三极管参数对照表
常用高清行管和大功率三极管主要参数表
常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。 在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管
三极管的基础知识及参数对照表
[知识学堂] 三极管的基础知识及参数对照表双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空 穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的效果下到达集电区，形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小，所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大效果。 常用中小功率三极管参数表： 型号材料与极性Pcm( W) Icm(mA ) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G
三极管型号参数查询大全
三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFU02050V15A42W**NMOS场效应IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W**NMOS场效应IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应IRFP460500V20A250W**NMOS场效应IRFP450500V14A180W**NMOS场效应IRFP440500V8A150W**NMOS场效应IRFP353350V14A180W**NMOS场效应IRFP350400V16A180W**NMOS场效应IRFP340400V10A150W**NMOS场效应IRFP250200V33A180W**NMOS场效应IRFP240200V19A150W**NMOS场效应IRFP150100V40A180W**NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFP140100V30A150W**NMOS场效应IRFP05460V65A180W**NMOS场效应IRFI744400V4A32W**NMOS场效应IRFI730400V4A32W**NMOS场效应IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应IRFD12380V 1.1A1W**NMOS场效应IRFD120100V 1.3A1W**NMOS场效应IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W**NMOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W**NMOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W**NMOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W**NMOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W**PMOS场效应IRF9630200V 6.5A75W**PMOS场效应IRF9610200V1A20W**PMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF954160V19A125W**PMOS场效应IRF953160V12A75W**PMOS场效应IRF9530100V12A75W**PMOS场效应IRF840500V8A125W**NMOS场效应IRF830500V 4.5A75W**NMOS场效应IRF740400V10A125W**NMOS场效应IRF730400V 5.5A75W**NMOS场效应IRF720400V 3.3A50W**NMOS场效应IRF640200V18A125W**NMOS场效应IRF630200V9A75W**NMOS场效应IRF610200V 3.3A43W**NMOS场效应IRF54180V28A150W**NMOS场效应IRF540100V28A150W**NMOS场效应IRF530100V14A79W**NMOS场效应
S9013三极管
9013三极管 三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。s9013 NPN三极管主要用途：作为音频放大和收音机1W推挽输出。 1型号对比 s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示： 三极管引脚图 9013三极管[1] e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
三极管的主要参数
三极管的主要参数 1、直流参数 (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb 时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级. (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电 压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大. (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的 电流,它实际上是发射结的反向饱和电流. (4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与 基极输入的直流电流的比值,即: β1=Ic/Ib 2、交流参数 (1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流 的变化量△Ib之比,即: β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定. (2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的 变化量△Ie之比,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用 α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频 时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为: fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放 大性能的重要参数. 3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2, 这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量. (2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO. (3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO. (4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用 时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.
全系列常用三极管型号参数资料(精)
全系列常用三极管型号参数资料 编者按：这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013
全系列三极管应用参数
全系列三极管应用参数全系列三极管应用参数 名称 封装极性功耐 压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功 放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放 大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放 大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放 大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放 大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550
