磁敏传感器(8篇)

磁敏传感器.

模块七磁电式传感器练习题 一、填空题： 1、霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受作用产生的结果。 2、霍尔效应在中发现的，在高纯度中表现较为显著。 3、霍尔集成元件可分为和两大类。 4、霍尔效应是指在垂直于电流方向加上磁场，由于载流子受洛仑兹力的作用，则在平行于电流和磁场的两端平面内分别出现正负电荷的堆积，从而使这两个端面出现 的现象。 5、霍尔传感器是利用原理将被测物理量转化为电势的传感器。 6、当磁头相对于磁尺不动时，仍有感应电动势输出的是静态磁头，且输出电势的幅值由 _______所决定。 7、块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时，导体内部会产生一圈圈闭合的电流，利用该原理制作的传感器称传感器；这种传感器只能测量 物体。 8、变磁阻式传感器可分为变气隙厚度的传感器、变气隙面积的传感器。其中，的传感器是线性的，的传感器是非线性的。 9、磁电式传感器是速度传感器，若测量加速度，需配用电路。 10、磁电式传感器是速度传感器，若测量位移，需配用电路。 11、磁敏三极管的工作原理是利用磁场的强弱来控制三极管的极电流增加或减小。 12、霍尔元件采用恒流源激励是为了。 13、磁电特性是指磁敏二极管在一定的条件下，磁敏二极管两端的输出电压与的关系曲线。 14、霍尔器件在额定控制电流下，无外磁场时，两个霍尔电极之间的称为不等位电势U0。 15、磁敏二极管的温度特性是指在标准测试条件下，输出电压随温度变化的规律。 16、如前所述，霍尔电势U H正比于控制电流I和磁感应强度B。在实际应用中，总是希望获得较大得霍尔电势。增加控制电流虽然能提高霍尔电势输出，但控制电流大，元件的，从而导致元件的，甚至可能烧毁元件。

传感器原理与应用习题_第5章磁电式传感器

第5章 磁电式传感器习题集与部分参考答案 5-1 阐明磁电式振动速度传感器的工作原理，并说明引起其输出特性非线性的原因。 5-2 试述相对式磁电测振传感器的工作原理和工作频率范围。 5-3 试分析绝对式磁电测振传感器的工作频率范围。如果要扩展其测量频率范围的下限应采取什么措施；若要提高其上限又可采取什么措施？ 5-4 对永久磁铁为什么要进行交流稳磁处理？说明其原理。 5-5 为什么磁电式传感器要考虑温度误差？用什么方法可减小温度误差？ 5-6 已知某磁电式振动速度传感器线圈组件（动圈）的尺寸如图P5-1所示：D1=18mm ，D2=22mm ，L=39mm ，工作气隙宽Lg=10mm ，线圈总匝数为15000匝。若气隙磁感应强度为0.5515T ，求传感器的灵敏度。 5-6 解：已知D1=18mm ，D2=22mm ，L=39mm ，Lg=10mm ，W=15000匝，Bg=0.5515T 工作气隙的线圈匝数Wg=（总匝数W/线圈长度L ）*气隙长度Lg g g W l B K 0=，2) (210D D l +=π 5-7 某磁电式传感器固有频率为10Hz ，运动部件（质量块）重力为2.08N ，气隙磁感应强度B g =1T ，工作气隙宽度为t g =4mm ，阻尼杯平均直径D CP =20mm ，厚度t=1mm ，材料电阻率m mm /1074.128?Ω?=-ρ。试求相对阻尼系数ξ=？若欲使ξ=0.6，问阻尼杯璧厚t 应取多大？ 5-8 某厂试制一磁电式传感器，测得弹簧总刚度为18000N/m ，固有频率60Hz ，阻尼杯厚度为1.2mm 时，相对阻尼系数ξ=0.4。今欲改善其性能，使固有频率降低为20Hz ，相对阻尼系数ξ=0.6，问弹簧总刚度和阻尼杯厚度应取多大？ 5-9 已知惯性式磁电速度传感器的相对阻尼系数ξ=2/1，传感器-3dB 的下限频率为16Hz ，试求传感器的自振频率值。 5-10 已知磁电式速度传感器的相对阻尼系数ξ=0.6，求振幅误差小于2%测试时的n ωω/范围。

