8欧姆，功率BJT 的极限参数为I CM =2A ， V V CEO BR 30)(=，P CM =5W 。试求：（1）最大输出功率Pom 的值，并检验所给功率BJT 是否能安全工作？（2）放大电路在效率6.0=η时的输出功率。类似题见书P407习题

8.3.2

*书P498例题10.2.1

模拟数字电路基础知识

第九章数字电路基础知识一、填空题 1、模拟信号是在时间上和数值上都是变化的信号。 2、脉冲信号则是指极短时间内的电信号。 3、广义地凡是规律变化的，带有突变特点的电信号均称脉冲。 4、数字信号是指在时间和数值上都是的信号，是脉冲信号的一种。 5、常见的脉冲波形有，矩形波、、三角波、、阶梯波。 6、一个脉冲的参数主要有 Vm 、tr 、 Tf 、T P 、T 等。 7、数字电路研究的对象是电路的输出与输入之间的逻辑关系。 8、电容器两端的电压不能突变，即外加电压突变瞬间，电容器相当于。 9、电容充放电结束时，流过电容的电流为0，电容相当于。 10、通常规定，RC 充放电，当t = 时，即认为充放电过程结束。 11、 RC 充放电过程的快慢取决于电路本身的，与其它因素无关。 12、 RC 充放电过程中，电压，电流均按规律变化。 13、理想二极管正向导通时，其端电压为0,相当于开关的。 14、在脉冲与数字电路中，三极管主要工作在和。 15、三极管输出响应输入的变化需要一定的时间，时间越短，开关特性。 16、选择题 2 若一个逻辑函数由三个变量组成，则最小项共有（）个。 A 、3 B 、4 C 、8 4 下列各式中哪个是三变量A 、B 、C 的最小项（） A 、A B C ++ B 、A BC + C 、ABC 5、模拟电路与脉冲电路的不同在于( )。 A 、模拟电路的晶体管多工作在开关状态，脉冲电路的晶体管多工作在放大状态。 B 、模拟电路的晶体管多工作在放大状态，脉冲电路的晶体管多工作在开关状态。 C 、模拟电路的晶体管多工作在截止状态，脉冲电路的晶体管多工作在饱和状态。 D 、模拟电路的晶体管多工作在饱和状态，脉冲电路的晶体管多工作在截止状态。 6、己知一实际矩形脉冲，则其脉冲上升时间( )。 A 、.从0到Vm 所需时间 B 、从0到2 2Vm 所需时间 C 、从0.1Vm 到0.9Vm 所需时间 D 、从0.1Vm 到 22Vm 所需时间 7、硅二极管钳位电压为( ) A 、0.5V B 、0.2V C 、0.7V D 、0.3V 8、二极管限幅电路的限幅电压取决于( )。 A 、二极管的接法 B 、输入的直流电源的电压 C 、负载电阻的大小 D 、上述三项 9、在二极管限幅电路中,决定是上限幅还是下限幅的是( ) A 、二极管的正、反接法 B 、输入的直流电源极性 C 、负载电阻的大小 D 、上述三项 10、下列逻辑代数定律中，和普通代数相似是( ) A 、否定律 B 、反定律 C 、重迭律 D 、分配律

模拟电子技术基础中的常用公式必备

模拟电子技术基础中的常用公式第7章半导体器件主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。第8章基本放大电路主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。第9章集成运算放大器

主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。第10章直流稳压电源主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。

第12章时序逻辑电路主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。重点：双稳态触发器。难点：寄存器、计数器。教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即

模拟电路课程设计心得体会

模拟电路课程设计心得体会内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）

精选范文:《模拟电路》课程设计心得体会(共2篇)本学期我们开设了《模拟电路》与《数字电路》课，这两门学科都属于电子电路范畴，与我们的专业也都有联系，且都是理论方面的指示。正所谓“纸上谈兵终觉浅，觉知此事要躬行。”学习任何知识，仅从理论上去求知，而不去实践、探索是不够的，所以在本学期暨模电、数电刚学完之际，紧接着来一次电子电路课程设计是很及时、很必要的。这样不仅能加深我们对电子电路的任职，而且还及时、真正的做到了学以致用。这两周的课程设计，先不说其他，就天气而言，确实很艰苦。受副热带高气压影响，江南大部这两周都被高温笼罩着。人在高温下的反应是很迟钝的，简言之，就是很难静坐下来动脑子做事。天气本身炎热，加之机房里又没有电扇、空调，故在上机仿真时，真是艰熬，坐下来才一会会，就全身湿透，但是炎炎烈日挡不住我们求知、探索的欲望。通过我们不懈的努力与切实追求，终于做完了课程设计。在这次课程设计过程中，我也遇到了很多问题。比如在三角波、方波转换成正弦波时，我就弄了很长时间，先是远离不清晰，这直接导致了我无法很顺利地连接电路，然后翻阅了大量书籍，查资料，终于在书中查到了有关章节，并参考，并设计出了三角波、方波转换成正弦波的电路图。但在设计数字频率计时就不是那么一帆风顺了。我同样是查阅资料，虽找到了原理框图，但电路图却始终设计不出来，最后实在没办法，只能用数字是中来代替。在此，我深表遗憾!这次课程设计让我学到了很多，不仅是巩固了先前学的模电、数电的理论知识，而且也培养了我的动手能力，更令我的创造性思维得到拓展。希望今后类似这样课程设计、类似这样的锻炼机会能更多些!

