半导体测试技术课件

实验讲义-半导体材料吸收光谱测试分析2015

半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯，玻璃基ZnO薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm。 b．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c．吸收池：玻璃——能吸收UV光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 0.575 光源单色器吸收池检测器显示双光束紫外可见分光光度计则为： 双光束紫外可见分光光度计的光路图如下：

(2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I?- =α d t e I I?- =α 0(1) I0：入射光强；I x：透过厚度x的光强；I t：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T为： d e I I T?- = =α t (2) 则 d e T d? = =?α α ln ) /1 ln( 透射光I t

8、半导体材料吸收光谱测试分析

半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯、绘图打印机，玻璃基ZnO 薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 UV762双光束紫外可见分光光度计外观图： (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a ．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm ；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm 。 b ．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c ．吸收池：玻璃——能吸收UV 光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d ．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 光源 单色器 吸收池 检测器 显示 双光束紫外可见分光光度计则为：

双光束紫外可见分光光度计的光路图如下： (2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I ?-=α0 d t e I I ?-=α0 (1) I 0：入射光强；I x ：透过厚度x 的光强；I t ：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T 为： d e I I T ?-==α0 t (2)

半导体测试技术实践

半导体测试技术实践总结报告 一、实践目的 半导体测试技术及仪器集中学习是在课堂结束之后在实习地集中的实践性教学，是各项课间的综合应用，是巩固和深化课堂所学知识的必要环节。学习半导体器件与集成电路性能参数的测试原理、测试方法，掌握现代测试设备的结构原理、操作方法与测试结果的分析方法，并学以致用、理论联系实际，巩固和理解所学的理论知识。同时了解测试技术的发展现状、趋势以及本专业的发展现状，把握科技前进脉搏，拓宽专业知识面，开阔专业视野，从而巩固专业思想，明确努力方向。另外，培养在实际测试过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力，增强综合实践能力，建立劳动观念、实践观念和创新意识，树立实事求是、严肃认真的科学态度，提高综合素质。 二、实践安排（含时间、地点、内容等） 实践地点：西安西谷微电子有限责任公司 实践时间：2014年8月5日—2014年8月15日 实践内容：对分立器件，集成电路等进行性能测试并判定是否失效 三、实践过程和具体内容 西安西谷微电子有限责任公司专业从事集成电路测试、筛选、测试软硬件开发及相关技术配套服务，测试筛选使用标准主要为GJB548、GJB528、GJB360等。 1、认识半导体及测试设备

在一个器件封装之后，需要经过生产流程中的再次测试。这次测试称为“Final test”（即我们常说的FT测试）或“Package test”。在电路的特性要求界限方面，FT测试通常执行比CP测试更为严格的标准。芯片也许会在多组温度条件下进行多次测试以确保那些对温度敏感的特征参数。商业用途（民品）芯片通常会经过0℃、25℃和75℃条件下的测试，而军事用途（军品）芯片则需要经过-55℃、25℃和125℃。 芯片可以封装成不同的封装形式，图4显示了其中的一些样例。一些常用的封装形式如下表： DIP： Dual Inline Package (dual indicates the package has pins on two sides) 双列直插式 CerDIP：Ceramic Dual Inline Package 陶瓷 PDIP： Plastic Dual Inline Package 塑料 PGA： Pin Grid Array 管脚阵列

半导体材料能带测试及计算

半导体材料能带测试及计算 对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置. 图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样：

背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试： 用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。

