三极管和场效应管 练习题2
三极管和场效应管 练习题2
一、单选题(每题1分)
1. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件
B 、电流控制电压源器件
C 、电压控制电流源器件
D 、电压控制电压源器件
2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
3. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
4. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I U
B. mA 40,V 2C CE ==I U
C. mA 20,V 6C CE ==I U
D. mA 2,V 20C CE ==I U
5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS 6. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号
B. 低频大信号
C. 低频小信号
D. 高频小信号
7. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=
B. B C I I β≈
C. CEO CBO I I )1(β+=
D. βααβ=+ 8. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和
B. 截止
C. 放大
D. 无法确定
9. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 无法确定
10. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOS
B. 耗尽型NMOS
C. 增强型PMOS
D. 增强型NMOS
11. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>
B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>
C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>
D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>
12. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管
D. 三极管和二极管
二、判断题(每题1分)
1. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。
2. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
3. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
4. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
5. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。
6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。
9. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 10. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。 11. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
12. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
三、填空题(每题2分)
1. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为
2.1毫安，则该三极管的β约为 ；α约为 。
2. 当u gs =0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管。
3. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。
4. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。
5. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。
6. β反映 态时集电极电流与基极电流之比；β反映 态时的电流放大特性。
7. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。
8. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，CBO I 会 ，导通电压会 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管工作于 区 。 11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径。 12. 某三极管的极限参数mA 20CM =I 、mW 100CM =P 、V 20(BR)CEO =U 。当工作电压V 10CE =U 时，工作电流I C 不得超过 mA ；当工作电压V 1CE =U 时， I C 不得超过_____ mA ；当工作电流mA 2C =I 时， U CE 不得超过 V 。
13. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。
14. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_______和
15. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得I A =2mA ，I B =0.04m A ，I C =2.04mA ，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极；为 型管；=β 。
16. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。
17. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
四、计算分析题(每题5分)
1. 场效应管电路如图所示，已知)mV (sin 20i t u ω=，场效应管的mS 58.0m =g 试求该电
路的交流输出电压u o 的大小。
2. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS （off ）、I DSS ；对于增强型管求出U GS （th ）。
3. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS （off ）、I DSS ；对于增强型管求出U GS （th ）。
4. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B 、I C 、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。
5. 三极管电路如图所示，已知三极管的80=β， U BE （on ）=0.7V ，r bb′=200Ω，输入信号)mV (sin 20s t u ω=,电容C 对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工作点参数I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（2）画出电路的微变等效电路，求u BE 、i B 、i C 和u CE 。
6.图中三极管均为硅管，试求各电路中的I C、U CE及集电极对地电压U O。
7.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
8.三极管电路如图所示，已知β=100，U BE（on）=0.7V，试求电路中I C、U CE的值。
9.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
10.场效应管的输出特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS（off）、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。
模电三极管练习题