霍尔磁敏传感器原理与应用报告

霍尔磁敏传感器原理与应用 一．引言 随着自动检测控制和信息技术的发展，对传感器的性能要求越来越高，一方面要求尽可能精确，可靠性要求高；另一方面要求价格尽可能廉价。霍尔传感器是一种理想器件。 磁敏传感器，顾名思义就是感知磁性物体的存在或者磁性强度(在有效范围内)这些磁性材料除永磁体外，还包括顺磁材料(铁、钴、镍及其它们的合金)当然也可包括感知通电(直、交)线包或导线周围的磁场。传统的磁检测中首先被采用的是电感线圈为敏感元件。特点正是无须在线圈中通电，一般仅对运动中的永磁体或电流载体起敏感作用。后来发展为用线圈组成振荡槽路的。如探雷器，金属异物探测器，测磁通的磁通计等. (磁通门，振动样品磁强计)。 霍尔传感器是依据霍尔效应制成的器件。 霍尔效应：通电的载体在受到垂直于载体平面的外磁场作用时，则载流子受到洛伦兹力的作用，并有向两边聚集的倾向,由于自由电子的聚集(一边多一边必然少)从而形成电势差，在经过特殊工艺制备的半导体材料这种效应更为显著。从而形成了霍尔元件。早期的霍尔效应的材料Insb(锑化铟)。为增强对磁场的敏感度,在材料方面半导体IIIV 元素族都有所应用。近年来，除Insb之外，有硅衬底的，也

有砷化镓的。霍尔器件由于其工作机理的原因都制成全桥路器件，其内阻大约都在150Ω~500Ω之间。对线性传感器工作电流大约在 2~10mA左右，一般采用恒流供电法。 Insb与硅衬底霍尔器件典型工作电流为10mA。而砷化镓典型工作电流为2 mA。作为低弱磁场测量，我们希望传感器自身所需的工作电流越低越好。（因为电源周围即有磁场，就不同程度引进误差。另外，目前的传感器对温度很敏感，通的电流大了，有一个自身加热问题。（温升）就造成传感器的零漂。这些方面除外附补偿电路外，在材料方面也在不断的进行改进。 霍尔传感器主要有两大类，一类为开关型器件，一类为线性霍尔器件，从结构形式（品种）及用量、产量前者大于后者。霍尔器件的响应速度大约在1us 量级。 以磁场作为媒介，利用霍尔传感器可以检测多种物理量，如位移、振动、转速、加速度、流量、电流、电功率等。它不仅可以实现非接触测量，并且采用永久磁铁产生磁场，不需附加能源。另外，霍尔传感器尺寸小、价格便宜、应用电路简单、性能可靠，因而获得极为广泛的应用。除了直接利用霍尔传感器外，还利用它开发出各种派生的传感器。 二．工作原理 1.霍尔效应 通电的导体或半导体，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。

磁敏传感器总结

磁敏传感器总结 磁敏传感器是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性而制成的传感器件。磁敏传感器一般被用来检测磁场的存在、变化、方向以及磁场强弱，以及可引起的磁场变化物理量。目前的传感器的品种很多，例如霍尔器件，磁敏二极管、三极管，半导体型磁敏电阻器件，以及AMR、GMR磁敏传感器，GMI（巨磁阻抗）传感器等。磁敏传感器的理论基础是霍尔效应或磁阻效应 1. 霍尔效应 在霍尔片（霍尔片是一块矩形半导体薄片，一般采用N型的锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成，霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。）的两端通以控制电流I，在它的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在霍尔片的另两侧面会产生与I和B的乘积成比例的电动势（霍尔电势或称霍尔电压）。霍尔电势UH，其大小可用下式表示： 式中：——霍尔常数（m3／C） I——控制电流 B——磁感应强度 d——霍尔元件厚度 令： 为霍尔元件的灵敏度。它是表征对应于单位磁感应强度和单位控制电流时输出霍尔电压大小的一个重要参数，一般要求它越大越好。KH与元件材料的性质和几何尺寸有关。由于半导体（尤其是N型半导体）的霍尔常数RH要比金属的大得多，所以在实际应用中，一般都采用N型半导体材料做霍尔元件。元件的厚度d对灵敏度的影响也很大，元件越薄，灵敏度就越高。 建立霍尔效应所需的时间很短（约10-12～10-14s），因此控制电流用交流时，频率可以很高（几千兆赫）。 2. 磁阻效应 将一载流导体置于外磁场中，除了产生霍尔效应外，其电阻也会随磁场而变化。这种现象称为磁致电阻效应 当温度恒定时，在弱磁场范围内，磁阻与磁感应强度B的平方成正 比。对于只有电子参与导电的最简单的情况，理论推出磁阻效应的表达式为： 式中

