模拟电子技术基础试题A卷
《模拟电子技术基础》复习题
一、判断题
1.在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（）
2.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）
3.使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）
4.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）
5.利用两只 NPN 型管构成的复合管只能等效为 NPN 型管。（）
6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）
7.未加外部电压时， PN 结中电流从 P 区流向 N 区。（）
8.集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）
9.只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（）
10.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）
11.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时截止。（）
12.晶体二极管是线性元件。（）
13.晶体二极管具有单向导电性。（）
14.发射结正向偏置时的晶体三极管一定工作在放大状态。（）
15.在晶体三极管放大电路中，三极管发射结加正向电压，
集电结加反向电压（）
16.放大器的交流通路是用来确定静态工作点的。（）
17.采用阻容耦合的前后级放大电路的静态工作点互相影响。（）
18.负反馈可以消除放大器非线性失真。（）
19.射极输出器具有电流放大作用。（）
20.近似估算法同样可以应用于功率放大器。（）
二、选择填空（10 分）
1.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。
A ．电流负反馈 B．电压负反馈 C．直流负反馈 D．交流负反馈
2.RC串并联网络在f f 0
1
。
时呈
2 RC
A ．感性B．阻性．C容性
3.通用型集成运放的输入级多采用。
A ．共基接法B．共集接法C．共射接法D．差分接法
4.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
A ．βB．β2C．2βD． 1+β
5.在 A ．、B．、 C．三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，
又能放大电压的电路是。
A ．共基放大电路B．共集放大电路C．共射放大电路
6.当 NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。
A．>B． 7.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。 A．大B．小C．相等 8.半导体中传导电流的载流子是（） A．电子B．空穴C．电子和空穴 9.当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。 A．放大状态B．饱和状态C．截止状态 10.满足 I C=β I B的关系时，晶体三极管工作在（）。 A．饱和区B．放大区C．截止区 11.三极管是一种（）半导体器件。 A．电流控制B．电压控制C．既是电压又是电流控制 12.在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（）对应。 A．输入电压B．基极电压C．基极电流 13.在晶体三极管共射极低频电压放大电路中，输出电压应视为（）。 A．uo=icRC B． uo=-icRC 14.放大电路中的饱和失真与截止失真称为（）。 A．线性失真B．非线性失真C．交越失真 15.利用电压放大器的交流等效电路可求出放大器的（）。 A．电压放大倍数 B．输入电阻和输出电阻 C．A 和 B 16.在室温升高时，晶体三极管放大电路的电压放大倍数（）。 A．增大B．减小C．不变 17.射极输出器中的反馈类型是（）。 A．电压并联负反馈B．电流并联负反馈C．电压串联负反馈 2 三、填空题 1） PN 结具有________性能，即加正向电压时 PN 结 ________，加________时 PN 结反偏截止。 2）晶体三极管有 ____PN结，即 ________结和________结；有三个电极，即发射极、 ________极和 ________极，分别用 e、____和____表示。 3）晶体三极管有 ________型和 ________型，前者的图形符号是 ______，后者的图形符号是 ________。 4）晶体三极管的输出特性可分为三个区域，即放大区、_______区和______区。5）当晶体三极管的发射结正偏，集电结 ________时，工作在放大区。 6）放大电路按三极管连接方式可分为 ________、________和________。 7）放大器中晶体三极管静态工作点是指 ________、________和 ______。 8）小功率三极管的输入电阻r be=。 9）射极输出器也叫，它的电压放大倍数________，输出电压与输入电压相位 ________。 10）多级放大电路常用的级间耦合方式有________、________和________。 四、综合题 1.放大器产生截止失真和饱和失真的原因是什么？如何消除截止失真和饱和失真？ 2.射极输出器有什么特点？ 3.图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。 4.在图示电路中，已知晶体管静态时B-E 间电压为 U BEQ，电流放大系数为β，B-E 间动态电阻为 r be。填空： 静态时， I BQ的表达式为，I CQ的 表达式为，U CEQ的表达式 为；电压放大倍数的表达式 为，输入电阻的表达式 为，输出电阻的表达式 为；若减小 R B，则 I CQ 将， r be 将， A u将，R i将。 