IC资料-bq2060A符合通讯协议(SBS)智能型电芯计量集成电路
bq2060A
符合通讯协议(SBS)智能型电芯计量集成电路
●功能
提供镍镉、镍氢、锂离子和铅酸可充电电芯准确电量测量
符合通讯协议(SBS)智能型电芯数据规格v1.1
支持具PEC接口之双线SMBus v1.1或一线的HDQ16
提供各个电芯电压报告
在充放电时监控并提供控制锂离子保护电路的MOSFET
对电压、温度及电流的测量提供15位的分辨率
用误差校准少于16uV的VF转换器来测量充电电流
操作功耗小于0.5mW
可驱动4或5个区段LED来显示剩余容量
28-pin、150-mil的SSOP封装
●一般说明
符合SBS通讯协议的bq2060A计量集成电路，可对安装于系统内可重复充电的电芯或电芯组，提供精确的剩余电量记录。bq2060A不但可以监控镍镉、镍氢、锂离子及铅酸电池的容量，同时也监控其它关键电芯参数。bq2060A是使用一个具有自动偏移误差修正的VF(V-to-F)转换器来计算的。bq2060A使用一个模拟对数字转换器(A-to-D)来读取电压、温度及电流值。扳子上的模拟对数字转换器也会监控着锂离子电芯组中电芯的个别电压，而且bq2060A也可产生控制信号，可用来配合电池包保护电路并联控制，来加强电芯组的安全性。
bq2060A支持智能型电芯数据(SBData)指令和充电控制指令功能。使用双线的系统管理总线(SMBus)或Benchmarq单线的HDQ16协议来沟通数据。这些有效数据包括电芯的剩余容量、温度、电压、电流及预估可使用剩余时间等。bq2060A提供LED驱动和一个按键输入，可以选择使用4或5个LED显示器，以20％或25％的增加量来显示电芯组从满到空的剩余容量。
bq2060A需配合外接的EEPROM一起工作。此EEPROM储存着bq2060A的结构信息，如电芯的化学特性、自我放电率、补偿因素、量测校正、设计的电压和容量。bq2060A可程序化的自我放电率和其它储存在EEPROM内的补偿因素，配合时间、电流量及温度，精确的调整使用中或待命状态的剩余容量。bq2060A 也会自动依EEPROM设定来修正电芯容量，或经由从接近满电量到接近空电量的一个放电周期来修正真正的电芯容量。
REG脚位的输出是用来调节外部JFET的控制电压，使bq2060A可在正确的电压下工作。
●引脚名称
HDQ16 串行通信输入/输出引脚 ESCL EEPROM时序
ESDA EEPROM数据和地址 RBI 寄存器备份输入
REG 调整输出
VOUT EEPROM电源供应输出 VCC 供电电压
VSS 接地
DISP LED显示控制输入
LED1-
LED5 LED显示段输出 DFC 放电FET控制输出
CFC 充电FET控制输出
CVON 单个电芯分压控制
THON 热敏电阻偏移控制
TS 热敏电阻电压输入
SRC 电流感应电阻电压输入 SR1-SR2 充电电流感应电阻电压
输入
VCELL1-
VCELL4 单个电芯电压输入
SMBD SMBus数据
SMBC SMBus时钟
HDQ16 串行通信输入/输出引脚
开漏的双向通信接口
ESCL EEPROM时序
bq2060A与外部非易失性
EEPROM数据传输时钟输出 ESDA EEPROM数据和地址
bq2060A与外部非易失性
EEPROM传输与发送地址与
数据的双向引脚
RBI 寄存器备份输入
为bq2060A的寄存器在低操
作电压下提供备份的输入引
脚。RBI可接一个电容或电芯
的输入。
REG 调整输出
输出控制一个N沟道JFET，
用来调整它的控制电压，使
bq2060A可以在正确的电压
下工作。
VOUT EEPROM电源供应输出
外部非易失性EEPROM的电
源供应
VCC 供电电压
VSS 接地
DISP LED显示控制输入
控制LED驱动LED1-LED5
输出
LED1-
LED5 LED显示段输出
每个输出能驱动一个外部
LED DFC 放电FET控制输出
锂离子电池包保护电路放电
FET控制输出
CFC 充电FET控制输出
锂离子电池包保护电路充电
FET控制输出
CVON 单个电芯分压控制
在单个电芯电压监控时，控制
外部FET输出导通外部电压
分压器
THON 热敏电阻偏移控制
在温度监控时，控制外部FET
输出连接热敏电阻
TS 热敏电阻电压输入
监控温度时了解热敏电阻输
入
SRC 电流感应电阻器电压输入
监控瞬时电流输入
SR1-SR2 充电电流感应电阻器电压输入
连接小值电流检测电阻监控
电芯充放电电流输入
VCELL1-
VCELL4 单个电芯电压输入
各个电芯串联电压监控输入 SMBD SMBus数据
开漏双向引脚用来向和从
bq2060A传输和接收地址和
数据
SMBC SMBus时钟
开漏双向引脚为bq2060A传
输和发送地址和数据提供时
钟
? 一般操作
bq2060A 通过监控充电输入量或者可充电电芯使用量来计算剩余容量。除了监控充放电，bq2060A 也监控电芯电压、温度、电流、电芯自我放电率，还监控电芯低电压门限。bq2060A 通过监控串联在电芯负极和电芯组负极之间的小值电流检测电阻的电压，来检测充放电活动。有效的电芯充电是通过监控这个电压和校正对环境和操作条件的测量来决定的。
图1提供一种bq2060A 的典型应用线路。这个线路图包括LED 显示器，电压和温度测量网络，EEPROM 连接，一个串行口和电流检测电阻。EEPROM 存储着电芯组基本的结构信息测量修正值。EEPROM 必须要合适地编程来为bq2060A 操作。表9提供了EEPROM 的内存映射，并且概要的描述了在bq2060A 里有效的可编程功能。
bq2060A 需要一个负温度系数(NTC)的热敏电阻(Semitec 103AT)来进行温度测量。bq2060A 利用热敏电阻的温度来监控电池包的温度，检测一个电芯的满充电情况，调整自放电和电芯充放电的效率。
? 测量运作
bq2060A 利用完全微分， 动态平衡电源频率转换器(VFC)来进行充电监控，用∑?模拟数字转换器(ADC)来进行电芯电压、电流和温度监控。
依据bq2060A 的操作模式，电压、电流和温度监控每2-2.5s 进行一次。最大时间发生在EDV ，mWh 模式和最大允许放电率。任何的AtRate 估计请求或者预定(每20s)会增加0.5s 的时间间隔。
? 充电和放电计数
VFC 通过监控一个接着SR1和SR2引脚之间(见图1)的小值电流检测电阻来测量电芯的充放电电流。VFC 测量双向信号可达250mV 。当12SR SR SR V V V -=为正时bq2060A 侦测为充电活动，当12SR SR SR V V V -=为负时为放电活动。bq2060A 对此信号用内部计数器连续对时间积分。计数器的基本速率为6.25uVh 。 ? 误差修正
bq2060A 提供一种自动修正特点来消除SR1和SR2在最大充电测量时的电压精度误差。修正程序通过发送一个指令到ManufacturerAccess()来启动的。bq2060A 的自动误差修正可以低到6.25uV 。误差消除小于1uV 。