8550 21 PNP 高频放 大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通 用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开 关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通 用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放 大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视 放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功 放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 放 100V 2A 2W
2N5401 21 PNP 视频放 大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功 放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功 放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放 大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通 用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通
三极管的主要参数
三极管的主要参数 三极管的参数反映了三极管各种性能的指标，是分析三极管电路和选用三极管的依据。 一、电流放大系数 1．共发射极电流放大系数 （1）共发射极直流电流放大系数，它表示三极管在共射极连接时，某工作点处直流电流IC与IB的比值，当忽略ICBO时 （2）共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且UCE恒定时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔI B之比，即 管子的β值大小时，放大作用差；β值太大时，工作性能不稳定。因此，一般选用β为30～80的管子。 2．共基极电流放大系数 共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时，某工作点处IC 与IE的比值。在忽略ICBO的情况下 （2）共基极交流电流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时，在UCB 恒定的情况下，IC和IE的变化量之比，即： 通常在ICBO很小时，与β，与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。 二、极间反向电流 1．集-基反向饱和电流ICBO ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下，ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大，它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。
2．穿透电流ICEO ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为： ICEO = ICBO＋ICBO＝（1＋）ICBO GS0125 该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样，也是衡量三极管热稳定性的重要参数。 三、频率参数 频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围。 1．共射极截止频率fβ 三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段βO1／ 倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ表示。 2．特征频率fT 当三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率，称为特征频率。在fβ～fT的范围内，β值与f几乎成线性关系，f越高，β越小，当工作频率f＞fT，时，三极管便失去了放大能力。 四、极限参数 1．最大允许集电极耗散功率PCM PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗Pc大于PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计算： PCM ＝ICUCE GS0126 当已知管子的PCM 时，利用上式可以在输出特性曲线上画出PCM 曲线。 2．最大允许集电极电流ICM 当IC很大时，β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2／3（或1／2）时所对应的集电极电流为ICM当IC＞ICM时，β值已减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。
三极管的主要参数及极性判断
PNP三极管管脚图TO-92管脚图： SOT-23管脚图：
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Z304三极管的主要参数及极性判别 1．常用小功率三极管的主要参数 常用小功率三极管的主要参数，参见表B311。 2．三极管电极和管型的判别 (1) 目测法 ①管型的判别 一般，管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部颁标准，三极管型号的第二位(字母)，A、C表示PNP管，B、D表示NPN管，例如： 3AX 为PNP型低频小功率管3BX 为NPN型低频小功率管 3CG 为PNP型高频小功率管3DG 为NPN型高频小功率管 3AD 为PNP型低频大功率管3DD 为NPN型低频大功率管 3CA 为PNP型高频大功率管3DA 为NPN型高频大功率管 此外有国际流行的9011～9018系列高频小功率管，除9012和9015为PNP管外，其余均为NP N型管。 ②管极的判别 常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型，图T305介绍了三种典型的外形和管极 排列方式。
(2) 用万用表电阻档判别 三极管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下，也可 用此法判别管型。 ①基极的判别 判别管极时应首先确认基极。对于NPN管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极。 实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样)，又可确认管型。 ②集电极和发射极的判别 确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反)，观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度，大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确。 3．三极管性能的简易测量 (1) 用万用表电阻档测ICEO和 基极开路，万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反)，此时c、e间电阻 值大则表明ICEO小，电阻值小则表明ICEO大。 用手指代替基极电阻Rb，用上法测c、e间电阻，若阻值比基极开路时小得多则表明β值大。 (2) 用万用表hFE档测β 有的万用表有hFE档，按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数β，若β很小或为零，表明三极管己损坏，可用电阻档分别测两个PN结，确认是否有击穿或断路。
三极管参数代换表三极管参数大全