实验一 半导体材料的缺陷显示及观察资料讲解

实验一半导体材料的缺陷显示及观察

实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2

材料测试与分析总复习

XRD复习重点 1.X射线的产生及其分类 2.X射线粉晶衍射中靶材的选取 3.布拉格公式 4.PDF卡片 5.X射线粉晶衍射谱图 6.X射线粉晶衍射的应用 电子衍射及透射电镜、扫描电镜和电子探针分析复习提纲 透射电镜分析部分： 4.TEM的主要结构，按从上到下列出主要部件 1）电子光学系统——照明系统、图像系统、图像观察和记录系统；2）真空系统； 3）电源和控制系统。电子枪、第一聚光镜、第二聚光镜、聚光镜光阑、样品台、物镜光阑、物镜、选区光阑、中间镜、投影镜、双目光学显微镜、观察窗口、荧光屏、照相室。 5. TEM和光学显微镜有何不同？ 光学显微镜用光束照明，简单直观，分辨本领低（0.2微米），只能观察表面形貌，不能做微区成分分析；TEM分辨本领高（1A）可把形貌观察，结构分析和成分分析结合起来，可以观察表面和内部结构，但仪器贵，不直观，分析困难，操作复杂，样品制备复杂。 6.几何像差和色差产生原因，消除办法。 球差即球面像差，是由于电磁透镜的中心区域和边缘区域对电子的折射能力不符合预定的规律而造成的。减小球差可以通过减小CS值和缩小孔径角来实现。 色差是由于入射电子波长（或能量）的非单一性造成的。采取稳定加速电压的方法可以有效的减小色差；适当调配透镜极性；卡斯汀速度过滤器。 7.TEM分析有那些制样方法？适合分析哪类样品?各有什么特点和用途？ 制样方法：化学减薄、电解双喷、竭力、超薄切片、粉碎研磨、聚焦离子束、机械减薄、离子减薄； TEM样品类型：块状，用于普通微结构研究； 平面，用于薄膜和表面附近微结构研究； 横截面样面，均匀薄膜和界面的微结构研究； 小块粉末，粉末，纤维，纳米量级的材料。 二级复型法：研究金属材料的微观形态； 一级萃取复型：指制成的试样中包含着一部分金属或第二相实体，对它们可以直接作形态检验和晶体结构分析，其余部分则仍按浮雕方法间接地观察形态； 金属薄膜试样：电子束透明的金属薄膜，直接进行形态观察和晶体结构分析； 粉末试样：分散粉末法，胶粉混合法 思考题： 1.一电子管，由灯丝发出电子，一负偏压加在栅极收集电子，之后由阳极加速，回答由灯丝到栅极、由栅极到阳极电子的折向及受力方向？ 2.为什么高分辨电镜要使用比普通电镜更短的短磁透镜作物镜？ 高分辨电镜要比普通电镜的放大倍数高。为了提高放大倍数，需要短焦距的强磁透镜。透镜的光焦度1/f与磁场强度成H2正比。较短的f可以提高NA，使极限分辨率更小。 3.为什么选区光栏放在“象平面”上？ 电子束之照射到待研究的视场内；防止光阑受到污染；将选区光阑位于向平面的附近，通过

半导体材料能带测试及计算

半导体材料能带测试及计算对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置.

图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样： 背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试：

用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。 2. 根据(αhv)1/n = A(hv – Eg)，其中α为吸光指数，h为普朗克常数，v为频率，Eg为半导体禁带宽度，A为常数。其中，n与半导体类型相关，直接带隙半导体的n取1/2，间接带隙半导体的n为2。

半导体测试原理

IC 测试原理解析 第一章数字集成电路测试的基本原理 器件测试的主要目的是保证器件在恶劣的环境条件下能完全实现设计规格书所规定的功能及性能指标。用来完成这一功能的自动测试设备是由计算机控制的。因此，测试工程师必须对计算机科学编程和操作系统有详细的认识。测试工程师必须清楚了解测试设备与器件之间的接口，懂得怎样模拟器件将来的电操作环境，这样器件被测试的条件类似于将来应用的环境。 首先有一点必须明确的是，测试成本是一个很重要的因素，关键目的之一就是帮助降低器件的生产成本。甚至在优化的条件下，测试成本有时能占到器件总体成本的40% 左右。良品率和测试时间必须达到一个平衡，以取得最好的成本效率。 第一节不同测试目标的考虑 依照器件开发和制造阶段的不同，采用的工艺技术的不同，测试项目种类的不同以及待测器件的不同，测试技术可以分为很多种类。 器件开发阶段的测试包括: 特征分析：保证设计的正确性，决定器件的性能参数; 产品测试：确保器件的规格和功能正确的前提下减少测试时间提高成本效率 可靠性测试：保证器件能在规定的年限之内能正确工作; 来料检查：保证在系统生产过程中所有使用的器件都能满足它本身规格书要求，并能正确工作。 制造阶段的测试包括: 圆片测试：在圆片测试中，要让测试仪管脚与器件尽可能地靠近，保证电缆，测试仪和器件之间的阻抗匹配，以便于时序调整和矫正。因而探针卡的阻抗匹配和延时问题必须加以考虑。 封装测试：器件插座和测试头之间的电线引起的电感是芯片载体及封装测试的一个首要的考虑因素。 特征分析测试，包括门临界电压、多域临界电压、旁路电容、金属场临界电压、多层间电阻、金属多点接触电阻、扩散层电阻、接触电阻以及FET 寄生漏电等参数测试。 通常的工艺种类包括: TTL ECL CMOS NMOS