? 数字滤波器
低于数字滤波器门坎，bq2060A 不会判断充电或放电。数字滤波器门坎放在EEPROM 内， 此值应该被设定到足够高，以避免当没有充放电流通过感应电阻器时的错误讯号侦测。
? 电压
当监测SR1和SR2充放电电流时，bq2060A 同时也通VCELL1-VCELL2引脚监测电池包的剩余容量和个别串联电芯电压。bq2060A 监测电池包的电压，并将其值写入V oltage()。bq2060A 也可以测量电池包里4节串联电芯的电压。个别电芯电压被存储在可选择的Manufacturer Function 里面。
VCELL1-VCELL2引脚被精密电阻分压降压后接到个别电芯上，如图1所示。
VCELL1-VCELL2相对Vss的最大输入电压为1.25V。电阻分压器必须被设置，这样在所有的操作条件下电压输入将不会超过 1.25V的限制。同样，VCELL1-VCELL2的分压比必须是VCELL3-VCELL4的一半。为了减少电芯的电流消耗，CVON只在测量的时候接通各个电芯的分压器。当电芯被测量的时候，CVON保持250ms的高阻，否则就被置低。
bq2060A的SRC引脚用来测量电芯的充放电电流。来自串联感应电阻的信号经过SRC的ADC转换后被存在Current()里。由表2所示，SRC的满量程输入范围为mV
。
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图1.电池包应用图――LED显示和串联电芯监测
表1.VCELL1-VCELL2的分压和输入范围举例
表2.SRC输入范围
?温度
如图1所示，当进行电芯温度测量的时候，bq2060A的TS输入要和一个负温度系数(NTC)的热敏电阻相连。bq2060A在Temperature()里报告温度。当bq2060A采样TS输入时，THON将被用来导通到热敏电阻的基本供电电压输入。在测量温度时，THON将保持60ms的高阻，其它情况下将被置低。
●通信
bq2060A包括两种通信接口：系统管理总线(SMBus)和HDQ16。SMBus接口是双线双向协议，使SMBC（时钟）和SMBD（数据）引脚。HDQ16接口为一线双向协议，使用HDQ16引脚。所有的三条通信线是独立于Vcc的，可以被上拉高于Vcc。同样，如果Vcc到这部分为0，那么bq2060A将不会把这些线拉低。HDQ16如果不用，必须用100
K的电阻下拉。
这些通信口允许一个主机、一个与SMBus兼容的设备或其它的处理器来访问bq2060A的内存寄存器。用这种方法，一个系统可以有效地监控和管理电芯。
◆SMBus
SMBus接口是基于指令的协议。一个处理器扮演总线管理员，通过产生一个START信号来开始向bq2060A的通信。一个START信号由一个SMBD线由高到低的变化组成，此时SMBC为高。然后，处理器发送bq2060A设备地址0001011(位7-1)加一位读/写位(位0)，后面跟着一个SMBus指令码。读/写位和指令码指示bq2060A要么把发送来的数据存入SMBus指令码指定的寄存器中，要么从指定寄存器输出数据。处理器由STOP信号完成访问。STOP信号由一个SMBD线由低到高的变化，此时SMBC为高。在SMBus中，数据字节中最重要的位将被第一个传送。
在一些实例中，bq2060A作为总线管理员。这个发生在当bq2060A广播充电需要和报警条件的设备地址0x12(智能电池充电器)和0x10(智能电池主控制器)。
?SMBus协议
bq2060A支持以下SMBus协议：
?读取字符协议
?写入字符协议
?读取区块协议
作为总线主机的处理器利用这三条协议来和bq2060A来通信。而作为总线主机的bq2060A用写入字符协议。
SMBD和SMBC引脚是开漏的，需要外部上拉电阻。
?SMBus协议包出错校验
bq2060A支持协议包出错校验机制来确认它本身和另一个SMBus设备的准确通信。协议包出错校验需要发送者和接收者为每次通信消息计算一个协议包出错码(PEC)。设备提供的最后一个通信消息的字节里跟随一个这个消息的PEC。接收者比较发送的和它自己的PEC来检测是否出现通信出错。
?PEC协议
bq2060A可以接收或发送带有或者不带有PEC的数据。图4所示为读取字符、写入字符和读取区块消息的通信协议无PEC。图5为有PEC。
图4. 无PEC的SMBus通信协议
图5.有PEC的SMBus通信协议
在写入字符协议中，从主机发送来的最后位数据之后，bq2060A 就会等待接收PEC 。如果主机不支持PEC ，最后的字符数据会跟随着一个STOP 信号。在收到PEC 之后，bq2060A 会比较这个值跟自己计算的值。如果PEC 是正确的，bq2060A 会响应一个ACKNOWLEDGE 。如果不正确，bq2060A 会响应一个NOT ACKNOWLEDGE ，并且设定一个错误码。
在读取字符协议和读取区块协议中，在bq2060A 发送的数据的最后位，主机会产生一个ACKNOWLEDGE 。bq2060A 就发送PEC ，而作为接收的主机会产生一个NOT ACKNOWLEDGE 和一个STOP 信号。
? PEC 计算 PEC 计算的基本原理是一个基于多项式1)(128+++=X X X X C 的8位循环冗余核对器。PEC 计算包括传输中的所有字节，地址、指令和数据。PEC 计算不包括ACKNOWLEDGE 、NOT ACKNOWLEDGE 、START 、STOP 和RepeatedSTART 位。
例如，主机向bq2060A 请求RemainingCapacity()。这个包括在读取字符协议下的主机。bq2060A 根据以下5个字节的数据来计算PEC ，假设电芯的剩余容量为1001mAh 。
? 电芯读/写地址＝0：0x16
? RemainingCapacity()的指令码：0x0f
? 电芯读/写地址＝0：0x17
? RemainingCapacity()：0x03e9
对于0x160f17e903，bq2060A 传输一个0xe8的PEC 给主机。
? 在控制模式中的PEC 允许
PEC 可以广播给充电器、主机或者两者都可以通过控制模式中的HPE 和CPE 位来设置允许和不允许。
? SMBus 开启和关闭状态
bq2060A 通过监控SMBC 和SMBD 线来侦测SMBus 是否进入关闭状态。当两个信号持续为低至少2.5s ，bq2060A 侦测其为关闭状态。当SMBC 和SMBD 线变高，bq2060A 侦测其为开启状态，可以在1ms 之内开始通信。为了可靠的侦测关闭状态，推荐1ΩM 的电阻下拉SMBC 和SMBD 线。
◆ HDQ16
HDQ16接口协议是基于指令的协议。(见图6)一个处理器发送指令码给bq2060A 。这个8位的指令码由两部分组成，7位HDQ16指令码(位0-6)和1位读/写指令。读/写指令指示bq2060A 存储接下来的16位数据到一个指定的寄存器，或者从指定的寄存器输出16位数据。在HDQ16里，数据字节(指令)或者字(数据)的最不重要的位会先传输。