第二章三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1= 6.5V,U2= 7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 11.在正常工作范围内，场效应管极无电流 12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。 13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。 14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。 16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区，要求（） A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域？（） A 可变线性区 B 截止区 C 饱合区 D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=3.3V，V E=3V，V B=3.7V，则该管工作在（） A．饱和区B．截止区 C．放大区D．击穿区 5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。 A．U CE=15V，I C=150 mA B．U CE=20V，I C=80 mA C．U CE=35V，I C=100 mA D．U CE=10V，I C=50mA 6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）
经典三极管与场效应管的比较
第2章晶体三极管和场效应管 教学重点 1 ?掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。 2 ?熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要参 数及温度对参数的影 响。 3?了解MOS 管的工作原理、特性曲线和主要参数。 教学难点 1 ?晶体三极管的放大作用 2 ?输入、输出特性曲线及主要参数 学时分配 序号 内 容 学时 1 2.1晶体三极管 4 2 2.2场效应管 4 3 本章小结与习题 4 本章总课时 8 2.1晶体三极管 晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特点：管内有两种载流子参与导电。 2.1.1三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1 ?三极管的外形：如图 2.1.1所示。 2 ?特点：有三个电极，故称三极管。 3?三极管的结构：如图 2.1.2所示。 晶体三极管有三个区一一发射区、 基区、集电区； 两个PN 结一一发射结（BE 结）、集 电结（BC 结）； 三个电极一一发射极 e （ E ）、基极 图2.1.2 三极管的结构图 图2.1.1三极管外形 雄対箱革极集电姑 坯射纬UK 堆电紬
b(B)和集电极c(C)； 两种类型一一PNP 型管和NPN 型管。 工艺要求： 发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。 二、 晶体三极管的符号 晶体三极管的符号如图 2.1.3所示。 箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号：V 三、 晶体三极管的分类 1 .三极管有多种分类方法。 按内部结构分：有 NPN 型和PNP 型 管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大 功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。 2 .国产三极管命名法：见《电子线路》 P 249附录二。 例如：3DG 表示高频小功率 NPN 型硅三极管；3CG 表示高频小功率 PNP 型硅三极 管；3AK 表示PNP 型开关锗三极管等。 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式 一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号； 工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压, 集电结加反向电压。 如图2.1.4所示：V 为三极管，G C 为集电极电源，G B 为基极电源，又称偏置电源， R b 为基极电阻，R c 为集电极电阻。 二、晶体三极管在电路中的基本连接方式 如图2.1.5所示，晶体三极管有三种基本连接方式： 共发射极、共基极和共集电极接 法。最常用的是共发射极接法。 但八PIS 型 (b) 型 图2.1.3 三极管符号 图2.1.4 三极管电源的接法
(完整版)第二章三极管练习题
第二章练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件。 4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。 8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的 型的三极管。 9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 二、选择题： 1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。 A、V BE>0,V BE
最新第二章基本放大电路习题答案
2-2 电路如图2-35所示，已知V CC =12 V ，R C =2 k Ω，晶体管的β=60，U BE =0.3 V , I CEO =0.1 mA ,要求： (1) 如果欲将I C 调到1.5 mA,试计算R B 应取多大值？(2) 如果欲将U CE 调到3 V ，试问R B 应取多大 值？ 图2-35 题2-2图 解：1）C B 1.5I βI mA == B 0(12)0.3 1.5/600.025B I mA R ---=== 所以B 468R k =Ω 2）C 3 123 4.5210 I mA -= =?，B 0(12)0.34.5/600.075B I mA R ---===所以B 156R k =Ω 2-3 电路图2-36所示，已知晶体管的β=60，r be k =1Ω，BE U =0.7 V ，试求：(1)静态工作点 I B ，I C ，U CE ；(2) 电压放大倍数；(3) 若输入电压 mV sin 210i t u ω=，则输出电压U o 的有效值为多少? V 图2-36 题2-3图 解：1）计算电路的静态工作点： B 120.7 0.04270 I mA -= = C B 0.0460 2.4I I mA β==?= CE 12 2.43 4.8U V =-?= 2)对电路进行动态分析 o L u i be 6031801 U βR A U r '-?= =-==- 3）0180101800u i U A U =?=?=V 所以输出电压的有效值为1800V 1.放大器中的信号是交、直流共存的。交流信号是被放大的量；直流信号的作用是使放大器工作在放大状态，且有合适的静态工作点，以保证不失真地放大交流信号。 2.若要使放大器正常地放大交流信号，必须设置好工作状态及工作点，这首先需要作直流量的计算；
二极管,三极管部分习题集
模拟电子技术部分习题及答案 ——直流稳压电源项目 一、二极管与三极管的基础知识 二极管习题 一、熟悉概念与规律 1．半导体 2．P型半导体 3．N型半导体 4．PN结 5．单向导电性 6．整流二极管 7．稳压二极管 8．发光二极管 9．开关特性 10．三极管 11．三极管的饱合特性 12．三极管的截止特性 13．三极管的放大特性 二、理解与计算题 1．当温度升高时，二极管的正向压降_ 变小，反向击穿电压变小。 2．硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C——调压限流）。 A、提供偏流 B、仅限流电流 C、兼有限流和调压两个作用 3. 有两个2CW15 稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极 并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B—— 7.5V）。 8V；B、7.5V；C、15.5V 4．稳压管DW稳压值为5.3V，二极管VD正向压降0.7V，当VI 为12V时，DW和VD 是否导通，V0 为多少？R电阻的作用。
答：DW和VD 不导通，V0 为5.3V，R电阻的作用是分压限流。 5．下图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？（） 6．在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将_____。 A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA 7．图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。 8．图所示的电路中，Dz1 和Dz2 为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V 和7V，且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo 为_______。 9．二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的 ____________和反映反向特性的____________。 10．图所示是一个输出6V 正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。
