2009年电子科大微电子器件考研真题

电子科技大学

2009年攻读硕士学位研究生入学试题

832微电子器件

一、填空题（共60分）

1.写出PN 结的内建电势V bi 的表达式()。在常用的浓度范围和室温下，硅的V bi 约为

()，锗的V bi 约为()。(5分)

2.室温下硅PN 结的反向饱和电流密度J 0约为()的数量级。禁带宽度E G 增加，J 0值()，正向导通电压V F ()；温度增加，J 0值()，因此，J 0具有()温系数，同时温度增加V F 值()，因此，V F 具有()温系数。(7分)

3.由扩散工艺形成的PN 结，在结面的四周和四角会形成柱而与球面。结深x j 越小，曲率半径就越()，电场就越()，击穿电压V B 也就越()，同时柱面结的电场()球面结的电场，且击穿多发生在表面而不是体内。(8分)

4.对势垒电容和扩散电容,在正偏情况下存在的电容是：(

)。(2分)

5．PN 结的少于存储效应产生PN 结的反向恢复时间，存储电荷消失的两个途径是：()。(2分)6.()基区晶体管，少子在基区中主要作扩散运动，又称为扩散晶体管。()基

区晶体管，少子在基区中主要作漂移运动，又称为漂移晶体管。由于()的存

在使漂移晶体管少子的基区渡越时间()扩散晶体管的基区渡越时间。(8分)

7.在同N 型衬底上形成两个PN 结，结深一样，但P 区掺杂浓度不一样，问：此时，高P 区浓度PN 结的击穿电压应()低P 区浓度PN 结的击穿电压。(2分)8．NPN 晶体管，发射极接地，集电极加正压，其开基区时的泄漏电流()其基极与

发射极短接时的泄漏电流。(2分)9.要降低基极电阻r bb ，应当(

)基区掺杂浓度，(

)基区宽度。(4分)10.当f>>f ?时，频率每加倍，晶体管的|?w |下降到原来的()，最大功率增益K pmax 下

降到原来的()。(4分)

l1.对双极晶体管，当()降到1时的频率称为特征频率f T 。当()

降到1时的频率称为最高振荡频率f M 。(4分)12.对N 沟MOSFET ，当阈值电压()零时，N 沟MOSFET 为常开型器件。通常N 沟

M0SFET 为常()型器件。(4分)

13.早期MOSFET 的栅氧化层厚度T ox 的典型值为()，目前高性能MOSFET 的T ox 可达

()以下。(4分)14.对P 沟MOSFET ，栅氧化层中的固定电荷Q ox 将()闽值电压。(2分)

15.(

)沟道MOSFET 的阈值电压具有正温系数。(2分)

早上的阳光

1.请填写泊松方程的两种表达式(方程1和方程2)。其中x 表示X 坐标的位移分量，ψ为静电势，E 代表电场，q 代表电荷，s ε代表半导体的电容率，p 、n 、N D 、N A 分别代表空穴、电子、施主杂质和受主杂质的浓度。并请另外写出N 型耗尽区中泊松方程的简约表达式(方程3)。(9分)

方程1：()n p N N q

dx A D s

?+??=εψ2

2d 方程2：

()n p N N q

x E A D s ?+?=εd d 方程3：

D s

N q dx E ε=d 2.在PN 结示意图中分别画出PN 结加正向电压和反向电压后的耗尽区变化图，并在图中分别标出外加电场和内建电场的方同。简要说明为何PN 结具有单向导电性。(15分)

3.写出NPN 晶体管在四种工作状态(放大、饱和、截止、倒向放大)下的E 结和C 结的偏压情况并分别画出其少子分布图：(16分)

4.简述减小厄尔利效应的方法，并尝试说明这些方法对其他电参数的影响。(10分)

5简述：硅基双极型晶体管能否工作在几干伏的高压，并说明理由。(10分)

(请写明解题步骤)：

.

105.3,12.1,300,1038.1,106.1,9.11,1085.85231914-0cm V E eV E K T K J k C q cm F c g si ×===×=×==×=?εε

对一个如上图所示的P +N -N +二极管，假设P +区的浓度远远大于N -区的掺杂浓度。N 区的掺杂浓度为5×1013cm’，厚度为20um 。请计算该二极管的击穿电压。如果N 区的厚度增加为300um ，又请计算其击穿电压和最大耗尽层宽度。

微电子器件_刘刚前三章课后答案

课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ====υω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。

1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点 来看，半导体和绝缘体都存在着禁 带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子 近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？

