文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › 电子设计工程师 考试题

电子设计工程师 考试题

电子设计工程师 考试题
电子设计工程师 考试题

1.

2.假设浮点变量TD_Data 存放的是热敏电值测量的温度数据,由于1602 LCD 液晶只能显示ASCII 码,请把此浮点变量转换为液晶可显示的ASCII 码存放到无符号字符数组td_result[16]中,其中整数部分两位,小数点一位,小数部分一位,其它不用的12位不能在LCD 上显示(提示:可以定义一个4位的数组,把需要显示的4位数复制到该数组中进行显示)。

注意:TD_Data 与t d_result[16]均为全局变量,子函数中不需要再重新定义,子函数名为

void FloattoAscii (void ) { }

提示:数字0-9所对应的ASCII 码为0x30-0x39,小数点的ASCII 码为0x2E ,另外C 语言中直接对字符加单引号也可以表示其ASCII 码,如’2’即表示2的ASCII 码

V o

假设浮点变量TD_Data 存放的是热敏电阻测量的温度数据,当采集到的温度低于20℃或高于40℃

时,在液晶第一行显示“Error ”;当温度在40℃到20℃之间时(含),在第一行显示“good ”。

要求第二行显示实时温度。液晶显示子程序可参考第二题,假设显示的温度数据已经转换为ASCII

码并保存在无符号字符数组td_result[16]中。以上变量均为全局变量,子程序不需要再定义,子 函数名称为

Void display (void ) { }

//函数名称为Void display (void )

//器件:51单片机,

1602液晶

//功能描述:当采集到的温度低于20℃或高于40℃时,在液晶第一行显示“Error ”; //当温度在40℃到20℃之间时(含),在第一行显示“good ”。

// 第二行显示实时温度

//硬件连接:1602:1、3-----接地

// 1602:2--------+5V

// 51:P1.5-P1.7------------------1602:4--6

// 8155A口-------------------------1602:7--14 数据端

#include

#include

uchar aaa[]={"Error"};

uchar bbb[]={TD_Data};

uchar ccc[]={"good "};

uchar ddd[]={TD_Data};

void main()

{

lcd1602init( );

PORT=0x03;

lcd_clear();

while(1)

{

lcd_string(aaa,1);

lcd_string(bbb,2);

lcd_string(ccc,1);

lcd_string(ddd,2);

delay(200);

}

}

int t; //t为当前温度

uchar bbb[]={"Error"};

uchar ccc[]={"good"};

uchar td_result[16];

if (t<20||t>40)

{

lcd_string(bbb,1);//当采集到的温度低于20℃或高于40℃时,在液晶第一行显示“Error”

}

if(20<=t<=40)

{

lcd_string(ccc,1);//在第一行显示“good”

lcd_string(td_result,2);//显示的温度

}

/**********************************************************

* 文件名称:LCD1602.c *

* 功能说明:LCD1602显示的51单片机驱动文件*

* 对外调用函数说明:(可直接调用1602lcd.h)*

* 1.函数名称:void lcd1602init( ) *

* 函数功能:1602LCD初始化函数*

* 参数说明:无参数*

* 2.函数名称:lcd_clear() *

* 函数功能:1602LCD清屏函数*

* 参数说明:无参数*

* 3.函数名称:void lcd_string( uchar *p, uchar flag ) *

* 函数功能:1602LCD显示函数*

* 参数功能:*p -- 显示数据首地址;*

* flag -- 显示数据在液晶上的行号,可选1或2 * **********************************************************/

#include

uchar qq;

bit flag=0;

/********************************************************

// 延时函数delay(uchar dat)

********************************************************/

void delay(uchar dat)

{

while(dat--);

}

//LCD1602的忙信号判断函数

void busy(void)

{

PORT_A=0xff;

rs=0;

rw=1;

en=1;

PORT=0x00; //把8155A口由输出状态转为输入状态

while(PORT_A & 0x80);

PORT=0x03; //把8155A口由输入状态转为输出状态

}

void wri(uchar dat)//写指令

{

busy();

rs=0;

rw=0;

en=1;

PORT_A=dat;

}

void wrd(uchar dat)//写数据

{

busy();

rs=1;

rw=0;

en=1;

PORT_A=dat;

en=0;

