贴片二三极管封装图大全

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直插、贴片二三极管封装形式图片以及尺寸大全来源：霍芯电子时间：2011-12-13

贴片二极管封装形式图片

贴片三极管封装形式图片

直插二极管封装形式图片

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以及尺寸大全：

SOD-723

SOT-23

SOT-89

TO-220

SOT-143

SOT23-6

TO-92

TO-263

等等

2SC4617贴片三极管 SOT-523三极管封装2SC4617参数

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC4617 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low Cob:Cob=2.0pF(Typ) z Complement to 2SA1774 MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in T yp M ax U nit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =50uA, I E = 0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =1mA, I B =0 50 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =50uA, I C =0 7 V Collector cut-off current I CBO V CB =60V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =7V, I C =0 0.1 μA DC current gain h FE V CE =6V, I C = 1mA 120 560 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =50mA, I B = 5mA 0.4 V Transition frequency f T V CE =12V, I C =2mA, f=100MHz 180 MHz Collector output capacitance C ob V CB =12V, I E =0, f=1MHz 3.5 pF CLASSIFICATION OF h FE Rank Q R S Range 120-270 180-390 270-560 Marking BQ BR BS A,May,2011

三极管的封装及引脚识别

三极管的封装及引脚识别 三极管的封装形式是指三极管的外形参数，也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面，三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式；结构方面，三极管的封装为TO×××，×××表示三极管的外形；装配方式有通孔插装（通孔式）、表面安装（贴片式）和直接安装；引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO－92、TO－126、TO－3、TO－220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格，其外形结构和规格分别用字母和数字表示，如TO－162、TO－92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。

图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 （1）B型：B型分为B－1、B－2、…、B－6共6种规格，主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管，其中B－1、B－3型最为常用。引脚排列：管底面对自己，由管键起，按顺时针方向依次为E、B、C、D（接地极）。其封装外形如图2（a）所示。 （2）C型：引脚排列与B型相同，主要用于小功率。其封装外形如图2（b）所示。 （3）D型：外形结构与B型相同。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（c）所示。 （4）E型：引脚排列与D型相同，封装外形如图3（d）所示。 （5）F型：该型分为F－0、F－1～F－4共5种规格，各规格外形相同而尺寸不同，主要用于低频大功率管封装，使用最多的是F－2型封装。引脚排列：管底面对自己，小等腰三角形的庵面朝下，左为E，右为B，两固定孔为C。其封装外形如图2（e）所示。¨ （6）G型：分为G－1～G－6共6种规格，主要用于低频大功率晶体管封装，使用最多的是G－3、G－4型。其中G－1、G－2为圆形引出线，G－3～G－6为扁形引出线。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（f）所示。 2.塑料封装 （1）S－1型、S－2型、S－4型：用于封装小功率三极管，其中以S－1型应用最为普遍。S－1、S－2、S－3型管的封装外形如图2（g）、（h）、（i）所示。引脚排列：平面朝外，半圆形朝内，引脚朝上时从左到右为E、B、C。 （2）S－5型：主要用于大功率三极管。引脚排列：平面朝外，半圆形朝内，引脚朝上时从左到右为E、B、C。S－5型的封装外形如图2（j）所示。 （3）S－6lA、S－6B、S－7、S－8型：主要用于大功率三极管，其中以S－7型最为常用。S－6A 引脚排列：切角面面对自己，引脚朝下，从左到右依次为B、C、E。它们的引脚排列与外形分别如图5.12（k）、（l）、（m）、（n）所示。 （4）常见进口管的外形封装结构：TO－92与部标S－1相似，TO－92L与部标S－4相似，TO126与S－5相似，TO-202与部标S－7相似。

常用贴片元件封装尺寸图

常用贴片元件封装尺寸图 目录 1 TO-268AA 41 D-7343 2 TO-26 3 D2PAK 42 C-6032 3 TO-263-7 43 B-3528 4 TO-263- 5 44 A-3216 5 TO-263-3 45 SOT883 6 TO-252 DPAK 46 SOT753 7 TO-252-5 47 SOT666 8 TO252-3 48 SOT663 9 2010 49 SOT552-1 10 4020 50 1SOT523 11 0603 51 SOT505-1 12 0805 52 SOT490-SC89 13 01005 53 SOT457 SC74 14 1008 54 SOT428 15 1206 55 SOT416/SC75 16 1210 56 SOT663 SMD 17 1406 57 SOT363 SC706L 18 1812 58 SOT353/sc70 5L 19 1808 59 SOT346/SC59 20 1825 60 SOT343 SMD 21 2010 61 SOT323/SC70-3 SMD 22 2225 62 SOT233 SMD 23 2308 63 SOT-223/TO-261AA SMD 24 2512 64 SOT89/TO243AA SC62 SMD 25 DO-215AB 65 SOT23-8 26 DO-215AA 66 SOT23-6 27 DO-214AC 67 SOT23-5 28 DO-214AB 68 SOT23 29 DO-214AA 69 SOT143/TO253 SMD 30 DO-214 31 DO-213AB 32 DO-213AA 33 SOD123H 34 SOD723 35 SOD523 36 SOD323 37 SOD-123F 38 SOD123 39 SOD110 40 DO-214AC SOD106