5.在图示电路中，已知晶体管静态时 U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=100，r be=1 k Ω，R B1=5 kΩ， R B2=15 kΩ，R E=2.3 kΩ，R C=R L=3 kΩ，V CC=12V。 1估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 2估算信号源内阻为 R S=1kΩ时， A us U 0 U S的数值。 4 6.在图示电路中，已知 V CC =12V ，V EE =6V ，恒流源电路 I=1 mA ，R B1=R B2=1 k Ω， R C1=R C2=10 k Ω；两只晶体管特性完全相同， 且β1=β2=100，r be1= r be2=2 k Ω。估算： 1 电路静态时 T 1 和 T 2 管的集电极电位； 2 电路的差模放大倍数 A d 、共模放大倍数 A C 、输入电阻 R i 和输出电阻 R 0 在图示 OCL 电路中，已知 T 1、T 2管的 U V ，电源电压为± ，负载电阻 7. CES 1 9V R L =8 Ω ，试计算最大输出功率 P om 及效率 η。 8.设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。 9.在图示电路中，要求 R F =100 kΩ，比例系数为 11，试求解 R、和R的阻值。 10.求解图示电路的运算关系式。 11.在图示文氏桥振荡电路中，已知 R1=10 kΩ，R 和 C 的可调范围分别为 1~100 k Ω、0.001~1μF。 （1）振荡频率的可调范围是多少？ （2）R F的下限值为多少？ 12.在图示电路中，已知 W7806的输出电压为 6V， R1=R2=R3=200 Ω，试求输出电压 U0的调节范围。 13.串联型稳压电路如图所示， T2和 T3管特性完全相同， T2管基极电流可忽略不计，稳压管的稳定电压为 U Z。填空： 调整管为，输出电压采 样电阻由组成，基准 电压电路由组成，比较放 大电路组成； 输出电压调节范围的表达式为 。 14.如下图所示的是某电压放大电路中晶体 三极管的输出特性曲线及直流负载线、交流 负载线，由图分析：I (mA) （1）静态工作点 I CQ和 U CQ是多少？（ 4 分） C （2）L1 和 L2 哪一条是交流负载线？ 100μA 5 哪一条是直流负载线？（ 6 分）80μA 4 L2 L 1 60μA 3 Q 40μA 2 1 20μA I B=0 U CE(V) 5 10 15 20 25 15、试判断下图各连接方法是否正确。如正确，指出其等效于什么类型的管子，管脚 1、2、3、分别对应什么电极？（ 10 分） 9 答案 一、判断题 1×√ 2 × 3 √ 4 √ 5 6√×7 √8 ×9 √10 11√×12 √13 √14 √15 16××17 √18 √19 ×20 二、不定项选择 1B、C 2B 3D 、C 4B 5B 6A、A 7A 8C 9A 10B 11A 12C 13B 14B 15C 16C 17C 三．填空题 1）单向导电、导通、截止 2）二、发射、集电、基极、集电 3）NPN PNP 4）接收、截止、饱和 5）反偏 6）共射、共基、共集 7）I BQ、I CQ、U CEQ 8）300+（1+β）26/I EQ 9）射极输出器、等于1、同相位 10）阻容、变压器、直接 四、综合题 1、电路中静态工作点的变化引起的，提高和降低静态工作点的位置 2、电压放大倍数等于 1，输入与输出同相位，输入电阻大、输出电阻小 3、二极管 D导通， -3V 4、 I BQ V CC U BEQ；I CQ I BQ； U CEQ V CC I CQ R C； A u R L ； R B r be R i R B // r be； R0 R C ；增大；减小；减小；减小 10 5、3V ；1mA ；10ц A ；6.7V ；-150；0.79k Ω； -66.7 6、7V ；-333；0； 6 k Ω ；20 k Ω 7、4W ；5.7W ；70% 8、（ a ）电压并联负反馈； -R 2/R 1 （b ）电压串联负反馈； 1+R 2/R 1 9、10 k Ω；9 k Ω 10、 u 0 R 2 u I 1 (1 R 2 )u I 2 R 1 R 1 11、1.6H Z —160kH Z ； 20 k Ω 12、9V ；8V 13、T 1 ；R 1、R 2、R 3；R 、D Z ；T 2、T 3、R E 、R C ； R 1 R 2R 3 U Z U 0 R 1 R 2 R 3U Z R 2 R 3 R 3 14、ICQ=2.1mA UCQ=16v L1- 直流负载线 L2- 交流负载线 15、（b ）正确 1- 发射极 2- 基极 3- 集电极 11 南京信息工程大学 《模拟电子技术基础》期末考试试卷（A 卷) 题目部分（卷面共3大题,26小题，100分,各大题标有题量和总分） 一、选择题（10小题，共20分） 1．直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是____. A 、所放大的信号不同， B 、交流通路不同, C 、直流通路不同 2．直流负反馈是指________________。 A 、只存在于直接耦合电路中的负反馈, B 、放大直流信号时才有的负反馈, C 、直流通路中的负反馈. 3．在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将 ；(A 、升高 B 、不变 C 、减小）这时，二极管的导通角将 （A 、增大 B 、不变 C 、减小) 4.两级阻容耦合放大电路如图所示。设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。 1）若输出电压波形出现了顶部失真的原因是第一级静态工作点不合适，则第一级产生了 ____，（A 、饱和失真，B 、截止失真)为消除该失真，可调整Rb12，使其阻值____。