电子科技大学微固考研复试经验

今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。 我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不 大。但是既然过线，就要努力试试吧。 我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然 上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你的专业知识非常扎实。 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。 复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等。 接下来就是面试了。面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。学生被领到一个屋子里，里面有五个老师。进去后，先是英语面试。自己提前准备一下英文自我介绍。但不一定会问到。我比较幸运，被问到这个了。这个每个人情况不同，问题是老师随口问的，每个学生不同。简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等。难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧。英语面试也就五分钟左右。然后专业面试。面试的问题也很随机，可能难，也可能很基础。如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。复习的科目主要就是数模

复旦大学微电子考研经验分享

复旦微电子考研心得 复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。 下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。 总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^ 心得之二:

电子科大数学学院考研经验谈

电子科大数学学院考研经验谈 “不忘初心，方得始终;既然选择了前方，便只顾风雨兼程;相约成都，相约科大”，这段话一直激励着我前进。没有伞的孩子，必须努力奔跑，你呢? 一、引言 看着电子科技大学拟录取名单上自己的名字，不知不觉到12点了，夜深人静的时刻总那么容易让人回想过去。半年考研生活的痛苦与纠结，可转眼间只能低头微微一笑。习惯用文字记录时间的点滴，趁这个安静的夜晚，写下我的考研心路历程。我天资不聪明，也并非学霸，我用了半年的时间准备初试，最后以总成绩排名第九进入电子科技大学数学学院。从一定程度上来说，我的一些经验和方法有一定的成功之处，如果你还没有一些详细的复习计划和规划，我的一些经验还是可以参考的。 文中有很多实例，包括我本科同学的考验情况和研友的一些例子。从本科同学说起，我们宿舍4个人，全部考研了并且全部考研成功。大家最初报考的院校分别是北京师范大学，陕西师范大学，湖南师范大学，电子科技大学。经过苦苦的奋斗和挣扎，最后尘埃落地，除了报湖南师范大学的调剂到杭州电子科技大学外，其他全部按第一志愿录取。 另外在我复试的时候所认识的研友，普通本科，但是却考出380的高分，这些例子说明考研贵在坚持，真真正正地静心坚持。考研路上半途而废的人身边有很多，不愿意努力的人也很多，努力也坚持，内心却不平静浮躁的人也很多，所以考研路上炮灰很多，原因也就在此。考研心态很重要，心理调节尤其重要，附件有心态调节的一些方法，希望对16的孩子们有用。 二、序言 我是来自一个普通农村家庭的孩子，带着对未来美好的憧憬，一直在求学这条道路上慢慢前行。很庆幸，通过自己的不懈努力，坚持，静心，最终如愿进入了电子科技大学。 初中开始考县城最好的高中，上了好高中才发现，初中的骄傲和自豪在这个优秀的高中淹没地无声无息。我开始迷茫彷徨，原来自己很弱小，很卑微，站在偌大的高中校园，没有一席安生之处。后来又因为种种原因，我再次看不见未来的光明，通过和班主任沟通，我选择当了班长，慢慢地我开始走出那段迷茫和不安，开始了正常的生活。怀着对大学的向往，怀着对知识改变命运的崇敬，曾今痛苦并快乐的的高中生活终究有了结果，如愿的上了大学。我是四川人，但是本科在北方上学。在北方的四年中，我真真的体会到地道的北方生活，同样也让我感悟到什么样的生活方式是我想要的。我不后悔在北方呆过的每一个春夏秋冬。 说起我的大学生活，只能说充实。我不是学霸，不会像很多学生一样，没事就在图书馆看书学习，而我更多的时间在于兼职。大一大二的时候，我几乎没有周六周日，我的周末几乎都在兼职，什么发单啊，服务员啊，促销啊，什么都干过。但是干得最多的还是我的本行家教，疯狂的时候，白天自己在学校上课，晚上骑车去家教，一上就是晚上9:30，然后住她家，第二天早上又骑车回学校上课。这也使得我大三大四的本科学费和生活费都是我自己交。除了兼职，闲暇的时间

复旦考研辅导班：复旦微电子研究院考研招生简章

复旦考研辅导班：复旦微电子研究院考研招生简章 复旦考研辅导班---复旦微电子研究院考研专业目录 202 微电子学院 复旦考研辅导班---复旦微电子研究院考研招生简章 一、培养目标 培养德、智、体全面发展，掌握本学科坚实的基础理论和系统的专业知识，具有创新精神、创新能力和从事科学研究、教学、管理等工作能力的高层次学术型专门人才以及具有较强解决实际问题的能力、能够承担专业技术或管理工作、具有良好职业素养的高层次应用型专门人才。 二、招生名额 本年度拟招收硕士生5500名左右(含推荐免试生)，录取时将视生源状况和学校发展需要适当调整招生名额，最终招生总人数以教育部正式下达的招生计划文件为准。 三、招生类型 硕士研究生按培养类型分学术学位硕士生和专业学位硕士生两种类型。硕士研究生按学