场效应管和三极管的区别
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor,FET）的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。 普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。 场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。 场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。 场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。 场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系
数小，适用于低噪声放大器的前置级。 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3．场效应管栅极几乎不取电流（ig?0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。 6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 8。三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现在的用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。 场效应管G极必须有一个对地的放电电阻，不然上电就烧，而三极管基极不需要 在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管; 而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管. 晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计： 晶体管：基极发射极集电极 场效应管：栅极源极漏极 要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)，场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
A09T,AO9T场效应管三极管PL4009
Symbol Typ Max 659085125R θJL 4360Maximum Junction-to-Lead C Steady-State °C/W Thermal Characteristics Parameter Units Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s R θJA °C/W Maximum Junction-to-Ambient A Steady-State °C/W
Symbol Min Typ Max Units BV DSS 30 V 1T J =55°C 5I GSS 100nA V GS(th)0.7 1.1 1.4 V I D(ON) 30 A 22.828T J =125°C 323927.333m ? 43.352 m ?g FS 10 15S V SD 0.71 1V I S 2.5 A C iss 823 1030pF C oss 99pF C rss 77pF R g 1.2 3.6?Q g 9.7 12nC Q gs 1.6nC Q gd 3.1nC t D(on) 3.3 5ns t r 4.87ns t D(off)26.340ns t f 4.16ns t rr 1620ns Q rr 8.9 12nC THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. Gate resistance V GS =0V, V DS =0V, f=1MHz Turn-Off Fall Time Maximum Body-Diode Continuous Current Input Capacitance Output Capacitance Turn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERS I F =5A, dI/dt=100A/μs V GS =0V, V DS =15V, f=1MHz SWITCHING PARAMETERS Total Gate Charge V GS =4.5V, V DS =15V, I D =5.8A Gate Source Charge Gate Drain Charge Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime V GS =10V, V DS =15V, R L =2.7?, R GEN =3? m ?V GS =4.5V, I D =5A I S =1A,V GS =0V V DS =5V, I D =5A R DS(ON) Static Drain-Source On-Resistance Forward Transconductance Diode Forward Voltage I DSS μA Gate Threshold Voltage V DS =V GS I D =250μA V DS =24V, V GS =0V V DS =0V, V GS =±12V Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS Parameter Conditions Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery Charge I F =5A, dI/dt=100A/μs Drain-Source Breakdown Voltage On state drain current I D =250μA, V GS =0V V GS =2.5V, I D =4A V GS =4.5V, V DS =5V V GS =10V, I D =5.8A Reverse Transfer Capacitance A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t ≤ 10s thermal resistance rating. B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature. C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient. D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80 μs pulses, duty cycle 0.5% max. E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The SOA curve provides a single pulse rating. Rev 4 : June 2005
模拟电子技术基础第二章练习题
注意：答案仅供参考！ 一、填空题 1. 半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于 电压控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大； 若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态lc 偏小;产生饱和失真 的原因是lc 偏大；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 5. 静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6. 静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7. 对于下图所示电路，设 V cc =12V ，R b =510k Q, R=8 k Q ，V B E =0.7V ，V C E （sat ）=0.3V, 当B =50,静态电流I BG 22卩A ，I CQ F 1.1mA ，管压降V C E = 3.2V ;若换 上一个当B =80,静态电流 I BCF 22卩A ， lcd=2mA V C E =4V,则电路中的 R= 282.5 k Q T —v cc 汁A 叫 l cc= 1.46mA ，管压降 V C EC F V cc =12V ，三级管B =50，V B E =0.7V ，若要求静态电流 ，R= 4 k Q o 8.对于下图所示电路，设 饱和状态。