实验一半导体材料的缺陷显示及观察

实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 当腐蚀条件为铬酸腐蚀剂时，<100>晶面上呈正方形蚀坑，<110>晶面上呈菱形或矩形蚀坑，<111>晶面上呈正三角形蚀坑。（见图1）。

电子半导体行业封装测试技术分析报告

广州创亚企业管理顾问有限公司 电子半导体行业封装测试技术分析报告

半导体封装测试 是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。 包含对芯片的支撑与机械保护，电信号的互连与引出，电源的分配和热管理。 半导体封装的作用 包括贴膜、打磨、去膜再贴膜、切割、晶圆测试、芯片粘贴、烘焙、键合、检测、压膜、半导体封测主要流程 电镀、引脚切割、成型、成品测试等。 在于如何将芯片I/O接口电极连接到整个系统PCB板上，键合是关键环节即用导线将芯片封装的核心 上的焊接点连接到封装外壳的焊接点上，外壳上的焊接点与PCB内导线相连，继而与其 他零件建立电气连接。

测试工艺贯穿半导体设计、制造、封装与测试三大过程，是提高芯片制造水平的关键工序之一。 广义的半导体测试包括前段及中后段的工艺检测。其中，前段的工艺检测偏重于从微观角度在线监测晶圆制造的微观结构是否符合工艺要求（例如几何尺寸与表面形貌的检测、成分结构分析和电学特性检测等），主要设备是高精度晶圆光学检测机（AOI）等。中后段的性能测试主要偏重于从芯片功能性的角度检测芯片 的性能表现是否符合设计要求。 半导体产业链中测试设备的应用

涉及中后道的性能测试，主要设备是测试机、分选机及探针台。测试机、分选机、探针台除了在晶圆制造、芯片封装及测试环节使用，在芯片设计的设计验证环节也有一定的应用。 其中测试机是检测芯片功能和性能的专用设备，测试机对芯片施加输入信号，采集被检测芯片 的输出信号与预期值进行比较，判断芯片在不同工作条件下功能和性能的有效性。 分选机把芯片传送到指定测试位置，然后通过电缆接受测试机的控制，根据测试结果将完成测 试的芯片分类放置。 探针台主要用途是为晶圆上的芯片的电参数测试提供一个测试平台，探针台配合测量仪器可完 成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。

半导体测试项目可行性研究报告

半导体测试项目可行性研究报告 （立项+批地+贷款） 编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司编制时间：二〇一九年十二月 咨询师：高建

目录

专家答疑： 一、可研报告定义： 可行性研究报告，简称可研报告，是在制订生产、基建、科研计划的前期，通过全面的调查研究，分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。 可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件，如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等，从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较，并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测，从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见，为项目决策提供依据的一种综合性分析方法。可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。 一般来说，可行性研究是以市场供需为立足点，以资源投入为限度，以科学方法为手段，以一系列评价指标为结果，它通常处理两方面的问题：一是确定项目在技术上能否实施，二是如何才能取得最佳效益。 二、可行性研究报告的用途 项目可行性研究报告是项目实施主体为了实施某项经济活动需要委托专业研究机构编撰的重要文件，其主要体现在如下几个方面作用： 1. 用于向投资主管部门备案、行政审批的可行性研究报告 根据《国务院关于投资体制改革的决定》国发（2004）20号的规定，我国对不使用政府投资的项目实行核准和备案两种批复方式，其中核准项目向政府部门提交项目申请报告，备案项目一般提交项目可行性研究报告。 同时，根据《国务院对确需保留的行政审批项目设定行政许可的决定》，对某些项目仍旧保留行政审批权，投资主体仍需向审批部门提交项目可行性研究报告。 2. 用于向金融机构贷款的可行性研究报告 我国的商业银行、国家开发银行和进出口银行等以及其他境内外的各类金融机构在接受项目建设贷款时，会对贷款项目进行全面、细致的分析平谷，银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下，才会同意贷款。项目投资方需要出具详细的可行性研究报告，银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下，才会同意贷款。 3. 用于企业融资、对外招商合作的可行性研究报告 此类研究报告通常要求市场分析准确、投资方案合理、并提供竞争分析、营销计划、管理方案、技术研发等实际运作方案。 4. 用于申请进口设备免税的可行性研究报告 主要用于进口设备免税用的可行性研究报告，申请办理中外合资企业、内资企业项目确认书的项目需要提供项目可行性研究报告。 5. 用于境外投资项目核准的可行性研究报告 企业在实施走出去战略，对国外矿产资源和其他产业投资时，需要编写可行性研究报告报给国家发展和改革委或省发改委，需要申请中国进出口银行境外投资重点项目信贷支持时，也需要可行性研