习方式分为全日制硕士研究生和非全日制硕士研究生两种。硕士研究生按就业方式分为定向就业和非定向就业两种类型。定向就业的硕士研究生按定向合同就业;非定向就业的硕士研究生按本人与用人单位双向选择的办法就业。 四、学制及校区 学术学位研究生学制一般为3年，专业学位研究生学制一般为2年—3年。研究生培养分布在四个校区：邯郸校区(文理类研究生培养单位等)、江湾校区(法学院、生命科学学院、先进材料实验室等)、张江校区(计算机科学技术学院、软件学院、微电子学院部分、药学院等)、枫林校区(医学类研究生培养单位等)。 五、报考条件 (一)学术学位硕士生全国统一招生考试的报名条件如下： 1.中华人民共和国公民。 2.拥护中国共产党的领导，愿为社会主义现代化建设服务，品德良好，遵纪守法。 3.学历必须符合下列条件之一： (1)国家承认学历的应届本科毕业生(含普通高校、成人高校、普通高校举办的成人高等学历教育应届本科毕业生)及自学考试和网络教育届时可毕业本科生，录取当年9月1日前须取得国家承认的本科毕业证书。 (2)具有国家承认的大学本科毕业学历的人员。

微电子工艺习题总结(DOC)

1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片 答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要 答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸； 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么 答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。

心有所向——成电信工抗干扰专业考研心得

心有所向——成电信工抗干扰专业考研 心得 摘要：电子科大抗干扰通信与信息系统的学硕并没有想象中那么难，本文主要是一个2011级前辈的备考过程，对公共课和专业课的复习做了自我总结。耳听为虚，不要让传言动摇我们的考研热情！ 大家好，本人今年刚刚考取抗干扰实验室的通信与信息系统方向学术型研究生。一年来，在论坛里学到了很多东西，包括学长学姐的建议，包括一些有用的资料等等。现在自己的研究生复试尘埃落定了，我也总结了一些东西，不管有用没用，上来发一下，哪怕对一个人有用呢，也算是一点对论坛的贡献吧。 一、关于英语的复习 我个人英语基础不错。所以今年英语是裸考的，连单词都没背，结果71，还算是比较不错吧。我学习英语的经验就是多读多背，语感是很重要的。如果要短期提高英语的话，建议一开始先把新东方单词红宝书搞定，特别是对于词汇量不足的同学。不然到了考场上发现大片的词都不认识跟天书一样是很痛苦的。单词建议重复记忆。多记几遍的效果要远远好于认认真真记一遍的效果。参考那个什么记忆衰减曲线。单词掌握的差不多了就做真题吧。神马模拟题之类的和真题远远不是一个水平的。还是真题最重要，把真题认真做上4遍吧。前两遍弄懂答案，后两遍主要就是看阅读，把阅读文章里面的生词都记住，你会发现真题里面的高频词汇还是很多的。往年的高频词换到下一年很可能还是高频词。后两遍的主要任务就是利用真题记单词，分析句子结构特别是长难句，彻底把一篇阅读理解拆开来看，每句话都搞懂。英语就是要不断的读，重复记忆，多用多练。关于阅读理解的做题技巧很多，我一般都是找关键词，路标词（就是像but,however这种有转折、递进、总结等性质的词），关键句（一般是首句、尾句，当然也有的在句中或者需要自己总结的）。 二、关于数学复习 复习数学课本全书一定要掌握的非常熟，公式、定理都要掌握的很熟练，包括它们的应用条件。不要指望着做题的时候翻书，然后临考前再去记忆,那样到了考场一紧张你很可能什么都忘了。我课本看了3遍,复习全书,认真看了2遍。后面有重点地看了2遍吧。特别是复习全书，一定要搞懂、吃透。然后就是做真题，不推荐做什么模拟题，那个经典400题个人感觉难度不小，喜欢挑战难题找成就感的同学可以做。一般的就不推荐了吧，很容易打击自信。把真题反复多做几遍搞懂吃透就行了。针对选择填空可以做基础过关660题，这个不错，考的很细，做好的话应付选择填空不成问题。总之数学不容得投机取巧，要很扎实的来过才行。 三、关于政治复习 政治临考前一个半月再看就可以，根本不用看课本，也根本不用报班。什么押题什么的

2014电子科技大学考研真题_832微电子器件

2014电子科技大学考研真题_832微电子器件 一、填空题（共48分，每空1.5分） 1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的 （）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。 2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流 为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。 3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。同时，禁带宽带越 （）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。（填“大”或“小”） 5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理 意义为（），因此τb/τB可以表示（ ）。 6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。 栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。（第二个空填“大”或“小”， 第三个空填“强”或“弱”） 7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（），该结构（）单向导电性。（从以下选项中选择） A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 具有 F 不具有 8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是

