中科院微电子所复试真题

真题（本来是一百一十多道，不过很多有重复，我整理了一下，剩下这么多，括号里的提示有同学说的，也有我写的）

1．运算放大器原理，一个好的运算放大器考虑什么因素？

集成运放由四部分组成，分别为输入级，中间级，输出级和偏臵电路，其中过部分功能如下：

输入级：一般是双输入的高性能差分放大器。输入级好坏直接影响运放性能的好坏。

中间级：运放的主放大电路，多采用共射或共源放大电路，还经常采用复合管和电流源做负载，其电压放大倍数可达千倍以上。

输出级：输出电压线性宽，输出电阻小，多采用互补对称输出形式。

偏臵电路：用于给各级提供合适的静态工作点。

好的集成运放应是高增值，低功耗，低噪音，宽的摆幅，宽的带宽等。

2。镜像电流元的工作原理及其注意的因素。

通过控制晶体管的控制端口，使其的参数与另一个晶体管一致，这样，其他的晶体管可以跟踪另外一个晶体管，使其电流等于或按比例地复制参考电流源。电流源工作时，应注意不要超过其允许的温度范围和晶体管工作的参数。

3。正反馈与负反馈的区别和原理。

反馈：将输出量的一部分或全部通过一定的电路形式作用于输入回路，用来影响其输入量来改善系统性能的一种措施。

正反馈：根据反馈的效果，使放大电路的净输入量增大的反馈。

负反馈：使净输入量减小的反馈。

直流反馈：反馈量只含直流分量。

交流反馈：反馈量中只含交流成分。

4。加法器有几种，半加和全加的区别。

半加器：不考虑进位，而将两个一位的二进制数相加，实现半加功能的电路称半加器。

全加器：考虑进位，实现2个二进制数相加的电路结构。

加法器分类：串行进位加法器（行波进位加法器）和超前进位加法器。

行波进位加法器：每一位相加的结果都要等到低一位的进位信号产生以后才能建立起来，这种加法器最大的缺点是速度慢。

超前进位加法器：采用特殊的逻辑电路事先得知每一位全加器的进位输入信号，而无需等待低位向高位的进位信号，显著提高了运算速度，采用这种形式的加法器称超前进位加法器。

5。信号系统有多少种变换，区别于联系，各自的优缺点。

信号变换有：

（1）将两个信号相加，如调音台将语音信号与音乐信号混合在一起。

（2）将两个信号相乘，如调幅信号的调制。

（3）反折：

（4）平移：如雷达中发射信号与反射信号时移大小可以计算障碍物的距离。

（5）尺度变换：常见用于离散信号的压缩与解压缩。

6。TTL与CMOS工艺的区别与各自的优缺点。

CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门

电路在瞬间切换，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高

得多，因此功耗很低，便于制作大规模和超大规模集成电路。

TTL：Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）

和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，但是由于TTL功耗大等缺点，正逐

渐被CMOS电路取代。

7。晶体管VT影响因素

（就是通常说的阀值电压，分清Si管和Ge管的区别。看看工艺方面的书，温度影响较大）

8。集成设计需要注意什么

（这个问题比较大，你可以充分发挥想象力，最好了解一下所谓的设计“八角图”）

可参考拉扎维的《coms集成电路设计》第三章

9。差分放大器的原理及其作用是什么

将两个完全对称的双极性晶体管发射极接入对称的电路中，其中输入由晶体管的基极或源极送入，输出由两个晶体管的集电极接出，这样，当共模信号变化时，两只晶体管的共模信号的漂移量相同，由于输出是两个输出信号做差的结果，这样一来，晶体管的共模信号得到了很大的抑制。而差分放大电路最重要的性能是有很高的共模抑制比。运算放大器的输入级基本上都采用了差分对输入电路。

10。同异步电路的区别

同步时序电路：所有触发器状态变化都在同一个时钟信号操作下发生。

异步时序电路：触发器状态的变化不是同时发生。

（数字电路上有，时钟信号的区别）

11。Pn结的vt性质

（半导体物理上有）

12。系统的可观测性和可预测性

（信号与系统，郑君里的那本上有讲，在状态分析部分，就是几个矩阵的运算）

13。有几种功率放大器，工作原理

甲类功放是指在信号的整个周期内晶体管一直处于放大状态的一类放大器。甲类放大器工作时会产生高热，效率很低，但固有的优点是不存在交越失真。单端放大器都是甲类工作方式，推挽放大器可以是甲类，也可以是乙类或甲乙类。

乙类功放是指正弦信号的正负两个半周分别由互补晶体管轮流放大输出的一类放大器，每一个晶体管的导电时间为信号的半个周期。乙类放大器的优点是效率高，缺点是会产生交越失真。以下是几种乙类放大器：OTL（Qutput Transfomer Less）电路是一种输出级与扬声器之间采用电容耦合的无输出变压器器功放电路，其大容量耦合电容对频响也有一定影响，是高保真功率放大器的基本电路。

OCL电路（Output,Capacitor Less）OCL电路是一种输出级与扬声器之间无电容而直接耦合的功放电路，频响特性比OCL好，也是高保真功率放大器的基本电路。

BTL（Balanced Transformer Less）BTL电路是一种平衡无输出变压器功放电路，其输出级与扬声器之间以电桥方式直接耦合，因而又称为桥式推挽功放电路，也是高保真功率放大器的基本电路。

甲乙类功放界于甲类和乙类之间，推挽放大的每一个晶体管导通时间大于信号的半个周期而小于一个周期。甲乙类放大有效解决了乙类放大器的交越失真问题，效率又比甲类放大器高，因此获得了极为广泛的应用。

丙类功放（C类），是指器件导通时间小于50％的工作类别。这类放大器，一般用于射频放大，很难找到用于音频放大的实例。

丁类功放也称数字式放大器，利用极高频率的转换开关电路来放大音频信号，具有效率高，体积小的优点。许多功率高达1000W的丁类放大器，体积只不过像VHS录像带那么大。这类放大器不适宜于用作宽频带的放大器，但在有源超低音音箱中有较多的应用。

14。SETUP_TIME，HOLD_TIME

设置时间，

（这个不是数字电路里讲的建立时间和保持时间，我们没有学过，在网上搜一下）

15。如果你要查资料的话，如何利用图书馆？

（自由发挥）

16。COMS的英文全称

Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）

17。FF是什么？

Flip-Flop，就是触发器

18。什么是闩锁效应？

闩锁效应Latch up：是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。一旦被锁定，栅极就失去了对沟道电流的控制能力，其原理如下：

Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一侧面式的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。

以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外部

干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT ，从而使两个BJT 因触发而导通，VDD 至GND （VSS ）间形成低抗通路，Latch up 由此而产生。 产生Latch up 的具体原因 ? 芯片一开始工作时VDD 变化导致nwell 和P substrate 间寄生电容中产生足够的电流，当VDD 变化率大到一定地步，将会引起Latch up 。 ? 当I/O 的信号变化超出VDD-GND （VSS ）的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR 的触发。 ? ESD 静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well 或substrate 中，也会引起SCR 的触发。 ? 当很多的驱动器同时动作，负载过大使power 和gnd 突然变化，也有可能打开SCR 的一个BJT 。 ? Well 侧面漏电流过大。 防止Latch up 的方法 ? 在基体（substrate)上改变金属的掺杂，降低BJT 的增益 ? 避免source 和drain 的正向偏压 ? 增加一个轻掺杂的layer 在重掺杂的基体上，阻止侧面电流从垂直BJT 到低阻基体上的通路 ? 使用Guard ring: P+ ring 环绕nmos 并接GND ；N+ ring 环绕pmos 并接VDD ，一方面可以降低Rwell 和Rsub 的阻值，另一方面可阻止栽子到达BJT 的基极。如果可能，可再增加两圈ring 。 ? Substrate contact 和well contact 应尽量靠近source,以降低Rwell 和Rsub 的阻值。 ? 使nmos 尽量靠近GND ，pmos 尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos 之间以降低引发SCR 的可能 ? 除在I/O 处需采取防Latch up 的措施外，凡接I/O 的内部mos 也应圈guard ring 。 ? I/O 处尽量不使用pmos(nwell) （比较重要，在半导体物理上，周玉梅每次都问） 19。双极和MOS 的主要特点，各自的优缺点及应用范围 MOS ：一种压控电流源，与BJT 相比，最突出的特点是可以组成高输入电阻放大电路，此外，他还有噪声低，温度稳定性好，抗辐射能力强，便于集成等特点，但其放大能力没有BJT 强，且容易击穿。 BJT ：流控电流源，放大能力较强，但.. 20。CMOS 功耗问题 分静态功耗与动态功耗。 静态功耗：规定电压作用下的静态漏电流，一般很小，可忽略不计。

动态功耗：CMOS 电路状态翻转时产生的附加功耗，主要有瞬时通导功耗T P 与负载电容充放电功耗c P ，其

中：

T DD TAV P V I = ，其中24131()t t TAV T T t t I i dt i dt T =+??