材料现代测试分析方法期末考试卷加答案

江西理工大学材料分析测试题（可供参考） 一、名词解释（共20分，每小题2分。） 1.辐射的发射：指物质吸收能量后产生电磁辐射的现象。 2.俄歇电子：X射线或电子束激发固体中原子内层电子使原子电离，此时原子(实际是离子)处于激发 态，将发生较外层电子向空位跃迁以降低原子能量的过程，此过程发射的电子。 3.背散射电子：入射电子与固体作用后又离开固体的电子。 4.溅射：入射离子轰击固体时，当表面原子获得足够的动量和能量背离表面运动时，就引起表面粒 子（原子、离子、原子团等）的发射，这种现象称为溅射。 5.物相鉴定：指确定材料（样品）由哪些相组成。 6.电子透镜：能使电子束聚焦的装置。 7.质厚衬度：样品上的不同微区无论是质量还是厚度的差别，均可引起相应区域透射电子强度的改 变，从而在图像上形成亮暗不同的区域，这一现象称为质厚衬度。 8.蓝移：当有机化合物的结构发生变化时，其吸收带的最大吸收峰波长或位置（λ最大）向短波方 向移动，这种现象称为蓝移（或紫移，或“向蓝”）。 9.伸缩振动：键长变化而键角不变的振动，可分为对称伸缩振动和反对称伸缩振动。 10.差热分析：指在程序控制温度条件下，测量样品与参比物的温度差随温度或时间变化的函数关系 的技术。 二、填空题（共20分，每小题2分。） 1.电磁波谱可分为三个部分，即长波部分、中间部分和短波部分，其中中间部分包括（红外线）、 （可见光）和（紫外线），统称为光学光谱。 2.光谱分析方法是基于电磁辐射与材料相互作用产生的特征光谱波长与强度进行材料分析的方法。 光谱按强度对波长的分布（曲线）特点（或按胶片记录的光谱表观形态）可分为（连续）光谱、（带状）光谱和（线状）光谱3类。 3.分子散射是入射线与线度即尺寸大小远小于其波长的分子或分子聚集体相互作用而产生的散射。 分子散射包括（瑞利散射）与（拉曼散射）两种。 4.X射线照射固体物质(样品)，可能发生的相互作用主要有二次电子、背散射电子、特征X射线、俄 歇电子、吸收电子、透射电子 5.多晶体（粉晶）X射线衍射分析的基本方法为（照相法）和（X射线衍射仪法）。 6.依据入射电子的能量大小，电子衍射可分为（高能）电子衍射和（低能）电子衍射。依据 电子束是否穿透样品，电子衍射可分为（投射式）电子衍射与（反射式）电子衍射。 7.衍射产生的充分必要条件是（(衍射矢量方程或其它等效形式)加|F|2≠0）。 8.透射电镜的样品可分为（直接）样品和（间接）样品。 9.单晶电子衍射花样标定的主要方法有（尝试核算法）和（标准花样对照法）。 10.扫描隧道显微镜、透射电镜、X射线光电子能谱、差热分析的英文字母缩写分别是（ stm ）、 （tem）、（xps）、（ DTA ）。 11. X 射线衍射方法有劳厄法、转晶法、粉晶法和衍射仪法。 12. 扫描仪的工作方式有连续扫描和步进扫描两种。 13. 在X 射线衍射物相分析中，粉末衍射卡组是由粉末衍射标准联合 委员会编制，称为JCPDS卡片，又称为PDF 卡片。 14. 电磁透镜的像差有球差、色差、轴上像散和畸变。 15. 透射电子显微镜的结构分为光学成像系统、真空系统和电气系统。 16. 影响差热曲线的因素有升温速度、粒度和颗粒形状、装填密度和压力和气氛。 三、判断题，表述对的在括号里打“√”，错的打“×”（共10分，每小题1分） 1.干涉指数是对晶面空间方位与晶面间距的标识。晶面间距为d 110 /2的晶面其干涉指数为（220）。 （√） 2.倒易矢量r* HKL 的基本性质为：r* HKL 垂直于正点阵中相应的（HKL）晶面，其长度r* HKL 等于(HKL)之