（C 、增加,D 、减小） 2）若输出电压波形出现了顶部失真的原因是第二级静态工作点不合适，则第二级产生了____，（A 、饱和失真，B 、截止失真）为消除该失真，可调整Rb2，使其阻值____。（C 、增加，D 、减小) 5. 试根据图示的反馈放大电路,试选择正确答案填空： 1）若R7增大，则________。（A 、交流负反馈增强， B 、交流负反馈减弱， C 、不影响反馈深度, D 、使静态工作点不稳定) 2）在正常放大条件下,若R4增大，则_________.（ A 、电压放大倍数增大, B 、电压放大倍数减小， C 、电压放大倍数变化不大） 6. 阻容耦合放大电路引入负反馈后________________。 A 、只可能出现低频自激, B 、只可能出现高频自激, C 、低、高频自激均有可能出现. 7. 在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将____ ;(A 、升高 B 、不变 C 、减小) 这时，二极管的导通角将____ .（A 、增大 B 、不变 C 、减小) 8. 功率放大电路的最大输出功率是（ )； A 、负载获得的最大交流功率 B 、电源提供的最大功率 C 、功放管的最大耗散功率 9. 功率放大电路与电流放大电路的共同之处是（ ）; A 、都放大电压 B 、都放大电流 C 、都放大功率 10。 功放管的导通角最大的电路是（ ）. B 、甲乙类功率放大电路 C 、乙类功率放大电路 二、填空题 （10小题，共20分) 1．已知某两级大电路的第一级电压放大倍数为100倍，第二级电压放大倍数为10倍,则总电 压放大倍数为________________倍，换算为对数电压增益为________________dB. 2．某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V ，在输入电压不变的情况下接入3的负载 电阻，输出电压下降到3V ，说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 3．在图(a ） 、（b)所示电路中，A 为理想运算放大器，其输出电压的最大幅度为12V 。已知输 入电压、如表所示，请将与它们对应的输出电压、的值填入表内。 4．在如图所示全波整流电路中，已知变压器次级电压有效值，变压器的内阻和二极管的正向 电压均可忽略不计,负载电阻R L =300 。 1)输出电压的平均值 V,负载电阻上的电流平均值 mA ； 2）考虑到电网电压波动范围为，在选择二极管时，其最大整流平均电流应 大于 mA ，最高反向工作电压应大于 V 。 5。由理想集成运放A 组成的反馈放大电路如图所示，试填写下列各问题中的空格。 1)欲使该电路的，则应将电路中的电阻元件___________短路。 2）欲使该电路的，则应将电路中的电阻元件____________开路。 6. 分别选择一种滤波器填写下列各空 (A 、低通， B 、高通, C 、带通， D 、带阻， E 、全通）。 1) 的直流电压放大倍数就是它的通带电压放大倍数。 2） 在和时的电压放大倍数都等于零. 《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等 《模拟电子技术》试卷（A卷） 一、填空题（本题共5小题，每小题4分，共 20 分） 1. 多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合 方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。 2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。由此 可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。 3. 硅二极管导通压降的典型值是 V、锗二极管导通压降的典型值是 V；NPN型管的集电 极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。 4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截 止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。 5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增 大，称为反馈。放大电路通常采取反馈。 6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的 调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。 二、判断正、误题（本题共10小题，每小题1分，共10分） 1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（） 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。（） 4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。（） 5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。（） 6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。（） 7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。（） 8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。（） 9. 共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（） 10. 若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。