（）特性曲 线的斜率。在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。 9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。 10、如果以SiGe来制作BJT的发射区，Si来制作BJT的基区，则与全部采用Si 材料的双极型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（）。（填“增大”、“减小”或“不变”） 11、根据恒场等比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的（），总电容变为之前的（），最高工作频率变为之前的（）。12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括Na+、K+等可动离子、（）、（）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，通常它们都带正电，因此（）型MOSFET的衬底表面更容易反型。 13、PMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。当|VBS|增加时，PMOS 的阈值电压绝对值将（），该效应叫做（）。（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”） 二、简答与作图题(共57分) 1、如图所示，一块掺杂浓度为ND的无限长均匀N型半导体材料，在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面，产生体密度为G0的电子-空穴对。（9分） （1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。（只考虑少子在x方向的运动）（2）如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度），又应该采用什么样的边界条件求解？ 2、下图是一个通过扩散工艺制作的PN结，由于横向扩散，在PN结终止的地方会形成弯曲的结面。发现该PN结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值，造成该现象的原因是什么？如果要提高该结构的击穿电压，对扩散工艺的时间应该做怎样的调整？为什么？（9分）。 3、请画出PNP缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图，并标注出必要的物理量（10分）。

西安电子科技大学通信方向考研经验分享

西安电子科技大学通信方向考研经验分享 时间过去这么久了，现在有时间写些自己的经历。我考研那段时间就常在考研论坛上看学长写的经验，受益匪浅，很受启发。现在考上了，也把自己初试、复试的经历和心得写写，仅供参考。 本人是学电子信息工程的，报的西安电子科技大学的通信方向。学通信的都知道，西电的通信在全国是数一数二的。当时，我是下了很大决心才报的，压力自然很大。可以说，从七月份开始复习一直到考研结束，我没有敢放松过。虽然我过了西电通院的复试线，但我感觉考上的希望不大，最后没去复试(西电也打电话让我去复试了)，选择了去杭电(如果西电复试被刷，杭电就被耽误，只能去桂电了。好几个同学都是这样去桂电的。)没能去西电，我感觉自己尽力了，没有什么遗憾。我就是想拼一下，试试自己的能力。 数学 我是输在数学上。虽然我下了很大功夫，但可能是方法的问题，最后的效果不好。这里就不多说了。劝大家，复习前方法要找对，规划要做好，那样你会比较轻松，也有效果。李永乐的基础过关600题，作为中期强化，有时间的话还是做一下。同学反映这个不错。可惜我没做! 英语 英语单词这关，很重要。背单词，你别想着看一两遍就记住，除非你是过目不忘!相信大家都是凡银!我是一天规定看两个单元，早上花一小时翻两遍(注意是翻，不是背!我没有指望这两遍就记住，就是混个眼熟)，中午再花一二十分钟翻一遍(看单词，努力想意思;想不起来，就看意思，继续往后看)，晚上自习走之前再翻一遍，这次要做记号了，看哪些还是记不住。第二天早上在看第三、四单元之前，把昨天的两个单元再看一遍，着重看有标记的。这样，我一天两个单元，一周看十个单元，留出周四和周日复习，也会全放到周末复习。其实，我也是受到艾宾浩斯曲线的启发。看第一遍时，我强迫自己一定要用一个半月时间拿下，我做到了。后来，看起来就比较快了。最多是，我一天翻了二十个单元。当然，那是在我把整本书搞了至少三遍的情况下。光做标记，我就换了好几种颜色的笔。最后，单词书我翻了不止六遍! 单词搞定了，阅读里基本就没有生词了。有也就一两个我还背了些词根词缀。有用!有些词的意思，我能猜出来。阅读，有些是有技巧的。技巧，网上很多，要看自己摸索和感觉。我总结的有，但是感觉做真题还行，做模拟题不行。可能是模拟题的质量问题。再者，那技巧就是从真题里摸索出来的。对模拟题不灵。反正最后考研时，我就凭感觉做，啥技巧都没用(其实是没用上，考场上太紧张了，不容许你想那么多)，感觉对就选了。最后考的还行吧。所以，我建议大家别太相信技巧类的，还是把根基打牢，脚踏实地。 作文，模板太必要了。考前一周，我作文还没准备。自己也背范文了，但感觉没用，心里不踏实!考前三天，把两个同学准备的模板综合、整理成自己的。这几年的作文，都是社会题材，或好或坏，我就准备比较中性的模板，中间有几个替代的adj/adv.好的题材，就用

微电子器件刘刚前三章课后答案

课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ηη====υ ω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以 ()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体 积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。