一个块的传输包括三个不同的部分。第一部分经由主机或者bq2060A 把HDQ16引脚置逻辑低状态一个B STRH t :时间后开始发送。接下来是部分是真正的数据传输，数据位在B DSU t :时间间隔里是有效的，负边界用来开始通信。数据位被保持一个DV DH t :时间间隔，以便允许主机或bq2060A 采样数据位。
在负边界用来开始通信后，最后一部分通过返回给HDQ16引脚一个逻辑高
状态，至少保持B SSU t :时间间隔来停止传输。最后一个逻辑高状态必须保持一个B CYCH t :时间间隔，以便有时间让块传输完全地停止。
如果发生通信错误(e.g.，s t CYCB μ250>)，
主机就发送给bq2060A 一个BREAK 信号，让其控制串行接口。当HDQ16引脚在一个时间间隔B t 或者更长时间里为逻辑低状态，bq2060A 就会侦测BREAK 。然后HDQ16引脚回到其正常预设高逻辑状态一个BR t 时间间隔。然后bq2060A 就准备从主机那里接收指令。
HDQ16引脚是开漏的，需要一个外部的上拉电阻。
◆ 指令码
SMBus 的指令码在()里，HDQ16的[]l 里。Temperature(),V oltage(),Current()和AverageCurrent(),执行说明可调整Vcc ，工作温度在0-70°C 。
? ManufacturerAccess() (0x00); [0x00–0x01]
? 描述
在电芯组正常工作和制造过程中，此指令提供控制bq2060A 的可写指令码。如果在设备重启后，在1s 内发送的这些指令可以被忽略。以下副指令可使用： ? 0x0618 允许低电压存储模式：激活低电压存储模式。5-8s 延迟后，bq2060A
进入存储模式。在进入低电压存储模式的时间间隔里，bq2060A 接受ManufacturerAccess()的指令。因为显示模式仍然没有被改变，所以在进入低电压存储模式时，LED 必须被关闭。
当其响应允许低电压存储指令后，bq2060A 会在900ms 内清除ManufacturerAccess()指令。在SMBus 响应允许低电压存储指令后，VFC 校准指令会在900-5000ms 内送出。因为这样，bq2060A 延迟进入存储模式直到校准过程完成，然后bq2060A 把新的校准值存储在EEPROM 里。
? 0x062b 封缄：指示bq2060A 对表3所列出的那些功能的限制访问。bq2060A
完成封缄功能，响应指令后在900ms 内清除ManufacturerAccess()。
? 0x064d 充电同步：指示bq2060A 更新RM 所占FCC 的百分比，正如快速充
电终端里定义的一样。Bq2060A 更新RM ，在响应指令后清除ManufacturerAccess()。
? 0x0653 允许VFC 校准：指示未封缄的bq2060A 开始VFC 校准。在这个指
令下，bq2060A 取消选择SR1和SR2的输入，只校正IC 的误差。这样在校准过程中避免了充放电电流经过感应电阻。
? 0x067e 轮换VFC 校准：指示未封缄的bq2060A 开始VFC 校准。在这个指
令下，bq2060A 不取消选择SR1和SR2的输入，同时对IC 和PCB 进行误差校准。在这个过程中，没有充放电电流。
在VFC 校准中，bq2060A 不允许LED 显示，只接受VFC 校准停止指令和对ManufacturerAccess()的封缄指令。bq2060A 忽视所有其它指令。在VFC 校准中，SMBus 通信应该保持最小值以减少噪声水平，并且允许更加精确的校准。
一旦开始，VFC 校准程序就自动完成。完成之后，bq2060A 把校准值保存在EEPROM 里。校准一般持续8-10分钟。校准时间与bq2060A 的VFC(和
PCB)误差成反比。当校准到0误差，bq2060A就在一个小时里完成校准。因为在去除测试设置后校准能自动完成，所以VFC校准可以在电芯组测试程序的最后一步来完成。
在响应指令后，bq2060A在900ms内清除ManufacturerAccess()，并且在
3.2s内开始校准。
?0x0660 停止VFC校准：指示bq2060A中VFC校准程序。如果被中止，bq2060A禁止误差修正。在响应指令后，bq2060A在20ms内停止校准。
?0x0606 编程EEPROM：指示未封缄的bq2060A连接SMBus和EEPROM 的C
I2总线。在响应指令后，bq2060A在900ms内给EEPROM提供供应电压。在发出编程EEPROM指令后，bq2060A的监控功能将被禁止，直到C
I2总线断开。当bq2060A侦测到Battery Address 0x16发送到SMBus之后，就断开C
I2总线的Battery Address 0x16应该在对EEPROM I2总线。用来断开C
的最后一个写操作之后10ms发送。
?举例：以下例子说明了如何使用ManufacturerAccess()指令的顺序。说明了如何对电芯组进行除VFC校准外的所有有效测试和校准。并且为在封缄状态和低电压存储模式下出仓做准备：
1.用存储在EEPROM里的期望的最终值来完成测试和校准。这个过程包
括设置Pack Configuration里的SEAL位。在测试的时候向bq2060A发
送一个重启指令，以确保RAM里的值与EEPROM里的最终值相符合。
2.如果RemainingCapacity()的初始值必须为非0 ，那么可以在电芯组未封
缄状态下将期望值写入Command 0x26。发送一个重启在这步重新设置
RM为0后。
3.发送允许低电压存储模式指令。
4.在发送允许低电压存储模式指令后的900-1600ms内，发送允许VFC校
准指令。这个将延迟低电压存储模式直到VFC校准完成。
5.在VFC校准指令后发送SEAL指令。Bq2060A必须在VFC校准完成之
前接收SEAL指令。在校准开始的时候，bq2060A重新设置Pack Status
的OCE位，在其成功完成校准之后再设置这一位。
在VFC校准自动完成之后，bq2060A将VFC误差消除值存储在EEPROM 里，并且在大约20s内进入低电压存储模式。另外，bq2060A被封缄，只允许访问表3所示的部分。
?用途：
ManufacturerAccess()指令提供系统主机访问bq2060A那些没有被SBD定义的功能。
?SMBus协议：读取和写入字符协议。
?输入/输出：字符。
集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介
IC设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。 前端设计的主要流程： 1、规格制定 芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码 使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。 4、仿真验证 仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基