}

//LCD1602的初始化函数

void lcd1602init( )

{

wri(0x01);/*清除显示*/

wri(0x38);/*设置8位格式,2行,5*7*/

wri(0x06);/*设定输入方式,增量不移位*/

wri(0x0c);/*整体显示,关光标,不闪烁*/

}

//LCD1602的清屏函数

void lcd_clear()

{

wri( 0x01 );

}

7.假设浮点变量TD_Data存放的是热敏电阻测量的温度数据,当采集到的温度低

于20℃或高于40℃时,在液晶第一行显示“Error”;当温度在40℃到20℃之间时(含),在第一行显示“good”。要求第二行显示实时温度。液晶显示子程序可参考第二题,假设显示的温度数据已经转换为ASCII码并保存在无符号字符数组td_result[16]中。以上变量均为全局变量,子程序不需要再定义,子函数名称为

Void display(void)

{

}

/**********************************************************

函数名称:void lcd_string( uchar *p, uchar flag ) *

* 函数功能:1602LCD显示函数 *

* 参数功能:*p -- 显示数据首地址; *

* flag -- 显示数据在液晶上的行号,可选1或2

*

**********************************************************/

#include

bit flag=0;

/******************************************************** // 延时函数 delay(uchar dat)

********************************************************/ void delay(uchar dat)

{

while(dat--);

}

//LCD1602的忙信号判断函数

void busy(void)

{

PORT_A=0xff;

rs=0;

rw=1;

en=1;

PORT=0x00; //把8155A口由输出状态转为输入状态while(PORT_A & 0x80);

PORT=0x03; //把8155A口由输入状态转为输出状态}

void wri(uchar dat)//写指令

{

busy();

rs=0;

rw=0;

en=1;

PORT_A=dat;

en=0;

}

void wrd(uchar dat)//写数据

{

busy();

rs=1;

rw=0;

en=1;

PORT_A=dat;

en=0;

}

//LCD1602的初始化函数

void lcd1602init( )

{

wri(0x01);/*清除显示*/

wri(0x38);/*设置8位格式,2行,5*7*/

wri(0x06);/*设定输入方式,增量不移位*/

wri(0x0c);/*整体显示,关光标,不闪烁*/

}

//LCD1602的清屏函数

void lcd_clear()

{

wri( 0x01 );

}

/******************************************************

//函数名称: void lcd_string( uchar *p, uchar flag )

//函数功能:1602LCD显示函数

//参数功能:*p -- 显示数据首地址;

// flag -- 显示行数

******************************************************/ void lcd_string( uchar *p, uchar flag )

{

if( flag == 1 )

{

qq = 0x80;

while( *p != '\0' )

{

wri( qq ); qq++;

wrd( *p ); p++;

delay( 100 );

}

}

if( flag == 2 )

{

qq = 0xc0;

while( *p != '\0' )

{

wri( qq ); qq++;

wrd( *p ); p++;

delay( 100 );

}

}

}

/********************************************************** * 文件名称:LCD.c *

* 功能说明:LCD12232显示的51单片机驱动文件 *

* 对外调用函数说明:(可直接调用lcd.h) *

* 1.函数名称:void initlcm(void) *

* 函数功能:LCD12232初始化函数 *

* 参数说明:无参数 *

* 2.函数名称:void display(uchar x_add,uchar *dat) *

* 函数功能:LCD12232显示函数 *

* 参数功能:x_add -- 显示RAM地址; * * dat/dat1 -- 显示汉字编码 *

**********************************************************/

#include

void delay(uchar x)

{

while(x--);

}

void sendBYTE(uchar dat)/*串行传送一字节数据*/

{

uchar i;

for (i=0;i<8;i++)

{

CLK = 0;

if ((dat & 0x80)!=0)

{

SID = 1;

}

else

{

SID = 0;

}

CLK = 1;

dat = dat<<1;

}

}

void sendCMD(uchar dat)/*写控制指令*/

{

_CS = 1;

sendBYTE(0xf8);

sendBYTE(dat & 0xf0);

sendBYTE((dat<<4)&0xf0);

_CS = 0;

}

void sendDAT(uchar dat)/*写显示数据;也可以写一个单字节字符*/ {

_CS = 1;

sendBYTE(0xfa);

sendBYTE(dat & 0xf0);

sendBYTE((dat<<4)&0xf0);

