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模电各章重点内容及总复习

《模电》第一章重点掌握内容：

一、概念

1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和

空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P

型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N

型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN

结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普

通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：

正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏

时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压：S i管约0。5V，G e管约为0。1 V ，

其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：

①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）

②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。三极管复习完第二章再判）

参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。是硅管。b 、二极管反偏截止。 f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。G、因V1正向电压为10V，V2正向电压13V，使V2 先导通，（将V2短路）使输出电压U0=3V，而使V1反偏截止。h 、同理，因V1正向电压10V、V2正向电压为7V，所以V1先导通（将V1短路），输出电压U0=0V，使V2反偏截止。（当输入同时为0V或同时为3V，输出为多少，请同学自行分析。）

三、书P31习题：1-3、1-4、1-6、1-8、1-13、1-16

1、

《模电》第二章重点掌握内容：

一、概念

1、三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。

（参考P40）

三个区：发射区——掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。

基区——掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。

集电区——掺杂浓度较高，但面积最大，其作用是收集发射区发射的电子。

两个结：集电区——基区形成的PN结。叫集电结。（J C）

基区——发射区形成的PN结。叫发射结。（J e）三个极：从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C（或用a、b、c）

对应的三个电流分别称基极电流I B、发射极电流I E、集电极电流I C。并有：I E =I B+ I C

2、三极管也有硅管和锗管，型号有NPN型和PNP型。(参考图A。

注意电路符号的区别。可用二极管等效来分析。)

3、三极管的输入电压电流用U BE、I B表示，输出电压电流用U CE、

I C表示。

即基极发射极间的电压为输入电压U BE，集电极发射间的电压为输出电压U CE。（参考图B）

三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.

4、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性）与二极管正向特性很相似，也有：

死区电压：硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。

导通压降：硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。（这两组数也是判材料的依据）

5、三极管的输出特性(指输出电压U CE与输出电流I C的关系特性)有三个区:

①饱和区:特点是U CE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件J C, J e都正偏.

②截止区:特点是U BE ≦0, I B=0, I C=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件J C, J e都反偏.

③放大区: 特点是U BE大于死区电压, U CE﹥1V, I C=β I B.其偏置条件J e正偏J C反偏.

所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱

和状态.

6、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图B)

7、对放大电路的分析有估算法和图解法

估算法是：⑴先画出直流通路（方法是将电容开路，信号源短路，剩下的部分就是直流通路），

求静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。

⑵画交流通路，H参数小信号等效电路求电压放大倍

数A U输入输出电阻R I和R0。

（参考P58图2.2.5）

图解法：是在输入回路求出I B后，在输入特性作直线，得到工作点Q，读出相应的I BQ、U BEQ

而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线，得到工作点Q，读出相应的I CQ、U CEQ

加入待放大信号u i从输入输出特性曲线可观察输入输出

波形，。若工作点Q点设得合适，（在放大区）则波形就

不会发生失真。（参考P52图2.2.2）

8、失真有三种情况:

⑴截止失真：原因是I B、I C太小，Q点过低，使输出波形后半周（正

半周）失真。消除办法是调小R B，以增大I B、I C，使Q点

上移。

⑵饱和失真：原因是I B、I C太大，Q点过高，使输出波形前半周（负

半周）失真。消除办法是调大R B，以减小I B、I C，使Q点

下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调

小信号源。

2．

二、应用举例

说明：

图A：三极管有NPN型和PNP型，分析三极管的工作状态时可用二极管电路来等效分析。

图B：三极管从BE看进去为输入端，从CE看进去输出端。可用小信号等效电路来等效。

其三极管的输入电阻用下式计算：rbe =200+(1+β)26/ I EQ=200+26/ I BQ

I C=β I B.