（） 模拟试卷一一、填空16分1．半导体二极管的 主要特性是___________ ;2．三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置;3．当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ ;4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈;5．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______;这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真;6．在串联型稳压电路中,引入了——负反馈；为了正常稳压,调整管必须工作在____区域;二、选择正确答案填空24分 1．在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V, V,则这只三极管是 ; A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示,该管为 ; A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的 ; A．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV; B．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV; C．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV; D．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV; 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 ; A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应 ; A．减小C,减小Ri B．减小C,增大Ri C．增大C,减小Ri D．增大C,增大 Ri 6．如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为 ;A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部 分电路组成,即RC串并联选频网络和 ;A．基本共射放大电路 B．基本 共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．已知某 电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是 ;A．积分运算 电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路; 1．分别指出V1、V2的电路组态； 2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路； 3．计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro;12分 四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = 10分 模拟电子技术基础 A卷 院系：_______________________________ 专业：_________________________________ 班级：_______________________________ 任课教师：_____________________________ 姓名：_______________________________ 学号：_________________________________ 考试说明 1. 2. 本试卷包含5个大题，29个小题。全卷满分100分，考试用时120分钟。 一、选择题（选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D。本大题共20分，共计10小题，每小题2分） 1. 分析图示电路，选择正确答案填空。 1．在级间反馈电路中________________。 A．只有直流反馈而无交流反馈，B．只有交流反馈而无直流反馈， C．既有直流反馈又有交流反馈，D．不存在实际的反馈作用。 2．这个反馈的组态与极性为________________。 A．电压并联负反馈，B．电压并联正反馈，C．电流并联负反馈，D．电 流串联负反馈，E．电压串联负反馈，F．无组态与极性可言。 2. 正弦波振荡电路如图所示，集成运放A具有理想特性，电阻R2＝10kΩ，R1的阻值分别下列三种情况时，试选择正确答案填空： 1．R1＝10kΩ＋4.7kΩ（可调）；（） 2．R1＝18kΩ＋4.7kΩ（可调）；（） 3．R1＝47kΩ＋4.7kΩ（可调）。（） R A.能振荡，且u O波形较好 B.能振荡，且u O波形不好 C.不振 3. 多级放大电路如图所示。试选择正确的答案填空。 1．VT1构成放大电路组态； 2．VT2构成放大电路组态； 3．VT3构成放大电路组态。 A.共射 B.共集 C.共基 4. 在图示方波发生器中，已知A为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为 12V。现有下列不同情况： 选择填空：将产生不同测试结果的原因填入空内： 1．输出电压峰-峰值为12V；（） 2．电路不产生振荡；（） 3．输出电压峰-峰值比正常工作时增大。（） 昆 明 理 工 大 学 试 卷 （A ） 考试科目： 考试日期： 命题教师： 一、单项选择题：(本大题共12小题，每小题2分，总计24分) 1、电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R = 4k ，电位 u A =1V ，u B =3V ，则电位u F 等于（ ）。 