2c L DD P C fV = 可见动态功耗与输入信号上升时间，下降时间和频率相关。

21。PN 结击穿的形式和因素 （齐纳击穿，雪崩击穿以及是否可逆等等） 22。三极管的四种工作形式 放大区：特征是发射结正偏，集电结反偏，主要用于信号的放大。 饱和区：集电结正偏，发射结正偏，主要用于逻辑电路和开关电源电路。 截止区：集电结正偏，发射结电压未达到开启电压，主要用于逻辑电路和开关电源电路 反向： 将集电结正偏，发射结反偏，此时晶体管β很小，接近于1，无放大功能，主要应用于逻辑门集成电路中。 23。锁存和触发的区别 锁存器---对脉冲电平敏感，在时钟脉冲的电平作用下改变状态 触发器---对脉冲边沿敏感，其状态只在时钟脉冲的上升沿或下降沿的瞬间改变,可分可分单稳态与多稳态。 （看看数字电路部分） 24。电流镜的基本结构和电路图，电流大小如何控制，由什么决定 （这个好像比较难，不知是线电上讲的内容，上网搜搜） 25。霍尔效应的基本原理和应用 （好像是半导体器件物理上的） 26。锁相环技术 锁相环PLL （phase locked loops ）是一种闭环跟踪系统，当输入信号频率与输出信号频率相等时，输入信号与输出信号保持固定的相位差，故称锁相环。其只要由鉴相器PD （phase detector ），环路滤波器LF （loops filter ）和压空振荡器VCO （voltage control ossllator ）组成。

鉴相器可以比较输入信号与输出信号的相位，并将其转换成电压信号，经过LF滤去高频分量后，作用于压控振荡器，使压控振荡器的相位和频率与输入信号的相位保持固定的相位差。

锁相环主要有以下功能：

（1）锁定特性，能够锁定输入信号的频率与相位，不存在频率差，广泛用于自动频率控制，频率合成等。

（2）跟踪特性：一旦进入锁定状态，就能对输入信号在一定频率范围内具有良好的跟踪特性，因而广泛用于信号的跟踪，提取，提纯，调制与解调。

调制：用携带信息的输入信号来控制另一信号的某一个参数，使之按输入信号的变化规律而变化的过程。输入信号为调制信号，别控制的信号称为载波。

解调：调制的逆过程，他将调制波还原成调制信号。

当锁相环环路滤波器通频带较窄且捕捉带也较窄时，可以实现对输入信号的窄带滤波，这是其他滤波器难以做到的。

27。温度漂移

（半导体器件物理，要知道）

28。大规模集成电路的设计规范

29。GaAs pn结的反向击穿电压

（了解一下GaAs器件的特定：例如迁移率高等）

30。栅栏效应与频谱效应

栅栏效应：

对采样信号的频谱,为提高计算效率,通常采用FFT算法进行计算,设数据点数为

N = T/dt = T.fs

则计算得到的离散频率点为

Xs(fi) , fi = i.fs/N , i = 0,1,2,…,N/2

这就相当于透过栅栏观赏风景,只能看到频谱的一部分,而其它频率点看不见,因此很可能使一部分有用的频率成分被漏掉,此种现象被称为栅栏效应.

不管是时域采样还是频域采样，都有相应的栅栏效应。只是当时域采样满足采样定理时，栅栏效应不会有什么影响。而频域采样的栅栏效应则影响很大，“挡住”或丢失的频率成分有可能是重要的或具有特征的成分，使信号处理失去意义。

减小栅栏效应可用提高采样间隔也就是频率分辨力的方法来解决。间隔小，频率分辨力高，被“挡住”

或丢失的频率成分就会越少。但会增加采样点数，使计算工作量增加。解决此项矛盾可以采用如下方法：在满足采样定理的前提下，采用频率细化技术(ZOOM），亦可用把时域序列变换成频谱序列的方法。‘频谱泄露：截断信号时域上相当于是乘以了rectangular window，于是造成了频谱泄漏的问题。

泄漏的原因来自两方面第一输入频率不是fs/n的整数倍，因为dft只能输出在fs/n的频率点上的功率，所以当输入频率不在fs/n的整数倍时，在dft的输出上就没有与输入频率相对应得点(dft输出是离散的)，那么输入频率就会泄漏到所有的输出点上，具体的泄漏分布取决于所采用的窗的连续域复利叶变换，对于没有使用窗的，相当于使用了矩形窗，矩形窗在进行连续傅立叶变换在一般的信号与系统书上都有。而对于非矩形窗，窗本身就会产生一定的泄漏，是通过加大主瓣的宽度来降低旁瓣的幅度，通常主瓣的宽度变成了矩形窗的两倍，例如当我们输入一个fs/n的整数倍的输入频率时，经过非矩形窗，dft输出会在两个fs/n的频点上有功率

（DSP上，很重要）

31。调制与解调

（知道为什么要进行调制以及调制的方法等，最佳接收机等）

32。理想滤波器，希尔伯特变换

（为什么理想滤波器不可以实现？因为是非因果系统，简单了解一下希尔伯特变换）

33。储存器和锁存器有什么不同

锁存器：用来控制数据的传送，一般会有一个引脚来控制电平的输出。

存储器：其结构分三部分—存储矩阵，地址译码和输出缓冲，有ROM和RAM的。对于计算机，又分内存和外存，它们用来存放大量数据可以是长期的也可以是现在要处理的数据如内存。

寄存器与锁存器都是用来暂存数据的器件，在本质上没有区别，不过寄存器的输出端平时不随输入端的变化而变化，只有在时钟有效时才将输入端的数据送输出端（打入寄存器），而锁存器的输出端平时总随输入端变化而变化，只有当锁存器信号到达时，才将输出端的状态锁存起来，使其不再随输入端的变化而变化。34。镀膜有哪几种技术？

化学气相淀积CVD：通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。

主要有常压APCVD，低压LPCVD，等离子增强PECVD和高密度等离子体HDPCVD。

物理气相淀积PVD：有溅射，电镀，蒸发，旋转涂胶等。

蒸发：蒸发器在高真空的环境加热，分子的平均自由程增加，并且在真空腔做做直线运动，直到他撞到表面凝结成膜。去点是不能产生均匀的台阶覆盖，对淀积合金也有限制。

溅射：是一个物理过程，在此过程中，高能粒子撞击具有高纯度的耙材料固体面板，按物理过程撞击出原子，被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。其具有以下优点：

（1）淀积具有保持复杂合金原成分的能力。

（2）能够淀积高温熔化和难溶金属。

（3）能够在直径200mm或更大的硅片上淀积均匀薄膜。

（4）具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片本身的玷污和本身氧化层。

35。为什么cmos电路要比晶体管电路使用的广泛？它有什么优点？

Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低，制作工艺易于实现，便于制作大规模和超大规模集成电路。因此CMOS电路正在取代TTL 电路。

36。双极型电路的基本制造工艺有哪几种？隔离的方法

局部氧化隔离，STI浅槽隔离。

37。什么是匹配？

(3) 配合;搭配，[无线电元器件等]配合

(4) 阻抗匹配：指在能量传输时,要求负载阻抗要和传输线的特征阻抗相等,此时的传输不会产生反射,

这表明所有能量都被负载吸收了.反之则在传输中有能量损失。

（很重要，黑勇每次都问）

38。SRAM是什么的简称

SRAM：Static Random Access Memory

DRAM：Dynamic Random Access Memory

39。什么时候线卷积和圆卷积相同

（学过信号的一定都知道）

40。FFT的原理

41。什么是费米能级，费米能级的意义

（标志了电子填充能级的水平）

42。肖势垒二极管的原理

（一室的老师有在做这个）

43。放大电路中设臵静态工作点的必要性

对于放大电路的基本要求：一是不失真，二是能够放大。如果输出波形严重失真，那么放大就毫无意义了，只有让晶体管在信号的整个周期内始终保持在放大状态，输出才不会严重失真，因此，必须引入合适的静态工作点，保持晶体管的放大状态。

波形的失真有：

线性失真：摆幅失真和相位失真，特点是输出不产生新的频率。

非线性失真：（1）截止失真：Q点过低，因晶体管截止而引起的失真。（2）饱和失真：Q点过高，因晶体管饱和而引起的失真。特点是输出出现新的频率。

44。IIR数字滤波器的结构实现有哪几种形式？

45。什么是倒相级

（push－pull ，totem－pole）

46。简单可编程逻辑器件的分类以及各种的特点。

（四种，别忘了rom）

47。什么是二维电子气

48。说一下复合的机制有哪些？

49。施密特触发器有哪些用处？

施密特触发器的特点：

（1）输入信号从低电平上升过程中，电路状态转换时对应的输入电平于输入信号从高电平下降过程中对应的转换电平不同。

（2）电路转换时，通过电路本身的正反馈可以使输出电平的边沿变得很陡峭。

其用途有：

（1）波形变换（2）脉冲的整形（3）脉冲鉴幅

50。电路的反馈的四种组态是什么？各个的功能是什么？

电压串联负反馈：取样输出电压，得到反馈电压后于输入电压做差的净输入电压进行放大。特点是输入电压控制输出电压。

电压并联负反馈：取样输出电压，得反馈电流与输入电流做差得净输入电流后进行放大，特点是输入电流控

制输出电压。

电流串联负反馈：取样输出电流，得到反馈电压后于输入电压做差的净输入电压进行放大，特点是输入电压控制输出电流。

电流并联负反馈：取样输出电流，得反馈电流与输入电流做差得净输入电流后进行放大，特点输入电流控制输出电流。

51。晶体管放大电路三种接法的比较

共射：既能放大电流，又能放大电压，输入电阻在三种电流种居中，输出电阻较大，频带较窄。常做低频电压放大电路的单元电路。

共集：只能放大电流而不能放大电压，是三种接法种输入电阻最大，输出电阻最小的电路，并具有电压根随的特点。常用于放大电路的输入级和输出级，在攻防电路中叶常用作射级输出形式。