图C的图1因发射结正偏，集电结反偏，所以是放大；图2因发射结电

压为3伏，所以管烧；图3因发射结集电结都正偏，所以是饱和；

图4因发射结正偏，集电结反偏，所以是放大。

图D：a图为固定偏置电路，b图为直流通路，c图为H参数小信号等效电路。（其计算在下一章）

三、习题：P81 2-1、2-2、2-4abc、2-9

3．

《模电》第三章重点掌握内容：

一、概念

1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式

偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。

共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相，所以又称反相器。

共集电路的输出电压U0与输入电压U I同相，所以又称同相器。

2、差模输入电压U id=U i1-U i2指两个大小相等，相位相反的输入电压。（是

待放大的信号）

共模输入电压U iC= U i1=U i2指两个大小相等，相位相同的输入电压。（是干扰信号）

差模输出电压U0d 是指在U id作用下的输出电压。

共模输出电压U0C是指在U iC作用下的输出电压。

差模电压放大倍数A ud= U0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值。

共模放大倍数A uc =U0C /U iC是指共模输出与输入电压的比值。（电路完全对称时A uc =0）

共模抑制比K CRM=A ud /A uc是指差模共模放大倍数的比值，电路越对称K CRM 越大，电路的抑制能力越强。

3、差分电路对差模输入信号有放大作用，对共模输入信号有抑制作用，即

差分电路的用途：用于直接耦合放大器中抑制零点漂移。（即以达到U I =0，U0=0的目的）

4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数A U和输入输出电阻R i ，R0 。

功率放大器的主要指标要求是（1）输出功率大，且不失真；（2）效率要高，管耗要小，所以功率放大电路通常工作在甲乙类（或乙类）工作状态，同时为减小失真，采用乙类互补对称电路。为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。

5、多级放大电路的耦合方式有：

直接耦合：既可以放大交流信号，也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号；耦合过程无损耗。常用于集成电路。但各级工作点互相

牵连，会产生零点漂移。

阻容耦合：最大的优点是各级工作点互相独立，但只能放大交流信号。耦合过程有损耗，不利于集成。

变压器耦合：与阻容耦合优缺点同，已少用。

二、电路分析。重点掌握以下几个电路：

1、固定偏置电路；如图D-a（共射电路）

A）会画直流通路如图D-b，求工作点Q。（即求I BQ、I CQ、U CEQ）

即；I BQ =（U CC—U BE）/ R B

I CQ =β I B.