半导体芯片测试成本降低方案

-32- /2012.06/ 是三元催化器堵塞或气门、活塞顶面有积 炭。建议驾驶员进行喷油器、进气道、三元催化器免拆清洗。 经过清洗，用VAS5052测试，前氧传感器显示值和以前一样，怠速时后氧传感器显示值在0.12-0.7V之间变化，说明后氧传感器已经恢复正常。清除故障码，OBD警告灯熄灭。 四、结束语 通过以上分析我们得出造成该车故障的主要原因是三元催化器堵塞，气门、活塞顶 面积炭，进行“二清”（即免拆清洗燃油系统、燃烧室与三元催化器，手工清洗节气门与进气道）后，清除故障码，此车行车过程中OBD警告灯点亮，同时出现发动机加速无力的故障便解决了。通过排除此故障，我们得出今后再遇到行车时排气质量恶化或发动机缺火损坏三元催化器，导致OBD警告灯点亮或闪亮的情况，应利用OBD系统故障码和数据流进行诊断，对症修理，以提高维修效率并为顾客降低维修成本。 参考文献 [1]王永军.轿车车载诊断(OBD)系统核心技术研究[D].吉林大学,2007. [2]陈鲁训,陈萍.第二代随车电脑诊断系统OBD II[J].汽车技术,1996(9):47-50. [3]袁双宏.汽车OBD技术浅析[J].科技信息,2009(35).[4]徐建平.美国第二代及欧洲汽车微机故障诊断系统[J].汽车电器,2003(6):45-48. [5]郭庆庆.上海大众帕萨特领驭OBD警告灯报警[J].汽车维修与保养,2012(2). 半导体芯片测试成本降低方案寰鼎集成电路（上海）有限公司 李 华 【摘要】随着电子产品日新月异的发展，在产品品质提高同时，产品价格的下降也越来越被消费者重视。为了降低电子产品的价格，首先需要降低核心芯片的生产成本。测试费用是生产成本的重要组成，其中测试平台的成本直接影响测试费用。本文着重叙述如何用低成本测试平台（v50）实现高成本测试平台（J750）的功能，进而实现测试成本的降低。 【关键词】电子产品；芯片；测试平台（V50，J750）；成本降低 1.引言 随着半导体测试技术的不断发展以及对测试成本降低需求的不断提升，各种低成本测试平台出现并逐渐取代高成本的测试平台的功能。本文通过VQ1710B高精度声卡芯片的测试程序开发过程，详细叙述了如何用低成本测试平台（V50）实现高成本测试平台（J750）的功能，进而实现测试成本的降 低。 2.VQ1710B芯片介绍 2.1 封装管角图（见图1）2.2 主要功能 支持44.1K/48K/96K/192KHz DAC独立采样率 内置高品质耳麦扩音器支持高品质差分输入CD音频信号 ADC路径中的HPF可切断直流电 支持EAPD(External Amplifier Power Down) 3.J750和V50测试平台介绍3.1 J750测试平台 J750是一款高性能SoC测试平台，可以很好的满足各种Soc的测试要求。但是设备的成本较高，根据配置不同，价格一般在300K-500K美金。其主要特性如下： 512 OR 1024 I/O Channels configura-tion. 100MHz full formatted(unmultiplex-ed)drive and receive Independent per pin levels and timing 图1?VQ1710B芯片封装管角图 图2?J750?外观图图3?V50?外观图? 图4?整体测试方案示意图图5?8channel.v?功能项测试结构图

常规材料测试技术模板

常规材料测试技术 一、适用客户: 半导体, 建筑业, 轻金属业, 新材料, 包装业, 模具业, 科研机构, 高校, 电镀, 化工, 能源, 生物制药, 光电子, 显示器。 主要实验室 二、金相实验室 ?LeicaDM/RM光学显微镜 主要特性: 用于金相显微分析, 可直观检测金属材料的微观组织, 如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脱碳层、氮化层及焊接、冷加工、铸造、锻造、热处理等等不同状态下的组织组成, 从而判断材质优劣。须进行样品制备工作, 最大放大倍数约1400倍。 ?Leica体视显微镜 主要特性: 1、用于观察材料的表面低倍形貌, 初步判断材质缺陷; 2、观察断口的宏观断裂形貌, 初步判断裂纹起源。 ?热振光模拟显微镜 ?图象分析仪 ?莱卡DM/RM显微镜附CCD数码照相装置 三、电子显微镜实验室

