微电子工艺习题总结
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die?
什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片
答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。
2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend.
列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势
答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。
提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。
降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。
3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important?
什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要
答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸；
因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。
4. Describe scaling and its importance in chip design.
描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性
答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的
重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。
5. What is Moore's law and what does it predict?
什么是摩尔定律，它预测了什么
答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。
预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。
第二章
6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon?
砷化镓相对于硅的优点是什么
答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。
7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon?
砷化镓相对于硅的主要缺点是什么
答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
8. What is an active component? Give two examples of this type of component.
什么是无源元件，举出两个无源元件的例子
答：有源器件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。
例子：电阻，电容。
9. What are some notable characteristics of bipolar technology? What is biggest drawback to bipolar technology?
双极技术有什么显著特征，双极技术的最大缺陷是什么
答：显著特征：高速，耐久性和功率控制能力。
最大缺陷：功耗高。
10. What are the benefits of the field-effect transistor (FET)?
场效应管有什么优点
答：低电压和低功耗。
11. What are the two basic types of FET s? What is the major difference between them? FET的两种基本类型是什么，他们之间的主要区别是什么
答：类型：结型（JFET）和金属-氧化物型（MOSFET）半导体。
区别：MOSFET作为场效应管晶体输入端的栅极由一层薄介质与晶体管的其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。
12. What are the two categories of MOSFET s? How are they distinguishable from one another?
MOSFET有哪两种类型，他们怎样区分
答：类型：nMOS（n沟道）和pMOS（p沟道）
区分方法：可有各自器件的多数载流来区别。
13. What two IC technologies are used in BiCMOS?
BiCMOS使用了哪两种集成电路技术
答：采用了CMOS和双极技术
14. What could a digital/analog (D/A) converter chip
be used for? What could an analog/digital (A/D) chip be used for?
数模转换器芯片能用做什么，模数转换器芯片能用做什么
答：数/模转化器芯片可用来提供用做电子机械设备的控制模拟驱动信号。
模/数转换器芯片可用来测量模拟驱动信号的输出。
15. Explain the difference between an enhancement-mode transistor and depletion-mode transistor with regards to their standby condition.
解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别
答：增强型晶体管很好地工作于数字陆机应用中，只需要单极的输入信号控制场效应晶体管。
耗尽型被已经存在的闭合沟道部分开启。输入电压可以在一个方向变化以提高流过沟道的电流，或者在相反方向降低流过的沟道电流。如果栅极的输入电压在反向更提高，耗尽型
晶体管将会断开。
第四章
16. Why is it necessary to have monocrystal silicon for wafer fabrication?
为什么要用单晶进行硅片制造
答：半导体芯片加工需要纯净的单晶硅结构，这是因为单胞重复的单晶结构能够提供制作工艺和器件特性所需要的电学和机械性质。糟糕的晶体结构和缺陷导致微缺陷的形成。
17.Which crystal plane orientation is most common MOS? Which is most common for bipolar?
MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向，双极型用的最多的是哪几种
答：MOS ：(100)面的硅片；双极型：（111）面的硅片
18.Define crystal growth. What is the CZ method for crystal growth?
定义晶体生长，什么是CZ单晶生长法
答：晶体生长：是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。
CZ单晶生长法：是熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。
19. List seven wafer quality requirements for a silicon wafer.
列举硅片的七种质量要求
答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶体缺陷；颗粒；体电阻率
20. What is an epitaxial layer, and why is it used on wafers?
什么是外延层，为什么在硅片上使用它
答：在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这要通过在硅表面沉积一个外延层来达到。
原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。
第八章
21、What is plasma? Why is RF energy used in plasma?
什么是等离子体，为什么要在等离子体中使用RF能量
答：等离子是一种中性，高能量，离子化的气体，包含中性原子或分子，带电离子和自由电子。
RF能量的使用可以产生一个高功效的等离子体。
第九章
22、List the six distinct production areas in a wafer fab and give a short description of each area.列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做简单的描述
答：扩散：扩散区一般认为是进行高温工艺及薄膜沉积的区域。
光刻：使用黄色莹光管照明使得光刻区与芯片厂中的其他各个区明显不同。
刻蚀：是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
离子注入：采用高电压和磁场来控制并加速离子。
薄膜生长：主要负责生产各个步骤当中的介质层与金属层的沉积。
抛光：为了使硅片表面平坦化，是通过将硅片表面突出的部分减薄到下凹部分的高度实现。
23、Identify the three production areas where photoresistcoated wafers can be found. 确定有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域
答：光刻区，刻蚀区和离子注入区
24、What is the purpose of the etch process? Name the most common tools used in this area?
刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么
答：目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。
25、What are the reasons for the thermal anneal process after ion implantation?
离子注入后进行退火工艺的原因是什么
答：可使裸露的硅片表面生长一层新的阻挡氧化层；高温使得杂质向硅中移动；可使注入引入的损伤得到修复；使杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。
26、What is shallow trench isolation (STI)? What process did it replace?
什么是浅槽隔离（STI），它取代了什么工艺
答：浅槽隔离（STI）是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。
取代了局域氧化工艺（LOCOS）
第十章
27、What is the difference between a grown and a deposited oxide layer?
生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么
答：在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层；沉积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源，使它们在腔体中反应，从而在硅片表面形成一层薄膜。
28、Describe the field oxide layer, and state its range of thickness.
描述场氧化层及其厚度围
答：场氧化层：抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层
围：2500~12000 * 10^-10（A上面一个圈）之间
29、Why is the gate oxide thermally grown?
为什么删氧要用热生长
答：因为栅氧与其下的Si具有高质量和稳定性的特点，栅氧一般通过热生长获得。
30、List six applications for thermal oxides in wafer fabrication and give a purpose for each application.
列出热氧化物的硅片制造的六种用途，并给出各种用途的目的
答：金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。
注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。
势氧化层：做氧化硅缓冲层以减小应力。
掺杂阻挡层：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。
阻挡氧化层：保护有源器件和硅免受后续工艺的影响。
栅氧化层：用做MOS晶体管栅和源漏之间的介质。
31. If an oxide layer is thermally growri to be 2,000 A thick,how much silicon is consumed?
如果热生长氧化层厚度为2000A，那么Si消耗多少
答：920A（每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）
32. List the four types of oxide charges Si/Si02 interface.
列出Si/Si02 界面处的4种氧化物电荷
答：正的电荷。负的电荷。界面陷阱电荷。可移动氧化物电荷
33. Give two advantages to using chloijinated agents during
oxidation.
举出氧化工艺中掺氯的两个优点
答：优点：可以中和界面处的电荷堆积；能使氧化速率提高10%到15%。
34、What effect does doping have on oxide growth?
掺杂对氧化物生长的影响是什么
答：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快。
35、Explain the effect from crystal orientation on oxide growth.
解释晶体晶向对氧化物生长的影响
答：线性氧化物速率依赖于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在线性阶段，（111）硅单晶的氧化速率将比（100）稍快，但是（111）的电荷堆积更多。
36、Pressure has what effect on oxide growth?
压力对氧化物生长的影响是什么
答：生长速率随着压力增大而增大。高压强迫使氧原子更快地穿越正在生长的氧化层，这对线性和抛物线速率系数的增加很重要。这就允许降低温度但仍保持不变的氧化速率，或者在相同温度下获得更快的氧化生长。氧化生长的经验法则表明，每增加一个大气压的压力，相当于炉体温度降低30摄氏度。
37、What are the five components in a vertical furnace system?
立式炉系统的五部分
答：工艺腔，硅片传输系统，气体分配系统，尾气系统，温腔系统
38What is a rapid thermal processor (RTP)? What are six advantages it has over the conventional furnace?
什么是快速热处理，相比于系统炉其6大优点是什么
答：快速热处理是在非常短的时间，将单个硅片加热至400~1300摄氏度围的一种方法。优点：减小热预算。硅中杂质运动最小。减小玷污，这归功于冷壁加热。由于较小的腔体体积，可以达到清洁的气氛。更短的加工时间。加大热梯度。
38Describe how an RTP heats a wafer. Is an RTP typically a hot wall or cold wall heating system
描述RTP如何对单个硅片加热，RTP是热壁系统还是冷壁系统
答：
是冷壁系统
第十一章
39、List and describe the three stages of thin film growth.