U CEQ = U CC—I CQ R C

B）会画微变等效电路，如图D-c，求电压放大倍数和输入输出电路：A U、R i、R O。

即：A U = —β R L／/ rbe ，

R i = R B∥rbe ，

R O = R C

4．

设：R B=470KΩ，R C=3KΩ, R L= 6KΩ，U CC=12V，β=80，U BE=0.7V，试求工作点Q和A U、R i、R O

2、分压式偏置电路；如图E-a（为共射电路）

A）会画直流通路如图E-b，求工作点Q。（即求I BQ、I CQ、U CEQ）

即：V B =R B2*U CC/（R B1+R B2）

I CQ≈I EQ= （V B—U BE）/R E

U CEQ = U CC—I CQ（R C+R E）

B）会画微变等效电路，如图E-c，求电压放大倍数和输入输出电路：A U、R i、R O

即：A U = —β R L／/ rbe ，

R i = R B1∥R B2∥rbe ，

R O = R C

设：R B1=62KΩ，R B2=16 KΩ，R C=5KΩ, R E=2KΩ，R L=5 KΩ，U CC=20V，β=80，U BE=0.7V，试求工作点（Q）I BQ、、I CQ、U CEQ和A U、R i、R O。

（请同学一定要完成上两道题，并会画这两个电路的直流通路和微变等效电路。）

3、射极输出器，如图F-a（为共集电路，又称同相器、跟随器）

重点掌握其特点：

①电压放大倍数小于近似于1，且U O与U i同相。

②输入电阻很大。

③输出电阻很小，所以带负载能力强。

了解其电路结构，直流通路（图F-b）和微变等效电路（图F-c）的画法。

5．

《模电》第四章重点掌握内容：

一、概念

1、反馈是指将输出信号的一部分或全部通过一定的方式回送到输入端。

2、反馈有正反馈（应用于振荡电路）和负反馈（应用于放大电路）之分。

3、反馈有直流反馈，其作用：稳定静态工作点。

有交流反馈，其作用：改善放大器性能。包括：①提高电压放大倍数的稳定度；②扩展通频带；

③减小非线性失真；

④改善输入输出电路。

4、反馈放大电路的基本关系式：A f =A /（1+AF），其（1+AF）称反馈深度，

当（1+AF）远远大于是1时为深度负反馈，其A f=1/ F，即负反馈后的放大倍数大大下降，且仅由反馈网络参数就可求放大倍数，而与运放器内部参数无关。

5、负反馈有四种类型：电压串联负反馈；电压反馈可减小输出电阻，从而

稳定输出电压。

电压并联负反馈；。

电流串联负反馈；电流反馈可增大输出电阻，从而稳定输出电流。

电流并联负反馈。串联反馈可增大输入电阻。并联反馈可减小输入电阻。

6、对集成运算放大器反馈类型的经验判断方法是：

当反馈元件（或网络）搭回到反相输入端为负反馈；搭回到同相输入端为正反馈。

当反馈元件（或网络）搭回到输入端为并联反馈，搭回到输入端的另一端为串联反馈。

当反馈元件（或网络）搭在输出端为电压反馈，否则为电流反馈。

而一般的判断方法：若反馈信号使净输入减少，为负反馈，反之为正反馈。（用瞬时极性判断）

若满足Ui=Uid+Uf 为串联反馈，满足Ii=Iid+If为并联反馈。

若反馈信号正比输出电压，为电压反馈，反馈信号正比输出电流，为电流反馈。

（A）（B）

如（A）图经验判断：反馈元件搭回到反相输入端，所以是负反馈；

反馈元件搭回到输入端，所以是并联反馈；

反馈元件搭在输出端，所以是电压反馈，所以图是电压并联负反馈。

如（B）图，由瞬时极性判得电路有两级的电流并联负反馈。反馈元件为Rf (因Rf搭在输入端，所以是并联，但不是搭在输出端，所以是电流反馈，即If是正比于输出电流IC2）

二、练习并掌握书中图4.1.4a. 、4.1.5a、4.1.6

三、

1、掌握反相比例器、同相比例器、反相加法器，减法器，积分微分器输出电压的计算。

6. 《模电》第五章重点掌握内容：

1、无源低通、高通滤波电路组成及对应频率的计算。

2..有源滤波器电路的组成及频率计算及通带增益的计算。

。

《模电》第六章重点掌握内容：

1、掌握模拟乘法器的概念及符号

2、掌握模拟乘法器的应用：乘法、除法、平方、开方、立方、立方根。

3、了解倍频、混频、调幅、解调（检波）原理。

《模电》第七章重点掌握内容：

1.信号产生电路包括正弦波振荡器和非正弦波振荡器。

正弦波振荡器有RC、LC振荡器和石英振荡器；LC振荡器又分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点。

2.正弦波振荡器的起振条件和平衡条件是：会求振荡频率。

3.会用瞬时极性判是否满足相位平衡条件（是否为正反馈）

4.石英晶振的电路符号，压电效应，等效电路：晶振串联谐振时等效为一个很小的电阻，并联谐振时等效

为电感。

5.电压比较器用途，单门限电压比较器电路组成及电路分析。

《模电》第八章重点掌握内容：

1.掌握单相半波整流、桥式、全波整流电路工作原理，输入输出波形的画法以及输出电压U0、I0、I D、U RE 振的计算：

A、半波整流：U0=0.45U2 (U2为输入电压的有效值)

B、半波整流滤波：U0= U2

C、桥式整流：U0=0.9 U2

D、桥式整流滤波：U0=1.2 U2

E、桥式整流滤波：U0=1.4 U2 (空载)

2. 掌握串联型稳压电路的组成框图，稳压原理，会求输出电压的变化范围。

3. 掌握三端固定集成稳压器的型号、含义，管脚接线。

4.0 30 V 连续可调电路稳压电路及电路分析。

模拟电子技术小测：（2010.6）

一、判断与问答：

1、射极输出器的输出电阻很大，所以带负载能力强。（）

2、直接耦合多级放大电路只能放大交流信号。（）

3、差动放大电路中的R E对差模信号不起作用。（）

4、互补对称功放电路工作在甲乙状态,可以消除零点漂移.（）

5、共模抑制比K CMR越大，电路的抗干扰能力就强。（）

6、理想运放器U－= U + = 0 称为虚断. （）

7、桥式整流滤波电路的输入电压有效值为20V，输出电压应是18V。（）

1、什么是半导电性半导体、本征半导体、半导体的主要特性是；

2、P型半导体中多数载流子是：少子是：N型半导体中多数载流子是：少子是

3、二极管的特性：二极管的用途：

4、三极管的三种工作状态是：所对应的特点是：

5、三极管放大电路主要有三种组态。

6、直流负反馈的作用是：交流负反馈的作用是：具体是指：。

7、直接耦合多级放大电路主要存在的问题与解决办法是：

8、参考图1各电路,二极管导通电路应是（C）图（）.