(整理)集成电路IC知识
集成电路IC常识 中国半导体器件型号命名方法 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 日本半导体分立器件型号命名方法 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。 集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准 原部标规定的命名方法X XXXXX 电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平； H：HTTL；（三位数字） B ：塑料扁平； E：ECL； C：陶瓷双列直插； I：I-L； D：塑料双列直插； P：PMOS； Y：金属圆壳； N：NMOS； F：金属菱形； F：线性放大器； W：集成稳压器； J：接口电路。 原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号 T：TTL；品种代号C：（0-70）℃；W：陶瓷扁平； H：HTTL；（器件序号）E ：（-40~85）℃；B：塑料扁平； E：ECL； R：（-55~85）℃；F：全密封扁平； C：CMOS； M：（-55~125）℃；D：陶瓷双列直插； F：线性放大器； P：塑料双列直插； D：音响、电视电路； J：黑瓷双理直插； W：稳压器； K：金属菱形； J：接口电路； T：金属圆壳； B：非线性电路； M：存储器； U：微机电路；其中，TTL中标准系列为CT1000系列；H 系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列； 原部标规定的命名方法CX XXXX中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度范围封装 T：TTL电路；字母表示器件系C：（0~70）℃F：多层陶瓷扁平； H：HTTL电路；列品种G：（-25~70）℃B：塑料扁平； E：ECL电路；其中TTL分为：L：（-25~85）℃H：黑瓷扁平； C：CMOS电路；54/74XXX；E：（-40~85）℃D：多层陶瓷双列直插； M：存储器；54/74HXXX；R：（-55~85）℃J：黑瓷双列直插； U：微型机电路；54/74LXXX；M：（-55~125）℃P：塑料双列直插； F：线性放大器；54/74SXXX； S：塑料单列直插； W：稳压器；54/74LSXXX； T：金属圆壳； D：音响、电视电路；54/74ASXXX； K：金属菱形； B：非线性电路；54/74ALSXXX； C：陶瓷芯片载体； J：接口电路；54/FXXX。 E：塑料芯
集成电路ic封装种类、代号、含义
【引用】集成电路IC封装的种类、代号和含义 2011-03-24 15:10:32| 分类：维修电工| 标签：|字号大中小订阅 本文引用自厚德载道我心飞翔《集成电路IC封装的种类、代号和含义》 IC封装的种类,代号和含 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat PACkage with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等 多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded Chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。 此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 8、COB(Chip on board) 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。9、DFP(dual flat PACkage) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本 上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic PACkage) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 12、DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解
【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解 电子专业英语术语 ★rchitecture（结构）：可编程集成电路系列的通用逻辑结构。 ★ASIC（Application Specific Integrated Circuit－专用集成电路）：适合于某一单一用途的集成电路产品。 ★ATE（Automatic Test EQUIPment－自动测试设备）：能够自动测试组装电路板和用于莱迪思ISP 器件编程的设备。 ★BGA（Ball Grid Array－球栅阵列）：以球型引脚焊接工艺为特征的一类集成电路封装。可以提高可加工性，减小尺寸和厚度，改善了噪声特性，提高了功耗管理特性。 ★Boolean Equation（逻辑方程）：基于逻辑代数的文本设计输入方法。 ★Boundary Scan Test（边界扫描测试）：板级测试的趋势。为实现先进的技术所需要的多管脚器件提供了较低的测试和制造成本。 ★Cell-Based PLD（基于单元的可编程逻辑器件）：混合型可编程逻辑器件结构，将标准的复杂的可编程逻辑器件（CPLD）和特殊功能的模块组合到一块芯片上。 ★CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor－互补金属氧化物半导体）：先进的集成电路★加工工艺技术，具有高集成、低成本、低能耗和高性能等特征。CMOS 是现在高密度可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★CPLD（Complex Programmable Logic Device－复杂可编程逻辑器件）：高密度的可编程逻辑器件，包含通过一个中央全局布线区连接的宏单元。这种结构提供高速度和可预测的性能。是实现高速逻辑的理想结构。理想的可编程技术是E2CMOS?。 ★Density （密度）：表示集成在一个芯片上的逻辑数量，单位是门（gate）。密度越高，门越多，也意味着越复杂。 ★Design Simulation（设计仿真）：明确一个设计是否与要求的功能和时序相一致的过程。★E2CMOS?