共基：只能放大电压而不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射级放大电路相当，频率特性是三种最好的电路。常用于宽带放大。

52。多级放大电路中四种耦合方式的优却点

直接耦合：低频特性好，因电路没有大电容，便于集成，但各级Q点互相影响，有零点漂移现象。

阻容耦合：低频特性差，不便于集成化，优点是各级Q点独立，现今，只有在特殊需要的条件下，又分立元件构成的放大电路才采用阻容耦合方式。

变压器耦合：各级Q点独立，便于分析，设计和调试。还可以实现阻抗变换。但其低频特性差，且非常笨重。在分立元件功率放大电路应用广泛。

光电耦合：完全的电气隔离，抗干扰能强，还具有较强的放大能力。

53。零漂现象的成因及抑止方法

在直接耦合放大器中，即使输入端短路，用灵敏直流表测量输出端，也会有缓慢变化的电压输出，这种现象叫零点漂移，亦称温度漂移。

零点漂移的成因有电源电压的波动，元件的老化，半导体元件差数随温度的变化而变化等，其中温度是零点漂移的主要原因。

其抑制方法有：

（1）电路中引入直流负反馈。（2）采用温度补偿办法，利用热敏元件来抵消放大管的的温度变化。（3）采用差分放大电路。

54。温度对电阻率的影响

(那条曲线)

55。As掺入si中属于什么类型杂质？形成什么类型半导体？

56。钠离子对mos结构的c-v效应的影响

（半导体物理）

57。什么是沟道长度调制

（器件物理上的）

58。分析mos管的vt特性

59。Mos管内部的电容有哪几部分构成

（器件物理，比较难）

60。简述抽样定理，说说你的理解

（主要说那个2倍是怎么来的）

61。解释吉布斯现象的成因。

（为什么是9％）

62。差分放大电路具有哪四种接法？各有什么特点？

主要有（1）双端输入，双端输出。（2）双端输入，单端输出

（3）单端输入，单端输出（4）单算输入，双端输出

四种接法的特点是：电路的输入电阻均为单管的两倍。

双端输出时，差模增益与单管放大电路增益相当，若电路完全对称，共模增益为0。

单端输出时，差模增益减半，输出电阻减半，共模增益不为零。

单端输入时，在输入差模信号的同时，还伴随着共模信号的输入。

63。超前进位加法器的原理和优缺点

我们知道第i位输入进位信号时两个相加数低i位的函数，因此可以通过逻辑电路事先得知每一位全加器的进位输入信号，而不必等待每一位全加器的进位信号逐级由低位向高位传送，因此提高了运算速度。

超前进位加法器的缺点是电路结构比较复杂。

64。为什么要引入有效质量的概念？为什么要引入空穴的概念？

65。非三五族杂质在硅，褚中产生的能级有什么特点

66。什么是线性时不变系统？

（注意这个概念）

67。傅立叶变换和傅立叶级数的关系 68。什么是交越失真？ 在互补对称输出级中，当输入信号小雨晶体管开启电压时，晶体管将处于截止状态。因此输出电压在输入电压在零点附近时将产生失真，这种失真称交越失真。， 70。5 什么是稳定裕度？什么是相位裕度？ 波特图：研究放大电路频率响应时，输入信号的频率通常在几赫兹到上百赫兹，甚至更宽，放大电路的放大倍数从几倍到上百万倍。为了在同一坐标中表示如此宽的变化范围，在画频率特性曲线时常常采用对数坐标，叫波特图。 相位裕度：定义放大电路单位增益带宽时超前180- 的相位为相位裕度m ?，一般要求其不小于45 。 稳定裕度：定义放大器输出附加相移为180 时的放大倍数分贝值为稳定裕度，一般要求稳定裕度不大于-10dB 。 （重点，去年有老师两次问到过） 71。多谐振荡器有哪几种？ 有对称式多谐振荡器，非对称式多谐振荡器，环形振荡器，石英振荡器，施密特多谐振荡器等固定频率振荡器。另一种为压控振荡器。 72。什么是全定制设计？什么是半定制设计？ （半导体集成电路） 73。什么是可测性设计？ （DFT ，设计中包含测试电路） 74。列举一下你知道的eda 工具 电路仿真的有matlab ，EWB ，cadence-orcad ，cadence-specter ，spice ，modelsim 等 PCB 绘制有 protel 99，alltume designer ，power PCB ，cadence-allgero 等 程序开发的有visual stdio 系列，keil ，MDK ，java JDK 等。 （百度一下，也考你的知识面，今年刚成立了7室是eda 中心，还可能问到） 75。什么是集成电路的top －down 设计 76。什么是共有化运动？ 77。光刻在ic 工艺中起到什么作用？ 光刻的本质是办临时的电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。在IC 工艺中，光刻是集成电路制造工艺的驱动力，其设计IC 制造的每一个步骤，直到现在光刻对芯片的性能都有着革命性的贡献。 78。说一下ad 转换中误差产生的主要原因 环境温度，电源电压，晶体管以及无源器件的精度等… 79。存储器的容量扩展有哪几种方式？ 有按位扩展方式和按字扩展方式。 80。为什么电子的迁移率要大于空穴的迁移率？ （这个概念在半导体物理里面很重要） 81。波尔兹曼统计和费米统计的区别 （这个是固体物理的，有点超纲） 82。RF 是什么的缩写？ Ratio freqence （射频电路，所里很多牛人在做这个,特别火） 83。什么是pn 结的势垒电容？什么是扩散电容？ （有关pn 结这一章要好好看） 84。说一下集成电路设计的步骤 划分 为了将处理问题的规模缩小，通常把整个电路划分成若干个模块。 版图 规划和布局是为了每个模块和整个芯片选择一个好的布图方案。 布线 完成模块间的互连，并进一步优化布线结果。 压缩 是布线完成后的优化处理过程，他试图进一步减小芯片的面积 85。什么是欧姆接触？ 86。多级放大电路的f l 和f h 怎么变化？ 随着级数增多，放大电路的上限频率减小，下限频率增大，因此总的带宽减小了，其具体的计算公式如下所示： 当多级放大电路的上限频率接近时，有：

L f =

1

H f =87。正弦波振荡电路的组成 正弦波振荡器主要由以下四部分组成： （1）放大电路：保证电路能够有从起振到平衡的条件，电路过的有一定幅度输出。 （2）选频网路：确定电路振荡频率，保证电路产生正弦振荡。 （3）正反馈网路：使放大电路的输入信号等于反馈信号。 （4）稳幅网络：也就是非线性环节，是信号保持稳定。 （老师很爱问组成以及比较的问题，这方面的问题一定要注意） 88。vfc 是什么的缩写？ vfc 的工作原理（理解） 电压-频率转换VFC （Voltage frequency converter ），又称压控振荡器VCO （voltage control oscillator0，主要分两类。 （1）电荷平衡式电路：一般主要积分器，恒流源和滞回比较器等组成。开始输入电压通过一电阻输入电流，积分器对该电流积分，设输出电压上升，当到达一定数值后，滞回比较器跳变，开关闭合，积分器与恒流源相通，此时积分器对恒流源进行差值积分，输出电压下降，因恒流源电流远远大于积分电流，故下降时间远远大于上升时间。下降到一定数值后，滞回比较器再度跳变，回复原来，如此重复，因输入积分电流是输入电压的函数，故可以通过改变输入电压而改变振荡器频率，达到VFC 目的。 （2）复位时电路：一般主要由积分器，单限比较器以及由单限比较器所控制的开关组成。开始积分器对输入电压通过一电阻积分，假设输入电压上升，当输入电压上升到一定值后，单限比较器跳变，开关闭合，对积分电容短路，快速泄放积分电容上的电荷，电路又恢复原先状态，如此重复。 89。Gal 的olmc 的五种工作方式。 （这个比较难，数电上有） 90。Pn 结光生伏特效应原理 91。用能带理论解释导体，半导体，绝缘体导电的成因。 92。什么是零输入相应？什么是零状态相应？ 93。什么是系统函数？ （初试和复试都考过） 94。什么是理想低通滤波器？ 对在其通频带内所有频率的信号增益相同，并且有相同的附加相移。而高于截至频率的其他一切频率信号，其增益为零。， 95。IIR 数字滤波器的结构实现有哪几种形式？ 96。分析信号系统模型有几种？分别是哪些？ 97．信号与系统建模方法？ 98．同步、异步 的概念 在一个时钟沿同时动作，则为同步，不在同一个时钟沿动作，则为异步电路。 99．长声学波、长光学波的区别 100。pn 结击穿方式有哪几种？ 雪崩击穿，隧道击穿和热击穿。 101．为什么用X 射线进行晶格衍射？（固体物理 考虑波长 与衍射条件） 102．什么是欧姆接触？如何实现？ 103．什么是Q 点？如何确定？ Q 点（quiescent ）即静态工作点，要求在整个信号通导角内要保证放大器无任何失真。 （增）共射放大器中固定式偏臵电路与分压式偏臵电路各自的优缺点 当然是分压好了，实际用的时候基本上都是分压偏臵，固定偏臵说实话，除了教科书之外，我还真没看到过一个工程实际图纸或者实物是这么用的。 主要原因是分压偏臵对于调整静态工作点非常有利。（调整分压偏臵电阻的大小和比例，可以轻易调整静态工作点）。 固定偏臵的话，偏臵端就一个电阻，使用起来非常不方便。 分压偏臵是两个电阻串联，从两电阻的中间节点连出支路通往基极，通过改变两个电阻的相对阻值，就可以改变中间节点的电压，进而改变三极管的静态工作点。 固定偏臵的话，要改变静态工作点，需要调节发射极电阻，而发射极电阻一旦变化，则电路的增益也随着变化了。改变静态工作点就会变动增益，这在实际中不很麻烦？ 有时候电路电压增益正是我们所需要的，可能静态工作点太低出现失真，这时候最好就只把静态工作点往上移动就好了，不需要改变其他电路参数。固定偏臵无法做到这一点。