1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？

电子科技大学通信考研经验

考研专业课辅导之技巧篇 ——电子科技大学通信学院(包括抗干扰重点实验室) 8月酷暑，专业课的复习也开始有序的进行。如何才能高效地学习，在这150分的领域中取得先机。下面让我们来看看专业课复习的技巧。 首先让我们来了解一下电子科大考研专业课的基本情况。通信专业专业课考试有两门：信号与系统和通信原理。满分150分，信号与系统占70%，通信原理占30%。考试总共3个小时，中文出题，出题是电子科技大学的老师出题。知道这一点很重要，因而在推荐教材上我推荐电子科大本科教学所用教材。其次考研我们要了解考试所需的教材。 通信学院专业课考试有两门：信号与系统和通信原理。满分150分，信号与系统占70%，通信原理占30%。考研我们首先要了解考试所需的教材。 信号与系统的教材是： 《信号与系统》(第二版)， 作者： A.V.Oppenheim ， 出版社：西安交通大学出版社； 通信原理的教材是： 《通信原理》/《数字与模拟通信系统》， 李晓峰等编著/ Leon W.Couch,II， 清华大学出版社/电子工业出版社； 通信原理推荐的教材有两本，只使用其中一本就可以。当然其他辅导书是可以的，但是我认为最好还是用推荐的教材比较好，这些教材都是本校学生使用的考试教材。 拿到两本厚厚的书，你是否会茫然，然后觉得无法下手，专业课的复习是有技巧性的，掌握了技巧你将事半功倍。首先并不是课本中所有的内容考试都要求，书本中内容有些是重中之重，课后习题那么多，如果全部都做将会花很多时间，如何取舍，这些我们在辅导班的课堂上都是有提到的。 复习一定要抓住这两门可的特点。首先，信号与系统与通信原理两门学科之间联系是紧密的，你不能把这两门学科独立的来看。信号与系统是基础，通信原理是在信号与系统的基础上进

2020通信考研学校排名

2020通信考研学校排名 专精研究造就传统强势 全国以信息与通信专业为主的专门院校有北京邮电大学、西安电子科技大学、电子科技大学、南京邮电大学、重庆邮电大学、杭州 电子科技大学、西安邮电学院、桂林电子科技大学等。其中除了北 京邮电大学、西安电子科技大学、电子科技大学外，其他院校的综 合实力排名并不靠前，但不能因此低估这些院校在信息与通信工程 方面的实力。毕竟这些院校在成立之初大多专攻电子信息与通信工程，悠久的历史成就了它们在专业领域的传统强势。 北京邮电大学：光纤通信、宽带通信、移动通信以及信号处理都是北邮的强势专业。学校拥有一个程控交换技术与通信网国家重点 实验室，目前国内广泛应用的智能网就是其研究成果，这也是中国 互联网研究能与国际先进水平接轨的成果之一。学校还与许多知名 通信类企业如华为、中兴、思科(CISCO)、IBM、朗讯等有项目合作。 报考指南：北邮每年招生人数较多，约有一半以上是外校学生。除了某些实力特别强的实验室或特别有名的导师录取分数较高外， 分数线一般都在各院的院线左右。需要强调的是，北邮的初试专业 课参考书《通信原理》是由本校教师编写的，不同于大部分学校选 用的樊昌兴教授主编的《通信原理》。 西安电子科技大学：西安电子科技大学的前身是1931年诞生于 江西瑞金的中央军委无线电学校，因而其开设的某些专业具有特殊 的军事背景，如密码学、军事通信和信息安全，其中军事通信专业 全国领先。在通信网方面拥有一个综合业务网理论及关键技术国家 重点实验室。交通信息工程及控制是该校的特色学科之一。 报考指南：西安电子科技大学近两年信息与通信工程专业总体录取人数与报考人数之比为1∶2左右，相对而言竞争不是很激烈。该 校的理论研究气息很浓，对有志于从事信息与通信工程方面研究的 考生来说是一个不错的选择。