9. 对于下图所示电路，已知V C C=12V,嘉=27 k Q, R=2 k Q ,R e=1 k Q ,V BE=0.7V,现要求静态电流l cd=3mA贝U F b2= 12 k Q 。 10. 已知图示的放大电路中的三级管B =40, V BE=0.7V,稳压管的稳定电压V Z=6V, 则静态电流I B Q= 0.275mA ，I c(= 11mA ，管压降V C E= 3V 。 11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 大_，穿透电流I CEO增加：当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 12. 若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波 形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的l CBO、V BE和B 三个参数的变化,引起工作点上移；输出波形幅度增大，则是因为B 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。
三极管练习题
第二章 基本放大单元电路 一、填空题 1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（ 基区 ）区很薄；（ 发射 ）区的多数载流子浓度很高；（ 集电 ）区的面积较大。 2、三极管具有放大作用的外部条件是：（ 发射 ）结正向偏置；（集电 ）结反向偏置。 3、三极管电流放大作用是指三极管的（ ）电流约是（ ）电流的β倍，即利用（ ）电流来控制（ ）电流。 4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ，换算成电压放大倍数为（ ）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（ ）dB 。 5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K 的负载电阻后， 输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o =（ ）KΩ。 6、FET 管属于（ ）控制器件；BJT 管则可以认为是（ ）控制器件。 7、已知某基本共射放大电路V 6V ,V 4R I CEQ 'L CQ ==，现在输入一个正弦信号，若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（ ）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（ ）=（ ）。 8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图 所示。根据图填空回答下列问题： V o - + - +V CC R b R c R L V i C 1 C 2 0μA 10μA 20μA 30μA 40μA i B =50μA i C (mA) v CE (V) 1 2 3 4 5 6
（1）电源电压V CC =（）； （2）静态集电极电流I CQ =（）；静态管压降V CEQ =（）； （3）集电极负载电阻R C =（），负载电阻R L =（）； （4）放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为（）； （5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（）失真现象； （6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（）。 9、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画x。 （1）利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。（） （2）三极管的输入电阻r be 是一个动态电阻，故与静态工作点无关。（） （3）在基本共射放大电路中，为了获得较高的输入电阻，在R b 固定不变的条件下，三极管的β应该尽可能大些。（） （4）在基本共射放大电路中，若三极管的β增加一倍，则电压放大倍数也将相应增大一倍。（） （5）电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载的能力越强。（） 10、以电压控制（），属于（）控制电流型半导体器件。 11、场效应管的导电过程仅仅取决于（）载流子的运动，故称场效应管为（）晶体管；而三极管的导电过程取决于（）载流子的运动，所以称三极管为（）晶体管。 12、场效应管的栅极电流为（），所以输入电阻为（）。 13、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画x。
三极管和MOS管做开关用时的区别
三极管和MOS管做开关用时的区别 ?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 ?（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
三极管练习题
1 1三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。 2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN 结，即______和______。 3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V ,U 2=7.2V ,U 3=15V ，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。 A 、 放大 B 、截止 C 、饱和 D 、损坏 2、三级管工作在截止区，要求（ ） A 、发射结正偏，集电结正偏 B 、发射结正偏，集电结反偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 3. NPN 型三极管三个极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区 4.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ） A V C =0.3V ，V E =0V ， V B =0.7V B V C =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V D V C =2V ， V E =2V ， V B =2.7V 5.如果三极管工作在饱和区，两个PN 结状态（ ） A ．均为正偏 B ．均为反偏 C ．发射结正偏，集电结反偏 D ．发射结反偏，集电结正偏 6. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。 A 、 放大 B 、截止 C 、饱和 D 、损坏 7、工作在放大区的某三极管，如果当Ib 从12μA 增大到22μA 时， Ic 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 ( ) 。 A. 83 B. 91 C. 100 8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ） A ．Ｕc > Ub > Ue B 。Ｕc< Ub < Ue C 。Ub >Ｕc > Ue D 。Ｕc > Ue > Ub 三、判断题 1、 判断图示三极管的工作状态。 2V (c) (a) (b)
如何用万用表测量场效应管三极管的好坏.doc
如何用万用表测量场效应管三极管的好坏 导读: 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。 一、定性判断MOS型场效应管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。 二、定性判断结型场效应管的电极 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。 判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。 注意事项： （1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。 （2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。 三、晶体三极管管脚判别 三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。现在锗合金管已经少见了。这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。 1.找出基极，并判定管型（NPN或PNP）
第二章 三极管 习题一