?扫描电子显微镜(附电子探针)(JEOLJSM5200, JOELJSM820, JEOLJSM6335) 主要特性: 1、用于断裂分析、断口的高倍显微形貌分析, 如解理断裂、疲劳断裂( 疲劳辉纹) 、晶间断裂( 氢脆、应力腐蚀、蠕变、高温回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等) 、侵蚀形貌、侵蚀产物分析及焊缝分析。 2、附带能谱, 用于微区成分分析及较小样品的成分分析、晶体学分析, 测量点阵参数/合金相、夹杂物分析、浓度梯度测定等。 3、用于金属、半导体、电子陶瓷、电容器的失效分析及材质检验、放大倍率: 10X—300,000X; 样品尺寸: 0.1mm—10cm; 分辩率:1—50nm。 ?透射电子显微镜( 菲利蒲CM-20,CM-200) 主要特性: 1、需进行试样制备为金属薄膜, 试样厚度须<200nm。用于薄膜表面科学分析, 带能谱, 可进行化学成分分析。 2、有三种衍射花样: 斑点花样、菊池线花样、会聚束花样。斑点花样用于确定第二相、孪晶、有序化、调幅结构、取向关系、成象衍射条件。菊池线花样用于衬度分析、结构分析、相变分析以及晶体精确取向、布拉格位移矢量、电子波长测定。会聚束花样用于测定晶体试样厚度、强度分布、取向、点群?XRD-Siemens500—X射线衍射仪

半导体测试分选编带机的简单系统工程分析与评价

半导体测试分选编带机的可行性简单分析与评价 王晓东 中国电子科技集团第二研究所 2009.01.08

1.引言 半导体产业是整个电子信息产业的核心和基础。随着各类电子产品领域消费需求的快速增长，半导体器件需求量逐年扩大，国内半导体生产企业也在升级换代扩产，尤其是核心的集成电路制造商。 集成电路对设备生产、原材料以及生产环境的要求十分苛刻。制造的工序有800多道，耗时20天以上，只要一道工序出现问题或者一粒尘埃落在产品上，都会导致产品报废，造成巨大的经济损失。这也直接导致集成电路产业几乎成为全世界上最昂贵的“吞金”产业。一般来说，投资一条8英寸的集成电路生产线需要10亿美元，而建设一条12英寸的集成电路生产线所需的资金更是高达15亿―20亿美元，因此集成电路的生产实际上也是对一个国家整体工业水平和经济实力的考验。在中国，每1元人民币的集成电路产值可以带动10元电子产品产值，并创造100元国内生产总值，因此集成电路产业的振兴对一个国家的经济发展有着重要的战略意义。 而我国的装备制造业整体都比较弱势，半导体设备业经过40多年的发展具备了一定的基础，但与集成电路芯片制造业相比，无论从规模、研发水平、投资强度以及人才聚集等是滞后和弱小的产业。仅在近年来得到投资和发展，成为电子专用设备行业8个门类中增长最快的领域之一。近两年我国半导体设备的增长率在50%以上。 随着半导体设备市场的快速发展，我国从事半导体设备开发和生产的企业正在迅速增加，已从2002年的40个发展为2006年的60个（包括兼做单位），其中主要单位20家左右，自主研制的集成电路专用设备达到上百个品种。大部分企业从事前工序和后工序设备研制，另外材料制备设备、净化设备、半导体专用工模具、检测设备、试验设备，半导体设备零部件也各有一些单位在研究和生产。这些设备应用领域为：集成电路、分立器件、新型显示器件（LED、LCD、PDP、VFD）、电力电子器件、混合集成电路（HIC）、压电晶体器件（石英晶体谐振器、振荡器、滤波器、声表器件）、太阳能电池、敏感器件、微机械、光纤通信器件等。 国产半导体设备的服务方向虽仍以一些院校和研究所中的科研型集成电路生产线以及半导体分立器件、LED、太阳能电池、SAW、电力电子等其他应用半导体设备的领域为主，但部分材料制备设备（6英寸单晶炉、研磨机、抛光机）、后