2021电子科技大学统计学考研真题经验参考书

考研成功是每个学子的希望，所以一定要多努力，掌握好的方法。 英语： 书籍:《一本单词》、《木糖英语真题手译》 我英语不高，71.因为今年的题其实不算太难，主要就是阅读没做好啊！所以18的同学在复习英语的时候一定要多多在阅读上下功夫。 英语复习的第一步是记单词，我用的是《一本单词》，大家可以自行选择。我是每天记3页单词，然后在下面标好日期，隔3.5.10天进行复习，有时候因为天数会重合在一起，所以有时觉得真的挺烦的。但这方法确实不错。 阅读是英语的大头，一直都流传着得阅读者得天下。所以真题一定要多做几遍，像《木糖英语真题手译》就进行了详细的分析，吃透出题人的思路。第一遍做完可以不看详细的解析，在第二遍的时，对照详细解析，整理出自己文章中的生词，词组，分析长难句和文章的整个结构，和可以借鉴到作文里面的句子。第三遍，分析每个选项，对应原文找出干扰项，像什么张冠李戴，程度不符之类的，还多关注蛋核英语微信，很多资料。 作文，大家一直说要整理出自己的模板，不要直接去背那些参考书上的。但是我真的很懒，就是把我阅读里面的几个句子背了背，像原因的展开，观点的陈述。18的同学可以在自己学校的图书馆搜搜有没有一些考研的作文书，个人觉得借来看看就好了，不用特地去买。也可以关注木糖英语考研微信，每日一句很不错，不过一定不要像我一样坚持不下去，里面也会提供作文的素材。 1、关于政治参考书的选择： 政治同样先讲参考书的选择，再次提醒，并不是说哪本好就要买哪本，大家在选择时可以参考这里的建议，但最终还是要选择适合自己的，切记！ 本科阶段学校发的教材在考研复习过程中作用不大，我个人根本没看。那看什么？这里有一本书不能没有，这也是唯一一本我觉得必须买的书了，书名是李凡的《政治新时器》，很多人的考研政治以这本书为准，最为权威。年份不同，其内容可能会有所变动，但基本一致，而且这本书每年8月底9月初才会出版，所以一般开始复习的时候参考上一年的就可以，比如14年的同学可以参考13年版的。这本书一定要提前在淘宝或者学校内的书店预定，确保及时拿到它，不然拖很久才拿到会严重影响复习。我这里只是客观评述一下，具体怎么使用《政

√增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向

增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向 （作者：Xie Meng-xian，电子科技大学微固学院) （1）集成电路发展状况： 作为微电子技术的主体——集成电路，它的发展已经经历了若干个重要阶段，从小规模、中规模，到大规模、乃至超大规模、特大规模等。微电子技术的这种长足的进步，在很大程度上就是在不断努力地缩短场效应器件的沟道长度，这主要是通过改善微电子工艺技术、提高加工水平来实现的。尽管现在沟道长度已经可以缩短到深亚微米、乃至于纳米尺寸了，但是要想再继续不断缩短沟道长度的话，将会受到若干因素的限制，这一方面是由于加工工艺能力的问题，另一方面是由于器件物理效应（例如短沟道效应、DIBL效应、热电子等）的问题。因此，在进一步发展微电子技术过程中，再单只依靠缩短沟道长度就很不现实、甚至也可能了，则必须采用新的材料、开发新的工艺和构建新的器件结构，才能突破因缩短沟道所带来的这些限制。 实际上，从集成电路的发展趋势来看，大体上可以划分为三大阶段： ①K时代（Kbit，KHz）：微细加工的时代（不断缩短有效尺寸）～“微米时代”； ②M时代（Mbit，MHz）：结构革命的时代（不断改进器件和电路结构）～“亚微米时代”； ③G时代（Gbit，GHz）：材料革命的时代（不断开发新材料、新技术）～“10纳米时代”。 现在已经开始进入G时代，因此，在不断开发新技术的同时，特别值得注意的是新材料的开发；不仅要开发新型的半导体材料（例如宽禁带半导体、窄禁带半导体、大极性半导体等），而且也要开发各种新型的辅助材料（例如高K、低K介质材料，Cu电极材料，新型表面钝化材料等）。器件和电路研究者应该多加注意新材料的开发应用；而新材料研究者应该多加注意往器件和电路的应用上下功夫。 在新的材料和工艺技术方面现在比较受到重视的是高介电常数（高K）材料和Cu互连技术。当沟道长度缩短到一定水平时，为了保持栅极的控制能力，就必须减小栅极氧化层厚度（一般，选取栅氧化层厚度约为沟道长度的1/50），而这在工艺实施上会遇到很大的困难（例如过薄的氧化层会出现针孔等缺陷）；因此就采用了高介电常数的介质材料（高K材料）来代替栅极氧化物，以减轻制作极薄氧化层技术上的难度。另外，沟道长度缩短带来芯片面积的减小，这相应限制了金属连线的尺寸，将产生一定的引线电阻，这就会影响到器件和电路的频率、速度；因此就采用了电导率较高一些的Cu来代替Al作为连线材料，以进一步改善器件和电路的信号延迟性能。可见，实际上所有这些高K材料和Cu互连等新技术的采用都是不得已而为之的，并不是从半导体材料和器件结构本身来考虑的。 显然，为了适应器件和电路性能的提高，最好的办法是另辟途径，应该考虑如何进一步发挥半导体材料和器件结构的潜力，并从而采用其他更有效的技术措施来推动集成电路的发展。现在已经充分认识到的一种有效的技术措施就是着眼于半导体载流子迁移率的提高（迁移率增强技术）。 （2）迁移率增强技术： 迁移率（μ）是标志载流子在电场作用下运动快慢的一个重要物理量，它的大小直接影响到半导体器件和电路的工作频率与速度。 对于双极型晶体管而言，高的载流子迁移率可以缩短载流子渡越基区的时间，使特征频率（f T）提高，能够很好的改善器件的频率、速度和噪音等性能。 对于场效应晶体管而言，提高载流子迁移率则具有更加重要的意义。因为MOSFET的最大输出电流——饱和漏极电流I DS可表示为：