（Electrically Erasable CMOS－电子可擦除互补金属氧化物半导体）：莱迪思专用工艺。基于其具有继承性、可重复编程和可测试性等特点，因此是一种可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★EBR（Embedded BLOCk RAM－嵌入模块RAM）：在ORCA 现场可编程门阵列（FPGA）中的RAM 单元，可配置成RAM、只读存储器（ROM）、先入先出（FIFO）、内容地址存储器（CAM）等。 ★EDA（Electronic Design Automation－电子设计自动化）：即通常所谓的电子线路辅助设计软件。 ★EPIC （Editor for Programmable Integrated Circuit－可编程集成电路编辑器）：一种包含在★ORCA Foundry 中的低级别的图型编辑器，可用于ORCA 设计中比特级的编辑。★Explore Tool（探索工具）：莱迪思的新创造，包括ispDS+HDL 综合优化逻辑适配器。探索工具为用户提供了一个简单的图形化界面进行编译器的综合控制。设计者只需要简单地点击鼠标，就可以管理编译器的设置，执行一个设计中的类似于多批处理的编译。 ★Fmax：信号的最高频率。芯片在每秒内产生逻辑功能的最多次数。 ★FAE（Field Application Engineer－现场应用工程师）：在现场为客户提供技术支持的工程师。 ★Fabless：能够设计，销售，通过与硅片制造商联合以转包的方式实现硅片加工的一类半导体公司。
IC的种类及用途
IC的种类及用途 在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。 一、集成电路的种类 集成电路的种类很多，按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号；后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。所谓数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。目前，在家电维修中或一般性电子制作中，所遇到的主要是模拟信号；那么，接触最多的将是模拟集成电路。 集成电路按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。 按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复杂，所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路，集成100个以上的元器件为大规模集成电路；对数字集成电路，一般认为集成1～10等效门／片或10～100个元件／片为小规模集成电路，集成10～100个等效门／片或100～1000元件／片为中规模集成电路，集成100～10,000个等效门／片或1000～100,000个元件／片为大规模集成电路，集成10,000以上个等效门／片或100,000以上个元件／片为超大规模集成电路。
IC集成电路型号大全及40系列芯片功能大全
CD4000 双3输入端或非门单非门 CD4001 四2输入端或非门 CD4002 双4输入端或非门 CD4006 18位串入/串出移位寄存器 CD4007 双互补对加反相器 CD4008 4位超前进位全加器 CD4009 六反相缓冲/变换器 CD4010 六同相缓冲/变换器 CD4011 四2输入端与非门 CD4012 双4输入端与非门 CD4013 双主-从D型触发器 CD4014 8位串入/并入-串出移位寄存器 CD4015 双4位串入/并出移位寄存器 CD4016 四传输门 CD4017 十进制计数/分配器 CD4018 可预制1/N计数器 CD4019 四与或选择器 CD4020 14级串行二进制计数/分频器 CD4021 08位串入/并入-串出移位寄存器CD4022 八进制计数/分配器 CD4023 三3输入端与非门 CD4024 7级二进制串行计数/分频器 CD4025 三3输入端或非门 CD4026 十进制计数/7段译码器 CD4027 双J-K触发器 CD4028 BCD码十进制译码器 CD4029 可预置可逆计数器 CD4030 四异或门 CD4031 64位串入/串出移位存储器 CD4032 三串行加法器 CD4033 十进制计数/7段译码器 CD4034 8位通用总线寄存器 CD4035 4位并入/串入-并出/串出移位寄存CD4038 三串行加法器 CD4040 12级二进制串行计数/分频器 CD4041 四同相/反相缓冲器 CD4042 四锁存D型触发器 CD4043 三态R-S锁存触发器("1"触发) CD4044 四三态R-S锁存触发器("0"触发) CD4046 锁相环 CD4047 无稳态/单稳态多谐振荡器 CD4048 四输入端可扩展多功能门 CD4049 六反相缓冲/变换器
集成电路(IC)EMC测试
集成电路的EMC测试北京世纪汇泽科技有限公司
前言 世界范围内电子产品正在以无线、便携、多功能与专业化得趋势快速发展，纯粹的模拟电子系统越来越难以进入人们的视线，取而代之的集成电路在数字电子产品与电子系统中扮演了“超级明星”的角色，而这个主角被接纳的程度也在随着集成电路产业的发展不断加深，从1965年Gordon Moore提出摩尔定律至今，集成电 路一直保持着每18-24个月集成度翻番、价格减半的发展趋势，这为集成电路的大范围、多层次应用奠定了基础。尤其在消费类产品领域，这种发展趋势尤为明显，各种数码类产品的普及就是很好的说明。 同时，这种快速发展也造成了电子系统电磁兼容性问题的日益突出，更高的集成度和使用密度，是片内和片外耦合的发生几率大大提高。在电子产品和电子系统中，通常集成电路是最根本的骚扰信号源，它把直流供电转换成高频的电流、电压，造成了无意发射和耦合。而当其输入或供电受到干扰时，误动作的可能性将大大增加，甚至造成硬件损坏。 这种情况下，如何衡量集成电路电磁兼容性的问题日渐凸显起来。这种衡量方法，或者称作新的测试标准和测试方法，将作用于集成电路的设计、生产、质量控制、采购乃至应用调试等诸多方面，成为整个集成电路相关产业的关注焦点。
标准产生的背景 早在1965年美国军方已就核爆电磁场对导弹发射中心设备的影响做出了分析研究，并开发了专门的SPECTRE软件，用于模拟核辐射对电气电子元件的作用。在随后的二十多年中，各种仿真模型、测试方法和统计结果不断涌现，在集成电路电磁兼容领域积累了大量的理论基础和可供分析比较的实测数据。 其中主要测试方法包括： ?北美的汽车工程协会（SAE）建议的使用TEM小室测量集成电路的辐射发射 ?SAE提出的磁场探头和电场探头表面扫描测量集成电路的辐射发射 ?荷兰某公司建议的使用工作台法拉第笼（WBFC）进行集成电路传导发射测量 ?德国标准化组织VDE建议的使用1?电阻进行地回路传导电流测量 ?日本的研究人员建议的使用磁场探头进行传导发射测量 ?Lubineau和Fiori等人对抗扰度测试方法和试验结果的研究等等 1997年10月，国际电工委员会（IEC）第47A技术分委会下属第九工作组（WG9）成立，专门负责对各种已建议的测试方法进行分析，最终出版了针对EMI 和EMS的工具箱式的测试方法集合——IEC61967系列和IEC62132系列标准，标准IEC62215也已出版，与IEC62132互补，更加全面地考虑到了集成电路遭受电磁干扰时的情形。