2、电路如图所示，已知D Z 正向压降为0.7V ，图中与之并联的锗管正向压降为0.3V ，若u i < 0，则输出u o =（ ）。 3、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线是由一个固定的（ ）确定。(a) I C (c) I B (d) I E 4、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V E =6V ，V B = 5.3V ，V C = 0V ，则该管为（ ）。 (a) PNP 型 锗 管 (b) NPN 型 锗 管 (c) PNP 型 硅 管 (d) NPN 型 硅 管 5、电路如图所示，晶体管处于（ ）。 (a) 1 V (b) 3 V (c) 12 V (a) -5V (b) -0.3V (c) -0.7V 6、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，此管子的GS(off)U 约为（ ）。 7、高通滤波电路可以用于（ ）。 (a) 滤除高于某一频率的无用信号 (b) 滤除高于某一频率的有用信号 (c) 阻止低于某一频率的无用信号通过 8、电路如图所示，u i =2V ，负载电流i L 与负载电阻R L 的关系为( ) 。 (a) R L 增加，i L 减小 (b) i L 的大小与R L 的阻值无关 (c) i L 随R L 增加而增大 9、在差动放大电路中，单端输入-双端输出时的差模电压放大倍数( )。 (a) 是双端输入-双端输出的差模电压放大倍数的一半 (b) 等于双端输入-双端输出的差模电压放大倍数 (c) 等于单端输入-单端输出时的差模电压放大倍数 10、电路如图所示，若参数选择合理，要满足振荡的相应条件，其正确的接法是 （ ）。 (a) 饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态 (a) 0V (b) ＋2V (c) －2V (d) －1V β 模拟电子技术试卷〔第 2 套〕 一、填空题〔除 6 题外，每空 1 分，共 20 分〕 1．稳压管是一种特别的二极管，它工作在 状态. 2. 甲类、乙类和甲乙类放大电路中， 电路导通角最大； 电路效率较高； 电路交越失真最大，为了消退交越失真而又有较高的效 率一般电路 。 3. 直接耦合放大电路存在 现象。 4. 图 1 示电路，要求到达以下效果，应当引人什么反响？ （1） 期望提高从b1 端看进去的输入电阻，接Rf 从 到 ； （2） 期望输出端接上负载RL 后，Uo 〔在给定 Ui 状况下的沟通电压有效值〕根本不变，接 Rf 从 到 ；〔用 A ～F 的字符表示连接点〕。 5. 集成运放内部一般包括四个组成局部，它们是 ，_ ， 和 。 6. 在图 2 示差动放大电路中，假设各三极管均有 =50，U =0.7V 。求 BE 〔1〕I CQ1 =I CQ2 = mA ；〔2 分〕 〔2〕U CQ1=U CQ2= V 〔对地〕；〔2 分〕 〔3〕Ro = K Ω 。〔2 分〕 二、OCL 电路如图3 所示，Vcc=12V，R = 8Ω，vi 为正弦电压。〔10 分〕 L 1.求在Vces = 0 的状况下，电路的最大输出功率Pmax、效率η和管耗P 。 T 2.求每个管子的最大允许管耗P 至少应为多少？ CM 三、某放大电路的频率响应如图4 所示。〔12 分〕 1.该电路的中频放大倍数|A | = ？ um 2.该电路的增益频率响应A 〔jω〕表达式如何？ U 3 ．假设已知其输出电压最大不失真动态范围为Uom = 10V ，当输入信号Ui = 0.1sin(2π⨯1.5 ⨯102 )t + 2 sin(2π⨯ 50 ⨯103 )t(V ) 时，试推断输出信号是否会失真？ 说明理由。 ，试求两级增益 四、如图5 所示电路，设各元件参数，包括T1 的gm 和T2 的β及r be 模拟电子技术试题A 一、选择题：（15*1分=15分） 1.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。 A．增大B．不变C．减小 2. 发光二极管的正常工作状态是。 A．正向导通电压0.7V B．正向导通电压1.3V以上C．反向击穿状态 3. 为了满足振荡的相位平衡条件，反馈信号与输入信号的相位差应等于——————。 A．900B．1800C．2700D．3600 4. 已知放大电路中处于正常放大状态的某晶体管的三个电极对地电位分别为V E=6V， V B=5.3V，V C=0V则该管为____。 A．PNP型锗管B．NPN型锗管C．PNP型硅管D．NPN型硅管5．有一固定偏置电路发生了双重削波失真，现欲通过改变电路参数来消除失真，可行的办法是————。 A．增大R b B．减小R c C．增大E c D．除负载6．晶体管管属于————控制型的电子元件；场效应管属于————控制型的电子元件。 A电流控制B电压控制C不受输入控制D线性 7．理想集成运算放大器工作在饱和区，当u+＞u- 时，则————。 A ．u o=+U om B．u o=-U om C ．u o=u+ D．u o=u- 8．多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益和通频带_____。 A．电压增益减小，通频带变宽B．电压增益减小，通频带变窄C．电压增益提高，通频带变宽D．电压增益提高，通频带变窄 9．基本共集放大电路，输入中频信号时，输出与输入电压的相位移为_____。 A．－180°B．－90°C．＋180°D．360° 10．放大电路产生零点漂移的主要原因是_______。 A．放大倍数太大B．环境温度变化引起器件参数变化C．外界存在干扰源 11．已为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用_________滤波器。 A．高通B．低通C．带通D．带阻 12．OTL电路输出耦合电容的作用是________。 A．隔直耦合B．相当于提供负电源C．对地旁路 13．成运算放大器是一种采用_____方式的放大电路。 