新版电子科技大学电子信息考研经验考研参考书考研真题

备考的时候唯一心愿就是上岸之后也可以写一篇经验贴，来和学弟学妹们分享这一年多的复习经验和教训。 我在去年这个时候也跟大家要一样在网上找着各种各样的复习经验贴，给我的帮助也很多，所以希望我的经验也可以给你们带来一定帮助，但是每个人的学习方法和习惯都不相同，所以大家还是要多借鉴别人的经验，然后找到适合自己的学习方法，并且坚持到底！ 时间确实很快，痛也快乐着吧。 我准备考研的时间也许不是很长，希望大家不要学我，毕竟考研的竞争压力是越来越大，提前准备还是有优势的，另外就是时间线只针对本人，大家可以结合实际制定自己的考研规划。 在开始的时候我还是要说一个老生常谈的话题，就是你要想明白自己为什么要考研，想明白这一点是至关重要的。如果你是靠自我驱动，是有坚定的信心发自内心的想要考上研究生，就可以减少不必要的内心煎熬，在复习的过程中知道自己不断的靠近自己的梦想。 好了说了一些鸡汤，下面咱们说一下正经东西吧，本文三大部分：英语+政治+专业课，字数比较多，文末分享了真题和资料，大家可自行下载。 电子科技大学电子信息的初试科目为： （101）思想政治理论(201)英语一(301)数学一(858)信号与系统 参考书目为： 信号与系统何子述高等教育出版社 SIGNALSANDSYSTEMS,A.V.Oppenheim电子工业出版社 先综合说一下英语的复习建议吧。

如何做阅读？ 做阅读题的时候我建议大家先看题干，了解一下这篇文章大致讲什么内容，然后对应题干去阅读文章，在阅读文章的过程中可以把你做出答题选择的依据标注出来，便于核对答案时看看自己的思路是否正确，毕竟重要的不是这道题你最后的答案正确与否，而是你答题的思路正确与否。 此外，每次做完阅读题也要稍微归纳一下错误选项的出题陷阱，到底是因果互换、主观臆断还是过分推断等，渐渐地你拿到一道阅读题就会条件反射出出题人的出题思路，这也有助于你检验自己选择的答案的合理性。 对于真题上的每一篇阅读，我做完核对答案后都重新精读了一遍，把不认识的单词进行标注通过查阅字典和手机弄懂消化，然后对每一篇阅读进行口头翻译，这样一来不仅加深了自己对阅读这一块的理解，也提升了自己的翻译能力。对于阅读理解B有些年份考查排序，有些年份考查小标题，还有些年份考查将抽出的句子还原，解答这类题型主要突破点是找出相关性和提示词，就拿排序来说，段落与段落之间、句子与句子之间很多时候都有包括转折、递进、因果等相关性，文章中也往往会给出一些表示这些关系的提示词，这些地方就是你答题的突破点，具体细节大家认真阅读真题的解析都可以看到。 翻译这一块，考查的不仅是大家的词汇量还有一些语法知识，翻译要联系句子在文章中的语境来翻译。可能在句子中我们会遇到一些生词，这个时候联系上下文语境进行推断就很重要了。 新题型的套路大家还是多做题吧。 完型填空：完型填空是一个很鸡肋的题型，其实不用太刻意的去训练，前面的基础打好了，这部分应该不会有太大问题，基础实在有些差的同学，可以听听