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

模拟电子技术复习提纲资料

;1;β β αβ+=??=??????????= E C B C I I I I 模拟电子技术复习提纲（各章重点及公式汇编）第三章 1. 半导体 | 2．PN 结正偏时：反偏时：削弱内电场增强内电场 PN 结变窄，导通； PN 结变宽，截止 > 第四章 1、三极管工作在放大区 2、电流分配关系条件关系式 NPN 型 PNP 型 ] BE 结正偏 BC 结反偏 Ic=βIb 放大功能 V = (Si) (Ge) ； U ＞1V V =- (Si) (Ge) U ＞-1V I= I+I 3、三极管热稳定性差; I ≥ I ＞＞I 半导体 N 型 > P 型掺杂 5价施主杂质 3价受主杂质多子电子 ~ 空穴少子空穴电子

中小值和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CES CEQ om L CQ om U U U U U U R I U -==L C L b BE BQ R R R R V Vcc I //;='????????????-= be L i O V r R Rc V V A -== )//(βbe L i O V r R Rc V V A -== ) //(βR r R V V A L be L i O V 1Re//)1())(Re//1(≈+++== ββ 反向饱和电流I ；穿透电流I = (1+β) I 4、共射放大器（2）最大不失真V om （振幅）计算（1）图解方法： U 为饱和压降：（3）NPN 管共射放大的失真及消除方法 U （t ）截止失真波形、 U （t ）饱和失真波形（4）直流通路和交流通路要求能熟练掌握（5）三极管小信号等效电路 — （6）放大电路的计算共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大 | ￥电路静态工作点Q 的计算动

模拟电子技术基础期末复习

一、填空 1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。 2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。 7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和Ω，产生这种现象的原因是。 8. 测得某NPN管的VBE=,VCE=,由此可判断它工作在区。 9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。 10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。 11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。 12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。 14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。 15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。 16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。 17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。 18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。 19. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。 20. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别，前者通常工作在状态或状态，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。 22. 多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都。级数愈多则上限频率越。 23. 由于在功放电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功管时要特别注意、和三个参数。 24. 电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的大。 25. 当电路的闭环增益为40dB时，基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则此时电路的开路的

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

模拟电路总复习知识点

第一章绪论 1．模拟信号和数字信号 ·模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图1.1.8）。 ·数字信号：时间、幅度离散的信号（图1.1.10） 2．放大电路的基本知识 ·输入电阻i R ：是从放大器输入口视入的等效交流电阻。i R 是信号源的负载，i R 从信号源吸收信号功率。 ·输出电阻o R ：放大器在输出口对负载L R 而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载L R 输出功率o P ），该信号源的内阻即为输出电阻。 ·放大器各种增益定义如下：端电压增益：o V i V A V =&&& 源电压增益：o i VS V s s i V R A A V R R ==+&&&& 电流增益：o I i I A I =&&& 互导增益：o G i I A V =&&& 互阻增益：o I i V A I =&&& 负载开路电压增益（内电压增益）：0L o V i R V A V →∞=&&&，00L V V L R A A R R =+&& 功率增益：0||||P V I i P A A A P = =&& ·V A &、G A &、R A &、I A &的分贝数为20lg A &；p A 的分贝数为20lg p A 。 ·不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须1>P A 。 ·任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种（图1.2.2）。 ·频率响应及带宽：o ()()() V i V j A j V j ωωω=或()()V V A A ω?ω=∠& ()V A ω—— 幅频相应（图1.2.7）：电压增益的模与角频率的关系。 ()?ω—— 相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。 BW —— 带宽：幅频相应的两个半功率点间的频率差H L BW f f =-。 ·线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真（图1.2.9） ·非线性失真：器件的非线性造成。