集成电路IC辨别知识
总结为五点：一看、二断、三剖、四测、五照。 一、看(Look) 1、看表面的丝印（烙印）型号是否与所定器件型号一致。 主要包括品牌标志、前缀、器件功能序号、后缀、特殊标示 品牌标志：大部分器件品牌标志，少部分没有的。（举例略） 前缀：代表半导体厂商。（举例略） 器件功能序号：描述同系列器件的功能特性。通用器件的诸多厂家，其器件功能序号相当部分相同，但也有不同的。 举例：8870 LM317 IMP813 MAX813 MAX232 SPX232 后缀：描述器件的工作电压、温度范围、封装类型、速度等 工作电压（输出电压）：正常工作电压的范围。DS1230AB-100、DS1230Y-100 AM29F040 AM29DL040 LT1117-5. /3.3 LM1117-5/3. 温度范围：级别为：商业级：0℃-70℃ 工业级：-40℃-85℃ 汽车级：-40℃-125℃ 军工级：–55℃-125℃/150℃ 封装类型： DIP（PDIP、CDIP）、PLCC、QFP、TQFP、SOP、SSOP、TSSOP、 TO-92、TO-220、TO-263、TO-223、TO-23、CLCC 速度：描述数据存取的快慢 IS62C256-50/70/90 XC95144 AT89C51-12/16/20/24 特殊标示：如表门槛电压IMP706 生产批号：“0451”、出厂编号、批次等 以上，准确的信息需参照其PDF资料，方能更准确。 2、看器件丝印（烙印）整齐程度、表面的光泽情况、管脚氧化程度。 丝印（烙印），质量的好坏与丝印材料、丝印机器的精度有关。原厂器件的丝印质量很好，但也有部分比较差的。如国半01+的部分器件。 表面的光泽：从不同角度（垂直正视、斜视、平视）看器件表面是否均匀平滑、有无划伤痕迹。也可借助高倍放大镜看。 决大多数器件管脚镀了一层氧化膜，但也有器件未明显镀氧化膜，如TI公司的74系列DIP封装的逻辑器件。 3、看器件背面的标记，这些标记一般是凸起的字样。 有些器件背面标记―C‖、―D‖等，代表生产的批次。 有些器件背面标记、，―Malaysia‖、―Taiwan‖、― Thailand ‖、―Mexico‖、―Korea‖、―China‖，代表封装所在地，要搞清封装工厂所在地。 二、断(Judge) 1、器件性能的类别判断器件的出现质量的可能性。 (1) 逻辑电路：74系列、54系列的特性、分类、基本原理及应用。 (2)、微处理器：8/16/32位单片机（MCU）和数字信号处理器（DSP） 51系列、AVR高速系列、INTEL196系列、PIC系列、MSP430超低功耗等诸多单片机；TMS320全系列、ADSP系列、MC系列等DSP。 基本的构造及功能、分类与区别、硬件的基本设计、软件（汇编语言和C51语言）的初步设计思路及实践、开发工具的使用及程序的调试过程。 （3）、微处理器的扩展及外围电路的应用： 1）存储器（FLASH、EEPROM、SRAM、NVRAM）的区别及基本应用。 2）接口电路（RS-232、RS-485/422、USB、CAN、MODEM、1394口、 ISDN）的功能及基本设计。 3）显示（LCD、LED、LCM、VFD、EL）及驱动器的区别、原理及基本设计。 (4)、PSD及可编程逻辑电路： PSD的构造、基本原理及应用，FPGA和CPLD的构造、基本原理及初步设计（硬件 设计、VHDL语言的基本设计）。 (5)、数字转换器 ADC、DAC的特性、应用领域、初步的设计；多媒体产品—音频、视频的部分应用电路简介。
集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介
I C设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。 前端设计的主要流程： 1、规格制定 芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码 使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL （寄存器传输级）代码。 4、仿真验证 仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys 的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基本标准单元（standard cell）的面积，时序参数是不一样的。所以，选用的综合库不一样，综合出来的电路在时序，面积上是有差异的。一般来说，综合完成后需要再次做仿真验证（这
4073集成电路IC
1/7 September 2001s MEDIUM SPEED OPERATION :t PD = 60ns (TYP .) at V DD = 10V s QUIESCENT CURRENT SPECIFIED UP TO 20V s 5V, 10V AND 15V PARAMETRIC RATINGS s INPUT LEAKAGE CURRENT I I = 100nA (MAX) AT V DD = 18V T A = 25°C s 100% TESTED FOR QUIESCENT CURRENT s MEETS ALL REQUIREMENTS OF JEDEC JESD13B " STANDARD SPECIFICATIONS FOR DESCRIPTION OF B SERIES CMOS DEVICES" DESCRIPTION The HCF4073B is a monolithic integrated circuit fabricated in Metal Oxide Semiconductor technology available in DIP and SOP packages. The HCF4073B TRIPLE 3 INPUT AND GATE provides the system designer with direct implementation of the AND function and supplement the existing family of CMOS gates. HCF4073B TRIPLE 3 INPUT AND GATE ORDER CODES PACKAGE TUBE T & R DIP HCF4073BEY SOP HCF4073BM1 HCF4073M013TR