中科院物质所考研复试经验

2014——考研复试经历和心得 首先，调剂的话要趁早联系调剂院校。前阶段各个学校调剂工作尚未开始，招生办老师或导师不会给你肯定答复，实属正常，不过提前联系的好处在于当调剂正式开始老师会先发邮件给你。 对于调剂生，就要敢于争取，说不定就有希望。从备考到拟录取短短十个月，我真的学习到太多的东西，这大半年的时光教会了我很多，从书本到为人，从学习到实践，收获颇多。在此与君共勉。 来说一下中科院合肥物质研究所复试面试的具体情况。每个学校的面试细节不一，但大同小异，物质所的面试相比之下还是比较正规的。 ①英语口试：介绍你的学校，介绍你的专业，介绍你的家乡、家庭，说说你怎么知道这里（物质所）的？对这里有什么认识？比较你的学校和这里的异同点等等。这类问题太过广泛，最好先准备一份个人介绍，背熟后可灵活应变。（附件1：英文自我介绍） ②专业口试：我主要被问了物相分析方法、透射电子显微镜（TEM）和使用。 相关的专业问题还有： （i）太阳能电池材料、分类及原理； （ii）P-N结； （iii）薄膜材料和制备； （iv）纳米材料和效应； （v）成分分析、物相分析和形貌分析方法，具体操作； （vi）毕业设计。 （附件2;） 注意：我面试的是等离子所（材料物理与化学专业），每个方向的面试问题侧重不同，可以参考导师的研究方向重点来看。总之，面试前把每位导师的研究领域粗略的了解一下，英语相关口语问题尽量准备充分，一定要自信大胆，礼貌得体。导师喜欢机敏大方的学生，大家都是来参加面试的，水品差不了多少，导师其实也不在乎几分之差，高分被刷的不乏其人。要是能提前见见导师效果更佳，一方面对导师要不要你心中有个大概，不行的话还可以联系其他老师，另一方面，你的面试就占很大优势，导师会或多或少提供帮助的。 差不多就这些，初试成绩是敲门砖，只有过线才有机会啊。考研是人生的一个选择，不管结果如何，只要你能坚持下来，都是值得赞扬的，因为这个过程让你学会了独立学习、收集资料、与人交流、获取信息以及自我推荐，不管如何，你都是赢家。希望努力的人都能收获自己成功！ 附件1：英文自我介绍 Dear professors,it’s a great honor for me to have the opportunity for the interview . I would like to answer whatever you may raise and I hope I can make a good performance today , eventually enroll in your prestigious institute . First,let me give you a brief introduction about myself . My name is XXX , I come from X city , a very beautify city in AnHui province , and I currently a senior student in AnHui Normal University , not very famous but research-intensive . My major is Material Chemistry , which requires students to finish not only the basic courses for Chemistry but

中国科学院微电子研究所考研大纲(考研,复试,保研面试)

中国科学院微电子研究所考研大纲（考研，复试，保研面试）本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院研究生院微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。 一、考试内容 （一）半导体的电子状态： 半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构 （二）半导体中杂质和缺陷能级： 硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级 （三）半导体中载流子的统计分布 状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体 （四）半导体的导电性 载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应 （五）非平衡载流子

非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式 （六）p-n结 p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应（七）金属和半导体的接触 金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触（八）半导体表面与MIS结构 表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p－n结特性的影响 （九）异质结 异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用 二、考试要求 （一）半导体的晶格结构和电子状态 1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。 2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。 3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。 4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。 5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。 6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。

我的中科院理化所考研经历

我的中科院理化所考研经历 回想起考研那段经历，感受最深的就是考研是一场生命的历练，是一次重要的洗礼，是人生中的一次蜕变。只有真正体验过，才能真正感悟其中的奥妙，才能获得身心的提升，才能变得更加成熟！ 国学大师王国维在他的《人间词话》中这样描述了人生的三种境界：第一种是"昨夜西风凋碧树，独上高楼，望断天涯路"；第二种是"衣带渐宽终不悔，为伊消得人憔悴"；第三种是"众里寻他千百度，蓦然回首，那人却在灯火阑珊处"。这里姑且借用它来描述我的考研历程。 昨夜西风凋碧树，独上高楼，望断天涯路 我考研的想法在大二时就已萌发，但当时并没有去准备，对于包括要考哪里、考什么方向等在内的问题都没有认真地去考虑，只是感觉自己对研究一直抱有很高的热情，比较适合从事研究工作。真正开始认真地考虑这个问题是在大三下学期。那时，2004级的师兄师姐刚面试完，所以很多同学到他们那里取经、搜集资料，学院里也组织了几次考研经验交流会。经过多方面的比较之后，我决定报考中国科学院有机化学方向的研究生。刚开始选定的是上海有机所，但后来却历经波折，直到网上确认完才算真正定下来。9月下旬我们学校通知保研名额，但是学院里说不能外保，这样前十个中九个放弃保研，其中有四个选择报考上海有机所，而且他们的实力都非常强。选择保研还是继续考试？当时家人、同学都劝我慎重考虑，理由是竞争压力太大，我们学校不是非常好的名校，所以即使过线也不可能全要，相对而言，选择保送就稳妥得多；还有女生从事有机化学研究危害性太大但是我们学院没有外保，如果想保研只能留在本校。难道就要这样放弃自己曾经的梦想，从此与中国科学院无缘？不，这不是我想要的！经过慎重考虑，我决定和命运赌一次，就算结果不如想象得理想，但至少自己已尽力了，不会留下太多的遗憾 衣带渐宽终不悔，为伊消得人憔悴 大三下学期我们的课程还是比较多，看了一段时间的有机化学之后，我感觉这东西太繁杂，没有比较完整的时间对知识进行梳理是很难系统掌握的。当时我们的专业课正在学习结构化学和物理化学（下册），所以我就决定先把开设的课程学好，暑假再开始有机化学的复习。可那年暑假因为奥运会，学校限电，教室晚上也不开，整个暑假也就没有认真地复习。不过，每天晚上和同学一块儿听奥运广播成了那个暑假最深刻而美好的记忆。9月开学后算是真正进入备考阶段：先是系统地复习专业课的主要内容和基本知识点，然后就是做习题、做真题、研究真题。这期间我对重要知识点、易错知识点和难点作了比较详细的整理。最后冲刺阶段我基本上是按照考试安排在作适应性训练：上午、下午分别做相应科目的试题，晚上就开始分析、总结，不断地查漏补缺。 对于英语，我一向不大喜欢单纯地记单词，而且也记不住，而是比较喜欢阅读。所以，在其他同学拿着词汇书记单词时，我选择了多看多读，以此来扩充词汇量。就这样我每周坚持一定的阅读量，如《英语文摘》、《英语沙龙》、《21世纪报》等，有时间我就会去读。