列举并描述薄膜生长的三个阶段
答：第一步是晶核形成：成束的稳定小晶核形成，这一步发生在起初少量原子或分子反应物结合起来，形成附着在硅片表面的分离的小膜层的时候。晶核直接形成于硅片表面，是薄膜进一步生长的基础；第二步是聚集成束，也称为岛生长。这些随机方向的岛束依照表面的迁移率和束密度来生长。岛束不断生长，直到第三步即形成连续的膜，这些岛束汇聚合并形成固态的薄层并延伸铺满衬底表面。
40、List the five major techniques for deposition.
列出沉积的5种主要技术
答：化学气相淀积（cvd）电镀物理气相淀积（pvd或溅射）蒸发旋涂方法
41、Explain APCVD. What is the principal disadvantage with APCVD Si02, using silane as a source?
解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗
答：常压化学气相淀积；传统上这些膜通常作为层间介质（ILD），保护覆盖物或者表面平坦化；不是使用硅烷作为反应源
42、What CVD tool is used to deposit the polysilicon gate material? List six reasons why polysilicon is used as a gate electrode
沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因
答：采用LPCVD工具；1.通过掺杂可得到特定的电阻；2.和二氧化硅优良的界面特性；3和后续高温工艺的兼容性；4.比金属电极更高的可靠性；5.在陡峭的结构上淀积的均匀性；6。实现栅的自对准工艺。
43、State six advantages to using plasma during CVD.
CVD过程中采用等离子体的优点有哪些
答：1.更高的工艺温度（250-450℃）；2.对高的深宽比间隙有好的填充能力(用高密度等离子体)；3.淀积的膜对硅片有优良的粘附能力；4.高的淀积速率；5.少的针孔和空洞，因而有高的膜密度；6.工艺温度低因而应用广泛。
44、Explain what HDPCVD is. What are its main benefits in advanced ICs?
解释HDPCVD，它在IC中有什么优势
答：高密度等离子体化学气相淀积；HDPCVD在IC中的优势是有良好的间隙能力，并可以在300-400℃较低的淀积温度下，制备出能够填充高深宽比间隙的膜。
45、Describe the effect wafer biasing has on HDPCVD directionality.
描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响
答：使HDPCVD能够淀积得到的膜可以填充深宽比为3:1到4:1甚至更高的间隙
46. Explain simultaneous deposition and etching for HDPCVD. What is the value for the typical dep-etch ratio?
解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么
答：它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。3:1
47、What are LOCOS and STI（写中英文全称）? Why has STI replaced LOCOS for advanced ICs? List the processing steps for STI.
什么是LOCOS和STI（写中英文全称），为什么在高级IC中STI取代了LOCOS，列举STI 的工艺步骤
答：LOCOS:硅的局部氧化隔离local oxidation of silicon
STI：浅槽隔离shallow trench isolation
原因：1.更有效的器件隔离的需要，尤其是对DRAM器件而言
2.对晶体管隔离而言，表面积显著减小。
3.超强的闩锁保护能力。
4.对沟道没有侵蚀。
5.与CMP的兼容
步骤：阻挡层和线性氧化层
第十三章
48、Describe the difference between a reticle and a photomask.
描述投影掩膜版和光掩膜版的区别
答：投影掩膜版它包括了要在硅片上重复生成的图形。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个
光掩膜版通常称为掩膜版，包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。
49、Explain the difference between negative and positive lithography.
解释负性和正性光刻的区别
答：负性光刻把掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上。主要区别是所用光刻胶的种类不同
50、Describe a clear-field mask and a dark-field mask
解释亮场掩膜版和暗场掩膜版
答：如果一个掩膜版，其石英板上大部分被铬覆盖，它就指的是暗场掩膜版。亮场掩膜版有大面积的透明的石英，而只有很细的铬图形。
51、List the eight steps of photolithography, and give a short explanation of each step. 列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
答：1气相成底膜：第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。2旋转涂胶：完成底膜后，硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶材料。3软烘：光刻胶被涂到硅片表面后，必须要经过软烘去除光刻胶中的溶剂。4对准和曝光：掩膜版与涂了胶的硅片上的正确位置对准。5曝光后烘焙：对于深紫外（duv）光刻胶在100℃到110℃的热板上进行曝光后烘焙是必要的。6显影：光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。7坚膜烘焙：显影后的热烘指的就是坚膜烘焙，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。8显影后检查：一旦光刻胶在硅片上形成图形，就要进行检查以确定光刻胶图形的质量
52、Give two purposes of a photoresist in wafer fabrication.
给出硅片制造中光刻胶的两种目的
答：1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。2.在后续工艺中保护下面的材料。
53、List and describe the two major types of photoresist.
列出并描述两种主要的光刻胶
答：负性光刻胶和正性光刻胶。负性光刻胶是负相的掩膜图形形成在光刻胶上、正相掩膜图形出现在光刻胶上
54、What is the resolution limit of negative resist? Which resist is used for submicron lithography?
什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中。
答：由于显影时的变形和膨胀，负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。正性光刻胶
55.List and describe the four components to an i-line resist.
列出并描述I线光刻胶的4种成分。
答：1.树脂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂2.感光剂。是光刻胶材料中的光敏成分，它对光形成的辐射能会发生反应3.溶剂。使光刻胶保持液体状态，直到它被涂在硅片衬底上4.添加剂：是专用化学品，用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光刻胶材料的光响应特性
56、What are two disadvantages of a negative photoresist?
负胶的两大缺点是什么。
答：在显影时曝光区域由溶剂引起的泡胀；曝光时光刻胶可与氮气反应从而抑制其交联57、What does resist thickness vary with?
光刻胶厚度随什么变化
答：粘度越高转速越低，光刻胶就越厚
58、State the four reasons for soft bake.
述软烘的4个原因
答：1.将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除；2。增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以
很好地粘附；3.缓和在旋转过程中光刻胶胶膜产生的应力。4.防止光刻胶粘在设备上第十四章
59、Describe the relationship between light exposure wavelength and image resolution. 描述曝光波长和图像分辨率的关系
答：较短的波长可以获得光刻胶上较小尺寸的分辨率
60、List and describe the two UV exposure sources used in optical lithography.
列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源
答：汞灯和准分子激光
61、What happens to resist sidewalls if there is excessive resist light absorbance?
如果光刻胶对光的吸收过多侧墙会怎样
答：如果光刻胶的吸收过多，光刻胶底部接收的光强度就会比顶部的少很多，会导致图形侧墙倾斜。
62、What excimer laser is used as a 248 nm light source? As a 193 nm light source?
哪种激光器用做248nm的光源，193nm的光源是什么
答：通常用于深紫外光刻胶的准分子激光器是波长为248nm氟化氪（KrF）激光器，193nm 的氟化氪激光器大概是作为曝光源的准分子激光器
63、What is a typical dose exposure latitude for a DUV resist?
典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少
答：深紫外光刻胶的曝光宽容度是剂量变化围在1%左右
64、What lens material is used at the DUV exposure wavelength?
DUV波长曝光时使用哪种透镜材料
答：一种合适的透镜材料是熔融石英，他是深紫外波长围的较少的光吸收，氟化钙正在作为一种可能的候选透镜材料
65、Explain how lens compaction occurs and what problem it creates.
解释透镜压缩是怎么发生的，它产生了什么问题
答：透镜压缩是透镜材料结构上的重新排列导致透镜材料增密，压缩发生在透镜材料中，包括熔融石英它可以增加激光束穿过区域的透镜材料的折射率，这将导致图像质量的损失
66、What is numerical aperture (NA)? State its formula, including the approximate formula.
什么是数值孔径（NA），述它的公式，包括近似公式
答：透镜收集衍射光的能力被称做透镜的数值孔径，NA=(n)t透镜的半径除以透镜的焦长
67、State the formula for resolution. What three lithography parameters affect resolution?
述分辨率公式。影响光刻分辨率的三个参数
答：R=K*入/NA
1，波长入2，数值孔径NA 3，工艺因子K
68、List and explain the two primary problems of light reflection from the wafer surface.
列出并解释硅片表面反射引起的最主要的两个问题
答：两种主要的光反射问题是反射切口和反射驻波，在刻蚀形成的垂直侧墙表面，反射光到不需要曝光的光刻胶中就会形成反射切口，光刻中一个光波反射和干涉的例子是驻波现象驻波本质上降低了光刻胶成像的分辨率
69、What happens to resolution if the light wavelength decreases? If NA goes up?
如果光波长减小分辨率会有什么变化，如果NA增加了呢
答：光波长减小分辨率提高，】。如果NA增加分辨率提高
70、Calculate the resolution of a scanner if X = 248 nm,NA = 0.65, and k = 0.6.