集成电路IC
集成电路IC-原装,散新和翻新的区别是什么,散新货是如何看的?集成电路IC-原装,散新和翻新的区别 1 、原装货：原厂生产出来的，分进口原装和国产原装。 2 、散新货：散新这个词，主要用在IC芯片的方面，意思主要有： 一、这个货不是原厂生产出来的，可能是其他厂家生产的，但是打着原厂牌子，也就是假货，供应商称之为散新、或原装货来蒙人！ 二、原厂生产的，但是是一些不合格的料。原厂就会降价，通过其他渠道处理掉。销售商进过来之后，称之为散新！ 三、原厂生产的，使用过了，经过打磨，镀锡，把脚擦凉一系列处理之后，外观看起来不错，拿出来出售，也叫做散新，但实际上是翻新的！ 3 、翻新货:指产品从原厂生产出来以后，经过使用，有了一定的磨损，性能各方面跟原厂刚生产出来的时候有差距，经过特殊的加工，是它的外表或者性能恢复到接近原厂刚生产出来的状态，叫做翻新！ 4、旧货拆机件:原厂生产出来的，已经使用过的，从电路板上拆下来的。没有经过洗角处理的。 一般购买芯片如果有上个三五十片的量，最好找代理公司或其分销商而不要去一般"统货"柜台拿货，一般什么都做的（所谓统货）
柜台上的现货基本上是翻新货或旧货，而且他们看人报价，行家或熟人他们大多不敢太过分，但普通人他们还是能蒙就蒙、能骗则骗了，这确实已是比较普遍的现象（国人的道德崩溃是全面的），大家要多留神。就算在这样的柜台上拿货一定要讲清楚，有坏得给换，且记得"货比三家"。另外，成交价格应比正货价低很多才行，否则还是找正规代理。要知道不少加工好的旧芯片进货价只是新片市场价的10％－20％左右！ 旧货拆机有两法： (1)、热风法，此法是正规的做法，用于较干净、整齐的板特别是较有价值的SMD板 (2)、"油炸"法，这确实是真的，用调制的高沸点矿物油来"炸"，极旧或很乱的垃圾板通常用此法。 在此要跟大家讲明白：旧片分离和重制过程中产生的废料若不妥善处理会严重污染环境（含大量难降解的 有毒化合物和重金属），而"妥善处理"的费用又会高于全部回收所得，所以发达国家的某些公司宁愿花钱并出运费将电子垃圾"送"给中国和南亚的一些国家也不愿自行处理，这里面是有"说道"的。新旧芯片间的差价远远无法挽回环境污染的损失，这一点大家一定要心里有数！ 芯片销售的正规代理一般在写字楼办公，华强、赛格等电子市场中也有很多经销新货的，多数在大厅周围的独立房间中，也有少数柜台，大家购买芯片时应注意识别。
集成电路英文缩写
集成电路英文缩写 IC Integrated Circuit 缩写，集成电路 ICDS IC Design Service 缩写，芯片设计服务 IP Intellectual Property 缩写, 知识产权，在芯片设计中指对某种设计技术的专利SoC System on Chip缩写, 指单芯片系统设计，是当今混合信号IC设计的趋势 ASIC Application Special Integrated Circuit缩写, 指专用集成电路 VLSI Very Large Scal Integrated circuit 缩写, 指超大规模集成电路 DSP Digital Signal Processing 缩写, 指数字信号处理 RF Radiation Frequency 缩写, 指发射频率，简称射频 FPGA Field Programmable Gate Array缩写, 指现场可编程门阵列 CPLD Complex Programmable Logic Device, 即复杂可编程器件。 FE Front End 缩写, 前端，通常指IC设计中的前道逻辑设计阶段，并不是规范化用法BE Back End 缩写, 后端，通常指IC设计中的后道布局布线(Layout)阶段，并不是规范化用法 MPW Multiple Project Wafer缩写, 多项目晶圆投片，指在同一种工艺的不同芯片放在同一块晶圆(Wafer)上流片，是小公司节省成本的有效手段
Electronic Design Automation缩写,电子设计自动化，现在IC设计中用EDA 软件工具实现布线，布局 VHDL VHSIC(Very High Speed IC) Hardware Descrīption Language 缩写, 硬件描述语言，用于实现电路逻辑设计的专用计算机语言 RTL Register Transformation Level 缩写, 寄存器传输级 Netlist 门级网表，一般是RTL Code经过综合工具综合而生成的网表文件 Foundry 指芯片制造加工厂的代工业务，负责将设计完成的芯片生产出来 DFT Design For Test 缩写, 为了增强芯片的可测性而采用的一种设计方法 STA Static Timing Analysis缩写, 即静态时序分析 CAD Computer Aided Design缩写, 即计算机辅助设计 NRE Non Recuuring Engineering缩写,不反复出现的工程成本 BIST Build in system test, 即内建测试系统 ASSP Application-specific standard product 缩写，一种有着广泛应用范围的ASIC芯片RISC Reduced Instruction System Computer缩写 LVS Layout versus Schematic 缩写，是在IC Design经过Layout后检查其版图与门级电路是否一致
4063集成电路IC
1/9 September 2001s QUIESCENT CURRENT SPECIFIED UP TO 20V s STANDARD B-SERIES OUTPUT DRIVE s EXPANSION TO 8-16....4 N BITS BY CASCADING UNIT s MEDIUM SPEED OPERATION : COMPARES TWO 4-BIT WORDS IN 250ns (Typ.) at 10V s 5V, 10V AND 15V PARAMETRIC RATINGS s INPUT LEAKAGE CURRENT I I = 100nA (MAX) AT V DD = 18V T A = 25°C s 100% TESTED FOR QUIESCENT CURRENT s MEETS ALL REQUIREMENTS OF JEDEC JESD13B " STANDARD SPECIFICATIONS FOR DESCRIPTION OF B SERIES CMOS DEVICES" DESCRIPTION The HCF4063B is a monolithic integrated circuit fabricated in Metal Oxide Semiconductor technology available in DIP and SOP packages. The HCF4063B is a low power 4-bit magnitude comparator designed for use in computer and logic applications that require the comparison of two 4-bit words. This logic circuit determines whether one 4-bit word (Binary or BCD) is "less than", "equal to" or "greater than" a second 4 bit word. The HCF4063B has eight comparing inputs (A3, B3 through A0, B0), three outputs (A