9、参考图2,三极管处于放大状态的是（C）图（）。

10、参考图3,集成运放电路称为反相器。（）.

11、参考图4，具有交流放大的电路是(a) ( )

12、在基本放大电路中，R B的作用是稳定Q点。（）。

13、、从放大电路实验进一步证明，负载电阻R L变小，电压放大倍数小。（）。

14、、射极输出器电压放大倍数A U小于1（）。

15、、采用交流电流并联负反馈可减小输入电阻，稳定输出电压。（）

16、桥式整流滤波后的输出电压0.9U2（）

17、测得放大电路某三极管三个电极的电压分别是3.5V,2.8V,12V,可判定该管为PNP型。（）

（4）

二、分析计算题

1.会画固定偏置电路、分压式偏置电路，射极输出器等交流放大电路的直流通路和微变等效电路。

会求静态工作点、电压放大倍数和输入输出电阻。 2..会求各种电流源的基准电流和电流I O。

3.会分析基本差分析电路，乙类功放电路工作原理。

4.会计算集成运放组成反相比例器、同相比例器，跟随器、反号器、反相加法器、减法器、积分微分器等的输出电压U0及电路特点。

5..会分析单门限比较器、画传输特性。6 会分析由集成模拟乘法器组成的乘法、除法、平方、开方运算。

7.会分析各种整流、滤波、稳压电路及U0、I0、I D U RM的计算。

模拟电子技术复习

1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体，当掺入五价微量元素便形成N型半导体，其电子为多数载流子，空穴为少数载流子。当掺入三价微量元素便形成P型半导体，其空穴为多子，而电子为少子。

1、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

2、二极管有一个PN结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂性、热敏性、光敏性。可作开关、整流、限幅等用途。硅二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V，锗二极管的死区电压约为0.1V、导通压降约为0.2V。

3、三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。

4、三极管具有二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都应正偏；截止时：两个结都应反偏。

放大时：发射结应正偏，集电结应反偏。

5、直耦合放大电路存在的主要问题是：A、各级工作点互相影响B、产生零点漂移。

6、射极输出器又称跟随器，其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很

大、输出电阻很小。

7、三极管放大电路主要有三种组态，分别是：共基极电路、共集电极电路、共发

射极电路。

8、多级放大器耦合方式有变压器耦合、直接耦合、电容耦合三种。后两种的主

要优缺点是：

9、三极管属电流控制器件，而场效应管属电压控制器件。

10、场效应管又称单极型三极管，按其结构不同可分为结型和绝缘栅型两种，其绝缘栅型分为NMOS管和

PMOS管两种。电路符号分别为：

11、了解差分电路的结构特点，掌握电路的主要作用：抑制零点漂移，R E的作用及

共模信号、差模信号、共模抑制比K CMR等概念。K CMR越大，电路的抗干扰能力

就强。

12、电流源电路有比例型电流源、镜像电流源、多路电流源及二极管温度补偿电路

等，其电路及计算：

13、功率放大器对指标的要求：输出功率要大、效率要高、管耗要小、失真要小。

所以，工作在甲乙类状态的互补对称功放电路,既可以获得较大的功率、较高的效

率，又可以消除乙类放大时所产生的交越失真。

14、直流负反馈的作用是稳定工作点，交流负反馈的作用是改善放大器的性能：如

减少非线性失真；提高电压放大倍数的稳定度；扩展通频带。电压负反馈还可减

少输出电阻、稳定输出电压；电流负反馈可以提高输出电阻、稳定输出电流；而

串联负反馈可以提高输入电阻；并联负反馈可以减小输入电阻。

其1+AF称反馈深度。

15、理解理想运放器虚断、虚短、虚地的概念及表达式。

16、振荡电路的起振条件是什么，RC振荡器、LC振荡器的振荡频率是：

17、整流电路的主要作用：主要有哪几种整流电路。

18、滤波电路的主要作用：稳压电路的作用：稳压管哪种情况下能稳压。

19、串联型稳压电源主要由哪几部分组成；它们的作用：

20、会判断二极管的工作状态，稳压管的工作状态，三极管的工作状态、放大电路

的工作状态、复合管的对错，以及反馈类型的判断、振荡电路能否起振的判断。

21、掌握几个基本放大电路的分析及计算。（画直流通路，微变等效电路）

22、掌握集成反相比例器、同相比例器，跟随器、反号器、反相加法器、减法器的

电路特点及计算。

23、掌握整流、滤波电路图、输入输出波形画法及输出电压U0的计算。

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反

偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共集电极）、（共发射极）、（共基极）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（交流）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fh-fl ），