A. 阻容耦合B．直接耦合C．变压器耦合 14．RC桥式振荡电路中RC串并联网络的作用是________。 A. 引入正反馈B．选频C．稳幅和引入正反馈 D.选频和引入正反馈15．相对来说，_________比较器抗干扰能力强。 A．单值B．过零C．滞回 二、填空：（15*1分=15分） 1．二极管的主要特性是具有。二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电 流会，这时二极管处于状态。 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的 最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1 u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压 u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320 dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情 况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的 1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的 约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．及甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无 交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在 ( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1 模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压为 V； 若u i1=1500µV, u i2 =500µV，则差模输入电压u id 为µV，共模输入信号u ic 为µV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小 C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 一、选择题 1. 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入_A ; A、电流负反馈 B、电压负反馈 C、直流负反馈 D、交流负反馈 2. ____________________________________________ 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为______________________________ B_____ 真，下半周失 真时为____ A ___ 真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 3. 三端集成稳压器CXX7805的输出电压是_____ A _____ A、5v B、9v C、12v D、8v 4. 两个B相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为—B—o 2 A、B B、B C、2 B D、1+ B 5. 直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是____ C ____ o A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、A、B、C 均可 6. 集成运放的互补输出级采用B A、共基接法 B、共集接法 C、共射接法 D、差分接法 7. 稳压管的稳压区是其工作在D 状态 A、正向导通 B、反向截止 C、饱和 D、反向击穿 8. 晶体管能够实现放大的外部条件是B_ o A、放射结正偏，集电极正偏 B、放射结正偏，集电极反偏 C、放射结反偏，集电极正偏 D、放射结反偏，集电极反偏 9. 测得晶体管三个电极的静态电流分别是 0.06mA, 3.66mA和3.6mA，则该管的B为A o A、60 B、61 C、100 D、50 10. 射极输出器的特点是 C o A、Au v 1，输入电阻小，输出电阻大 o B、Au > 1，输入电阻大，输出电阻小 O O 机电3+2《模拟电子技术基础》试题库3 考生须知： 1．本试卷分问卷和答卷两部分，满分100分，考试时间90分钟。 2．在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。 3．全部答案都请做在答题卷标定的位置上，务必注意试题序号与答题序号相对应，直接做在问卷上无效。 题号一二三四总分 满分30 30 10 30 100 一、填空题（每空1分，共30分） 1．PN结加正向电压时______，加反向电压时______，这一特性称为_____________。2．P型半导体中多数载流子是________，N型半导体中多数载流子是__________。 3．半导体三极管的放大作用的实质是________对________的控制作用。 4．通过整流电路后，其输出电压V o=9V，负载电流为1A，若该整流电路为半波整流电路，则二极管承受的反向电压为_______V；若该整流电路为全波整流电路，则二极管承受的反向电压为______V；若为桥式整流电路，则二极管承受的反向电压为_______V。 5．三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低，将产生_______失真，静态工作点设置太高，将产生_______失真。 6．放大电路中所谓的信号非线性失真，是指。通常的非线性失真包括失真和失真。 7．为了稳定静态工作点，可以引入______反馈，如果改变输入或输出电阻，可引入_______反馈，如果希望减小放大电路从信号源索取的电流，可采用反馈。 