三极管参数代换表三极管参数大全 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) B857 70V 4A 40W BU2508A 1500V 8A 125W BU2508AF 1500V 8A 45W BU2508DF 1500V 8A 45W BU2520AF 1500V 10A 45W BU2520AX 1500V 10A 45W BU2520DF 1500V 10A 45W BU2520DX 1500V 10A 45W BU2522AF 1500V 10A 45W BU2522AX 1500V 10A 45W BU2522DF 1500V 10A 45W BU2522DX 1500V 10A 45W BU2525AF 1500V 12A 45W BU2525AX 1500V 12A 45W BU2527AF 1500V 12A 45W BU2527AX 1500V 12A 45W BU2532AL 1500V 15A 150W BU2532AW 1500V 16A 125W BU2725DX 1700V 12A 45W BU406 400V 5A 60W BU4522AF 1500V 10A 45W BU4522AX 1500V 10A 45W BU4523AF 1500V 11A 45W BU4523AX 1500V 11A 45W
BU4525AF 1500V 12A 45W BU4525DF 1500V 12A 45W BU4530AL 1500V 16A 125W BU4530AW 1500V 16A 125W BUH1015 1500V 14A 70W BUH315D 1500V 6A 44W BUT11A 1000V 5A 100W C3039 500V 7A 50W C3886A 1500V 8A 50W C3996 1500V 15A 180W C3997 1500V 20A 250W C3998 1500V 25A 250W c4242 450V 7A 40W C4288A 1600V 12A 200W C4532 1700V 10A 200W C4634 1500V 0.01A 2W C4686A 1500V 50mA 10W C4762 1500V 7A 50W C4769 1500V 7A 60W C4891 1500V 15A 75W C4897 1500V 20A 150W C4924 1500V 10A 70W C5027 1100V 50W C5039 800V 5A 30W C5045 1600V 15A 75W C5047 1600V 25A 25W C5048 1500V 12A 50W C5086 1500V 10A 50W C5088 1500V 8A 60W C5129 1500V 10A 50W C5142 1500V 20A 200W C5144 1700V 20A 200W
全系列三极管应用参数--2档
全系列三极管应用参数—2 全系列三极管应用参数 名称封装极性功耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放 40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关 80V 0.7A 0.8W
NPN和PNP作为开关管的设计技巧以及全系列三极管参数
NPN和PNP作为开关管的设计技巧以及全系列三极管参数 2.1 NPN与PNP的区别 NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。 NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。 PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC
电压值，只通过控制Ub来就可以控制三极管的导通与断开。 对比NPN与PNP可知：NPN做开关时，适合放在电路的接地端使用，如图2里面Q6； PNP 做开关时，适合放在电路的电源端使用，如图3。 我们一般使用芯片I/O口来控制LED灯，I/O口的逻辑电平一般为高电平3 V左右，低电平为0.3V左右。因此可以直接控制NPN管开关，如图2里面的Q6；一般不直接控制PNP 管，如图3。我们前控板设计LED的控制电路采用如下图2的NPN三极管对地较为合适，并且双色灯最好是使用共阳双色灯。 以双色灯的控制为例，如下图2所示 图2 双色灯的控制 图2中Q6,Q4是放在发光二极管的接地端只需要Ub>0.7V即可导通。 图3 电源的控制 图3中Q35就放在电源端，E为固定12V,只需控制B极来导通三极管。 以下是普遍用法：
三极管知识点的总结.docx
晶体三极管
晶体三极管 一．教学要求： 1 ．了解三极管的基本构造、特点、符号、型号、分类等： 1 ．前 1 、 2 个属 2 ．理解三极管电流放大作用的实质和特性曲线及主要参数：于知识方面 3 ．掌握三极管的识别和简单测试方法：的要求 2．最后 1 个属 于技能方面 的要求二．教学重点、难点分析： 1．教学重点是三极管的三个工作区域及其特点、三极管的电流放大 作用： 2．教学难点是三极管的伏-安特性 3．技能要求是掌握三极管的识别与简单测试： 三．教具： 1．晶体三极管： 2．万用表： 3．晶体管特性测试仪、双踪示波器：
四．教学过程： （一）：复习提问，引入新课： 提问3-4位 学生回答1．二极管具有哪些特性？ 2．常用的电子元器件有哪些？ （二）：新课教学： 一：三极管的结构、符号和类型： 1．结构：利用课件进行 C(集电极）C(集电极）讲解，然后总结归纳。 集电区集电区 集电结 P 集电结 N b（基极）集区b（基极）集区 P N N发射结P发射结 发射区发射区e（发射极）e（发射极）NPN型PNP型 总结：三极管的结构为：三区+ 两结 + 三电极： 三区：指发射区、基区、集电区 两结：指发射结、集电结： 三电极：指发射极、基极、集电极： 2．符号： C C B B E E NPN型PNP型
3．三极管具有放大作用的内部条件（结构特点）： 发射区很厚，掺杂浓度最高； 基区很薄，掺杂浓度最小； 集电区很厚，掺杂浓度比较高。 4．三极管的型号及其意义：发给不同规格 的三极管让学生 判别。 区别代号（用大字母表示） 半导体的序号（用数字表示） 半导体的类型（用字母表示） 半导体的材料（用字母表示） 电极数目 二：三极管的电流放大作用：用双踪示波三极管具有放大作用，必须同时满足内部条件和外部条件，内部条件器演示输入信号一般由生产厂家保证。和输出信号的差1．三极管放大的外部条件：别，加强学生的发射结正偏；感性认识，然后 集电结反偏。再进行分析。 2．三极管的电流分配关系：I e I b I c 3．三极管电流放大作用的实质： “以小控大”——以基极小电流I b控制集电极大电流I c。因 此：双极型三极管属于“电流控制器件”。 三．三极管的连接方式： 1 ．共发射极： 2 ．共集电极：3．共基极： 三张图进行 比较，注意它们输出端输出端输入端输出端 输入端输入端 之间的特点四．三极管的伏安特性曲线 （一）输入特性曲线：
三极管参数查询表共24页文档
三极管参数查询表 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W
三极管型号及参数大全
这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 S9013是NPN型三极管，放大倍数分为六级，在三极管上有标识： D级：64-91 E级：78-112 F级：96-135 G级：112-166 H级：144-220 I级：190-300 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D63328NPN音频功放开关100V7A40W达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V0. 5A0. 