第二章三极管习题一 一、填空（31×2=64分） 1．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，其中基区和发射区之间的PN结叫做；另一个叫做。 2．晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是。I C/I B的比值是，?I C/I B的比值叫。 3．NPN型晶体三极管的发射区是型半导体，集电区是型半导体，基区是型半导体。 4．若晶体三极管集电极输出电流I C=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则其基极电流 I B= mA；I B= mA。 5．晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管，所以热稳定性三极管较好。 6．三极管在电路中的基本连接方式有、和。 7．三极管处于放大状态时应在加电压，加电压。 8．PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。 9．晶体管实现放大作用的内部条件是发射区掺杂浓度，有利于载流子；基区很，有利于载流子通过；集电区体积，掺杂，有利于载流子。 10．三极管发射极上箭头的方向表示发射结加电压时的电流方向。 二、判断题（11×2=22分） 1．（）硅材料和锗材料都可以用来制造NPN型或PNP型三极管。 2.（）β越大的三极管，放大电流的能力越强。 3.（）I CBO称为三极管的穿透电流，选管时要求I CBO越小越好。 4.（）严格的讲，三极管当I B=0时，I C也为0。 5.（）三极管的β值与I C的大小有关，I C越大β值也越大。 6.（）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。 7.（）无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位， c极电位也总是高于b极电位。 8.（）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e 极和c极可以互换使用。 9.（）已知某三极管的射极电流 I E=1.36mA, 集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30 μA。 10.（）某三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA；当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流 放大系数β=45。 11．（）三极管共集电极组态，是以集电极为公共端，基极为输入端，发射极为输出端。 三、分析题（14分） 用万用表测得放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图所示 （1）（4分）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 （2）（2分）判断是PNP还是NPN管? （3）（6分）图上标出管子的E、B、C极 （4）（2分）估算管子的?值.
三极管开关原理与场效应管开关原理(看过就全懂了).
三极管开关原理与场效应管开关原理(看过就全懂了） 2009-07-06 02:35 BJT的开关工作原理： 形象记忆法： 对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。 假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。 所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小
阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。 如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。 在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。 如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。 如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的截止区。 如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量，这种情况就是三极管中的饱和区。但是你关小小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。 如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与Uce太大），导致不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的反向击穿。PN结的击穿又有热击穿和电击穿。当反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率，直至PN结过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿的过程是可逆的，当加在PN结两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两类，一般两种击穿同时存在。电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主。电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相
二极管与三极管练习
二极管、三极管练习 一、是非题：（8分） （）1、二极管是根据PN结的单向导电特性制成的，因此，二极管也具有单向导电性。 （）2、二极管的电流—电压特性关系可大概理解为反向偏置导通、正向偏置截止。 （）3、用万用表识别二极管的极性时，若侧的是二极管的正向电阻，那么和标有“+”号的测试笔相连的是二极管的正极，另一端是负极。 （）4、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（）5、晶体管由两个PN结组成，所以，能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。 （）6、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。 （）7、发射结处于正向偏置的晶体管，一定是工作在放大状态。 （）8、既然晶体管的发射区和集电区是由同一种类型的半导体构成，故E极和C极可以互换使用。 二、选择题：（20分） 1、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管（）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 2、如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管（）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 3、用万用表电阻档测量小功率二极管的特性好坏时，应把电阻档拨到（）。 A、R*100或R*1000档 B、R*1档 C、R*10K档 4、用万用表电阻档测试二极管的电阻时，如果用双手分别捏紧测试笔和二极管引线的接触处，测得二极管正、反向电阻，这种测试方法引起显著误差的是（）。 A、正向电阻 B、反向电阻 C、正、反向电阻误差同样显著 D、无法判断 5、当晶体管的两个PN结都反偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 6、当晶体管的两个PN结都正偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 7、当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 8、当晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。 A、随基极电流的增加而增加 B、随基极电流的增加而减小 C、与基极电流变化无关，只取决于U CC和R C
如何识别场效应管晶体管的管脚
如何识别场效应晶体管的管脚？ 新闻出处：电子市场发布时间：2008年09月02日 测量场效应晶体管的管脚可以用万用表R X 1K电阻挡位进行测试。试探结型场效应管的哪个管脚为栅极的方法是：将万用表中的红表笔接一个管脚，黑表笔分别去接另外两个管脚。如果两次测出的结果相同，所测的阻值都很大或所测的阻值都很小，则可判断出红表笔所测的管脚为栅极。 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方
三极管基础练习题
三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是____和 ______。 8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 11.在正常工作范围内，场效应管极无电流 12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和 _________。 13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。 16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区，要求（） A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（） A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（） A．饱和区B．截止区 C．放大区D．击穿区