（1+AF ）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（近似于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调波），未被

调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载流信号）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy ）

1、1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。

2、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

3、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（增大），发射结压降UBE（减小）。

6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。

7、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（A/1+AF ），对于深度负反馈Af=（1/F ）。

10、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。

11、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。

12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（调频），低频信号称为（调制）信号，高频信号称高频（载波）。

13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（好），fa=（1+B ）f β。

14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。

15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（2U2 ）。

二、选择题（每空2分共30分）

1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（C ）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。

A、正偏

B、反偏

C、大于

D、小于

E、导通

F、截止

2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（D ）型。

A、（

B、

C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）

D、（NPN）

E、（PNP）

3、对功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（E ）。

A、U0高

B、P0大

C、功率大

D、Ri大

E、波形不失真

4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（E ）偏置电阻。

A、饱和失真

B、截止失真

C、交越失真

D、增大

E、减小

5、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。

A、稳定Au

B、放大信号

C、抑制零点漂移

模电总结复习资料

第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）

模拟电子技术第一章习题与答案

第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。（1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必

数电各章复习题及答案

第1章逻辑代数基础一、选择题（多选题） 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 2．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A. １ B. ２ C. ４ D. 16 3．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C.100101 D.10101 4．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 5.与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (100111.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (100111.11)2 6.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 7.与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 8. 逻辑变量的取值１和０可以表示：。 A.开关的闭合、断开 B.电位的高、低 C.真与假 D.电流的有、无 9．求一个逻辑函数F的对偶式，可将F中的。 A .“·”换成“+”，“+”换成“·” B.原变量换成反变量，反变量换成原变量 C.变量不变 D.常数中“0”换成“1”，“1”换成“0” E.常数不变 10. A+BC= 。 A .A+ B B.A+ C C.（A+B）（A+C） D.B+C 11.在何种输入情况下，“与非”运算的结果是逻辑0。 A．全部输入是0 B.任一输入是0 C.仅一输入是0 D.全部输入是1 12.在何种输入情况下，“或非”运算的结果是逻辑0。 A．全部输入是0 B.全部输入是1 C.任一输入为0，其他输入为1 D.任一输入为1 13.以下表达式中符合逻辑运算法则的是。 A.C·C=C2 B.1+1=10 C.0<1 D.A+1=1 14. 当逻辑函数有n个变量时，共有个变量取值组合？ A. n B. 2n C. n2 D. 2n 15. 逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是。 A .真值表 B.表达式 C.逻辑图 D.卡诺图 16.F=A B+BD+CDE+A D= 。

模电期末考试题

《模拟电子技术》一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。（×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。（√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。（×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。（√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。（√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（√）7半导体中的空穴带正电。（√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。（×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。（×）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。

（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。（A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。管号T1 T2T3 管号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电极名称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。

模电第一章练习习题

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×）解：二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1

第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。

模电第一章习题解答

第一章电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ，电流I 与U ab 为关联参考方向，因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图

解：I=I S =2A ， U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ， U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2

解：（a ）以c 为电位参考点，则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100，I 3=1A ， I 2=I 3+2=3A ， U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A ， I X =I 1+I 2=10+3=13A （ 6×由 1.8 20 1a V I =，5502 +=a V I ， 10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中，设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。

模电知识要点总结_期末复习用_较全面[适合考前时间充分的全面复习]

模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

数电知识点总结(整理版)