625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150HM Z9015 9015 21 PNP 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150MHZ 9014 901821NPN高频放大30V0.05A0.4W1000MHZ 805021NPN高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 855021PNP高频放大40V1.5A1W100MHZ8050 2N222221NPN通用60V0.8A0.5W25／200NS 2N23694ANPN开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N29074ANPN通用60V0.6A0.4W26／70NS 2N305512NPN功率放大100V15A115WMJ2955 2N34406NPN视放开关450V1A1W15MHZ2N6609 2N377312NPN音频功放开关160V16A50W 2N390421ENPN通用60V0.2A 2N290621CPNP通用40V0.2A 2N2222A21铁NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N671821铁NPN音频功放开关100V2A2W 2N540121PNP视频放大160V0.8050三极管引脚图6A0.625W100MHZ2N5551 2N555121NPN视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5401 2N568512NPN音频功放开关60V50A300W 2N627712NPN功放开关180V50A250W 901221PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 2N667812NPN音频功放开关650V15A175W15MHZ 9012贴片PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 3DA87A6NPN视频放大100V0.1A1W 3DG6B6NPN通用20V0.02A0.1W150MHZ 3DG6C6NPN通用25V0.02A0.1W250MHZ 3DG6D6NPN通用30V0.02A0.1W150MHZ MPSA4221ENPN电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 MPSA9221EPNP电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA42 MPS2222A21NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ
光敏三极管的主要技术特性及参数
光敏三极管的主要技术特性及参数 1、光谱特性 光敏三极管由于使用的材料不同，分为错光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。 2、伏安特性 光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。光敏三极管的伏安特性曲线如图下图所示。 3、光电特性 与光照度之间的关光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流I L 系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。 4、温度特性 温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。
5、暗电流I D 在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。 6、光电流I L 在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。 7、集电极一发射极击穿电压V CE 在无光照下，集电极电流IC为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。 8、最高工作电压V RM 在无光照下，集电极电流Ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。 9、最大功率P M 最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。 10、峰值波长λp 当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。 11、光电灵敏度 在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。 12、响应时间 响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 X 10-3--- 1 X 10-7S 。 13、开关时间 1.脉冲上升时间t τ:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10% - 90% 所需的时间。 2.脉冲下降时间t :以输出脉冲后沿幅度的90% - 10% 所需的时间。 t 3.脉冲延迟时间t :从输入光脉冲开始到输出电脉冲前沿的10% 所需的时间。 d 4.脉冲储存时间t :当输入光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90% 所 s 需的时间。
三极管主要参数
特征频率f T :当f= f T时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于f T,电路将不正常工作. 工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. h FE 电流放大倍数. V CEO 集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. P CM 最大允许耗散功率. 封装形式 指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现. 晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。 名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路 输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧） 输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧） 电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大 电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1） 功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝） 频率特性高频差好好 应用多级放大器中间级低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路 三极管的三种工作状态 三极管的三种工作状态（放大、截止、饱和）； 放大电路的静态、动态；直流通路、交流通路； 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。一般将IB≤0的区域称为截止区, 在图中为IB＝0的一条曲线的以下部分。此时IC也近似为零。由于各极电流都基本上等于零, 因而此时三极管没有放大作用。 其实IB＝0时, IC并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO。 一般硅三极管的穿透电流小于1μA, 在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。 当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。所以, 在截止区, 三极管的两个结均处于反向偏置状态。对NPN三极管, UBE＜0, UBC＜0。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。此时发射结正向运用, 集电结反向运用。在曲线上是比较平坦的部分, 表示当IB一定时, IC的值基本上不随UCE而变化。在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量ΔIB时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量ΔIC, 此时二者的关系为 ΔIC＝βΔIB 该式体现了三极管的电流放大作用。 对于NPN三极管, 工作在放大区时UBE≥0.7V, 而UBC＜0。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。在这个区域, 不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起, 即当UCE较小时, 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化, 这种现象称为饱和。此时三极管失去了放大作用, IC＝βIB或ΔIC＝βΔIB关系不成立。