8．三极管的输出特性是指和之间的关系曲线。 9．已知三极管的β=99，若IB=10uA，则Ic= ，IE= 。 10. 测得某工作于放大状态的三极管各极电位如图所示，则脚是E极。 11．如图所示电路，设二极管的正向压降和反向电流均忽略不计，则二极管VD处于状态，输出电压V0为。 12．分压式偏置放大电路具有__________作用，因此受温度影响小，工作稳定，同时其输出 合肥师范学院试卷 （2011 ～ 2012 学年度第 2 学期） 课程名称 电路与模拟电子技术 考核类型 考试 A 卷 考试形式 闭 卷 答题时间 120 分钟 考试性质 期末 一、 填空题：（本大题共4小题，每空2分， 共20分） 1、功率的计算结果是正值，说明这个元件是 功率，它在电路中为 ；功率的计算结果是负值，说明这个元件是 功率，它在电路中为 。 2、正弦交流电的三要素分别为 、 、 。 3、在N 型半导体中多数载流子为 ，在P 型半导体中多数载流子为 。 4、某三极管处在放大状态,当I B =30μA 时，I C =1.8mA 则β= 。 二、 选择题（本大题共5小题，每小题2分， 共10分）。 1、当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为（ ）。 A 、Ri u = B 、Ri u -= C 、u Ri =± D 、 i R u = 2、图示结点, 电流123I 3A,I 5A,I 4A,=-==- 则4I =（ ）。 A 、2A - B 、4A C 、6A D 、12A 3、实验室中的交流电压表和电流表，其读数是交流电的（ ）。 A 、最大值 B 、有效值 C 、瞬时值 D 、平均值 4、图示为换路后的一阶电路，电路的时间常数τ=（ ）。 A 、0.5 S B 、2 S C 、3 S D 、18 S 5、晶体三极管放大的条件是（ ）。 A 、发射极正偏，集电极正偏 B 、发射极正偏，集电极反偏 C 、发射极反偏，集电极正偏 D 、发射极反偏，集电极反偏 三、 简答题（本大题共5小题，每小题6分， 共30分） 1、简述电路中U 、I 的正负与参考方向之间的关系。 2、简述串联谐振的条件和特点。 课程编号：（ELC06005） 北京理工大学 2015- 2016学年第1学期 模拟电子技术基础A 期末试题 A 卷 注：试题答案必须书写在答题纸上，在试题和草稿纸上答题无效 班级 学号 姓名 成绩 一、（20分）综合题 1.测得PNP 型三极管各电极对地电位分别为V E ＝ -4V ，V B ＝-4.7V ，V C ＝-4.6V ，说明此三极管处在 。 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.反向击穿区 2. 理想运放的开环放大倍数A od 、输入电阻、输出电阻分别为 。 A.∞ ∞ 0； B. ∞；0；∞； C. ∞；∞；∞； D.不确定 ∞ 0 3. 将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 ;将三角波转换为方波, 应选用 。 A .积分运算电路； B .微分运算电路； C .乘法运算电路；D.滞回比较电路 4. 某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。如果GS u =5V ，DS u =5V ，管子工作在 区；如果GS u =9V ，DS u =4V ，管子工作在 区。（A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区） 5.某放大电路的对数幅频特性如图1-5所示，其放大倍数的表达式为 。 图1-5 图1-6 6.在如图1-6所示电路中，变压器内阻和二极管的正向电阻均可忽略不计，电容C 取值满足R L C ＝（3～5） 2 T 。输出电压平均值()AV O U ≈ ; 若P 1开路，()AV O U ≈ 。 A. ()AV U O ≈1.2U 2； B. ()AV U O ≈0.9U 2； C. ()AV U O ≈22U ； D. ()AV U O = 0.45U 2 7.某放大电路接入一个内阻等于零的信号源电压时，输出电压为5V ，若信号源内阻增大到1K Ω，其它条件不变时，输出电压为4V ，则该放大电路的输入电阻为 。 A.1K Ω； B. 2K Ω； C. 4K Ω； D. 5K Ω 二、（10分）判断下列说法是否正确 《电子技术基础（一）》期终考试试题 （A 卷） 适用专业： 题号 一 二 三 四 五 六 总分 积分人 分数 一、名词解释：（每小题2分，共10分） 1、半导体三极管 2、射极输出器 3、电压传输特性 4、整流电路 5、稳压管 二、填空题（每空档0.5分，共20分） 1、二极管的类型按材料分有 和 两类。 2、2CW 是 材料的 二极管。 3、三极管有 、 和放大三种工作状态。 4、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。 5、在放大电路中，静态工作点过高易出现 ，静态工作点过低 易出现 。 6、三极管实现电流放大的外部条件是： ， 。 7、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻要 些，以减轻信号 源的负担，输出电阻要 些，以提高带负载的能力。 8、功放电路中，为了不失真地输出最大功率，功放管常采用 放大，功放电路是 电路。 9、放大电路级与级之间的连接方式有： 、 和直接耦合。 10、电压负反馈是稳定，反馈信号与成正比。 11、解决零点漂移最有效的办法是采用。 12、非线性比较器有和两种。 13、减法运算电路利用可以进行减法运算。 14、和运放工作在电压传输特性的非线性区，即。 15、差分放大电路中的差模输入信号表示加在两个输入端的信号电 压、。 16、OTL电路中的输出电容代替OCL电路中的。 17、深度电压负反馈运放工作在电压传输特性的。 18、单相桥式整流电路中，若变压器二次侧电压U2=100V，则负载两 端电压为V；若接入滤波电容，则负载两端电压为V。 