模拟电路(基本概念和知识总揽)

模拟电路（基本概念和知识总揽） 1、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。 2、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用） 3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用？反馈，就是在电子系统中，把输出回路中的电量输入到输入回路中去。反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点：降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用。电压（流）负反馈的特点：电路的输出电压（流）趋向于维持恒定。 5、有源滤波器和无源滤波器的区别？无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、基本放大电路的种类及优缺点，广泛采用差分结构的原因。答：基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路，简称共基、共射、共集放大电路。共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻在三种电路中居中，输出电阻较大，频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。共基放大电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射放

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 2

模拟电子技术重要知识点整理

模拟电子技术重要知识点整理第一章绪论 1．掌握放大电路的主要性能指标都包括哪些。 2．根据增益，放大电路有哪些分类。并且会根据输出输入关系判断是哪类放大电路，会求增益。第二章运算放大器 1．集成运放适用于放大何种信号? 2．会判断理想集成运放两个输入端的虚短、虚断关系。如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均为虚地。 3．运放组成的运算电路一般均引入负反馈。 4．当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。 5．在运算电路中，集成运放的反相输入端不是均为虚地。 6．理解同相放大电路、反相放大电路、求和放大电路等，会根据一个输出输入关系表达式判断何种电路能够实现这一功能。 7．会根据虚短、虚断分析含有理想运放的放大电路。第三章二极管及其基本电路 1．按导电性能的优劣可将物质分为导体、半导体、绝缘体三类，导电性能良好的一类物质称为导体，几乎不导电的物质称为绝缘体，导电性能介于中间的称为半导体。 2．在纯净的单晶硅或单晶锗中，掺入微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么，其多数载流子和少数载流子是是什么，又称为什么半导体。 3．半导体二极管由一个PN结做成，管心两侧各接上电极引线，并以管壳封装加固而成。 4．半导体二极管可分为哪两种类型，其适用范围是什么。 5．二极管最主要的特性是什么。 6．PN结加电压时，空间电荷区的变化情况。 7．杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关。 8．掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂。 9．结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。 10．当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转型为N型。 11．温度升高后，二极管的反向电流将增大。 12．在常温下，硅二极管的开启电压约为0．3V，锗二极管的开启电压约为0．1V。 13．硅二极管的正向压降和锗管的正向压降分别是多少。 14．PN结的电容效应是哪两种电容的综合反映。 15．当PN结处于正向偏置时，哪种电容较大；当PN结处于反向偏置时，哪种较小。 16．稳压二极管稳压时，其工作在反向击穿区，发光二极管发光时，其工作在正向导通区。17．光—电二极管是将光信号转换为电信号的器件，它在何种电压下工作，其电流与光强的关系是什么。

模拟集成电路基础知识整理

当GS V 恒定时，g m 与DS V 之间的关系当DS V 恒定时，g m 、DS I 与GS V 之间的关系通过对比可以发现，DS V 恒定时的弱反型区、强反型区、速度饱和区分别对应于当GS V 恒定时的亚阈值区、饱和区、线性区（三极管区）。跨导g m 在线性区（三极管区）与DS V 成正比，饱和区与GS TH V V -成正比 DS g GS TH V V - 饱和区的跨导

NMOS 1、截止区条件：GS TH V V < 2、三极管区（线性区）条件：TH GD V V < 电压电流特性：()21 2DS n GS TH DS DS W I Cox V V V V L μ?????=-?- 3、饱和区条件：TH GD V V > 电压电流特性：()2 1 (1)2DS n GS TH DS W I Cox V V V L μλ= -+ 4、跨导: 就是小信号分析中的电流增益，D GS dI gm dV = () n GS TH W gm Cox V V L μ=- gm =2DS GS TH I gm V V = - 5、输出电阻就是小信号分析中的r0：10DS r I λ≈ PMOS 1、截止区GS THp V V > 2、三极管区（线性区）条件：THP DG V V < 电压电流特性：()21 2DS p GS TH DS DS W I Cox V V V V L μ?????=-? - 3、饱和区条件：THP DG V V > 电压电流特性：()2 1 (1)2DS p GS TH DS W I Cox V V V L μλ= -- 4、跨导和输出电阻与NMOS 管一样

模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的：本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。

3、使用的教材：杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社主要参考书目：康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社，张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社，谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社，孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社，谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，绪论本章的教学目标和要求：要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5

模拟电子技术习题与答案

模拟电子技术第 1 章半导体二极管及其基本应用 1． 1填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1． 2单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1． 3是非题 1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) 2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× ) 1． 4分析计算题 1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√）二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4

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