_CS = 0;

}

void initlcm(void)/*初始化LCM*/

{

de lay(200);

//sendCMD(0x00);/*清楚屏幕显示*/

sendCMD(0x30);/*功能设置:一次送8位数据,基本指令集*/

sendCMD(0x04);/*点设定:显示字符/光标从左到右移位,DDRAM地址加一*/ sendCMD(0x0c);/*显示设定:开显示,显示光标,当前显示位反白闪动关*/ sendCMD(0x00);/*清DDRAM*/

sendCMD(0x02);/*DDRAM地址归位*/

delay(200); //时间不能太短,不然复位不够,导致前几个字符不能正确显示

}

void display(uchar x_add,uchar *dat)

/* 写汉字到LCD屏指定位置

// x_add -- 显示RAM地址

// dat/dat1 -- 显示汉字编码*/

{

sendCMD(x_add);

while(*dat)

{

sendDAT(*(dat++));

}

}

/**********************************************************

* 文件名称:Key.c *

* 功能说明:4*4按键扫描及键值判断文件*

* 对外调用函数说明:*

* 1.函数名称:KEY_DOWN( void ) *

* 函数功能:实现判断按键是否按下功能*

* 输入参数:无*

* 返回参数:KEY_Data *

**********************************************************/

#include

void delay(unsigned char dat);

uchar KEY_Data=0x00;

uchar M=0;

uchar

table[17]={0x00,0x04,0x08,0x0c,0x01,0x05,0x09,0x0d,0x02,0x06,0x0a,0x0e,0x03,0x07,0x0b,0x 0f,0xff};

//定义键值

uchar Row_V alue[4]={0x0e,0x0d,0x0b,0x07};

//对按键的4列信号依次给低信号

/*----------------------------------------------------------------------------

函数名称:key_scan()

函数功能:实现按键扫描功能

输入参数:无

返回参数:无

------------------------------------------------------------------------------*/

void key_scan(void)

{

uchar aa,bb;

uchar key=16;

//对4列进行循环扫描

for(aa=0;aa<4;aa++)

{

Row_IN = Row_V alue[aa];

bb = Line_IN;

bb &= 0x0f;

switch(bb)

{

case 0x0e: key=aa; break;

case 0x0d: key=aa+4; break;

case 0x0b: key=aa+8; break;

case 0x07: key=aa+12; break;

default: break;

}

}

KEY_Data=table[key];

}

/*----------------------------------------------------------------------------

函数名称:KEY_DOWN( void )

函数功能:实现判断按键是否按下功能

输入参数:无

返回参数:KEY_Data

------------------------------------------------------------------------------*/

uchar KEY_DOWN( void )

{

uchar value1=0,value2=0;

Row_IN = 0x00;

value1=Line_IN;

if((value1 & 0x0f) != 0x0f) //判断是否有键按下

{

//有键按下

delay(300); //延时去抖

value2=Line_IN;

if(value1 == value2) //判断是否有键按下

{

key_scan(); //有键按下,判断键值

}

}

return KEY_Data; //返回键值

/**********************************************************

* 文件名称:LCD1602.c *

* 功能说明:LCD1602显示的51单片机驱动文件*

* 对外调用函数说明:(可直接调用1602lcd.h)*

* 1.函数名称:void lcd1602init( ) *

* 函数功能:1602LCD初始化函数*

* 参数说明:无参数*

* 2.函数名称:lcd_clear() *

* 函数功能:1602LCD清屏函数* * 参数说明:无参数*

* 3.函数名称:void lcd_string( uchar *p, uchar flag ) *

* 函数功能:1602LCD显示函数* * 参数功能:*p -- 显示数据首地址;*

* flag -- 显示行数*

**********************************************************/

#include

uchar qq;

bit flag=0;

/********************************************************

// 延时函数delay(uchar dat)

********************************************************/

void delay(uchar dat)

{

while(dat--);

}

//LCD1602的忙信号判断函数

void busy(void)

{

PORT_A=0xff;

rs=0;

rw=1;

en=1;

PORT=0x00; //把8155A口由输出状态转为输入状态while(PORT_A & 0x80);