19、常用的滤波电路有、和π形滤波。 20、桥式整流二极管中，若某个二极管虚焊，则输出只有。 21、常用的小功率直流稳压电源由电源变压器、、和 稳压电路四部分组成。 22、W78M05输出电压为，输出电流为。 三、判断题（正确的打“√”,错误的打“×”） （每题1分，共12分） 1、三极管的发射结正偏时，它必处于放大状态。（） 2、如果输入信号本身已是一个失真的正弦波，引入负反馈后不能改善 失真波形。（） 3、R C的作用是将集电极电流变化转变为电压放大。（） 4、二极管导通时，正向压降为0.7V。（） 5、分压式偏置电路接上发射极交流旁路电容C E后影响静态工作点。（） 6、放大电路接上负载后，电压放大倍数将比空载时提高。（） 7、功率放大电路中的最大输出功率是指在基本不失真的情况下，负载 上可能获得的最大交流功率。（） 8、共模反馈电阻R E能抑制零漂而不影响差模信号的放大效果。（） ------ ---------------------------------------------------------精品 文档 模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分,共20分） 1。 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 . 2。 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 . 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7。 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路. ------ ---------------------------------------------------------精 品 文档 8。 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T . 二、简答(共3小题，每小题5分,共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极; 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e,b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b ）图晶体管的β和α值. 601.06===B C I I β， 985.01≈+=β βα （各1分，共2分) 2. 电路如图3所示，试回答下列问题 (1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？f R 应 如何接入?（在图中连接） 答:应接入电压串联负反馈（1分) f R 接法如图（1分） 《模拟电子技术》试题（A卷） 一、填空题（每空1分，共20分） 1、如果按结构分类，二极管可分为型和型两种类型。 2、BJT工作在截止区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。 3、电压射极输出器的输出电阻R0的值越好。 4、为消除乙类功放的交越失真，给BJT发射结加一定的偏压，使Q点上移，摆脱 电压的影响。这时，电路工作在状态。 5、互补对称功放采用类型的两个BJT组成推挽输出器，在输入交流信号作用下，两 管工作，为使输出电压波形对称，要求两管的性能。 6、双端输出差动放大器在电路完全对称时，其共模增益为，共模抑制比为。 7、运算放大器的输出电阻越小，它带负载的能力，如果是恒压源，带负载的能力。 8、深度负反馈是指，负反馈深度等于。 9、正弦波振荡器主要由电路、电路和电路三部分组成。 二、判断题（每小题1分，共10分） 1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。（） 2、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。（） 3、BJT的β值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是β值越大越好。（） 4、集电极电阻R C的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。因此，R C的值越大，输出电压越高。（） 5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。（） 6、分压偏置电路的发射极电阻R e越大，工作点稳定性越好。但R e过大，会使BJT的V CE 减小，影响放大器的正常工作。（） 7、射极输出器的输入电流是I B，输出电流是I E，因此，具有较高的电流放大倍数。（） 8、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。（） 9、在运放电路中，闭环增益A F是指电流放大倍数。（） 10、只要满足AF=1，ϕa+ϕf=2nπ这两个条件，就可以产生正弦波振荡。 三、选择题（每小题1分，共10分） 1、PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流（）漂移电流。 a.大于 b. 小于 c. 等于 2、当环境温度降低时，二极管的反向电流（） a.不变 b. 增大 c.减小 3、测得BJT各极对地电压为V B=4V，V C=3．6V，V E=3．4V，则该BJT工作在（）状态。 a.截止 b.饱和 c.放大 4、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是（）。 a.V C＞V B＞V E b.V C＜V B＜V E c.V E＜V B＞V C d.V E＞V B＜V C南京信息工程大学《模拟电子技术基础》期末考试试卷A卷及答案
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