整理[专业课]微电子专业考研重点院校推荐

一、北京大学 北京大学微电子学系是国家大力支持的重点学科点。 北京大学微电子学系，又称微电子学研究所（院），有着源远流长的学术传统。1956年，由著名物理学家黄昆院士在北大物理系领导创建了我国第一个半导体专业机构，之后在我国著名微电子专家王阳元院士的带领下，北京大学微电子学系发展成为我国培养高水平微电子人才的一个重要基地，是国家的重点学科点。 二、清华大学 清华大学微电子所是全国微电子学领域首个重点学科点。 清华大学微电子学研究所成立于1980年9月，第一任所长由全国著名半导体物理学家、中科院院士李志坚担任。该所是国家重点支持的北方微电子研究开发基地的主要组成单位，是高素质微纳电子科技人才的培养基地，1988年被定为全国微电子学领域第一个重点学科点。 三、中科院 中科院和微电子领域关系最密切的研究所有3个：微电子所、半导体所和微系统所，这3个所的师资、资金实力在国内同行中处于领先水平。 四、电子科技大学 电子科技大学位于具有“天府之国”美誉的成都，是“211”和“985”名校之一，在2006年中国高校国际学术会议排名中名列第四，被誉为“我国电子类院校的排头兵”。其微电子与固体电子学院拥有一支以中科院院士陈星弼领衔的包括16名博士生导师、27名教授在内的雄厚师资力量，与国内外相关公司、高校和研究机构有着广泛的合作关系。 五、东南大学 东南大学的微电子研究比较特殊，既有以射频闻名的射光所，又有在MEMS方向颇具实力的微电子所。射光所下属于在无线电系，而微电子所则下属于电子工程系。两个研究所各有所长，优势互补。 六、西安电子科技大学 西安电子科技大学微电子学院是国家集成电路人才培养基地。 西安电子科技大学微电子学院是在原微电子研究所及技术物理学院微电子系的基础上组建而成，是科技部资助的5个国家集成电路人才培养基地之一。 七、天津大学

2011年电子科大微电子器件考研试题

电子科技大学 2011年攻读硕士学位研究生入学试题 832微电子器件 一、填空题（共64分） 1、当发射区掺杂浓度太高时，发射效率变（ ）这是由于（）和 （）。2、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）基区宽度，（） 基区掺杂浓度。3、在PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这种电流的原因是存储在（）区中的（）电荷。这个电荷的消失有以下两条途径：（）和（）。 4、薄基区二极管是指PN 结的一个或两个中性区的长度小于（ ）。在薄基区二 极管中，少子浓度的分布近似为（）分布。5、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的宽度越（），内建电场的最大值越（），内建电场V bi 就越（），反向饱和电流I 0越（），势垒电容C T 越（），雪崩击穿电压越（）。 6、厄尔利效应是指当集电结反偏电压增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（）， 从而使集电极电流（）。7、在高频下，晶体管基区渡越时间t b 对基区输运系数?*有三个作用，它们是：（）、（）和（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。 8、对于长沟道MOSFET ，当沟道长度增加一倍时，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变时，其下列参数发生什么变化：V T （）、I Dat （）、R on （）、g m （）。 9、由于栅氧化层中通常带（）电，这使得N 沟道MOSFET 的阈值电压绝对值变（）， P 沟道MOSFET 的阈值电压绝对值变（）。10、在快恢复二极管制造中，通常会掺入金杂质，金是作为（）。在N 型半导体中，是（）对处在（）的（）的俘获作用决定器件开关速度。 11、小电流时a 会（），这是此时发射极电流中（ ）的比例增大；大电流时a 会（），这是由于（）和（）。 12、相对于PN 结的N 区而言，在P 区外加电压V ，则分别在P 区和N 区的耗尽区与中性区的界面处，少子浓度与外加电压的关系： =?)(n p p χ= )(p n n χ13、长沟道MOSFET 漏极电流饱和是由于（ ），短沟道MOSFET 漏极电流饱和

微电子排名

1 中国高校微电子排名 电子科学技术一级学科下设四个二级学科，分别是物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学 国家重点学科分布如下: 电子科大:物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学 西电:电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学清华:电路与系统，微电子与固体电子学，物理电子学 北大:物理电子学，微电子与固体电子学 复旦:电路与系统，微电子学与固体电子学 北邮:电磁场与微波技术，电路与系统 东南:电磁场与微波技术 上海交大:电磁场与微波技术 西安交大:微电子与固体电子学 华中科大:物理电子学 北京理工大学:物理电子学 南京大学:微电子与固体电子学 吉林大学:微电子与固体电子学 哈工大:物理电子学

西北工大:电路与系统 通信工程一级学科下设两个二级学科，分别是通信与信息系统，信息与信号处理 清华大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京邮电大学通信与信息系统，信息与信号处理 电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理 西安电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理 东南大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京交通大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京大学通信与信息系统 浙江大学通信与信息系统 中科大通信与信息系统 华南理工通信与信息系统 哈工大通信与信息系统 北京理工大学通信与信息系统 上海交通大学通信与信息系统 电子与通信重点学科分布: 电子科大 6

清华5 西电5 北邮4 北大3 东南3 北理工 3 上交2 哈工大 2 复旦2 北京交大 2 华南理工，华中科大，西安交大，中科大，浙大，西北工大，南京大学，吉林大学各一个 国家重点实验室（电子与通信，不包括光学及光电）分布如下: 电子科技大学 2 电子薄膜与集成器件实验室宽带光纤传输与通信系统技术实验室 清华大学 1 微波与数字通信技术实验室 北京邮电大学 1 程控交换技术与通信网实验室