计算扫描光刻机的分辨率，假设波长是248nm, NA=0.65, K是0.6
答：0.6*248/0.65=228.9 R=K*入/ＮＡ
71、Write the equation to calculate DOF.
写出计算焦深的公试
答：DOF=入/（2*NA）2
72、What happens to depth of focus as resolution inreases?
当分辨率增加时焦深会发生什么变化
答：焦深减小
72、What material is used to make a reticle? What opaque material is patterned on a reticle?
使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么
答：最主要的是用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英。不透明材料是一薄层铬第十五章
74、Explain resist selectivity and whether it should be high or low.
解释光刻胶选择比，要求的比例是高还是低
答：显影也应具有选择性，高的显影选择性比意味着显影液与曝光的光刻胶反应得快。
要求比例低
75、Why is a post-develop inspection performed?
为什么要进行显影后检查
答：为了查找光刻胶中成形图形的缺陷，鉴别并除去有缺陷的硅片，用来检查光刻工艺的好坏，为光学光刻工艺生产人员提供用于纠正的信息
７６光学光刻技术的改进有哪些方面？
答：1.减小紫外线光源波长；2.提高光学光刻工具的数值孔径；3.化学放大深紫外光刻胶；
4.分辨率提高技术；
5.硅片平坦化；
6.光学光刻设备的先进性。
77、List four alternative lithography methods under evaluation for next-generation lithography.
列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术
答：1.极紫外光刻技术（EUV）2.离子束投影光刻技术（IPL）3.角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）4.X射线光刻技术
第十六章
78、What is the goal of etching?
刻蚀的目的是什么
答：目的是为涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
79、List the three major material categories for dry etch.
列出按材料分类的三种主要干法刻蚀
答：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀
80、Describe isotropic and anisotropic etch profiles and what are the desirable and undesirable aspects of each profile.
描述各同向性和各向异性刻蚀剖面，以及在每一种剖面中哪一种是希望的哪一种是不希望的答：各向同性的刻蚀剖面在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀，这将带来不希望的线宽损失。各向异性的刻蚀剖面即刻蚀只在垂直于硅片表面的方向进行，只有很少的横向刻蚀。希望剖蚀面是各向异性的。
81.Is a dry etch profile isotropic, anisotropic or both? What about a wet etch profile?
干法刻蚀的剖面是各同向性，各向异性的还是两者都有，湿法腐蚀的剖面是怎样的
答：两者都有。详情请见表16.1
82.Does dry etching have good or poor selectivity?
干法刻蚀有高的或低的选择比
答：干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比
83、List the advantages of dry etch over wet etch. What are the disadvantages of dry etch?
列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么
答：优点：1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制。
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用。
缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
84、一个成功的干法刻蚀要哪些方面？List six requirements for successful dry etch.
列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法
答：1.对不需要刻蚀的材料的高选择比
2.获得可接受的产能的刻蚀速率
3.好的侧壁剖面控制
4.好的片均匀性
5.低的器件损伤
6.宽的工艺制造窗口
85、What gas chemistries are used for silicon dioxide, aluminum, silicon and photoresist? 二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀
答：刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3.
刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
86、Describe the tungsten etchback process.
描述平板反应器
答：首先在层间介质二氧化硅中刻出通孔窗口，然后再覆盖有TiN阻挡层的通孔窗口中淀积W，最后进行干法等离子体反刻刻蚀掉多余的钨覆盖层，制作出填满钨的通孔。
87、What gas chemistries are usually used for etching polysilicon and why has these chemistries replaced fluorine chemistries?
哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体
答：氯气、溴气、氯/溴气
原因：因为氟基气体的刻蚀是各向同性的并且对光刻胶的选择比一般，为了避免击掉下一层的氧化物材料，所以选用轰击离子能量更低的化学气体。
88. Give three requirements for polysilicon gate etch.
列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤
答：1.对下层栅氧化层具有高的选择比
2.非常好的均匀性和可重复性。
3.高度的各向异性
第十七章
89、列举用于硅片制造的5种常用掺杂。
答：离子注入，热扩散，硅浆料，丝网印刷，激光
90、离子注入通常在什么工艺之后？
答：光刻。
91、列举离子注人优于扩散的7点。
答：1.精确控制杂质含量。
2.很好的杂质均匀性。
3.对杂质穿透深度有很好的控制。
4.产生单一离子束。
5.低温工艺。
6.注入的离子能穿过薄膜。
7.无固溶度极限。
92，离子注入的主要缺点是什么？如何克服？
答：1、高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。（高温退火进行修复）。
2、注入设备的复杂性。（被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补）。
93、列举离子注入设备的5个主要子系统。
答：1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
94.描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。
答：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应。
三种机制：