2SA935三极管封装TO-92L

A,Dec,2010 2. COLLECTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA935 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z General Purpose Switching Application MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C = -50μA,I E = 0 -80 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-2mA,I B = 0 -80 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-50μA,I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-50V,I E = 0 -0.5 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-4V,I C = 0 -0.5 μA DC current gain h FE V CE =-3V, I C =-100mA 82 390 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA,I B =-50mA -0.4 V Collector output capacitance C ob V CB =-10V,I E =0, f=1MHz 20 pF Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-50mA 100 MHz CLASSIFICATION OF h FE RANK P Q R RANGE 82-180 120-270 180-390 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -80 V V CEO Collector-Emitter Voltage -80 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -0.7 A P C Collector Power Dissipation 750 mW R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 167 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ https://www.wendangku.net/doc/e313702433.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

常用电子元件封装尺寸规格汇总

常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照

三极管的封装形式

三极管的封装形式 是指三极管的外形参数，也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面，三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式；结构方面，三极管的封装为TO×××，×××表示三极管的外形；装配方式有通孔插装（通孔式）、表面安装（贴片式）和直接安装；引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO－92、TO－126、TO－3、TO－220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格，其外形结构和规格分别用字母和数字表示，如TO－162、TO－92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。

图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 （1）B型：B型分为B－1、B－2、…、B－6共6种规格，主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管，其中B－1、B－3型最为常用。引脚排列：管底面对自己，由管键起，按顺时针方向依次为E、B、C、D（接地极）。其封装外形如图2（a）所示。 （2）C型：引脚排列与B型相同，主要用于小功率。其封装外形如图2（b）所示。 （3）D型：外形结构与B型相同。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（c）所示。 （4）E型：引脚排列与D型相同，封装外形如图3（d）所示。 （5）F型：该型分为F－0、F－1～F－4共5种规格，各规格外形相同而尺寸不同，主要用于低频大功率管封装，使用最多的是F－2型封装。引脚排列：管底面对自己，小等腰三角形的庵面朝下，左为E，右为B，两固定孔为C。其封装外形如图2（e）所示。¨ （6）G型：分为G－1～G－6共6种规格，主要用于低频大功率晶体管封装，使用最多的是G－3、G－4型。其中G－1、G－2为圆形引出线，G－3～G－6为扁形引出线。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（f）所示。 2.塑料封装

SMD贴片元件的封装尺寸

【SMD 贴片元件的封装尺寸】 公制：3216——2012——1608——1005——0603——0402 英制：1206——0805——0603——0402——0201——01005 注意： 0603有公制，英制的区分 公制0603的英制是英制0201， 英制0603的公制是公制1608 还要注意1005与01005的区分， 1005也有公制，英制的区分 英制1005的公制是公制2512 公制1005的英制是英制0402 像在ProtelDXP(Protel2004)及以后版本中已经有SMD 贴片元件的封装库了，如 CC1005-0402：用于贴片电容，公制为1005，英制为0402的封装 CC1310-0504：用于贴片电容，公制为1310，英制为0504的封装 CC1608-0603：用于贴片电容，公制为1608，英制为0603的封装 CR1608-0603：用于贴片电阻，公制为1608，英制为0603的封装，与CC16-8-0603尺寸是一样的，只是方便识别。 【贴片电阻规格、封装、尺寸】 英制 (inch) 公制 (mm) 长(L) (mm) 宽(W) (mm) 高(t) (mm) a (mm) b (mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0.10±0.05 0.15±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0.20±0.10 0.25±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0.30±0.20 0.30±0.20 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 0.40±0.20 0.40±0.20 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 国内贴片电阻的命名方法： 1、5%精度的命名：RS-05K102JT 2、1％精度的命名：RS-05K1002FT R －表示电阻 S －表示功率0402是1/16W 、0603是1/10W 、0805是1/8W 、1206是1/4W 、 1210是 U n R e g i s t e r e d