中科院微电子所介绍

招生简介 中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。 微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。现有职工622人，其中中国科学院院士2人，高级研究人员91人，上岗研究生导师74名（其中博士生导师34名），在读研究生近300多人。 主要研究方向：1.硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3.微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发、电子封装）。 本专业一级学科为电子科学与技术。作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。 除招收普研（学术型）外，我所还计划在电子与通信工程（代码：430109）和集成电路工程（代码：430110）两个领域招收全日制专业学位研究生。我所2011年度研究生招生仍为国家计划内公费。 专业代码： 080903 专业名称：微电子学与固体电子学 学科专业研究方向与导师 w 硅器件及集成技术 该方向为一室、九室、十室研究方向，主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。这些研究室一直致力于硅基器件与集成电路主流工艺技术的研究, 曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS电路的研究”、“0.35微米CMOS集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOS FET”等国家重点攻关项目的研究，具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力，并在诸多技术方面一直保持着国内领先地位。目前正在致力于下一代纳米级的 CMOS新结构器件与电路、新工艺技术、高可靠性集成电路设计技术与新型MEMS器件与集成，以及先进电子封装技术的研究。 导师简介 韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师 杜寰男 1963年出生副研究员硕士生导师 欧毅男 1975年出生副研究员硕士生导师 罗家俊男 1973年出生副研究员硕士生导师 孙宝刚男 1969年出生副研究员硕士生导师 李多力男 1977年出生副研究员硕士生导师 朱阳军男 1980年出生副研究员硕士生导师 万里兮男 1955年出生研究员博士生导师 曹立强男 1974年出生研究员硕士生导师 陈大鹏男 1968年出生研究员博士生导师 王文武男 1973年出生研究员博士生导师

中科院上海微系统与信息技术研究所复试经验

考研面试前找面试资料，气愤找到的全是通信的面试经验，为了维护微电子的尊严，给报微电子的孩子们一点经验，楼主决定来一篇。 楼主是2016年考研，目标是中科院微系统与信息技术研究所，我考得是数一，英一，政治和固体物理，总分319，今年微系统所的分数线很诡异，在3月1号的时候说是要求大科78小科50，到了3月18号，突然发出通知说过了国家线也就是265分的一志愿的骚年都可以参加面试，最后面试的时候微电子来了48个，通信来了14个，我数了一下保研去掉之后微系统所微电子方向总共要招所内学硕36个,上科大联培22个，所内专硕17个，通信方向招学硕7个，联培4个，专硕5个，复试出来之后微电子刷掉了两个，通信刷掉4个，这样一来，研究生招生的缺口就很大,统考的孩子们挑好导师的第二天，调剂的孩子们就来了。 然后说一下大家最关心的面试吧，我们62个人总共分三组，通信一组，超导和二室的材料一组，剩下传感器和太赫兹的一组，通信感觉面试比较严格，进去就直接让你用英文介绍你做过的项目实验毕设之类的，吓呆宝宝了，然后会问一些专业课，楼主是微电子的，抱歉不知道通信问些什么专业课科了，微电子这边感觉碰运气，我面试的这边直接进去先来一个英文自我介绍，你在那边说英文，老师就在那里狂翻你的简历，介绍完之后，他就开始根据你的简历问问题，楼主有一个三作受理专利，感觉被炮轰了，要你把这个专利介绍一下，我就等他问这个呢，然后就巴拉巴拉说一大通，拖时间，然后有一个老师揪着量子点这个概念问我，我回答了，然而老师并不同意我的观点，索性后来说我不了解，另外我是负责人的一个项目没有一个人问，然后中间一个老师问了我对传感器感不感兴趣，我怕他问的深，就说不是很了解，但是知道它是信息采集，信息处理和信息输出，他点点头，然后那老师就开始和我讲传感器，我就静静地听着，也问了毕业设计，我说只是开了个题，大致说了下要做的三个方面，然后就绕过了，中间还问了一个竞赛的事，剩下问了什么我给忘了，一个专业课都没问。但是我同一个组的有些人就被问了专业课，还是有科研经历比较好办事，每个人大概面10分钟吧。另外一个组面试的速度比较快，进去也不用用英文介绍，有些让中文的有些干脆不用介绍，直接问些专业课的问题，听说问题也比较基础，但是没有自我介绍拖时间感觉问的会稍微多一点。 总结这次面试，感觉微电子这边只要是个正常的人，能正常回答问题，不瞎编乱说基本就能过，毕竟缺的人太多，通信那边就算有缺口感觉都是宁缺毋滥的，他们面试的人说，老师说这届通信质量差，宁可要调剂高分的，可不要面试差的。 对了，还有面试听力吧，先是一篇文章，里面有20个空，前几个是一个单词，后面就会要填短语，然后是20个选择题，感觉听力真的不重要，问了解佳老师，说是基本没有人及格，主要就是看面试。 最后就是选导师了，上午面试，下午马上就出成绩选导师，我们2点半出结果，拍照片的5点下班，解佳老师说必须要在这个时间之前选好导师，4点前没有找到老师签字就要赶紧回报告厅让她推荐老师，不然到了5点就赶不上拍照了，和导师见面你一定要了解老师的方向，前一天有实验室的介绍，一定要好好听，会有意想不到的收获，第一个找的老师就没有要我，然后我就顺口让他帮我推荐一个老师，然后就真的被接受了，前一个老师问了专利，科研项目，还有对他的方向是否了解，了解些什么，后一个问了自我介绍，爱好，专业课成绩和英语成绩，这个老师问的比较刁钻，感觉在给我下套，有点hold不住啊，大家在挑导师的时候也要注意提前有目标性的准备一点。

中科院微电子学与固体电子学考研必读的经验

距离考研真正结束已经有好几个月了，好久没来逛论坛了，记得那时迷茫的我在论坛中一个个找帖子看，只要看到“微固”就一定会点进来看，找资料，请教问题。现在，终于告别了我的考研岁月，有辛酸、有汗水、更有一份份的感动，这其中的滋味，只有走过这段路的人才能真正体会得到！我想说，走过这段路的战友，不管结果如何，你们是真正的英雄！当你选择这条路的时候，其实你应经成功的战胜了自己！ 说实话，我是二战过来的，考的是中国科学院大学微电子学与固体电子学，可惜败在了专业课上（虽然说专业课并不是很公平，自己复习的不好也是一个重要原因），之后就是毕业找工作，刚毕业出来什么都不懂，关键是工作又不是自己喜欢的，所以工作了三个月后我决定继续二战中科院。八月份，又回到熟悉的学校，熟悉的图书馆，记得坐在图书馆的第一个晚上，环顾四周，曾经的战友都不在了，一幅幅陌生的面孔，晚上从图书馆出来我哭了，不知道是什么感觉，就是控制不住我的泪水。心里的委屈无法倾诉，熟悉的地方，物是人非，那种感觉真的很辛酸！可是我在心底暗暗发誓：今年，我一定要考上！ 我知道微固专业是中科院的三大王牌专业之一，每年的录取线都是领跑全院（今年是358），为了梦想，我想豁出去得了，冲！然后就是漫长的复习，从头开始，记得招生简章没出来之前，专业课我选的是固体物理，因为第一年看了一年固体物理的知识，学起来会快很多，命运给了我很大的恩惠。总之，老天给了我一个很好的开始毕竟有失也有得之前的复习也不全一无是处，所以说我更要加倍努力啦！有时候，考研真的单纯只是为了追逐那份心中的梦想，不去想考上了会怎么样，工作怎么样，心里会发誓一定要实现自己的梦想！为了证明自己！我的同学，第一年浙大落榜，第二年继续，这是一种怎样的精神在支持着？考研人，真的勇士！八月份，学校里各种辅导班都在上课，我报的新祥旭的专业课，按照老师的指导一步步地去看书复习，只要好好总结，学习效果还是很明显的。一家之谈，可能每个人的感受不一样吧！当然了有些就是不报班的同学学得也很不错！ 在这里，我想把我数学的学习心得和大家分享一下，今年数学考的不是很好，120，本应该考得很好的，今年数学也较容易，结果考砸了。数学我买了一本李永乐的复习全书，个人觉得比陈文灯的好！主要是陈的书很多内容讲的太繁琐，很多讲题方法是很不错，讲了很多技巧，但是考研很少考到，所以我觉得与大纲偏离的太多。而李的书看起来就很舒服，讲的都是常见题型，常见解题方法，很多题型出的也很好。复习全书一定要认真做！我总共做了三遍，而且做数学题时把它当字典查，所以到最后这本书翻得实在是很烂。如果你觉得里面的题目不够做，可以再买一本660题，里面的小题都是很经典的！ 专业课我想是大家比较关心的，因为考研的总分很大一部分取决于它！今年专业课考了130+，个人觉得也还有很大的提升空间，专业课也很简单，考试才考了一半我就已经完卷了，到最后也没有检查，就等着交卷迎接考研结束，现在想想挺后悔的。我本科学的就是微电子，考试指定的那本教材也是学过的。但是本科时没有好好学，基本上都是考研时才学通了这本书。相信拿到这本书在手里，你也是很难过的，全部都是公式，推导过程！翻一遍过来，头都大了。我当时也是这种感觉，该怎么学啊？当时我问一些学长，他们告诉我，要想把这本书学好，里面的所有公式都要会推导出来！我当时都蒙了，公式记都记不住怎么推啊？好多公式都很冗长！不过困难总是要克服的呀，只能咬咬牙，从头开始看吧！下面我来说说怎么学好这本书。我们都知道微固专业的基础是物理学方面的知识，所以说这本书是基础。不过我的建议是，如果你物理学的知识之前没有接触过，刚开始肯定很多内容都看不懂，但是不要求你看懂，你只要先了解一下基本概念就可以了。在知道都是讲一些什么的时候再回过头来详细地看。但是物理的一些内容要牵扯到量子力学的内容，主要是前面晶格结构的内容，我觉得如果大家不太了解的话，最好把这些书中的相关章节拿出来翻翻，了解一下也好，这些都是一些基础的东西。我想说一遍两遍看不明白很正常！慢慢自己琢磨，不懂就去问老师问同学，总会弄懂的。你要知道既然你选择了微固专业，就要做好吃苦的准备，相信自己一定行！永远不要灰心，你可以沮丧！但不可以放弃！ 其次我想说，光看书也是不够的，要找一些题目来做，很多东西要通过做题才能真正掌握。其实我也知道普通物理的题目真的是很少！书店一般都买不到，课本后的习题也没有答案。但是困难来了，你要自己想办法！我也经常在网上下一些视频拿出来看，巩固专业基础的一些东西。我有一个同学，当时也考微固，我把这个视频拷给他，结果他只听了一两遍就不听了，说听不懂，我那个郁闷的啊唉。其实我想说每听一遍感觉都不一样，都有很多收获！觉得普通物理学得差不多了，就做点题目检验一下，要是有模糊的地方可以把教材拿出来再翻一翻，这样结合着看效果也不错。书上的很多公式自己慢慢去推导，多推导几遍就熟悉了，其实有些内容考试不考。书看过三遍左右的时候就要做真题了，历年真题，每一题都要做精做透！结合一些资料题目来做，课本上课后习题有很多也很好。平时可以把书合