1.倾斜硅片：它把硅片相对于离子束运动方向倾斜一个角度，保证了杂质离子进入硅中很短距离就会发生碰撞。
2.掩蔽氧化层：注入前在硅片表面生长或淀积一薄层氧化层，并在注入之后去除。注入离子通过这样一层非晶氧化层后进入硅片，它们的方向将是随机的，因此可以减小沟道效应。
3.预非晶化：用电不活泼粒子，使单晶硅预非晶化，在注入前进行，用以损坏硅表面一薄层的单晶结构。随后的离子将注入非晶结构的硅，产生很小的沟道效应。
第十二章
95、列出并讨论引入铜金属化的五大优点。
答：1.电阻率的减小。
2.减小了功耗。
3.更高的集成密度。
4.良好的抗电迁徙性能。
5.更少的工艺步骤
96、什么是阻挡层金肩？阻挡层材料的基本特性是什么？哪种金属常被用做阻挡层金属? 答：阻挡金属层是淀积金属或金属塞，用以阻止上下的材料互相混合。
特性：1.有很好的阻挡扩散特性，结果分界面两边材料的扩散率在烧结温度时很低。
2.高电导率具有很低的欧姆接触电阻。
3.在半导体和金属之间有很好的附着。
4.抗电迁徙。
5.在很薄并且高温下具有很好的稳定性。
6.抗侵蚀和氧化。
钛（Ti）、钨（W）、钽（Ta）、钼（Mo）、钴（Co）、铂（Pt）、钛钨（TiW）、氮化钛（TiN）。
97、为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？
答：溅射是物理气相淀积形式之一，是一种薄膜淀积技术。
工作方式：在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。
优点：1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力。
2.能够淀积高温熔化和难溶金属。
3.能够在直径为200毫米或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜。
4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。
98、缩写中文含义：
APCVD：常压化学气相淀积HDPCVD：高密度等离子体化学气相淀积LPCVD：低压化学气相淀积PECVD：等离子体增强化学气相淀积
PVD：物理气相淀积BJT：双极型晶体管
CD：关键尺寸CMOS：互补金属氧化物半导体
CMP：化学机械平坦化MIC：可动离子玷污
ILD：层间介质MBE：分子束外延
SOI:绝缘体上硅DUV：深紫外光
MOCVD：金属有机化学气相淀积BSG：硼硅玻璃
PSG：磷硅玻璃BPSG：硼磷硅玻璃
RTP：快速热处理器RTA：快速热退火
IC：集成电路LOCOS：硅局部氧化隔离法
STI:浅沟槽隔离LI：局部互连
VLSI：超大规模集成电路CA：化学放大（胶）
FIB：聚焦离子束ARC：抗反射涂层
ASIC：专用集成电路RIE：反应离子刻蚀
FIB：聚焦离子束EUV：极紫外线
LDD：轻掺杂漏
微电子工艺习题总结(DOC)
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片 答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要 答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸； 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么 答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
工艺总结报告模板
MWM23柴油机XX工艺固化总结报告 编制: 审核: 批准: 军代表:
供应商名称 XXXX年XX月 MWM23系列柴油机XX工艺固化总结报告 1.任务来源 针对234系列柴油机XX制造工艺流程、工艺参数、工艺控制要求的正确性、合理性和可行性，尖键工艺的正确性和尖键工序目录的完整性，尖键工序的工艺流程和方法以及质量控制要求，尖键工序技 术难点攻尖措施等的正确性、合理性、可行性、有效性等方面，针对特殊过程工艺文件、质量体系文件的协调一致性，特殊过程工艺试验和检测项目、要求和方法及特殊过程技术难点攻尖措施进行了分析，重点对改进提高的内容进行了工艺分析，完成了234系列柴油机XX工艺分析报告。 2.XX技术要求 尖重特性要求如何？如XX零部件V6W8、V12各有尖重特性值多少 项，分别是什么等说明。 3.XX工艺流程分析 机加工工艺为了保证各项尖重特性和其它技术要求，对工艺流程进 行了分阶段设计，分别为: 粗加工阶段：铳机体上、下平面，加工轴承盖结合面；加工油底壳面、轴承座结合面上孔，铳缸头结合面；两侧面、两端面粗、精加工；钻油孔，缸孔粗加工，顶杆孔精加工。 半精加工阶段：领配件，安装主轴承盖；轴孔半精加工；重新拆、 装轴承盖和加工止推面。
精加工阶段：精加工轴孔；精加工缸孔；剩余孔加工；清理、检 查、涂油入库。 4.矢重特性实现情况 主要针对尖重特性逐一说明如何实现，以及加工情况。 5.尖键工序说明 5.1尖键工序制定原则 5.2矢键工序 5.3尖键工序技术难点攻尖措施 6.工艺参数 7.工艺控制要求 8.特殊过程工艺文件 8.1生产特殊过程的工艺文件与质量体系程序的一致性分析 8.2特殊过程工艺试验和检测 8.3特殊过程技术难点攻矢措施分析 9.工艺实现与生产条件匹配分析 9.1新设备、新技术的应用 主要写：数控机床优化工艺与新加工技术的必要性和可行性，加工方法的可行性，以及选用新设备的适应性 9.2措施计划与质量控制要求
机械加工工艺汇总
典型习题和解答 第一章机械加工工艺规程的制定
〔例1.3〕试举例说明下列各组的概念、特点以及它们之间的区别：(1)零件尺寸链、工艺过程尺寸链，工艺系统尺寸链，装配尺寸链；(2)封闭环．组成环，增环．减环。
〔例 1.10〕设某一零件图上规定的外圆直径为Ф320 05.0-mm ，渗碳深度为0.5～0.8 mm 。现为使此零件可和另一种零件同炉进行渗碳，限定其工艺渗碳层深度为0.8～1.0 mm 。试计算渗碳前车削工序的直径尺寸及其上、下偏差？ [解] 渗碳深度是间接保证的尺寸，应为封闭环。并作出尺寸链计算图。 车削外圆的半径及公差R δR 为组成环之一。 求R δR ： 0.8=1+16-R min ，R min =16.2mm 0.5=0.8+15.975-R max , R max =16.275mm 故车削工序的直径尺寸及公差应标注为Φ32.55015.0- mm 。 〔例 1.11〕設一零件，材料为2Cr13，其内孔的加工顺序如下： （1）车内孔Φ31.814.00+（2）氰化，要求工艺氧化层深度为磨内孔Φ320.0350.010＋＋，要求保 证氧化层深度为0.1~0.3mm, 试求氰化工序的工艺氧化层深度t T δ? [解] 按加工顺序画出形成氰化层深度0.1 ~0.3mm 的尺寸链计算图。 图中0.1~0.3 mm 是最后形成的尺寸应为封闭环。 计算 t T δ: 0.3=t max +15.97-16.005 0.1=t min +15.9-16.0175 得 t max =0.335mm t min =0.2175mm 故氰化工序的工艺氰化层深度t T δ=0.21751175.00+mm 。
集成电路工艺认识实习报告
集成电路工艺认识实习报告 1.专题一MEMS（微机电系统）工艺认识 1.1 重庆大学微系统研究中心概况 重庆微光机电工程技术研究中心依托于重庆大学，主要合作单位有中国电子科技集团公司第二十四研究所等。中心主要从事MEMS设计、研发及加工关键技 术研究、产业化转化和人才培养。 中心建立了面向西南地区的“MEMS器件及系统设计开发联合开放实验室，拥有国际先进的MEMS和CMOS电路设计及模拟软件，MEMS传感器及微型分析仪 器的组装和测试设备。 1.2主要研究成果 真空微电子压力传感器、集成真空微电子触觉传感器、射频微机械无源元件、硅微低电压生化分析系统、折衍混合集成微小型光谱分析仪器、全集成硅微二维加速度传感器、集成硅微机械光压力传感器、硅微加速度阵列传感器、硅微力平衡电容式加速度传感器、反射式混合集成微型光谱分析系统、微型振动式发电机系统、真空微电子加速度传感器 1.3微系统中心主要设备简介 1.3.1. 反应离子刻蚀机 1.3.2双面光刻机 1.3.3. 键合机 1.3.4. 探针台
1.3.5. 等离子去胶机 1.3.6. 旋转冲洗甩干机 1.3.7. 氧化／扩散炉 1.3.8. 低压化学气相淀积系统 1.3.9. 台阶仪 1.3.10. 光学三维形貌测试仪 1.3.11. 膜厚测试仪 1.3.1 2. 感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机