数电复习知识点第一章 1、了解任意进制数的一般表达式、2-8-10-16进制数之间的相互转换； 2、了解码制相关的基本概念和常用二进制编码（8421BCD、格雷码等）；第三章 1、掌握与、或、非逻辑运算和常用组合逻辑运算（与非、或非、与或非、异或、同或）及其逻辑符号； 2、掌握逻辑问题的描述、逻辑函数及其表达方式、真值表的建立； 3、掌握逻辑代数的基本定律、基本公式、基本规则（对偶、反演等）； 4、掌握逻辑函数的常用化简法（代数法和卡诺图法）； 5、掌握最小项的定义以及逻辑函数的最小项表达式；掌握无关项的表示方法和化简原则； 6、掌握逻辑表达式的转换方法（与或式、与非－与非式、与或非式的转换）；第四章 1、了解包括MOS在内的半导体元件的开关特性； 2、掌握TTL门电路和MOS门电路的逻辑关系的简单分析； 3、了解拉电流负载、灌电流负载的概念、噪声容限的概念； 4、掌握OD门、OC门及其逻辑符号、使用方法； 5、掌握三态门及其逻辑符号、使用方法； 6、掌握CMOS传输门及其逻辑符号、使用方法； 7、了解正逻辑与负逻辑的定义及其对应关系； 8、掌握TTL与CMOS门电路的输入特性（输入端接高阻、接低阻、悬空等）；第五章 1、掌握组合逻辑电路的分析与设计方法； 2、掌握产生竞争与冒险的原因、检查方法及常用消除方法； 3、掌握常用的组合逻辑集成器件（编码器、译码器、数据选择器）； 4、掌握用集成译码器实现逻辑函数的方法； 5、掌握用2n选一数据选择器实现n或者n＋1个变量的逻辑函数的方法；第六章 1、掌握各种触发器（RS、D、JK、T、T’）的功能、特性方程及其常用表达方式（状态转换表、状态转换图、波形图等）； 2、了解各种RS触发器的约束条件； 3、掌握异步清零端Rd和异步置位端Sd的用法； 2、了解不同功能触发器之间的相互转换；第七章 1、了解时序逻辑电路的特点和分类； 2、掌握时序逻辑电路的描述方法（状态转移表、状态转移图、波形图、驱动方程、状态方程、输出方程）； 3、掌握同步时序逻辑电路的分析与设计方法，掌握原始状态转移图的化简；

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.

路。二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础

模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March

数字电路各章重点复习

同学们，数电这门课程考察的主要是一些二进制、十进制和十六进制之间转换，还有就是一些简单的逻辑公式的推理，常用公式的简单计算等等，不是很难但考察多样，这部分课程不会很难，而且考察的题量也比较小，主要就是一些逻辑运算和基本门电路的考察。第一章逻辑代数基础知识要点一、二进制、十进制、十六进制数之间的转换；二进制数的原码、反码和补码（此部分大家查阅一下课本，编者在此不列出具体公式了。）二、逻辑代数的三种基本运算以及 5 种复合运算的图形符号、表达式和真值表：与、或、非逻辑代数的基本公式消去律： A + AB = A + B 多余项定律： AB + AC + BC = AB + AC 反演定律： AB = A + B 基本规则：反演规则和对偶规则四、逻辑函数的三种表示方法及其互相转换逻辑函数的三种表示方法为：真值表、函数式、逻辑图会从这三种中任一种推出其它二种逻辑函数的最小项表示法：最小项的性质；五、逻辑函数的化简：要求按步骤解答 1、利用公式法对逻辑函数进行化简 2、利用卡诺图对逻辑函数化简 3、具有约束条件的逻辑函数化简 AB + AB = A A+ B = A ? B AB + AB = AB + A B 吸收律： A + AB = A 逻辑代数常用公式：三、逻辑代数的基本公式和常用公式、基本规则

例1.1 利用公式法化简 F ( ABCD) = ABC + AB + AD + C + BD 解： F ( ABCD) = ABC + AB + AD + C + BD = AB + AB + AD + C + BD = B + AD + C + BD = B + D + AD + C = B+ D+C 例 1.2 利用卡诺图化简逻辑函数约束条件为 ( A BC + C = A B + C ) ( AB + AB = B) ( B + BD = B + D) ( D + AD = D) Y ( ABCD ) = ∑ m(3、 6、、 ) 5、 7 10 1、 4 8) ∑ m(0、 2、、一、三极管开、关状态 Y = A + BD 第二章门电路知识要点 1、饱和、截止条件：截止： V be < V T ，饱和： i B > I BS = 2、反相器饱和、截止判断二、基本门电路及其逻辑符号与门、或非门、非门、与非门、OC 门、三态门、异或；传输门、OC/OD 门及三态门的应用三、门电路的外特性 1、输入端电阻特性：对 TTL 门电路而言，输入端通过电阻接地或低电平时，由于输入电流流过该电阻，会在电阻上产生压降，当电阻大于开门电阻时，相当于逻辑高电平。 I CS β 解：函数 Y 的卡诺图如下：

