碲镉汞液相外延薄膜典型缺陷及其起源分析

碲镉汞液相外延薄膜典型缺陷及其起源分析

刘铭;周立庆

【摘要】通过碲镉汞液相外延薄膜的典型缺陷的研究,结合国内外的研究现状,综述了各种缺陷的特征、起因、消除方法等.通过对HgCdTe液相外延层中常见的缺陷进行归纳和总结,探讨各种缺陷的可能起因,以达到提高液相外延工艺水平的目的.【期刊名称】《激光与红外》

【年(卷),期】2009(039)003

【总页数】5页(P280-284)

【关键词】HgCdTe;液相外延;缺陷;CdZnTe衬底

【作者】刘铭;周立庆

【作者单位】华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北

京,100015

【正文语种】中文

【中图分类】工业技术

第 39 卷第 3 期2009年 3 月激光与红外LASER＆INFRAREDVol.39 , No.3 March,2009文章编号：1001-5078(2009)03-0280-05·红外材料与器件碲镉汞液相外延薄膜典型缺陷及其起源分析刘铭，周立庆（华北光电技术研究所，北京 100015 ）摘要：通过碲镉汞液相外延薄膜的典型缺陷的研究，结合国内外的研究现状，综述了各种缺陷的特征、起因、消除方法等。通过对 HgCdTe 液相外延层中常见的缺陷进行归纳和总结，探讨各种