1.3.13. 箱式真空镀膜机 1.3.14. 槽式兆声清洗机 1.3.15.射频等离子体系统 1.4MEMS的主要特点 体积小，重量轻，材料省，能耗低；完整的MEMS一般是由微动力源、微致动器、微传感器组成，智能化程度高，集成度高；MEMS整体惯性小，固有频率高，响应快，易于信号实时处理；由于采用光刻、LIGA等新工艺，易于批量生产，成本低；MEMS可以达到人手难于达到的小空间和人类不能进入的高温，放射等恶劣环境，靠MEMS的自律能力和对微机械群的遥控，可以完成宏观机械难于完成的任务。 1.5MEMS器件的应用 1.5.1 工业自动控制领域 应用MEMS器件对“温度、压力、流量”三大参数的检测与控制，目前普遍采用有微压力、微流量和微测温器件 1.5.2生物医学领域 微型血压计、神经系统检测、细胞组织探针和生物医学检测，并证实MEMS器件具有再生某些神经细胞组织的功能。
机械加工工艺心得体会
机械加工工艺心得体会 篇一：机械加工实训心得体会 实习目的及意义 机加实习，大家都期盼着它的到来，期盼在学习，偷懒去享受一下工厂生活。然而，实 习后，我觉得实习生活和以前想象的不一样了，实习不是一件简单的事，并不是我们的假期， 不是一件轻松的事，而是一件劳心劳力的事。在这个短暂的2个星期内，我学到许多在课堂 里无法学到的东西，并在意志品质上得到了锻炼。岁月如流水一般飞快的流过?为期两周的机加实习转眼结束了，但带给我的感受却永远的留在了我的心。总的来说这次为期两周的实习活动是一次有趣且必将影响我今后的学习工作的重要的经验。我想在将来 的岁月里恐怕不会再有这样的机会，在短短的时间内那么完整的体验到当今工业界普遍所应 用的方法；也恐怕难有这样的幸运去体验身边的每一样东西到底是如何制造出来的了。在实习期间虽然很累、很苦，但我却感到很快乐！2个星期，短短的2个星期，对我们 这些数控专业的工科学生来说，也是特别的宝贵。因为这是一次理论与实践相结合的绝好机
会，又将全面地检验我们的知识水平。机加实习是培养学生实践能力的有效途径。又是我们 大学生、工科类的大学生，非常重要的也特别有意义的实习课。机加实习又是我们的一次实 际掌握知识的机会，离开了课堂严谨的环境，我们会感受到车间的气氛。同时也更加感受到 了当一名工人的心情，使我们更加清醒地认识到肩负的责任。什么是数控技术？本专业适合干哪方面的工作？本专业前途如何？带着这些问题，我们 参加了这次的机加实习。本次机加实习由王建、阳乾权2个老师带领，这次工2个班参加实 习。另外一个班和我们班交差着去实习工厂上班。第一个星期，是我们班的早班。第二个星 期是他们班早班。 实习总结 实践是真理的检验标准，通过两星期的机加实习，我了解到很多工作常识，也得到意志 上锻炼，有辛酸也有快乐，这是我大学生活中的又一笔宝贵的财富，对我以后的学习和工作 将有很大的影响。 很快一两年后的我们就要步入社会，面临就业了，就业单位不会像老师那样点点滴滴细
晶体加工工艺总结
晶体加工工艺总结（德清华瑞光学） 晶体加工 1、方解石：光轴面抛光后不能用白胶布保护，必需用黑胶布。光轴面B=Ⅲ，用玻璃盘细磨，细磨光圈半个左右。抛光：用绸布（真丝布）绑在抛光好的平玻璃板上，一定要平，然后用704粘合剂均匀地涂在绸布上，未干时放在平玻璃板上轻轻磨一下，然后等完全干透。 2、白宝石、红宝石：要求B=Ⅳ，θ=1′，N=1，ΔN=1/2。一般用钢盘加研磨膏抛光，钢盘一定要改好。如果B要求较高，可用特殊胶盘。细磨一定要好。 3、磁光（旋光）晶体：YIG、GGG。细磨一定用碳化硼280#，20#，抛光先用宝石粉W2.5抛亮后，再用刚玉微粉W1.5抛，用水晶作垫子。 4、BBO，微潮，磨砂用302#、302.5#。在铁盘或玻璃盘上磨。抛光用CeO2可抛好。晶体易开裂，加工时及加工前后均应注意保持恒温。并要求选取无包裹的纯单晶加工，有方向要求。BBO晶体较软，易划伤，抛光面不可与任合物擦拭。BBO晶体易潮解，抛光后置于红外灯下烘干，然后置于密封干燥的容器中保存。 5、氟化钙（CaF2）B=Ⅲ，可用CeO2抛好。用302#、303#磨砂，用宝石粉抛亮后，改用钻石粉水溶液抛光圈和道子。用宝石粉W1抛光很快，然后用W0.5 抛光圈和道子。用聚胺树脂作抛光模范，也可用宝石粉抛亮后用氧化铬抛光，胶盘用软胶盘，工件最好抛高光圈，但不必高太多。 6、LBO材料硬度与K9相似，点胶上盘，如封蜡可用电烙铁直接封，研磨、抛光同K9玻璃相似，用CeO2抛光。 7、氟锂锶锂：软晶体、易坏，B=Ⅱ，上盘用红外灯慢慢加热。在清洗时不可多擦表面，否则易出道子。用氟化锂做保护片，W1.５刚玉粉抛亮后改用Ｗ０.５钻石微粉水溶液抛光。用CeO2抛光也可抛好。（５００目） 8、KTP晶体：硬度和ＺＦ相差不多，用ＺＦ做保护片，进行抛光。ＫＤ＊Ｐ、ＫＴ＊Ｐ，用软胶盘（一般用特殊配制的胶盘），也可用１＃（天较冷）２＃（天较热）号胶盘，抛光后用洗砂倒边。ＫＤ＊Ｐ易潮解、易碎，抛光时温度、湿度要求较高。 9、双４５°ＬＮ电光Ｑ开关：双４５°ＬＮ电光Ｑ开关是一种利用ＬＮ晶体作材料加工成的斜方棱镜，有六个加工面，其中四个面抛光，另两个面只须定向和研磨。在四个抛光面中，入射面、出射面为晶体Ｙ晶面。入射面、出射面的夹角为４５°±１′，电极面为Ｘ晶面，须镀金。加工时首先要确定Ｙ基准面，Ｘ、Ｙ晶面的衍射角为θ（１１０）＝１７°２４′和θ（３００）＝３１°１２′。上盘用石膏模固定，配盘材料用ＬＮ或与ＬＮ相似的Ｋ９玻璃。加工时入射面、出射面主要控制几何尺寸和平行度，技术要求：Ｎ＝１/４、Ｂ＝Ⅲ，θ≤１０〞。加工第一个４５°反射面主要控制角度和塔差，第二个４５°反射面除控制零件的长度外，还要控制光线经过四个抛光面反射后所反映出来的综合平行度。由于光线在晶体内部经过四次反射，因此测量综合平行度只是分划板读数的１／４n（n为ＬＮ折射率）通常要求θ≤１０〞。ＬＮ电光Ｑ开关的两个４５°反射面的粗糙程度的好坏与晶体抗激光损伤能力密切相关。ＬＮ属于铁电晶体，当抛光级剂选用不当时会出现抛不亮或返毛现象，可通过选高熔点的抛光剂或在溶液中加入ＨＣＬ或肥皂粉，如果仍不行须重新磨砂。 10、Mg2SiO4 (镁橄榄石)晶体，莫氏硬度为7，抛光较难。 1、用聚胺树脂硬胶盘加Ｗ3.５、Ｗ2.５宝石研磨膏抛光，大约要5~6小时，一天左右可抛亮。 2、抛亮厚用Ｗ０.５钻石微粉水溶液改光圈。低光圈较难改。 11、SeZn晶体，软晶体。磨砂用302#、302.5#在玻璃盘上，抛光用软胶盘，先用W1.
微电子器件原理总结
三种管子的工作原理、符号、结构、电流电压方程、电导、跨导、频率 然后还有集边效应，二次击穿 双极型晶体管： 发射极电流集边效应： （1）定义：由于p-n 结电流与结电压的指数关系，发射结偏压越高，发射极边缘处的电流较中间部位的电流越大 （2）原因：基区体电阻的存在引起横向压降所造成的 （3）影响：增大了发射结边缘处的电流密度，使之更容易产生大注入效应或有效基区扩展效应，同时使发射结面积不能充分利用 （4）限制：限制发射区宽度，定义发射极中心到边缘处的横向压降为kT /q 时所对应的发射极条宽为发射极有效宽度，记为2S eff 。S eff 称为有效半宽度。 发射极有效长度 ： （1）定义：沿极条长度方向，电极端部至根部之间压降为kT/q 时所对应的发射极长度称为发射极有效长度 （2）作用：类似于基极电阻自偏压效应，但沿Z 方向，作用在结的发射区侧 二次击穿和安全工作区： （1）现象：当晶体管集电结反偏增加到一定值时，发生雪崩击穿，电流急剧上升。当集电结反偏继续升高，电流I c 增大到某—值后,cb 结上压降突然降低而I c 却继续上升，即出现负阻效应。 （2）分类： 基极正偏二次击穿（I b >0）、零偏二次击穿和（I b =0）、反偏二次击穿（I b <0）。 （3）过程：①在击穿或转折电压下产生电流不稳定性； ②从高电压区转至低电压区，即结上电压崩落，该击穿点的电阻急剧下降； ③低压大电流范围：此时半导体处于高温下，击穿点附近的半导体是本征型的； ④电流继续增大，击穿点熔化，造成永久性损坏。 （4）指标：在二次击穿触发时间t d 时间内，消耗在晶体管中的能量 ?=d t SB IVdt E 0 称为二次击穿触发能量（二次击 穿耐量）。晶体管的E SB （二次击穿触发功率P SB )越大，其抗二次击穿能力越强。 （5）改善措施： 1、电流集中二次击穿 ①由于晶体管内部出现电流局部集中，形成“过热点”，导致该处发生局部热击穿。
模具制造工艺知识总结