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ）姓名班级学号计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。（5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。（10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1．试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3．若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的＝100，' bb A 、R i和R o；（1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

模电期末复习资料新全

《模电》复习题库 1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )A I( )Ap( )； 2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为（）；答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。=100Ω 一、选择判断题 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为___D______。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴 4、N型半导体中的多子是______A___。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 5、P型半导体中的多子是______B___。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等与 7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。 a：:多数载流子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。

a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变 10、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。 a：单向导电性 b：反向击穿特性 c：电容特性 11、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（C ）。 a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA 12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是BB ）。 a：正向运用 b：反向运用答案：1B 2D 3D 4A 5B 6A 7B 8（a）； 9（c）； 10（b）；11（c）； 12（b）一、选择填空 1、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位__B_______。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 2、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_A________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 3、既能放大电压，也能放大电流的是__A_______组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 4、在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 5、在单极共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 6、可以放大电压，但不能放大电流的是_____C____组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 7、可以放大电流，但不能放大电压的是_____B____ 组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 8、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是B_________组态。

集美大学模电总结复习要点

最新模电复习要点详解第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结 *PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 *PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8.PN结的伏安特性二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模电期末考试题及答案

(10 一、判断下列说法是否正确，用“X”或分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。只要满足相位平衡电路就会产生正波振荡。 ) 2 引’ 入直流负反馈可以稳定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负反馈越深，电路的性能越稳定。 ( X ) 4 >-l-A 零点漂移就是静态工作点的漂移。 ( V ) 5 放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 ( V ) 6 镜像电流：源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 ( V ) 7 半导体中的空穴带正电。 ( V ) 8 P 型半导体带正电， N 型半导体带负电。 ( X ) 9 实现运算电路：不一定非引入负反馈。 ( X ) 10 凡是引入正反馈的集成运放，」定工作在非线性区。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入为了展宽频带，应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中， C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0，杆=+180 0 (B )杯=+180 0，?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两个B 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B

模电期末复习资料

一、半导体器件 1． N 型半导体，在本征半导体中掺入五价元素，它的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 2． P 型半导体。在本征半导体中掺入三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 3．半导体中载流子的运动方式：漂移运动、扩散运动。 4． PN 结及基单向导电性 ① PN 结外加正向电压,即P 型区接外加电源正极, N 型区接外加电源负极,PN 结导通当PN 结外加正向电压时,扩散电流增加,漂移电流减小扩散电流由N 型区,P 型区多数载流子产生漂移电流由N 型区,P 型区少数载流子形成 ② PN 结外加反向电压,即P 型区接外加电源负极,N 型区接外加电源正极,PN 结截止,P 结呈高阻抗.PN 结反向偏置时,扩散电流趋于零,反向漂移电流很少 5.二极管二极管由一个PN 结组成，二极管的伏安特性由正向伏安特性、反向伏安特性及击穿特性三部份组成 ① 正向特性当外加电压大于其阀值电压(Si: th V =0.5V , Ge: th V =0.1V)时, 流过二极管的电流由零显著增加. ② 反向特性二极管外加反向电压时,其反向电流很少 ③ 击穿特性当二极管承受的反向电压大于其本身的击穿电压时,反向电流急剧增大例: 二极管电路如图示,试判断图4中二极管是导通还是截止,并求出0A 二端的电压0 A V ,设二极管是理想的. 解: 对于图4a ）首先断开二极管D,求 A V 、 B V 此时, A V =－12V, B V =－6V , 则BA V =B V －A V ＝－６－（－１２）＝６Ｖ这样，二极管是正向导通的由理想模型,F V ＝０．由此＋６－１２＋３Ｉ＝０Ｉ＝２mA A V ＝２×３－１２＝－６Ｖ．解：对于图b ），当D 断开时， B V ＝－１５Ｖ，A V ＝－１２Ｖ图1.PN 结外加正向电压图2.PN 结外加反向电压图3.二极管的伏案特性 O a)

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