常见贴片二、三极管的封装

www.mccsemi .com PACKAGE OUTLINES Note: Drawings Are Not To Scale C DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .166 ----- 4.20 B ----- .079 ----- 2.00 ? C ----- .020 ----- 0.52 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-35 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .166 .205 4.10 5.20 B .080 .107 2.00 2.70 ? C .028 .034 .70 .90 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-41 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .166 .205 4.10 5.20 B .080 .107 2.00 2.70 ? C .021 .025 .53 .64 ? D 1.000 --- 25.40 --- A-405 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .230 .300 5.80 7.60 B .104 .140 2.60 3.60 ? C .026 .034 .70 .90 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-15 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .300 ----- 7.62 B ----- .107 ----- 2.72 ? C .018 .022 0.46 0.56 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-7 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .370 ----- 9.50 B ----- .250 ----- 6.40 ? C .048 .052 1.20 1.30 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-201AD

MMBT2907AT贴片三极管 SOT-523三极管封装MMBT2907AT参数

A,Jan,2013 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2907AT TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Complementary to NPN Type (MMBT2222AT) z Small Package MARKING:2F MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-10μA, I E =0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-10mA, I B =0 -60 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-10μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-50V, I E =0 -10 nA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V, I C =0 -10 nA h FE(1) V CE =-10V, I C =-0.1mA 75 h FE(2) V CE =-10V, I C =-1mA 100 h FE(3) V CE =-10V, I C =-10mA 100 h FE(4) V CE =-10V, I C =-150mA 100 300 DC current gain h FE(5) V CE =-10V, I C =-500mA 50 I C =-150mA, I B =-15mA -0.4 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -1.6 V I C =-150mA, I B =-15mA -1.3 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -2.6 V Transition frequency f T V CE =-20V,I C =-50mA, f=100MHz 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-10V, I E =0, f=1MHz 8 pF Emitter input capacitance C ib V EB =-2V, I C =0, f=1MHz 30 pF Delay time t d 10 ns Rise time t r V CC =-30V, I C =-150mA, I B1=-15mA 40 ns Storage time t s 225 ns Fall time t f V CC =-6V, I C =-150mA, I B1=I B2=-15mA 30 ns Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -60 V V CEO Collector-Emitter Voltage -60 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -600 mA P C Collector Power Dissipation 150 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 833 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ 3. COLLECTOR

常用元器件封装尺寸大小

封装形式图片国际统一简称 LDCC LGA LQFP PDIP TO5 TO52 TO71 TO71 TO78 PGA Plastic PIN Grid Array 封装形式图片国际统一简称 TSOP Thin Small OUtline Package QFP Quad Flat Package PQFP 100L QFP Quad Flat Package SOT143 SOT220 Thin Shrink Qutline Package uBGA Micro Ball Grid Array uBGA Micro Ball Grid Array PCDIP

PLCC LQFP LQFP 100L TO8 TO92 TO93 T099 EBGA 680L QFP Quad Flat Package TQFP 100L ZIP Zig-Zag Inline Packa SOT223 SOT223 SOT23 SOT23/SOT323 SOT25/SOT353 SOT26/SOT363 FBGA FDIP SOJ

SBGA LBGA 160L PBGA 217L Plastic Ball Grid Array SBGA 192L TSBGA 680L CLCC SC-705L SDIP SIP Single Inline Package SO Small Outline Package SOP EIAJ TYPE II 14L SSOP 16L SSOP SOJ 32L Flat Pack HSOP28 ITO220 ITO3P TO220 TO247

MMST4403贴片三极管 SOT-323三极管封装MMST4403规格参数

A,Oct,2010 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST4403 TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary To MMST4401 ● Small Surface Mount Package MARKING:K3T MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -40 V V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -600 mA P C Collector Power Dissipation 200 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA, I E =0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-35V, I E =0 -100 nA Collector cut-off current I CEO V CE =-35V, I B =0 -500 nA V CE =-1V, I C =-100μA 30 V CE =-1V, I C =-1mA 60 V CE =-1V, I C =-10mA 100 V CE =-2V, I C =-150mA 100 300 DC current gain h FE V CE =-2V, I C =-500mA 20 I C =-150mA, I B =-15mA -0.4 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -0.75 V I C =-150mA, I B =-15mA -0.75 -0.95 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -1.3 V Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-20mA , f=100MHz 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-10V, I E =0, f=1MHz 8.5 pF https://www.wendangku.net/doc/e313702433.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

贴片电阻规格、封装、尺寸

贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm)

L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm （b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注： ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 2）电阻的命名方法 1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT 2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FT R －表示电阻 S －表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)： 02表示0402、 03表示0603、 05表示0805、 06表示1206、 1210表示1210、

常用二三极管丝印代码型对照表

贴片三极管型号查询 直插封装的型号贴片的型号9011 1T 9012 2T 9013 J3 9014 J6 9015 M6 9016 Y6 9018 J8 S8050 J3Y S8550 2TY 8050 Y1 8550 Y2 2SA1015 BA 2SC1815 HF 2SC945 CR MMBT3904 1AM MMBT3906 2A MMBT2222 1P MMBT5401 2L MMBT5551 G1 MMBTA42 1D MMBTA92 2D BC807-16 5A BC807-25 5B BC807-40 5C BC817-16 6A BC817-25 6B BC817-40 6C BC846A 1A BC846B 1B