1生产过程：将原材料或半成品转变成为成品的各有关劳动过程的总和。 2工艺过程：在模具产品的生产过程中，对于那些使原材料成为成品的直接有关的过程，如毛坯制造、机械加工、热处理和装配等。 3工序是工艺过程的基本单元。工序是指一个（或一组）工人，在一个固定的工作地点,对一个（或同时几个）工作所连续完成的那部分工艺过程。 4工步是当加工表面、切削工具和切削用量中的转速与进给量均不变时，所完成的那部分工序。 5走刀：在一个工步内由于被加工表面需切除的金属层较厚，需要分几次切削，则每进行一次切削?? 就是一次走刀。 6为减少工件安装次数，常采用各种回转工作台，回转夹具或移位夹具。使工件在一次安装中先后处于几个不同位置进行加工。此时，工件在机床上占据的每一个加工位置称为工位。7在制定工艺规程时，要体现以下三个方面的要求：（1）技术上的先进性。（2）经济上的合理性。（3）有良好的劳动条件。（4）生产质量的可靠性 8工艺文件就是将工艺规程的内容，填入一定格式的卡片，即为生产准备和施工依据的技术文件。工艺文件常见的有以下几种：（1）工艺过程综合卡片。（2）工艺卡片。（3）工序卡片。9工序卡片是在工艺卡片的基础上分别为每一个工序制订的，是用来具体指导工人进行操作的一种工艺文件。 10零件结构的工艺性是指所设计的零件在满足使用要求的前提下制造的可行性和经济性。零件结构的工艺性好是指零件的结构形状在满足使用要求的前提下，按现有的生产条件能用较经济的方法方便地加工出来。 11基准就是零件上用以确定其他点、线、面的位置所依据的点、线、面。 12基准按其他作用不同，可分为设计基准和工艺基准。 13在零件图上用以确定其他点、线、面的基准，称为设计基准。 14工艺基准就是零件在加工和装配过程中所使用的基准。 15工艺基准按用途不同又可以分为（1）定位基准（2）测量基准（3）装配基准。 定位基准就是加工时使工件在机床或夹具中占据一正确位置所用的基准。测量基准就是零件检验时，用以测量已加工表面尺寸及位置的基准。装配基准就是装配时用以确定零件在部件或产品中位置的基准。 16选择精基准的原则：基准重合原则、基准统一原则、自为基准原则、互为基准原则。 17除定位基准的合理选择外，拟定工艺路线还要考虑表面加工方法（1从保证加工表面的加工精度和表面粗糙度要求考虑。2考虑工件材料的性质3表面加工方法选择,首先保证质量要求外，还应考虑生产效率和经济性要求。）、加工阶段划分（1粗加工阶段主要任务是切除各加工表面上的大部分加工余量，使毛坯在形状和尺寸上尽量接近成品。2半精加工阶段它的任务是是使主要表面消除粗加工留下的误差，达到一定的精度及留有精加工余量，为精加工做好准备。3精加工阶段主要是去除半精加工所留的加工余量，使工件各主要表面达到图样要求的尺寸精度和表面粗糙度。4光整加工阶段如衍磨、抛光等。用于精度及表面粗糙度要求很高的场合。）、工序的集中与分散和加工顺序（1切削加工顺序的安排：先粗后精；先主后次；基面先行；先面后孔2热处理工序的安排：预先热处理，包括退火、正火、时效和调质等；最终热处理，包括各种淬火、回火、渗碳和氮化处理等3辅助工序安排）等四个方面 18确定加工余量的方法有计算法、查表法、经验法三种。 19影响模具精度的主要因素：1.制件的精度2.模具加工技术手段的水平3.模具装配钳工的技术水平??4.模具制造的生产方式和管理水平 20对模具技术经济分析的的主要指标有：模具精度和表面质量，模具的生产周期，模具的
微电子加工工艺总结资料
1、分立器件和集成电路的区别 分立元件：每个芯片只含有一个器件；集成电路：每个芯片含有多个元件。 2、平面工艺的特点 平面工艺是由Hoerni于1960年提出的。在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通过刻蚀去除部分氧化层，从而形成一个窗口。 P-N结形成的方法： ①合金结方法 A、接触加热：将一个p型小球放在一个n型半导体上，加热到小球熔融。 B、冷却：p型小球以合金的形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一个再分布结晶区，这样就得到了一个 pn结。 合金结的缺点：不能准确控制pn结的位置。 ②生长结方法 半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）的半导体熔液中生长出来的。 生长结的缺点：不适宜大批量生产。 扩散结的形成方式 与合金结相似点： 表面表露在高浓度相反类型的杂质源之中 与合金结区别点： 不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部 扩散结的优点 扩散结结深能够精确控制。 平面工艺制作二极管的基本流程： 衬底制备——氧化——一次光刻（刻扩散窗口）——硼预沉积——硼再沉积——二次光刻（刻引线孔）——蒸铝——三次光刻（反刻铝电极）——P-N结特性测试 3、微电子工艺的特点 高技术含量设备先进、技术先进。 高精度光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。 超纯指工艺材料方面，如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。 超净环境、操作者、工艺三个方面的超净，如 VLSI在100级超净室10级超净台中制作。 大批量、低成本图形转移技术使之得以实现。 高温多数关键工艺是在高温下实现，如：热氧化、扩散、退火。
机械加工工艺基础知识点总结修订稿
机械加工工艺基础知识 点总结 WEIHUA system office room 【WEIHUA 16H-WEIHUA WEIHUA8Q8-
机械加工工艺基础知识点总结 一、机械零件的精度 1.了解极限与配合的术语、定义和相关标准。理解配合制、公差等级及配合种类。掌握极限尺寸、偏差、公差的简单计算和配合性质的判断。 基本术语：尺寸、基本尺寸、实际尺寸、极限尺寸、尺寸偏差、上偏差、下偏差、（尺寸）公差、标准公差及等级（20个公差等级，IT01精度最高；IT18最低）、公差带位置（基本偏差，了解孔、轴各28个基本偏差代号）。 配合制： （1）基孔制、基轴制；配合制选用；会区分孔、轴基本偏差代号。 （2）了解配合制的选用方法。 （3）配合类型：间隙、过渡、过盈配合 （4）会根据给定的孔、轴配合制或尺寸公差带，判断配合类型。 公差与配合的标注 （1）零件尺寸标注 （2）配合尺寸标注 2.了解形状、位置公差、表面粗糙度的基本概念。理解形位公差及公差带。 几何公差概念： 1）形状公差：直线度、平面度、圆度、圆柱度、线轮廓度、面轮廓度。 2）位置公差：位置度、同心度、同轴度。作用：控制形状、位置、方向误差。3）方向公差：平行度、垂直度、倾斜度、线轮廓度、面轮廓度。 4）跳动公差：圆跳动、全跳动。 几何公差带：
1）几何公差带 2）几何公差形状 3）识读 3.正确选择和熟练使用常用通用量具（如钢直尺、游标卡尺、千分尺、量缸表、直角尺、刀口尺、万能角尺等）及专用量具（如螺纹规、平面样板等），并能对零件进行准确测量。 常用量具： （1）种类：钢直尺、游标卡尺、千分尺、量缸表、直角尺、刀口尺、万能角尺。 （2）识读：刻度，示值大小判断。 （3）调整与使用及注意事项：校对零点，测量力控制。 专用量具： （1）种类：螺纹规、平面角度样板。 （2）调整与使用及注意事项 量具的保养 （1）使用前擦拭干净 （2）精密量具不能量毛坯或运动着的工伯 （3）用力适度，不测高温工件 （4）摆放，不能当工具使用 （5）干量具清理 （6）量具使用后，擦洗干净涂清洁防锈油并放入专用的量具盒内。 二、金属材料及热处理
机械加工工艺汇总
各位會員﹕你們好 歡迎來到機械加工工藝版學習﹐交友。 本版主要談論機械加工工藝方面的問題﹑技巧﹑經驗﹑發展﹑前沿﹑等等。 詳細有以下一些方面﹕ 金屬切削類﹕車削﹑鑽削﹑鏜削﹑刨削﹑插削﹑拉削﹑銑削﹑磨削﹑齒形加工等等 數控機床類﹕cnc加工車﹑銑﹑鑽等 特種加工﹕電火花加工（線切割﹑電火花﹐打孔機）﹑電解加工﹐電解磨削﹑電化學加工﹑ 超聲波加工﹑激光加工等 仿形加工﹕雕刻機﹑仿形機等 你公司没有人用半径补偿，是不是用的自动编程，这可以在软件中自动进行补偿了，所以不 用过多考虑，只用选择了刀具参数即可以了。 对于手工编程，半径补偿就很重要了。先确定好加工路径，然后沿加工路线方向走，刀具位 于加工轮廓左侧的，用左刀补G41；反之用右刀补G42。 关于刀具半径补偿要注意一下几点 1）认清什么方向是左补-G41,什么方向是右补-G42 2）半径补正的加工起点一定要大于你刀具的半径 3）在对整园进行半径补正时最好应在整园的X轴或Y轴上 4）半径补正应在长度补正G43后面 5）别忘了用G41，G42补正完后，最好用G40取消它 6）暂时想起这么多 NC加工即数控加工，只要是通过数字化脉冲信号控制的加工设备都可称为NC加工，主要 同手动加工区别。CNC加工特指由电脑控制的数控加工，可实现直线插补、圆弧插补、多 轴联动等较复杂的加工方式。 跟螺距有关。螺距0.75,小径3.242,螺距0.5,小径3.459。 机械制图上讲画螺纹时，小径约是大径的0.85倍，按此应是3.4,也差不多。 這個沒有硬性規定﹐想好攻一點3.2以上﹐想攻的好一點3.0差不多。 线切割没平方毫米是0。004元 地址：https://www.wendangku.net/doc/e312402121.html,/en/downloads.asp?m=6 林清安的书实例丰富 FTP站点文件下载方法 FTP站点文件下载方法: 下载CUTEFTP/PRO,或flashfxp并进入行安装!!请不要接用网页浏览器,许多FTP网站并不支持直接ie 浏览. FLASHFXP:https://www.wendangku.net/doc/e312402121.html, CUTEFTP/PRO:https://www.wendangku.net/doc/e312402121.html,/ 硬度值对照表：
