MEMS制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真
第!"卷第#期!$$%年&!月
电子器件
’()*+,+-./0*12.342+560.*7+8)5+,
9.2:!";.<#
7+5
=>?@A B C DE C?F B G H A E I B>C>J K L MB C=M=FN E O P B Q E I B>C
R ST U V W X Y Z[\W]V^_X R S‘T R_W]a_
b c\dY_e f g_h f g dij ikf aiW l W m h g df aj n^o_h W f l X k f^h V\_m h T l W p\g m W h d X q_l r W l s!&$$t u X U V W l_v
w O x I P E Q I y z6{.]|)}+*,).*12b!7v~(!,)512}.|+2.30+156)8+).*+65()*"b#$4v{()5()*52/|+,),.60.~)5 1*|1*),.60.~)55.}~.*+*6,),~0+,+*6+|<%(+~(!,)512}.|+2),1*12!&+|<%(+~101}+6+0,.36(+}.|+2 {+0++’60156+|30.}+’~+0)}+*6,X1*|6(+!810)+|{)6(6(+~0.5+,,~101}+6+0,.3#$4 ,@-.>P?x y0+156)8+).*+65()*"b#$4v/!]78+2.5)6!++/16).*/1*"2+,/,60)*"}.|+2/~.)*6)*,+06).*/~.)*6 +2)})*16).*/5.}~/6+0,)}/216).*< M M w00y1232 =M=F制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真 朱赤X李伟华X周再发 b东南大学4445教育部重点实验室X南京!&$$t u v 摘要y反应离子刻蚀b#$4v的二维物理模型X包括各向同性和各向异性两部分7该速率公式的参数由实验提取X随#$4工艺参数而变化7采用线算法和’))编写用于模拟#$4刻蚀的计算机模拟软件X该软件可以对各种不同的起始条件进行模拟7对公式中的角度计算过程中可能出现的各种情况分别进行了讨论7为了确保软件的精度和稳定性X算法采用了添加点和减少点的方法X最后给出模拟软件的模拟结果X与实验结果比较吻合7 关键词y反应离子刻蚀b#$4v/二维速率计算公式/角度/线算法/增加点/删除点/计算机仿真 中图分类号y89:;2文献标识码y w文章编号y<;;2=>:>;b1;;2v;:=;3?@=;: 反应离子刻蚀b#$4v是利用一定压强下刻蚀气体在高频电场的作用下X使气体辉光放电产生分子激励和活性基X对刻蚀物离子轰击和化学反应生成挥发性气体而形成刻蚀7反应离子刻蚀工艺不但广泛地应用在微电子领域X而且是集成光学X微光机电集成加工的重要手段X反应离子刻蚀是一种复杂的物理X化学反应过程的工艺X刻蚀特性不仅与射频功率X气流比率X气流量X工作气压等刻蚀条件密切相关X而且与刻蚀设备及环境有关A%B7 #$4是4445制造工艺中重要工艺之一7开发#$4模拟软件可以降低4445器件设计与研制成本X缩短研发周期X避免不必要的损耗7并且可以通过改变模拟条件X得到不同的模拟结果X以此来选择最佳工艺条件7 目前国外已经开发的#$4模拟软件有y45] C#$%X5z4C D4X49E D94等 F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F 7 收稿日期y!$$%]$#]$% 基金项目y国家杰出青年科学基金资助课题b%$G!%%&t v 作者简介y朱赤b&t"!]v X男X硕士研究生X主要从事#$4模型及模拟的研究X31)05()2|"&&H},*<5.}/ 李伟华b&t%u]v X男X教授X主要从事4445’z7研究7 万方数据