中科院研究生面试

竭诚为您提供优质文档/双击可除 中科院研究生面试 篇一：写给对保送中科院研究生感兴趣的人 写给对保送中科院研究生感兴趣的人 前两天有位师弟问我：保研怎么联系呢我突然意识到，又到了保研和[参数1]的季节，是有必要总结一下我的保研 经历与感受，期望以此引导和鼓励无数比我年轻的学生们。 保送中科院一直都是我的梦想，喜欢中科院真的不需要理由，更何况中科院免费又补助的政策让人眼馋。至于中科院是不是国内实力最强的我不敢妄下结论，反正我个人厌倦了大学生活的纷繁复杂，非常向往研究所清静自由的科研学术氛围。不可否认的是中科院的学习生活确实有些枯燥单一，甚至压抑，既然是自己的选择，那就得耐得住寂寞做学问，选择哪种生活方式完全是自己的事。 教育部规定：具有研究生院的高等院校和未设立研究生院的“211工程”高校的本科生具有免试推荐硕(博)研究生 资格，很庆幸我是该规定的受益者之一。我是学计算机的，研究生阶段不准备改行，而中科院适合我的只有两个：计算所和软件所。20xx年7月份，大三的期末考试刚结束，我就

开始准备保研的事情了。每年保研的时间为大四上学期9月初到9月末。想要去得自己满意的地方，尤其是保送外校的研究生院，尽早准备是非常必要的。7、8月亦不算早，大三下学期就开始联系的也大有人在。计算机专业包含很多具体的方向，那个时候我对自己将来从事什么还没有明确的想法，我咨询了我们学校的几位老师，又和读研究生的几位学长聊了很多，考虑到自身的特点，到了8月份最终确定了两个感兴趣的方向。然后我就上网查找导师的信息，中科院各所的网站上都有任职导师的详细资料，我大致圈定了四五个导师。我向每位导师发了一封试探性的email，简单介绍自己的情况，表达自己对老师所研究的方向有兴趣，询问自己能不能免试读研的想法，有些导师很快给予回复，大致意思是你很优秀，希望你提供些更加详实的资料比如成绩排名，获奖证书，本科的竞赛作品等，也有导师婉言拒绝的。就这样我与软件所的一位导师有了进一步的联系，他要我向软件所招生办提供申请材料，并等待所里的统一面试。一般情况下，导师同意接纳你，所里都会给你去北京面试的机会。实际上，软件所同一个实验室的另位导师对我也感兴趣，只是后来我没有积极与他联系，直到后来到北京面试，见到这位老师，我是羞愧万分。 导师联系的很顺利，接下来就是按照学校的推免程序提交申请材料。一般需要提交的材料包括申请表，个人陈述，

中科院微电子所硕博连读培养方式

中国科学院微电子研究所硕-博连读研究生培养方案 2009-10-12 | 编辑： | 【大中小】【打印】【关闭】 为加强我所攻读硕士学位研究生的培养工作，进一步提高硕士生的培养质量，根据国家和中国科学院的相关文件的精神，并根据我所的具体情况，特制定攻读硕士学位研究生的培养方案如下： 培养目标 我所攻读硕士学位研究生的培养目标是：进一步学习、掌握马克思主义的基本原理，树立为社会主义现代化建设事业服务的理想。在攻读学科上掌握坚实的基础理论和系统的专门知识；掌握一门外国语（英语）；具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。具有健康的体格。 学习年限 硕士学位研究生的学习年限一般为三年，学位课程学习时间为一年，从事学位论文相关的科学研究和撰写论文为二年至三年。正常情况下，如不能按时毕业者，若完成学习任务，论文答辩未通过，作结业处理。确实由客观因素未能按时完成学习任务，必须由导师提出申请，经研究生部核准，可延长半年至一年，延长学习的时间不计算学制。在职硕士学位研究生的学习年限3年半，论文工作必须结合本职工作。硕士学位研究生一般不得提前毕业。 培养方式 政治理论学习与经常性政治、思想、纪律和理想教育相结合。对硕士生除开设必修的政治理论课外，还应加强形势、政策、理想、法纪、道德品质和爱国主义教育。同时，在完成学习任务的前提下，积极开展社会主义公益和社会实践活动。 贯彻学位课程和论文工作并重的原则。硕士生既要系统地学习理论，也要接受独立从事科

学研究的实践锻炼。贯彻指导教师负责带教和指导教师小组集体培养相结合的原则。导师应该从政治思想和业务学习两方面关心和教育硕士生。 指导教师根据本专业培养方案规定的原则和要求，结合研究方向，制定硕士生的培养计划，对学位课程和论文作出具体安排。硕士生应在导师指导下制定本人学习计划，选修课程必须征得导师或学科点学术秘书的同意；完成学位课程学习计划后，必须在一学期内完成调研工作并转入论文正式工作。 建立每学年年终评比奖励优秀研究生制度，对品学兼优的研究生进行表彰和奖励，以鼓励先进，在研究生中形成积极上进的气氛。 研究专业 我所攻读硕士学位专业为：微电子学与固体电子学（工学）。 课程学习 硕士学位研究生课程分为公共必修课、专业必修课和选修课三大类。学位课程的设置应遵循以下原则： ?公共必修课应按国家统一设置； ?专业必修课六门，按一级学科范畴设置，体现本专业和知识面宽的特点；并设置本学科实验技能方面的课程； ?必修课应相对稳定，课程内容比较成熟，覆盖面较宽，符合本学科发展要求； ?避免与本学科课程中设置内容上的不必要重复； ?为了适应科学技术的发展，在加强基本理论学习的同时，课程设置要有一个合理的知识

中科院广州生物院考研经验心得

2020考研干货带你走向远方 先自我介绍，本科山西医科大学生物制药，成绩还行，挂了一科丢了保研机会，不过也 不后悔，因为一个二本学校可能保不上我想去的学校，自己努力考研别有一番风味，可以经 历保研享受不到的体验。我报的是中科院广州生物院，考的是612生物与分子，852细胞， 目前已经成功上岸，苦逼的是硕博连读了。废话不多说，能遇见我写的东西是幸运，不过更 重要的是看完之后有所思所想，转化成自己的想法才是长久动力。 1、选学校选专业 选择和努力是同等重要的，所以当你有了一点点想考研的念头后，第一件事情不是纠结，而是去选择，同时去评估自己。先说如何评估自己，无非实虚两方面，实的就是自己学习成 绩如何，英语成绩如何，获过多少次奖学金，拿过什么证书，做过什么大创，参加过什么比 赛等等，虚的就是自己学习的热情度，能不能做到自律，坚持，内心愿不愿意学习，自己学 习最终的目的是什么等等。这个评估不是说证书多的成绩好的就能考上，证书少的成绩差的 就没戏，评估的目的是为了选择一个合适的目标学校。 再谈选学校专业，专业视个人情况定，但是可以参考本专业考上的学姐学长。选学校呢 就先去官网看学校专业简介，招生简章，专业目录，觉得心仪的呢，就继续查看详情数据 （3年左右），复试通知名单，录取名单，对比两表，看刷多少人，是不是随机刷，要多少人，录取的最低分多少，是学硕专硕还是硕博连读。了解初复试占比，怎么计算最终成绩的，该专业是否为一级学科。可以先选上3个学校，保守的，中等的，冲刺的以便备选。一定要 自己去分析学校数据，才能给自己考上这个学校的把握和信心，拥有好心态。 2、找资料找学姐学长 选好学校后，尽快找真题，找学姐学长，可以先看看真题题型是否能接受，跟本科期末 试题肯定是不太一样的，但是不要急于否决，大概有个谱就行，实在有不能克服的题型可以 考虑换学校。尽量去找到学姐学长，加各种群厚脸皮问，买上她们的资料，或者她们推荐买 的资料。 3、时间规划 正式启动复习大概在4月左右。4月前没有决定好学校专业的，可以先学习英语，刷英语课，买恋恋有词刷。4–6月进行第一轮基础学习，一定要仔细全面，这个阶段学习专业课 （视频，习题集），英语刷视频，但不建议做笔记，每天坚持做一道阅读题，不要浪费真题，真题以外的阅读不建议做，可以把真题多刷几遍。7–9月，开始第二轮复习，这个时候也要 学习政治，看视频做1000题，专业课要深入理解，那些该重点掌握，那些随便了解心里要有谱，可以做自己的笔记，形成一个框架。英语填空题还有新题型也可以开始做了。10月后， 是最抗不住的时候，放弃的人最多，坚持下去就有希望啊，这个时候开始整理真题，大题自 己动笔整理，按照自己的思路去写，前提是要有依据的，把真题放在每个章节去整理，不是 为了做真题而做题，而是为了掌握知识而做题，整理每个章节的知识点（包括真题），这样 才能把知识有条理的放在一起，在理解的前提下，通过空间和印象记忆法来记忆。最好能边 整理边背。 4、英语政治专业课 英语政治我首先很早就买了视频课，包括压密也就330左右，市面上能看见的机构课程都有，今年可能就280左右就可以买上两科，买课呢什么价格的都有，关键是要卖资料的人可靠， 会帮你一直更新。特别不建议把时间浪费在找资料上，也不建议报什么2000多的视频班，面