半导体工艺主要设备大全
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。 净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统,组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广泛用于微电子医院\制药\生化制品\食品卫生\精细化工\精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用,防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP为游离磨料CMP。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合
机械加工工作总结
XX机械加工工作总结 一、机械加工工作介绍 机械加工是指通过一种机械设备对工件的外形尺寸或性能进行改变的过程。按加工方式上的差别可分为切削加工和压力加工。 工艺基础 生产过程 机器的生产过程是指从原材料制成产品的全部过程。对机器生产而言包括原材料的运输和保存，生产的准备，毛坯的制造，零件的加工和热处理，产品的装配、及调试，油漆和包装等内容。生产过程的内容十分广泛，现代企业用系统工程学的原理和方法组织生产和指导生产，将生产过程看成是一个具有输入和输出的生产系统。 在生产过程中，凡是改变生产对象的形状、尺寸、位置和性质等，使其成为成品或者半成品的过程称为工艺过程。它是生产过程的主要部分。工艺过程又可分为铸造、锻造、冲压、焊接、机械加工、装配等工艺过程，机械制造工艺过程一般是指零件的机械加工工艺过程和机器的装配工艺过程的总和，其他过程则称为辅助过程，例如运输、保管、动力供应、设备维修等。工艺过程又是由一个或若干个顺序排列的工序组成的，一个工序由有若干个工步组成。 工艺过程
工序是组成机械加工工艺过程的基本单元。所谓工序是指一个工人，在一台机床上(或一个工作地点），对同一工件所连续完成的那一部分工艺过程。构成一个工序的主要特点是不改变加工对象、设备和操作者，而且工序的内容是连续完成的工步是在加工表面不变、加工工具不变、切削用量不变的条件下 走刀又叫工作行程，是加工工具在加工表面上加工一次所完成的工步。 制定机械加工工艺过程，必须确定该工件要经过几道工序以及工序进行的先后顺序，仅列出主要工序名称及其加工顺序的简略工艺过程，称为工艺路线。 工艺路线的拟定是制定工艺过程的总体布局，主要任务是选择各个表面的加工方法，确定各个表面的加工顺序，以及整个工艺过程中工序数目的多少等。工艺路线拟定须遵循一定的原则。 生产类型 生产类型通常分为三类： 1．单件生产：单个地生产不同结构和不同尺寸的产品，并且很少重复。 2．批量生产：一年中分批地制造相同的产品，制造过程有一定的重复性。 批量生产的零件 3．大批量生产：产品的制造数量很大，大多数工作地点经
微电子机械系统及其加工工艺简述
TECHNOLOGY AND MARKET Vol.18,No.5,2011 0引言 微电子机械系统是近年来发展起来的一种新型多学科交叉的技术，微电子机械系统采用传统的机械加工工艺、软X射线深层光刻电铸成型工艺和半导体硅微机加工工艺等来制作微尺度的机械、电子、流体、光学、生物及其它一些器件。制作微电子机械系统的主流技术是硅微机械加工工艺,它越来越多地用于微电子机械系统的加工中。 1微电子机械系统 1.1微电子机械系统的定义 微电子机械系统是指采用微电子技术和微机械加工技术相结合的工艺技术,可以批量生产,它是集微型传感器、微型执行器、微型机构以及控制电路、接口、通讯和信号处理等于一体的微型系统或微型器件。微电子机械系统的研究不仅涉及系统和元件的材料、设计、控制、测试、能源、集成以及与外界的联接等许多方面,还涉及到了微电子学、微动力学、微机械学、微流体学、微摩擦学、微热力学、微光学、物理学、材料学、生物学、化学、信息与控制等多个学科领域,是一个综合性高新技术，因此我们说微电子机械系统开辟了一个新的技术领域。微电子机械系统利用半导体加工工艺来制作微尺度的机械、电子、流体、光学及其它一些器件,把精密机械、微电子、生化和信息处理等高新技术有机整合在一起,在单一或多个芯片上集成传感、信号处理、控制及驱动于一体。微电子机械系统中的机械不限于狭义的机械力学中的机械,包括热、力、光、声、磁乃至生物、化学等具有能量转化、传输等功能的效应。 1.2微电子机械系统的特点 1.2.1微型化和集成化 微电子机械系统器件具有体积小、重量轻、耗能低、性能稳定、响应时间短,谐振频率高等特点,而且具有可以集成控制、感应和执行等多种功能。微电子机械系统把不同敏感方向、不同功能或致动方向的多个执行器或传感器集成为一个整体,形成微执行器阵列或微传感器阵列,甚至把多种功能的器件集成在一起,形成一个比较复杂的微系统。微执行器、微传感器和微电子器件的集成可制造出稳定性、可靠性都很高的微电子机械系统器件。 1.2.2以硅为主要材料 因为硅的机械电气性能优良,硬度、强度和杨氏模量与铁相当,而且密度类似,其热传导效率接近钨和钼。 1.2.3多学科交叉 微电子机械系统涉及面很广泛，包括机械、电子、材料制造、物理、信息与自动控制、生物和化学等多种学科,并综合了目前科学技术发展的许多尖端成果。 1.2.4可大批量生产 用硅微加工工艺在一片硅片上即可同时制造出很多个微型电子机械装置或完整的微电子机械系统器件,不仅生产周期短而且成本低廉,性能一致性好,对环境的损害非常小等。3微电子机械系统的三种加工方法 3.1传统超精密加工方法 传统的机械加工方法以日本为代表,超精密机械加工是日本研究微电子机械系统的重点。它主要是传统机械加工的微型化,这种加工方法就是用大机器来制造小机器,然后再利用小机器制造出微机器,这种加工方法加工出来的电子机械适用于在特殊场合的应用,例如微型工作台、微型机械手等。 3.2微机械加工方法LIGA 微机械加工方法LIGA以德国为代表,LIGA方法是指采用同步X射线深层光刻、注塑复制和微电铸制模等主要工艺步骤组成的一种综合性微机械加工技术。LIGA技术首先采用同步X射线光刻技术光刻出所要生产的图形,然后采用电铸的方法加工出与光刻图形相反的金属模具,最后采用微塑注来制备微机械结构。 3.3半导体硅微机械加工方法 半导体硅微机械加工方法与传统微电子器件工艺兼容,这种加工方法以美国为代表。它利用集成电路工艺技术或化学腐蚀对硅基材料进行加工,加工成硅基微电子机械系统的器件,它可以实现微电子与微机械的系统集成,非常适合于批量生产,已经成为微电子机械系统的主流技术。 当前硅基微加工技术可分为表面微加工技术和体微加工技术。表面微加工技术是在硅片正面上形成薄膜并按一定要求对薄膜进行加工形成微结构的技术,全部加工仅涉及到硅片正面的薄膜。用这种技术可以淀积氮化硅膜、二氧化硅膜和多晶硅膜。用溅射镀膜和蒸发镀膜可以制备钨、铝、镍、钛等金属膜。一般采用光刻技术对薄膜进行加工,如X射线光刻、紫外线光刻、离子束光刻和电子束光刻。将设计好的微机械结构图通过光刻的方式转移到硅片上,再用反应离子腐蚀、等离子体腐蚀等工艺对多氧化硅膜、晶硅膜以及各种金属膜进行腐蚀,以形成微机械结构。体微加工技术是对硅的衬底进行加工。一般采用各向异性化学腐蚀,由于某些腐蚀液在硅的各个晶向上的腐蚀速率不同，体微加工技术就是利用这一特性来制作不同的微机械零件或微机械结构。体微加工技术可以制作出几何尺寸较大，机械性能好的器件，但是其制作过程对材料比较两非，与集成电路的兼容性差、很难制造出精细灵活的悬挂系统。 电化学腐蚀也是一种常用的加工技术,现已发展为电化学自停止腐蚀,它主要用于制备薄面均匀的硅膜。主要通过对硅的深腐蚀和硅片的整体键合来实现体微加工技术,这种技术能够将几何尺寸控制在微米级。 4结束语 微电子机械系统将传感、处理与执行这些步骤融合在一起,使得人类的操作、加工能力扩展到了微米空间。微电子机械系统发展的目标是通过集成化、微型化来探索具有新功能、新原理的系统和元件,并不断地提高集成系统的性价比,把信息获取、处理和执行一体化地集成在一起,使之成为一个真正的系统。微电子机械系统对未来的科学技术、生产生活方式和人类的生活质量都有着很重要的影响。 微电子机械系统及其加工工艺简述 薛小红 (齐齐哈尔职业学院，黑龙江齐齐哈尔150025) 摘要：微电子机械系统是一项建立在微纳米技术基础上的前沿技术，是对微纳米材料进行设计、加工、制造和控制的技术。 硅微机械加工工艺是近年来随着集成电路工艺发展起来的微电子机械系统主流技术。介绍了微电子机械系统的特点，并讨论了微电子机械系统的三种加工方法。 关键词：微电子机械系统；体微加工；表面微加工；LIGA doi:10.3969/j.issn.1006-8554.2011.05.085 技术研发 120