PORT=0x03; //把8155A口由输入状态转为输出状态}

void wri(uchar dat)//写指令

{

busy();

rs=0;

rw=0;

en=1;

PORT_A=dat;

en=0;

}

void wrd(uchar dat)//写数据

{

busy();

rs=1;

rw=0;

en=1;

PORT_A=dat;

en=0;

}

//LCD1602的初始化函数

void lcd1602init( )

{

wri(0x01);/*清除显示*/

wri(0x38);/*设置8位格式,2行,5*7*/

wri(0x06);/*设定输入方式,增量不移位*/

wri(0x0c);/*整体显示,关光标,不闪烁*/

}

//LCD1602的清屏函数

void lcd_clear()

{

wri( 0x01 );

}

/****************************************************** //函数名称:void lcd_string( uchar *p, uchar flag )

//函数功能:1602LCD显示函数

//参数功能:*p -- 显示数据首地址;

// flag -- 显示行数

******************************************************/ void lcd_string( uchar *p, uchar flag )

{

if( flag == 1 )

{

qq = 0x80;

while( *p != '\0' )

{

wri( qq ); qq++;

wrd( *p );p++;

delay( 100 );

}

}

if( flag == 2 )

{

qq = 0xc0;

while( *p != '\0' )

{

wri( qq ); qq++;

wrd( *p );p++;

delay( 100 );

}

}

}

=++=+

F ABC ABC ABC AC AB

=++=+

F ABC ABC ABC AC AB

F

Vi

V A

V B

V C

一.任务

设计并制作具有弱信号放大能力的低频功率放大器。

二.要求

三.(1)在放大通道的正弦信号输入幅度为5~700mV,等效负载电阻R L为8欧姆条件下,放大通道应满足:额定输出功率POR10W

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电力电子技术汇总题库

南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库

第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV,则其额定电压应为60V。(不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。) 2、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是导通损耗;另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中,常设置缓冲电路,其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流,过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。(√) 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。(×) 3、晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。(×) 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。(√) 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后,去掉门极触发信号,晶闸管级能维护导通。(×) 6、在GTR 的驱动电路设计中,为了使GTR 快速导通,应尽可能使其基极极驱动电流大些。(×) 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。(√) 8、IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。(×) 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。(×) 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。(√) 三、选择题 1、下列元器件中,( BH )属于不控型,( DEFIJKLM)属于全控型,( ACG )属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中,( c )最适合用在小功率,高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有( ad ) A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么? 答:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流或脉冲(uak>0且ugk>0)。

电子工程师考证题参考答案

2015年秋《电子设计工程师(初级)》试卷 一、判断题 1. 右列等式成立:A BC+/B C+AB C+ABC=AB+AC+

15. 1MHz的方波信号经过合适的滤波电路,可获得1MHz或3MHz的正弦波输出 (V) 16. 负反馈能展宽放大器的频带宽度,使上、下线截止频率均增大。 (X) 17. 与平行双线相比,双绞线的分布参数小,更易传送高速数据。 (V) 18. 一放大器的输出电阻为50Q,输出电压为1V,接至示波器50Q接入端测试, 所得电压变为0.5V。(V) 19. 90V直流电压加至1uF与2uF两电容相串联的电路上,则1uF电容所分得 的电压为30V。(X) 20. 二进制0、1 数码每左移1 位,末尾补0 后,其值应加大一倍(即乘2)。 (V) 21. 小信号放大器只要直流工作点选得合适,即不产生非线性失真。 (V) 22. 右列等式成立:( 986) 10=( 3DA) 16=(0011 1101 1010)2=(1001 1000 0110)BCD (V) 23. 可以用三只硅半导体二极管串接起来作为2.1V 低压稳压管使用。 (V) 24. 在DMA工作方式时,CPU与DMA空制器同时对地址总线,数据总线,控制总

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电子工程师招聘笔试题及详细解析(不看后悔)