传感器第五章

第四章磁敏传感器 4-1 什么是磁敏传感器？它有哪些类型？ 答：通常把能将磁学量信号转换成电信号的器件或装置称为磁敏传感器。 按照原理主要有三大类： （1）利用半导体材料内部的载流子（电子、空穴）随磁场变运动方向这一特性而制成的而制成的传感器，代表产品有霍尔器件、磁敏电阻、磁敏二极管和磁敏晶体管等； （2）利用电磁感应原理制成的传感器，主要有电涡流传感器、磁通门磁强计、磁栅式传感器和电感线圈磁头； （3）金属膜磁敏电阻、巨磁阻抗传感器、磁致伸缩和韦甘德器件，以及核磁共振磁强计等。 4-2 什么是霍尔传感器？它有什么特点？ 答：利用霍尔效应原理将被测量磁场转换成电动势的一种磁敏传感器称为霍尔器件，又称为霍尔式传感器。 特点有：结构简单、体积小、坚固且质量轻，无触点、稳定性好、使用方便；频率响应宽、动态范围大、输出信号信噪比大；使用寿命长、可靠性高，易微型化和集成化等。 4-5 霍尔集成电路有哪几种类型？开关型霍尔集成电路有什么特点？线性型霍尔集成电路有什么特点？使用时应注意什么？霍尔传感器有哪些应用实例？ 答：霍尔集成电路有线性型和开关型两类。开关型霍尔集成电路体积小，灵敏度高，安全可靠，使用简单，安装方便。是很好的非接触式位置开关传感器。霍尔效应线性型集成电路是利用硅平面工艺,在霍尔效应基础上与放大器组合一起的集成的电路。它是一种高灵敏的磁电转换器件,线性度较好,可广泛用于位置传感、非接触测距、无触点电位器、无刷马达、磁场测量、高斯计、磁力探伤等等。下面分别介绍三种国产C S型霍尔效应线性集成

电路。 对于开关型霍尔IC，其输出端内部一般为开路集电极晶体管或开路发射极输出器形式。因此它能方便地与各种负载配接，如可直接驱动晶体管、LED、光电耦合器、单双向晶闸管和小电流继电器等，并能和TTL及CMOS数字电路、PLC输入口、固态继电器、各种交直流电子开关接口。线性霍尔集成电路有其独特优点,可适用于准礁测量,控制位置、重量、厚度及电流等。 霍尔器件的应用主要有：1、位移测量；2、功率测量；3、磁强测量仪；4、霍尔开关集成传感器的应用等。 4-8 什么是磁阻效应？磁敏电阻有哪几种类型？半导体磁敏电阻有什么特点？它是怎样工作的？磁敏电阻有哪些主要特性？磁敏电阻有哪些主要用途？ 答：将外加磁场使半导体或导体的电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻的类型有：长方形磁敏电阻、高灵敏栅格型磁敏电阻、科宾诺元件、共晶磁阻元件。特点：具有两个端子、结构简单、灵敏度高、安装方便等优点，其应用较为普遍。工作原理：当外加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的阻值相应改变，利用该变化，可精确地测试出磁场的相对位移。用半导体材料制作的磁敏电阻器、无触点电位器、模拟运算器和磁传感器等应用于测量、计算机、无线电和自动控制等方面。 4-13 设计一利用霍尔开关集成电路检测发动机转速的电路。要求当转速过高时或过低时发出警报信号。 答：系统由传感器、信号处理、显示电路和系统软件等部分组成。传感器采用霍尔传感器，负责将转速转化为脉冲信号。信号处理电路包含待测信号放大、波形变换、波形整形电路等部分，其中放大器实现对待测信号的放大,降低对待测信号的幅度要求，实现对小信号的测量；波形变换和波形整形电路实现把正负交变的信号波形变换成可被单片机接受的TTL/CMOS兼容信号。处理器采用STC89C52单片机，显示器采用8位LED数码管动态显示。

磁敏传感器的国内外现状及发展趋势

磁敏传感器的国内外现状及发展趋势The Current Situation And Tendency of Magnetic Sensor at Home and Aboard