微电子行业前景与就业形势
微电子行业前景与就业形势 当前，我们正在经历新的技术革命时期，虽然它包含了新材料、新能源、生物工程、海洋工程、航空航天技术和电子信息技术等等，但是影响最大，渗透性最强，最具有新技术革命代表性的乃是以微电子技术为核心的电子信息技术。 自然界和人类社会的一切活动都在产生信息，信息是客观事物状态和运动特征的一种普通形式，它是为了维持人类的社会、经济活动所需的第三种资源（材料、能源和信息）。社会信息化的基础结构，是使社会的各个部分通过计算机网络系统，连结成为一个整体。在这个信息系统中由通讯卫星和高速大容量光纤通讯将各个信息交换站联结，快速、多路地传输各种信息。在各信息交换站中，有多个信息处理中心，例如图形图像处理中心、文字处理中心等等；有若干信息系统，例如企事业单位信息系统，工厂和办公室自动化系统，军队连队信息系统等等；在处理中心或信息系统中还包含有许多终端，这些终端直接与办公室、车间、连队的班排、家庭和个人相连系。像人的神经系统运行于人体一样，信息网络系统把社会各个部分连结在信息网中，从而使社会信息化。海湾战争中，以美国为首的多国部队的通讯和指挥系统基本上也是这样一个网络结构，它的终端是直接武装到班的膝上（legtop）计算机，今后将发展到个人携带的PDA（Person-al Date Assistant）。 实现社会信息化的关键部件是各种计算机和通讯机，但是它的基础都是微电子。当1946年2月在美国莫尔学院研制成功第一台名为电子数值积分器和计算器（Electronic Numlerical Inte-grator and Computer）即ENIAC问世的时候，是一个庞然大物，由18000个电子管组成，占地150平方米，重30吨，耗电140KW，足以发动一辆机车，然而不仅运行速度只有每秒5000次，存储容量只有千位，而且平均稳定运行时间才7分钟。试设想一下，这样的计算机能够进入办公室、企业车间和连队吗所以当时曾有人认为，全世界只要有4台ENIAC就够了。可是现在全世界计算机不包括微机在内就有几百万台。造成这个巨大变革的技术基础是微电子技术，只有在1948年Bell实验室的科学家们发明了晶体管（这可以认为是微电子技术发展史上的第一个里程碑），特别是1959年硅平面工艺的发展和集成电路的发明（这可以认为是微电子技术第二个里程碑），才出现了今天这样的以集成电路技术为基础的电子信息技术和产业。而1971年微机的问世（这可以认为是微电子技术第三个里程碑），使全世界微机现在的拥有率达到％，在美国每年由计算机完成的工作量超过4000亿人年的手工工作量。美国欧特泰克公司总裁认为：微处理器、宽频道连接和智能软件将是下世纪改变人类社会和经济的三大技术创新。 当前，微电子技术发展已进入“System on Chip”的时代，不仅可以将一个电子子系统或整个电子系统“集成”在一个硅芯片上，完成信息加工与处理的功能，而且随着微电子技术的成熟与延拓，可以将各种物理的、化学的敏感器（执行信息获取的功能）和执行器与信息处理系统“集成”在一起，从而完成信息获取、处理与执行的系统功能，一般称这种系统为微机电系统（MEMS：Micro Electronics Machinery System），可以认为这是微电子技术又一次革命性变革。集成化芯片不仅具有“系统”功能，并且可以以低成本、高效率的大批量生产，可靠性好，耗能少，从而使电子信息技术广泛地应用于国民经济、国防建设乃至家庭生活的各个方面。在日本每个家庭平均约有100个芯片，它已如同细胞组成人体一样，成为现代工农业、国防装备和家庭耐用消费品的细胞。集成电路产业产值以年增长率≥13％，在技术上，集成度年增长率46％的速率持续发展，世界上还没有一个产业能以这样高的速度持续地增长。1990年日本以微电子为基础的电子工业产值已超过号称为第一产业的汽车工业而成为第一大产业。2000年电子信息产业，将成为世界第一产业。集成电路的原料主
材料加工工艺学期末总结
1.材料的定义 材料是人类用以制造用于生活和生产的物品、器件、构件、机器以及其他产品的物质。也可简单定义为：材料是可以制造有用器件的物质。 作为材料，具备以下特点：(1) 一定的组成；(2) 可加工性；(3) 形状保持性； (4) 使用性能；(5) 经济性；(6) 再生性。 2.材料的种类 按化学结构或组成分类： 金属材料、无机非金属材料、高分子材料、复合材料（每种材料举几个例子！） 按用途分类：结构材料、功能材料。（又可细分为：航天航空材料、化工材料、机械工程材料、建筑材料、电子信息材料、能源材料、生态环境材料、生物医用材料。） 3.材料科学与工程的定义及四要素： 材料科学与工程定义为：关于材料组成、结构、合成与加工、性能及使用性能相互关系的科学。 四要素： 4.高分子材料的分类及其定义，并举例。 定义：是以高分子化合物为主要组分的材料。 常见的高分子材料：塑料、橡胶、合成纤维、胶黏剂、涂料 5.塑料的分类 概述：塑料是具有可塑性的高分子材料。它以树脂为主要组分，加入各种添加剂，能在一定温度和压力下加工成形的各种材料的总称。 塑料的组成： 1）树脂；2）填充剂（填料）；3）增塑剂；4）稳定剂；5）增色剂；6）润滑剂；7）固化剂8）其他，比如还有发泡剂、催化剂、阻燃剂等。 塑料的分类（举例！）： 按塑料热性质分类： 热塑性塑料：比如聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚苯醚、聚四氟乙烯等。 热固性塑料：比如酚醛树脂、环氧树脂、氨基树脂、有机硅树脂等。 按塑料的功能和用途分类：
通用塑料：比如聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、酚醛塑料、氨基塑料等。 工程塑料：比如聚酰胺、ABS、聚甲醛、聚碳酸酯、聚砜、聚四氟乙烯、 聚甲基丙烯酸甲酯、环氧树脂等。 特种工程塑料：比如聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚酰亚胺等。 功能塑料：比如导电塑料、导磁塑料、感光塑料等。 6.橡胶的定义 橡胶是具有高弹性的轻度交联的线型高聚物，它们在很宽的温度范围内处于高弹态。一般橡胶在-40℃～80℃范围内具有高弹性，某些特种橡胶在-100℃的低温和200℃高温下都保持高弹性。橡胶的弹性模数很低，在外力作用下变形量可达100%～1000%，外力去除又很快恢复原状。 橡胶有优良的伸缩性，良好的储能能力和耐磨、隔音、绝缘等性能，广泛用于制作密封件、减振件、传动件、轮胎和电线等制品。 第二章 1.成型加工的定义 使固体状态(粉状或粒状)、糊状或溶液状态的高分子材料熔融或变形，经过模县形成所需的形状，并保持其已经取得的形状，最终得到制品的工艺过程。 2.高分子材料的状态变化与成型加工的关系三种物理状态： 玻璃态：T < Tg；高弹态：Tg～Tf (Tm)；粘流态：T >Tf (Tm) 在Tg以下，高分子材料处于普弹性状态(亦称玻璃态)，为坚硬的固体。受外力作用形变(普弹形变)很小，一旦外力消失，形变可以立即恢复。 在Tg以上，高分子材料处于高弹态(亦称橡胶态)，与普弹态相比，只要较小的外力就可使其发生较大的形变(高弹形变)。但这种形变是可逆的。 当达到Tf(Tm)时，高分子材料处于粘流态(亦称流动态)，此时，只要不太大的外力就可使其发生形变，而且这种形变是不可逆的，外力除去后，仍将继续保持，无法自发恢复。 达到Td，则高分子材料开始分解。 综上所述： 在Tg以下，对高分子材料不能进行形变较大的成型加工，只能进行机械加工。 Tg(对无定形聚合物)或Tm(对结晶聚合物)是选择和合理使用塑料的重要温度参数，亦是大多数塑料成型的最低温度。