一、 二、 三、基础题(每空1分,共40分) 1、晶体三极管在工作时,发射结和集电结均处于正向偏置,该晶体管工作在饱和_状态。 1.截止状态:基极电流Ib=0,集电极电流Ic=0,b-ePN结临界正向偏置到反向偏置,b-cPN结反向偏置。 2.放大状态:集电极电流随基极电流变化而变化,Ic=βIb,b-ePN结正向偏置,b-cPN结反向偏置。 3.饱和状态:集电极电流达到最大值,基极电流再增加集电极流也不会增加,这时的一个特征是b-ePN结、b-cPN结都正向偏置 2、TTL门的输入端悬空,逻辑上相当于接高电平。 3、TTL电路的电源电压为5V,CMOS电路的电源电压为3V-18V 。 4、在TTL门电路的一个输入端与地之间接一个10K电阻,则相当于在该输入端输入低电平;在CMOS门电 路的输入端与电源之间接一个1K电阻,相当于在该输入端输入高电平。 5、二进制数(11010010)2转换成十六进制数是D2。 6、逻辑电路按其输出信号对输入信号响应的不同,可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。 7、组成一个模为60的计数器,至少需要6个触发器。 一个触发器相当于一位存储单元,可以用六个触发器搭建异步二进制计数器,这样最多能计63个脉冲 8、在数字电路中,三极管工作在截止和饱和状态。 9、一个门电路的输出端能带同类门的个数称为扇出系数。 10、使用与非门时多余的输入脚应该接高电平,使用或非门时多余的输入脚应该接低电平。 与非门:若当输入均为高电平(1),则输出为低电平(0);若输入中至少有一个为低电平(0),则输出为高电平(1)。所以多余的输入脚接高电平或非门:若当输入均为低电平(1),则输出为高电平(0);若输入中至少有一个为高电平(0),则输出为低电平(1)。所以多余的输入脚接低电平 11、贴片电阻上的103代表10k。 12、USB支持控制传输、同步传输、中断传输和批量传输等四种传输模式。 13、一个色环电阻,如果第一色环是红色,第二色环是红色,第三色环是黄色,第四色环是金色,则该电阻 的阻值是220k±10%。 14、MOV A,40H 指令对于源超作数的寻址方式是直接寻址。 指令中直接给出操作数地址(dir)的寻址方式称为直接寻址。以寄存器中的内容为地址,该地址的内容为操作数的寻址方式称为寄存器间接寻址

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分,共50分) 1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是:晶闸管_________________和阴极间施加正向电压,并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。 19、温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而__________,正反向漏电流随温度升高而__________,维持电流I H会____________________,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定,负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有: ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有: (1)_________________________________________,(2)______________________________________,(3)_________________________________________,(4)_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为__________________________,它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

电力电子技术考试试题

电力电子技术考试试题

华南农业大学期末考试试卷(A卷) 学号姓名年级专业 题号一二三四总分 得分 评阅人 一、填空题(每题2分,共20分) 1.电压驱动型电力电子器件有,电流驱动型电力电子器件有。2.全控型电力电子器件有,半控型电力电子器件有,不控型电力电子器件有。 3.晶闸管的额定参数有电压定额、电流定额等,其中电流定额参数包括通态平均电流和、、浪涌电流等。 4.缓冲电路又称吸收电路其作用是抑制电力电子器件的 、,以减小器件的开关损耗。 5.单相半波可控整流电流带电阻性负载,其触发角的移相范围是; 由于其输出脉动大,变压器二次侧电流中含有直流成分,造成变压器铁心的,所以在实际中很少使用。 6.单相桥式可控整流电路带阻感性负载(电感足够大),其触发角的移相范围是;此时晶闸管的导通角是。7.采用单相桥式半控型整流电路可能会发生现象,

可以采用 加以解决。 8. 确定最小逆变角的依据是min βδγθ'=++,其中δ表示 ,γ表示 , θ'表示安全裕量角。 9. 斩波电路近似计算公式是在负载电流连续的情况下得到的,一般要求负载 较重或者 。 10. 横向换流三相桥式逆变电路,每个晶闸管的导通角度是 ; 纵向换流三相桥式逆变电路,每个晶闸管的导通角度是 。 二、 判断题 (每题1分,10题共10分,对√、错×) 1. 电力系统中整流二极管一般是硅管。 ( ) 2. GTR 集电极的电压升高后出现雪崩击穿即一次击穿后,如果集电极电流不 超过最大允许耗散功率时对应的限度,GTR 一般不会损坏。 ( ) 3. 晶闸管的串并联一般需要考虑均压和均流问题,对静态和动态的均压和均 流解决方法是相同的。 ( ) 4. 漏感造成的换相重叠角对系统总是不利的,应尽量减小或消除。 ( ) 5. 大功率直流可逆电机晶闸管调速系统四象限运行一般采用两组变流桥反并 联电路的连接方式。 ( ) 6. 三相半波可控整流电路采用共阴接法和共阳接法,其A 、B 相的自然换相点 相差120度。 ( ) 7. 交流调功电路和交流调压电路的控制方法相同。 ( ) 8. 用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,减少 其谐波分量。 ( ) 9. 面积等效原理是PWM 控制技术的理论基础。 ( ) 10. PWM 整流电路可以实现静止无功功率发生器的功