微电子技术发展现状及未来的认识和看法

微电子技术发展现状及未来的认识和看法 摘要：本文通过对半导体材料、微电子器件及集成电路技术近几年取得的重要成果进行的充分调研，介绍当下微电子的各项新成果。在此基础之上，充分阐述了微电子发展的现状，并对微电子的未来的发展方向给予一些见解。 关键字：微电子半导体 半导体材料是指电阻率在10-3~108Ωcm，介于金属和绝缘体之间的材料。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。 1 半导体材料、微电子器件及集成电路技术近几年取得的重要成果及发展的现状。 1、1我国国微电子产业简介 我国硅晶片生产企业主要有北京有研硅股、浙大海纳公司、洛阳单晶硅厂、上海晶华电子、浙江硅峰电子公司和河北宁晋单晶硅基地等。有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为40%。2000年建成国内第一条可满足0.25μm线宽集成电路要求的8英寸硅单晶抛光片生产线;在北京市林河工业开发区建设了区熔硅单晶生产基地，一期工程计划投资1.8亿元，年产25t 区熔硅和40t重掺砷硅单晶，计划2003年6月底完工;同时承担了投资达1.25亿元的863项目重中之重课题——“12英寸硅单晶抛光片的研制”。浙大海纳主要从事单晶硅、半导体器件的开发、制造及自动化控制系统和仪器仪表开发，近几年实现了高成长性的高速发展。 自1965 年，我国研制出第一块双极型集成电路以来，经过40 多年的发展，我国集成电路产业目前已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格 局，并将持续保持良好的发展势头。我国微电子产业处在高速发展阶段我国现已成为世界电子产品生产大国，数字电视、3G 等电子产品未来几年内将进入高速发展阶段。据信息产业部预计，2007 年－2011 年这 5 年间，中国集成电路产业销售收入的年均复合增长率将达到27.7%。到2011年，中国集成电路产业销售收入将突破3000亿元，达到3415.44 亿元。届时中国将成为世界重要的集成电路制造基地之一。 1、2 我国微电子产业取得的主要成就 （1）超深亚微米集成技术研究逐渐接近国际先进水平。由于多方面的原因，我国在这一领域的研究工作长期处于劣势，不能与国际先进水平相提并论。在“863”等项目的支持下，清华、北大、中科院微电子所和半导体所等微电子基础条件较好的单位率先开展了面向超深亚微米集成技术的研究，在新型器件结构

中科院所有研究所

北京市 数学与系统科学研究院 力学研究所 物理研究所 高能物理研究所 声学研究所 理论物理研究所 国家天文台 渗流流体力学研究所 自然科学史研究所 理化技术研究所 化学研究所 过程工程研究所 生态环境研究中心 古脊椎动物与古人类研究所大气物理研究所 地理科学与资源研究所 遥感应用研究所 空间科学与应用研究中心 对地观测与数字地球科学中心地质与地球物理研究所 数学科学学院 物理学院 化学与化工学院 地球科学学院 资源与环境学院 生命科学学院 计算机与控制学院 管理学院 人文学院

外语系 工程管理与信息技术学院 材料科学与光电技术学院 电子电气与通信工程学院 华大教育中心 动物研究所 植物研究所 生物物理研究所 微生物研究所 遗传与发育生物学研究所 心理研究所 计算技术研究所 工程热物理研究所 半导体研究所 电子学研究所 自动化研究所 电工研究所 软件研究所 国家科学图书馆 微电子研究所 计算机网络信息中心 科技政策与管理科学研究所 北京基因组研究所 青藏高原研究所 光电研究院 国家纳米科学中心 信息工程研究所 空间应用工程与技术中心（筹）天津市 天津工业生物技术研究所

河北省 渗流流体力学研究所 遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心山西省 山西煤炭化学研究所 辽宁省 大连化学物理研究所 沈阳应用生态研究所 沈阳计算技术研究所 金属研究所 沈阳自动化研究所 吉林省 长春人造卫星观测站 长春应用化学研究所 东北地理与农业生态研究所 长春光学精密机械与物理研究所 上海市 上海应用物理研究所 上海天文台 声学研究所东海研究站 上海有机化学研究所 上海硅酸盐研究所 上海生命科学研究院 上海药物研究所 上海微系统与信息技术研究所 上海光学精密机械研究所 上海技术物理研究所 上海巴斯德研究所

中科院微系统与信息技术研究所——复试经验及准备

中科院微系统与信息技术研究所（三）——复试经验及准备 本人是参加了2012年微系统所的考研，考取了通信方向，长期在考研论坛上看相关资料，发觉关于微系统所的各方面信息不太多，希望我的一些经验和叙述能够让各位学弟学妹们对微系统所有更深入的了结，能够考出更好的成绩。也希望我们能成为朋友，成为校友。我不是什么大神，只要大家认认真真的，人人都能考上。我的QQ号：80279856 ，希望大家加我的时候能够发送（考研+姓名）给我，方便我归类整理。大家有什么问题也可以来咨询我。废话不多说，进入正题。 先说说我的自身情况吧，我报考的是电子通信工程，考的科目除了数学是数学二之外其他都是和学术型是一样的，初试成绩不算高，总分342，政治59、英语54、数学113、专业课116，可以说这个成绩在电子通信的同学里面还是凑合够用。我本科是一所211学校。本科学的是电子科学与技术，可以说也算是小小的跨专业吧。初试成绩是2月24号出来的。复试成绩整整等了一个多月才出来，而且别的中科院的所大多在3月中旬的时候都已经陆续出成绩了，但是微系统所还是不紧不慢的，不过后来才知道为什么成绩出的那么慢，其实是有原因的，而且还是特别感激招生办老师的考虑的（在下面介绍入取人数的时候会提到）。到了3月28号网上终于挂出了复试通知。通信与信息系统是359分、电子通信工程是305分，当我看到305分的时候我是大为诧异的，本来以为怎么的也要330分没想到竟然是那么低的一个分数，不过自己进复试了心情也还不错。由于本科学的是电子科学与技术，所以很多科目没有涉及，比如包括通信原理、计算机网络、低频电路、高频电路、计算机组成什么的。复试我是从以下几方面来准备的： 一、专业知识。初试成绩出来以后我就在网上买了一本通信原理开始看。因为没怎么学 过，看起来还是比较吃力的，所以就看那一本了，如果本科是通信专业的就多看基本书吧，不会有错的。复试的时候问了不少书上的原理。 二、英语听力。然后基本上每天都会联系半个小时的英语听力，用了本考研英语听力星 火的，然后是一本六级听力。就这样一直持续到复试之前。 三、英语自我介绍。不过今年没有让进行英语自我介绍，理由是今年英语泄题了，所以 在英语笔试里面加试了英语阅读，所以就没让英语自我介绍。 四、老师论文。老师论文只需要选择一两位去参与面试的老师，对他们研究的方向进行 了解，起码要看个三四篇吧，一篇注重概况叙述的，两三篇注重前沿领域、最新成果的。 不过今年复试的时候老师并没有怎么问到 五、本科做过的项目、课程设计、毕业设计、发表的论文、写过的专利。对于本科的一 些实际的东西，老师都会比较感兴趣，所以要对自己本科做的那些东西有透彻的了解，老师问你不是想看你有多么专业，老师只是想知道你是不是真真参与了，了解了多少，到什么程度，有一说一，千万别撒谎，老师们都是专家，一眼就能看出来你几斤几两了。接下来说说我的复试经历： 第一天去报到的时候 4月9号上午到微系统所报道，报道后自己到光华医院体检，光华医院离微系统所比较近，走过去也就20分钟左右吧，体检中值得注意的是，如果有什么心脏的杂音和早搏什么的，应该自己去做个心电图并加到体检报告中去，以避免因为体检的一些问题二影响到入取，我在工作就业和考研论坛上都看到过关于体检问题而影响到入取和入职的相关问题。中午回所里面吃了个饭就回去休息了。 4月9号下午四点就集合了，本来说开个会集中回答大家关心的问题，后来也因为会议室占用而不了了之了。 4月9号晚上，参加了英语的笔试，英语笔试首先是一篇英语短文听力，20个空，一开始几