BC847A 1E BC847B 1F BC847C 1G BC848A 1J BC848B 1K BC848C 1L BC856A 3A BC856B 3B BC857A 3E BC857B 3F BC858A 3J BC858B 3K BC858C 3L 2SA733 CS UN2111 V1 UN2112 V2 UN2113 V3 UN2211 V4 UN2212 V5 UN2213 V6 2SC3356 R23 2SC3838 AD 2N7002702 电源保护IC常销系列: MAX323EPE,MAX708,MAX485,MAX487,MAX488,MAX202CSE,MAX202CPE,MAX1487CPA,MAX1482CS D,MAX1232CSA,MAX809,MAX811,DS1302,DS1307,DS1232,SS8205G,SD8205S,FDS9926A,SD943 5,SD4953,SD4410.... 钽电容常销系列:

贴片三极管封装形式

贴片三极管封装 1A SOT323 BC846AW NPN 1A SOT416 BC846AT N BC546A 1A SOT89 PXT3904 NPN 1A SOT89 SXT3904 NPN -1A SOT323 PMST3904 N 2N3904 1A- SOT323 BC846AW N BC546A 1AM SOT23 MMBT3904L N 2N3904 1Ap SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT323 BC846AW N BC546A 1B SOT23 BC846B NPN 1B SOT23 BC846B N BC546B 1B SOT23 FMMT2222 NPN 1B SOT23 FMMT2222 N 2N2222 1B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN 1B SOT23 MMBT2222 N 2N2222 1B SOT23 PMBT2222 NPN 1B SOT23 SMBT2222 NPN 1B SOT23 YTS2222 NPN 1B SOT323 BC846BW NPN 1B SOT416 BC846BT N BC546B 1B SOT89 PXT2222 NPN -1B SOT323 PMST2222 N 2N2222 1B- SOT323 >BC846BW N BC546B

1Bs SC74 BC817UPN N 1Bt SOT23 BC846B N BC546B 1Bt SOT323 BC846BW N BC546B 1C SOT23 FMMT-A20 NPN 1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA20 1C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A 1C SOT23 MMBTA20 NPN 1C SOT23 MMBTA20L N MPS3904 1C SOT23 SMBTA20 NPN 1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC457 1D SOT23 BC846 NPN 1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A 1D SOT23 MMBTA42 NPN 1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn 1D SOT23 SMBTA42 NPN 1D SOT323 BC846W NPN 1D SOT89 SXTA42 NPN 1D- SOT323 BC846W N BC456 1DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners 1Dp SOT23 BC846 N BC456 1DR SC59 MSD1328-RT1 NPN 1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA 1Ds SC74 BC846U N BC456 1Ds SOT363 BC846U BC456 1Dt SOT23 BC846 N BC456 1Dt SOT323 BC846W N BC456 1E FMMT-A43 N MPSA43 1E SOT23 BC847A NPN 1E SOT23 BC847A N BC547A 1E SOT23 FMMT-A43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn 1E SOT23 SMBTA43 NPN 1E SOT323 BC847AW NPN 1E SOT416 BC847AT N BC547A 1E SOT89 SXTA43 NPN 1E- SOT323 BC847A N BC547A 1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners 1Ep SOT23 BC847A N BC547A 1ER SOT23R BC847AR R BC547A 1Es SOT23 BC847A N BC457 1Es SOT323 BC847AW N BC457

常用贴片元件封装尺寸

常用贴片元件封装 1 电阻： 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类 1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表： 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200

1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 阻值范围从0R-100M 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603； 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00

2SC2881贴片三极管 SOT-89封装三极管2SC2881参数

A,Nov,2010 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2881 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Small Flat Package z High Transition Frequency z High Voltage z Complementary to 2SA1201 APPLICATIONS z Power Amplifier and Voltage Amplifier MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =1mA,I E = 0 120 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =10mA,I B =0 120 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =1mA,I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =120V,I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =5V,I C =0 0.1 μA DC current gain h FE V CE =5V, I C =100mA 80 240 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =500mA,I B =50mA 1 V Base-emitter voltage V BE V CE =5V, I C =0.5A 1 V Transition frequency f T V CE =5V,I C =100mA 120 MHz Collector output capacitance C ob V CB =10V, I E =0, f=1MHz 30 pF CLASSIFICATION OF h FE RANK O Y RANGE 80–160 120–240 MARKING CO1 CY1 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 120 V V CEO Collector-Emitter Voltage 120 V V EBO Emitter-Base Voltage 5 V I C Collector Current 800 mA P C Collector Power Dissipation 500 mW R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ https://www.wendangku.net/doc/e313702433.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】