摘要 传感器是各种仪器仪表和自动化设备的基础，尤其在当今以计算机为标志的信息社会中，传感器技术更承担着获取信息的重要任务。各种各样的磁场传感器都是为不同的磁场测量目的而设计的。磁敏传感器是将磁场信息转换成各种有用信号的装置。它是各种磁测仪器的核心。本文主要评述磁敏传感器产业的现状及可能形成产业化生产和产业性应用的磁敏传感器的发展趋势。 关键词：磁敏传感器；霍尔元件；磁场检验；产业化

Abstract Sensor is various instruments and automation equipment foundation, especially in today's computer in the information society marked more bearing, the sensor technology is an important task of obtaining information. Various magnetic field sensors for different magnetic field measurement is designed. Magnetic sensor is converted into various magnetic field information useful signal devices. It is the core of various magnetic measurement instrument.This paper summarizes the present situation of magnetic sensor industry production and industrialization and possible ChanYeXing application of the development trend of magnetic sensors Keywords：magnetic sensor, hall element, magnetic inspection, industrialization

磁敏传感器及其应用)

磁敏传感器及其应用 磁敏传感器，顾名思义就是感知磁性物体的存在或者磁性强度(在有效范围内)这些磁性材料除永磁体外，还包括顺磁材料(铁、钴、镍及其它们的合金)当然也可包括感知通电(直、交)线包或导线周围的磁场。传统的磁检测中首先被采用的是电感线圈为敏感元件，特点正是无须在线圈中通电，一般仅对运动中的永磁体或电流载体起敏感作用。后来发展为用线圈组成振荡槽路的。如探雷器，金属异物探测器，测磁通的磁通计等. (磁通门，振动样品磁强计)。 二, 霍尔传感器 霍尔传感器是依据霍尔效应制成的器件。 霍尔效应：通电的载体在受到垂直于载体平面的外磁场作用时，则载流子受到洛伦兹力的作用，并有向两边聚集的倾向,由于自由电子的聚集(一边多一边必然少)从而形成电势差，在经过特殊工艺制备的半导体材料这种效应更为显着。从而形成了霍尔元件。早期的霍尔效应的材料(锑化铟)。为增强对磁场的敏感度,在材料方面半导体IIIV 元素族都有所应用。近年来，除Insb之外，有硅衬底的，也有砷化镓的。霍尔器件由于其工作机理的原因都制成全桥路器件，其内阻大约都在150Ω~500Ω之间。对线性传感器工作电流大约在2~10mA左右，一般采用恒流供电法。硅衬底霍尔器件典型工作电流为10mA。而砷化镓典型工作电流为2 mA。作为低弱磁场测量，我们希望传感器自身所需的工作电流越低越好。（因为电源周围即有磁场，就不同程度引进误差。另外，目前的传感器对温度很敏感，通的电流大了，有一个自身加热问题。（温升）就造成传感器的零漂。这些方面除外附补偿电路外，在材料方面也在不断的进行改进。 霍尔传感器主要有两大类，一类为开关型器件，一类为线性霍尔器件，从结构形式（品种）及用量、产量前者大于后者。霍尔器件的响应速度大约在1us 量级。三，磁阻传感器 磁阻传感器，磁敏二极管等是继霍尔传感器后派生出的另一种磁敏传感器。采用的半导体材料于霍尔大体相同。但这种传感器对磁场的作用机理不同，传感器内载流子运动方向与被检磁场在一平面内。（顺便提醒一点，霍尔效应于磁阻效应是并存的。在制造霍尔器件时应努力减少磁阻效应的影响，而制造磁阻器件时努力避免霍尔效应（在计算公式中，互为非线性项）。在磁阻器件应用中，温度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制备方面，磁阻器件由于与霍尔不同，因此，早期的产品为单只磁敏电阻。由于温度漂移大，现在多制成单臂（两只磁敏电阻串联）主要是为补偿温度漂移。目前也有全桥产品，但用法（目的）与霍尔器件略有差异。据报导磁阻器件的响应速度同霍尔1uS量级。