第二章半导体测试基础

导体测试基础(1)——术语 括一下内容： 测试目的 测试术语 测试工程学基本原则 基本测试系统组成 PMU（精密测量单元）及引脚测试卡 样片及测试程序 术语 半导体测试的专业术语很多，这里只例举部分基础的： 被实施测试的半导体器件通常叫做DUT（Device Under Test，我们常简称“被测器件”），或者叫UUT（Unit Unde 我们来看看关于器件引脚的常识，数字电路期间的引脚分为“信号”、“电源”和“地”三部分。 脚，包括输入、输出、三态和双向四类， 输入：在外部信号和器件内部逻辑之间起缓冲作用的信号输入通道；输入管脚感应其上的电压并将它转化为内部逻辑输出：在芯片内部逻辑和外部环境之间起缓冲作用的信号输出通道；输出管脚提供正确的逻辑“0”或“1”的电压，并流）。 三态：输出的一类，它有关闭的能力（达到高电阻值的状态）。 双向：拥有输入、输出功能并能达到高阻态的管脚。 脚，“电源”和“地”统称为电源脚，因为它们组成供电回路，有着与信号引脚不同的电路结构。 VCC：TTL器件的供电输入引脚。 VDD：CMOS器件的供电输入引脚。 VSS：为VCC或VDD提供电流回路的引脚。 GND：地，连接到测试系统的参考电位节点或VSS，为信号引脚或其他电路节点提供参考0电位；对于单一供电的器程序 体测试程序的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的程序通常分为几个部分，如DC测试、功能测试、AC测试等。DC测试验证电压及电流参数；功能测试验证芯片内AC测试用以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。 控制测试系统的硬件进行测试，对每个测试项给出pass或fail的结果。Pass指器件达到或者超越了其设计规格；Fail 不能用于最终应用。测试程序还会将器件按照它们在测试中表现出的性能进行相应的分类，这个过程叫做“Binning 个微处理器，如果可以在150MHz下正确执行指令，会被归为最好的一类，称之为“Bin 1”；而它的某个兄弟，只能比不上它，但是也不是一无是处应该扔掉，还有可以应用的领域，则也许会被归为“Bin 2”，卖给只要求100M 还要有控制外围测试设备比如Handler 和Probe 的能力；还要搜集和提供摘要性质（或格式）的测试结果或数据，给测试或生产工程师，用于良率(Yield)分析和控制。

半导体材料测量原理与方法

半导体材料测量(measurement for semiconductor material) 用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量的方法。它对探索新材料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。在半导体半barl材料制备过程中，不仅需要测量半导体单晶中含有的微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数，而且由于制备半导体薄层和多层结构的外延材料，使测量的内容和方法扩大到薄膜、表面和界面分析。半导体材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发展。半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电学参数测试以及光学测试等方法。 杂质检测半导体晶体中含有的有害杂质，不仅使晶体的完整性受到破坏，而且也会严重影响半导体晶体的电学和光学性质。另一方面，有意掺入的某种杂质将会改变并改善半导体材料的性能，以满足器件制造的需要。因此检测半导体晶体中含有的微量杂质十分重要。一般采用发射光谱和质谱法，但对于薄层和多层结构的外延材料，必须采用适合于薄层微区分析的特殊方法进行检测，这些方法有电子探针、离子探针和俄歇电子能谱。半导体晶体中杂质控制情况见表1。 表1半导体晶体中杂质检测法 晶体缺陷观测半导体的晶体结构往往具有各向异性的物理化学性质，因此，必须根据器件制造的要求，生长具有一定晶向的单晶体，而且要经过切片、研磨、抛光等加工工艺获得规定晶向的平整而洁净的抛光片作为外延材料或离子注入的衬底材料。另一方面，晶体生长或晶片加工中也会产生缺陷或损伤层，它会延伸到外延层中直接影响器件的性能，为此必须对晶体的结构及其完整性作出正确的评价。半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法见表2。 表2半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法