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
编辑版 word

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电气智能助理工程师考试题库-电子技术题库

一、单选题 1.在环形振荡器中,为了降低振荡频率,通常在环形通道中串入。 A:更多非门 B:电感L C:RC环节 D:大容量电容 2、在函数F=AB+CD的真值表中,F=1的状态共有个。 A:2 B:4 C:7 D:16 3、门电路与RC元件构成的多谐振踌器电路中,随着电容C充电,放电,受控门的输入电压Ui随之上升、下降,当Ui达到()时,电路状态迅速跃变。 A:Uoff B:UT C:UON D:UOH 4、时序逻辑电路设计成败的关键在于()。 A:状态的编码 B:状态转换表的建立 C:未用状态检验 D:是否具有自启动功能 5、为避免由于干扰引起的误触发,应选用()触发器 A:同步 B:异步 C:电平 D:边沿 6、使用+9V的电源电压为LA4100集成电路供电,在静态时,LA4100的输出端(1脚)的电位应为()。 A:+4.5V B:+9V C:+18 D:0V 7、欲把不规则的输入波形变换为幅度与宽度都相同的矩形脉冲,应选择( )电路。 A:多谐振荡器 B:基本RS触发器 C:单稳态触发器 D:施密特触发器 8、下列触发器具有防空翻功能的是() A:同步RS触发器 B:边沿触发器 C:基本RS触发器 D:同步D触发器 9、采用三态门主要解决了()

A:多路数据在总线上的分时传送 B:TTL与非门不能线与的问题 C:TTL与非门不能相或的问题 10、为把正弦波变成周期性矩形波,应当选用() A:单稳态触发器 B:施密特触发器 C:D触发器 D:多谐振荡器 11、已知逻辑函数Y=ABC+CD Y=1的是() A:A=0、BC=1 B:BC=1、D=1 C:AB=1、CD=0 D:C=1、D=O 12、多谐振荡器能产生() A:尖脉冲 B:正弦波 C:三角波 D:矩形脉冲 13、仅具有翻转和保持功能的触发器叫()触发器 A:JK触发器 B:RS触发器 C:D触发器 D:T触发器 14、在已学的三种A/D转换器(双积分,并联比较,逐次渐进)中转换速度最低的是()。A:双积分A/D B:并联比较 C:逐次渐进 D:三者差不多 16、构成9进制计数器至少需要()个触发器 A:2 B:3 C:4 D:5 17、一片容量为1024×4的存储器,表示该存储器的存储单元为() A:1024 B:4 C:4096 D:8 18、555定时器的输出状态有() A:高阻态 B:0和1状态 C:二者皆有 19、回差是( )电路的主要特性参数。

电力电子技术试题及答案分享

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 题号一二三四合计 分数 阅卷人得分 一、选择(每题1.5分,共60分) 1、晶闸管内部有()个PN结。 A、1 B、2 C、3 D、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压()越好。 A、越大 B、越小 C、不变 D、越稳定 3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。 A、有效值 B、最大值 C、平均值 D、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()个电极。 A、一个 B、两个 C、三个 D、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT器件电路符号的是() 6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是() A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是() A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是() A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是() A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是() A、IPM B、MOSFET C、IGBT D、GTO 11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用() A、晶闸管 B、单结晶体管 C、电力晶体管 D、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作 A、直流 B、低频 C、中频 D、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应() A、在栅极加正电压 B、在集电极加正电压 C、在栅极加负电压 D、

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为,UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ , 2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2;带 阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出 现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC ≥_1.5-2.5_T ,此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

相关文档
相关文档 最新文档