IC集成电路型号大全
03VFG9 发射压控振荡集成电路 1021AC 发射压控振荡集成电路 1097C 升压集成电路 140N 电源取样比较放大集成电路 14DN363 伺服控制集成电路 15105 充电控制集成电路 15551 管理卡升压集成电路 1710 视频信号处理集成电路 1N706 混响延时集成电路 20810－F6096 存储集成电路 2252B 微处理集成电路 2274 延迟集成电路 24C01ACEA 存储集成电路 24C026 存储集成电路 24C04 存储集成电路 24C64 码片集成电路 24LC16B 存储集成电路 24LC65 电可改写编程只读存储集成电路 27C1000PC－12 存储集成电路 27C2000QC－90 存储集成电路 27C20T 存储集成电路 27C512 电可改写编程只读存储集成电路 2800 红外遥控信号接收集成电路 28BV64 码片集成电路 28F004 版本集成电路 31085 射频电源集成电路 32D54 电源、音频信号处理集成电路17 32D75 电源、音频信号处理集成电路 32D92 电源中频放大集成电路 4066B 电子开关切换集成电路 4094 移位寄存串入、并出集成电路 424260SDJ 存储集成电路 4260 动态随机存储集成电路 4270351/91B9905 中频放大集成电路 4370341/90M9919 中频处理集成电路 4464 存储集成电路 4558 双运算放大集成电路 4580D 双运算放大集成电路 47C1638AN－U337 微处理集成电路 47C1638AU－353 微处理集成电路 47C432GP 微处理集成电路 47C433AN－3888 微处理集成电路
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工作经历 2003/02—现在***公司 所属行业：电子技术/半导体/集成电路 设计部集成电路IC设计/应用工程师 主要职责： 1.模拟电路设计，包括运算放大器的设计、开关电容电 路、时钟侦测、启动电路、锁相环、band gap等参与 ADC、DAC参数设计运用MATLAB，以及用mat lab验证 hospice仿真产生的数据。 2.用synopsys-dc综合电路，用formality形式验证，时 序分析等用Apollo进行布局布线，并且与模拟版图工 程师指导和交流。 2001/02— **电子 2003/02 所属行业：电子技术/半导体/集成电路
设计部集成电路IC设计/应用工程师 主要职责： 从事486cpu的设计。通过verilogXL、NCverilog、 hspice、star_sim仿真、分析验证电路，写verilog建立 模型，写测试代码，测试验证芯片。学习数字综合工具 synopsys_dc。 2000/07— **顺电子 2001/02 所属行业：电子技术/半导体/集成电路 设计部集成电路IC设计/应用工程师 主要职责： 期间2个月在IC工厂实习，之后学习画版图，仿真电路， 写Verilog。参与一个音乐芯片设计。 教育培训 1996/09— **大学微电子学本科 2000/07
4518集成电路IC
1/11 October 2002s MEDIUM SPEED OPERATION :6MHz (Typ.) at 10V s POSITIVE -OR NEGATIVE- EDGE TRIGGERING s SYNCHRONOUS INTERNAL CARRY PROPAGATION s QUIESCENT CURRENT SPECIF. UP TO 20V s 5V, 10V AND 15V PARAMETRIC RATINGS s INPUT LEAKAGE CURRENT I I = 100nA (MAX) AT V DD = 18V T A = 25°C s 100% TESTED FOR QUIESCENT CURRENT s MEETS ALL REQUIREMENTS OF JEDEC JESD13B "STANDARD SPECIFICATIONS FOR DESCRIPTION OF B SERIES CMOS DEVICES" DESCRIPTION HCF4518B is a monolithic integrated circuit fabricated in Metal Oxide Semiconductor technology available in DIP and SOP packages. HCF4518B Dual BCD Up Counter consists of two identical, internal 4 stage counters. The counter stages are D-type Flip-Flops having interchangeable Clock and Enable lines for incrementing on either the positive-going or negative going transitions. For single-unit operations the Enable input is maintained High and the counter advances on each positive going transition of the Clock. The counters are cleared by high levels on their Reset lines. The counter can be cascaded in the ripple mode by connecting Q4 to the enable input of the subsequent counter while the clock input of the latter is held low. HCF4518B DUAL BCD UP COUNTER PIN CONNECTION ORDER CODES PACKAGE TUBE T & R DIP HCF4518BEY SOP HCF4518BM1 HCF4518M013TR