2016年中科院微电子所考研复试经验 -----新祥旭考研辅导

2016年中科院微电子所考研复试经验 准备了10个月，初试发挥不是很好，393，今年分都高，我差不多十七八名吧，但复试后总排名变成第一了，给大家说说经验。 准备考微所是去年三月八号开始的。有点早，但是大一混到大三，该玩的都玩了，对自己说是时候学点了，但老实说大三下学期看不下去书，每天学4个小时吧，一去自习室就想睡觉，但那个学期让我生活习惯改了过来。暑假和我女朋友出去住的。每天学8个小时，效率很高。然后暑假开学后突然质变了，学习效率超级高，差不多一天能学10个小时。学啊学啊到了冬天，发现身体因为学习变得不行了，总生病，反正最后两个月就没消停。最后浑浑噩噩的考完了。寒假回家玩了一个月，开学查成绩，发现过复试了，很开心。 开始准备复试。复试要看好多书，数电模电信号。我看了一天模电就放弃了。因为模电可是补考了两次才抄过去的。完全看不懂，于是下定决心看器件工艺方面的，差不多五六天就看完了吧。这时候我就在想如果复试就这样岂不是太简单了，后来发现的确是这回事，复试的时候老师的确会问点没学过的东西。这时候我受我们班长的诱导，说一个微所博士说微电子十室搞22nm工艺的牛人多，挺虎的。于是我开始看工艺，看论文。先上微电子所官网看看他们室的方向有哪些，然后就是下论文看论文。找那种总结性的论文。这样能看懂。然后呢，好好做笔记，对新东西一定要了解，后来复试的发现太有用了。 说说复试经历吧，我复试前就猜应该复试会问些不一样的东西，要不然还不如考专业课卷子呢，后来李博老师也是这么说的。果然第一天下午复试出来的人好多都发现问的问题很怪异，有些不是很好答，书上都找不到。对了，复试通知上说，复试主要考基本原理和知识面，这就要求不能只会书上的东西。第二天轮我复试了，还好，竟然不紧张。进去了，鞠躬，说老师好，然后坐下来自我介绍，后来同学说我自我介绍的时候身体晃来晃去的。这个自我介绍太重要了，你要靠这个介绍让老师问你学过的东西，我对老师说我对新的东西总有兴趣，

中科院各大研究所

中国科学院数学与系统科学研究院 *中国科学院数学研究所 *中国科学院应用数学研究所 *中国科学院系统科学研究所 *中国科学院计算数学与科学工程计算研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院理论物理研究所 中国科学院高能物理研究所 中国科学院力学研究所 中国科学院声学研究所 中国科学院理化技术研究所 中国科学院化学研究所 中国科学院生态环境研究中心 中国科学院过程工程研究所 中国科学院地理科学与资源研究所 中国科学院国家天文台 *中国科学院云南天文台 *中国科学院乌鲁木齐天文工作站 *中国科学院长春人造卫星观测站 *中国科学院南京天文光学技术研究所 中国科学院遥感应用研究所 中国科学院地质与地球物理研究所 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 中国科学院大气物理研究所 中国科学院植物研究所 中国科学院动物研究所 中国科学院心理研究所 中国科学院微生物研究所 中国科学院生物物理研究所 中国科学院遗传与发育生物学研究所 *中国科学院遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心（原中国科学院石家庄农业资源研究所） 中国科学院计算技术研究所 中国科学院软件研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院微电子研究所 中国科学院电子学研究所 中国科学院自动化研究所 中国科学院电工研究所 中国科学院工程热物理研究所 中国科学院空间科学与应用研究中心 中国科学院自然科学史研究所 中国科学院科技政策与管理科学研究所

中国科学院光电研究院 北京基因组研究所 中国科学院青藏高原研究所 国家纳米科学中心 院直属事业单位（京外） 中国科学院山西煤炭化学研究所 中国科学院沈阳分院 中国科学院大连化学物理研究所 中国科学院金属研究所 中国科学院沈阳应用生态研究所 中国科学院沈阳自动化研究所 中国科学院海洋研究所 青岛生物能源与过程研究所(筹) 烟台海岸带可持续发展研究所（筹） 中国科学院长春分院 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院长春应用化学研究所 中国科学院东北地理与农业生态研究所 *中国科学院东北地理与农业生态研究所农业技术中心（原中国科学院黑龙江农业现代化研究所） 中国科学院上海分院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海光学精密机械研究所 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院上海有机化学研究所 中国科学院上海应用物理研究所（原子核研究所） 中国科学院上海天文台 中国科学院上海生命科学院 *生物化学与细胞生物学研究所 *神经科学研究所 *药物研究所 *植物生理生态研究所 *国家基因研究中心 *健康科学研究中心 *中国科学院上海生命科学信息中心 *营养科学研究所 *中国科学院上海生物工程研究中心 中国科学院上海巴斯德研究所（筹） 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院城市环境研究所 中国科学院宁波材料技术与工程研究所(筹) 中国科学院南京分院

中科院复试成功经历

中科院复试成功经历-勉励后来人 管理员（2013年03月15日 11:09:14） 本人2010年报考中科院健康所，通过交大参加复试（因为健康所是交大和中科院合办的所，两边都可招生，但是交大不实行轮转），顺利通过后，因为没有选到想学的方向，就改调剂巴斯德所，成功通过复试。现在把当初的一点经验和体会贴出来给勉励后来的师弟师妹们。 健康所的复试程序上相对较简单，中科院两轮，英语口语和综合能力测试（即面试）。但是通过交大招生的时候是有笔试的，但是大可不必太担心，笔试不会再考专业课知识，而且一般老师不会很在意笔试分数。 我参加的面试和中科院是一样的（采用的也是原班人马），英语口语测试时一个老外和一个中国教授，进去还好，因为之前咨询了师兄师姐，知道和老师之间的空间安排（面对面，中间没有桌子），照例是自我介绍，然后老外先提问，通过对你在自我介绍中提到的（实验室经历，科创项目，做的实验，看的文献，感兴趣的方向等）提两三个问题，相对比较简单，主要是注意听他的发音，捕捉关键名词，然后仔细考虑作答，回答尽量流利些。中国老师基本上没提什么问题，知识让我在桌子上选一份文献（编号1、2、3），我选了2号，关于microRNA 的，大概200词，老师会要求你先读一遍，再翻译出来。复试前他们都说不会的词可以问老师，实际上经验是尽量不要问，因为很专业的词很少，基本上不会太影响翻译，问了反而让老师觉得你文献阅读能力不行。 综合测试阵势就比较庞大了，一个椭圆形的长桌子，你坐在一头，围着一大圈老师，大概有12、13个，左边是所长，右边是副所长，基本上是所长旁边和副所长旁边的老师问的问题比较多，当然也有一些新来的老师，比较活跃。问题因人而异，所长比较开朗，会随着你刚开始自我介绍提到的问题加以提问和延伸。其他人也会接着你的回答继续提问，专业课知识也会涉及到一些。比如所长问我本科阶段最喜欢的一门课，我说生化，他就接着问生化离得那些内容，我说下册的代谢途径，还有分子的一些内容，他就接着追问那条代谢途径，关键酶，和其他代谢途径的联系，等等，分子的内容问了DNA复制的过程，我因为之前学的很透彻，回答的很熟，他点头表示满意。其他的问题比如试验相关的，问道PCR 过程中的非特异性条带问题（后来才知道基本上每个复试的同学都被问到这个问题），我因为之前分子克隆做的比较多，这个问题曾经好好总结过，所以从四五个方面仔细回答了，几个老师都点头表示认可。感觉这方面的问题一般不会太深，但是还是需要试验积累，平时做实验遇到问题多想多问，不要一知半解，不然后来对自己不利。其实老师们都很需要学生，态度都很好，在提问时是跟着你的线索来的，一半后一个问题来自你在前一个问题中的回答，所以要注意引导老师问你熟悉的领域，注意扬长避短，掌握主动权。实在措不及防，被问倒了，一定不要慌，可以先说说你的理解，然后说自己在这方面不是很熟悉，但是以后会注意关注和学习，态度要谦虚。还有一点，回答问题时不要只盯着一个老师，注意目光以提问的老师为主，兼顾其他老师，所长啊副所长都要照顾到，还要照顾到几个后起之秀。（当然如果之前已经联系了老师做实习或毕设的就可以轻松些，因为如果做得不错，实习的实验室导师会帮你说话）经典的一个问题是“你将来的打算，为什么这样打算？”这个问题一定要准备好，基本上都会问到。因为倒是很想知道你来这里是什么动机，要做什么，能做什么。我的回答是想做一个对人