半导体测试与表征技术基础

半导体测试与表征技术基础 第一章概述（编写人陆晓东） 第一节半导体测试与表征技术概述 主要包括：发展历史、现状和在半导体产业中的作用 第二节半导体测试与表征技术分类及特点 主要包括：按测试与表征技术的物理效应分类、按芯片生产流程分类及测试对象分类（性能、材料、制备、成分）等。 第三节半导体测试与表征技术的发展趋势 主要包括：结合自动化和计算机技术的发展，重点论述在线测试、结果输出和数 据处理功能的变化；简要介绍最新出现的各类新型测试技术。 第二章半导体工艺质量测试技术 第一节杂质浓度分布测试技术（编写人：吕航） 主要介绍探针法，具体包括：PN结结深测量；探针法测量半导体扩散层的薄层 电阻（探针法测试电阻率的基本原理、四探针法的测试设备、样品制备及测试 过程注意事项、四探针测试的应用和实例）；要介绍扩展电阻测试系统，具体包 括：扩展电阻测试的基本原理、扩展电阻的测试原理、扩展电阻测试系统、扩 展电阻测试的样品、扩展电阻法样品的磨角、扩展电阻法样品的制备、扩展电 阻测试的影响因素、扩展电阻法测量过程中应注意的问题、扩展电阻法测量浅 结器件结深和杂质分布时应注意的问题、扩展电阻测试的应用和实例。 第二节少数载流子寿命测试技术（编写人：钟敏） 主要介绍直流光电导衰退法、高频光电导衰退法，具体包括：非平衡载流子的 产生、非平衡载流子寿命、少数载流子寿命测试的基本原理和技术、少数载流 子寿命的测试。以及其它少子寿命测试方法，如表面光电压法、少子脉冲漂移 法。 第三节表面电场和空间电荷区测量（编写人：吕航） 主要包括：表面电场和空间电荷区的测量，金属探针法测量PN结表面电场的 分布、激光探针法测试空间电荷区的宽度；容压法测量体内空间电荷区展宽。 第四节杂质补偿度的测量（编写人：钟敏） 包括：霍尔效应的基本理论、范德堡测试技术、霍尔效应的测试系统、霍尔效 应测试仪的结构、霍尔效应仪的灵敏度、霍尔效应的样品和测试、霍尔效应测 试的样品结构、霍尔效应测试的测准条件、霍尔效应测试步骤、霍尔效应测试 的应用和实例、硅的杂质补偿度测量、znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测 量、硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量 第五节氧化物、界面陷阱电荷及氧化物完整性测量（编写人：钟敏）包括：固定氧化物陷阱和可动电荷、界面陷阱电荷、氧化物完整性测试技术等。 第七节其它工艺参数测试技术介绍（编写人：吕航）

《半导体器件特性的测量与分析》报告

半导体器件特性的测量与分析 引言 近几十年来，半导体材料和器件的发展很快。半导体器件的种类很多，典型的放大器件有双极型晶体管和场效应晶体管，部分光电子器件的工作原理在先行课程中已有介绍。近年来，半导体光电子器件的发展和应用更为迅速，它们的基本原理在本实验的附录中作了介绍。了解这些器件的工作原理及掌握其主要参数的测量有重要的实用价值。本实验的目的是了解并学会使用这些仪器，通过几种典型半导体管的测量，对半导体双极、场效应晶体管，发光、光敏二极管等单元器件工作原理及特性参数有进一步了解。 实验仪器 1．半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其重要参数的测试仪器。 电路结构：该仪器主要由阶梯信号发生器、集电极扫描电压、Ｘ轴和Ｙ轴放大器、二簇电子开关、低压电源、高频高压电源及示波器控制电路等部分组成。电路原理框图见图6.2-1。 该仪器最主要的电路是提供一个50Ｈｚ市电经全波整流后成为100Ｈｚ正弦波的集电极扫描电压和一个提供给基极的阶梯波电压（或电流），见图6.2-２。 2．“微机半导体器件特性测试仪”性能简介和使用说明 实验采用的微机半导体器件特性测试仪，可以用来显示半导体器件的输入特性、输出特性、转移特性曲线；可以测量器件的电流放大系数、跨导、开启电压、夹断电压等一系列参数；具有教学演示模式和普通测量模式。 完整的测量系统，由测量主机和计算机系统组成。测量主机通过EPP接口与微型计算机系统连接。

实验内容 用XJ4810型半导体管特性图示仪测量双极型三极管、结型场效应管和各种类型二极管。（1）了解图示仪的电路结构框图并掌握面板各旋钮用途。 （2）测量双极型晶体管3DG6C（NPN型硅管）的特性和参数： 一般三极管管脚的辨认，把管脚朝向观察者，管脚的位置如图6.2-4所示。二极管的管脚通常为一长一短，长者为正。 晶体管的管脚与图示仪的C，B，E三个接入端头（或插口）的连接法见图6.2-5。 ①测量共射极电路的输出特性 图6.2-6是3DG6管的输出和输入特性曲线，供参考。 观察并记录曲线簇图形，如下图所示：