磁敏传感器

磁敏传感器 姓名：专业班级：学号： 摘要 磁敏传感器是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性而制成的传感器件。磁敏传感器一般被用来检测磁场的存在、变化、方向以及磁场强弱，以及可引起的磁场变化物理量。目前的传感器的品种很多，例如霍尔器件，磁敏二极管、三极管，半导体型磁敏电阻器件，以及AMR、GMR磁敏传感器，GMI（巨磁阻抗）传感器等。一．国外现状 1．国外磁传感器的常见种类 就市场占有情况来看，国外磁敏传感器主要品种依然是霍尔元件、磁阻元件。近期的巨磁阻元件也有良好的发展空间。 2．外磁传感器的代表厂商： 霍尔元件：日本旭化成；日本东芝；美国Honeywell公司；美国Allogro公司。 磁阻器件：日本SONY公司；荷兰PHILIPS公司。 3．国外磁传感器的应用情况 磁敏传感器应用的最大特点是无接触测量。 霍尔元件： 磁场测量，做高斯计（特斯拉计）的检测探头。 电流检测，做电流传感器/变送器的一次元件。 直流无刷电机，用于检测转子位置并提供激励信号。 集成开关型霍尔器件的转速/转数测量。 强磁体薄膜磁阻器件： 位移传感器，主要有磁尺的线性长距离位移测量。 角位移传感器，主要用语转动角度测量，广泛应用于汽车制造业。 脉冲发讯传感器，主要用于流量检测和转速/转数测量。 半导体磁阻器件： 主要是InSb磁阻器件。 微弱磁场检测，主要用于伪钞识别。 脉冲测量，主要用于转速/转数测量。 国内现状 国内磁传感器的常见种类及其特点 目前国内磁敏传感器经过三十余年的发展，就基础器件的研究与开发情况，除巨磁阻期间存有差距以外，常用其他磁敏传感器如霍尔元件，磁阻元件等已经与国外同类产品的水平相当。市场上应用的国产磁敏传感器件的种类也与国外产品相当，依然是霍尔元件、磁阻元件。 国内磁传感器件代表厂商 霍尔元件：中科院半导体所，沈阳仪表科学研究院，南京中旭微电子公司。 磁阻器件：沈阳仪表科学研究院（汇博思宾尼斯公司） 国内磁传感器的应用情况 电流传感器：国内包括沈阳仪表科学研究院（思宾尼斯公司）、西南自动化所等二、三十家大小不同的企业在生产和销售电流传感器/变送器，其市场竞争已经白热化。该领域是国内磁敏传感器应用最早、最普及、最成熟的领域。

磁敏传感器国内外概况及其应用

磁敏传感器国内外概况及其应用 2006-4-12 9:40:05 “磁敏传感器是传感器产品的一个重要组成部分，随着我国磁敏传感器技术的发展，其产品种类和质量将会得到进一步发展和提高，进军汽车、民用仪表等这些量大面广的应用领域即将实现。国产的电流传感器、高斯计等产品日前已经开始走入国际市场，与国外产品的差距正在快速缩小。”在2006中国东北第九届国际工业博览会同期举办的自动化学会研讨会上，来自沈阳仪表科学研究院的孙仁涛教授，为前来参展的观众做了有关磁敏传感器国内外概况及其应用的介绍，可谓一场磁敏传感器技术的学术交流大会。 沈阳仪表科学研究院孙仁涛教授 会议现场 一、磁敏传感器的发展特点 1．集成电路技术的应用。将硅集成电路技术应用于磁敏传感器，制成集成磁敏传感器。 2．InSb薄膜技术的开发成功，使得霍尔器件产能剧增，成本大幅度下降。 3．强磁体合金薄膜得到广泛应用。各种磁阻器件出现，应用领域广泛。 4．巨磁电阻多层薄膜的研究与开发。新器件的高灵敏度、高稳定性，引起研制高密度记录磁盘读出头的科技人员的极大关注。 5．非晶合金材料的应用。与基础器件配套应用，大大改善了磁传感器性能。 6．Ⅲ—V族半导体异质结构材料的开发和应用。通过外延技术，形成异质结构，提高磁敏器件的性能。 二、国外磁敏传感器的现状 1．国外磁传感器的常见种类 就市场占有情况来看，国外磁敏传感器主要品种依然是霍尔元件、磁阻元件。近期的巨磁阻元件也有良好的发展空间。 2．外磁传感器的代表厂商： ·霍尔元件：日本旭化成；日本东芝；美国Honeywell公司；美国Allogro公司。 ·磁阻器件：日本SONY公司；荷兰PHILIPS公司。 3．国外磁传感器的应用情况 磁敏传感器应用的最大特点是无接触测量。 ·霍尔元件： 磁场测量，做高斯计（特斯拉计）的检测探头。 电流检测，做电流传感器/变送器的一次元件。 直流无刷电机，用于检测转子位置并提供激励信号。 集成开关型霍尔器件的转速/转数测量。 ·强磁体薄膜磁阻器件： 位移传感器，主要有磁尺的线性长距离位移测量。