20模拟复习-常用半导体器件
第一章常用半导体器件
1、导电性能介于导体与绝缘体之间的称之为半导体，常用的材料有硅和锗。
2、半导体中参与导电的粒子有自由电子和空穴两种。
3、半导体因其结构特点而具有热敏性、光敏性和杂敏性，其中渗入杂质对其导电性能的影响非常大
4、温度变化对本征半导体的导电性能影响较大，当温度升高时，能参与导电的粒子数目增加
5、N型半导体：在本征半导体中渗入五价元素，使得自由电子的数目大量增加，自由电子成为主要的导电方式，称为电子半导体或N型半导体
P型半导体——
6、PN结的形成过程——
PN结的单向导电性——PN结外加正向电压时，PN结电阻很小，正向电流很大，PN结正向导通，电流方向从P型区流向N型区；PN结外加反向电压时，PN结电阻很大，反向电流很小，近似为零，PN结反向截止。PN结的这种特性称为单向导电性。
7、当温度升高时，杂质半导体中少子的数量会（）
A、增加；
B、不变；
C、减少
8、如果加到PN结上的反向电压增大至一定的数值时，反向电流会突然增加，此现象称为PN 结的反向击穿，此时的电压称为反向击穿电压。
9、二极管的伏安特性:（1）当外加正向电压小于某值时，正向电流很小，几乎为零，此段称为死区，对应电压为死区电压。（2）当外加正向电压大于死区电压时，正向电流增长很快，二极管正向导通，对应电压为导通电压。（3）当二极管加反向电压并小于某电压（击穿电压）时，由少数载流子的漂移运动形成很小的反向电流，硅管为nA级，锗管为μA级，故二极管反向截止。（4）当反向电压增加到击穿电压时，反向电流将突然增大，二极管的单向导电性被破坏，二极管反向导通，造成不可恢复的损坏。
10、二极管工作温度上升10度，其反向饱和电流增加一倍，温度升高时，二极管正向特性
左移，反向特性下移
11、二极管的单向导电性——1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。
12、稳压管正常工作时加反向电压，使用时要加限流电阻
13、要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。
14、三极管的输出特性曲线——（1）放大区：在放大区I C = βI B ，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。（2）截止区：I B = 0 的曲线以下的区域称为截止区。此时I C = I CEO(很小)。集电结与发射结均反偏，I C≈ 0, U CE≈U CC 。
（3）饱和区：当U CE< U BE 时，集电结处于正向偏置(U BC> 0)，晶体管工作于饱和状态。此时集电极电流最大，元件失去放大作用，深度饱和时，管压降很小，硅管U CES ≈0.3V，锗管U CES ≈ 0.1V电流I C≈U CC/R C
当晶体三极管的管压降为0.3V时，三极管处于（）状态
A、截止；
B、放大；
C、饱和
15、N沟道增强型绝缘栅型场效应管的工作原理
（1）当栅源电压U GS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。
（2）当U GS > 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；当U GS >U GS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。U GS愈高，导电沟道愈宽。在漏极电源的作用下将产生漏极电流I D，管子导通。
16、由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在U GS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压U
，也会有漏极电流I D 产生，用I DSS表示，称为饱和漏极电流。
DS
第二章基本放大电路
1、电子电路放大的基本特征是功率放大，即负载上总是获得比输入信号大得多的电压或电
流，有时两者兼而有之
2、放大电路的组成原则：（1）静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数。
（2）动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。
（3）对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。
3、共发射极放大电路的工作特性：(1) 无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的电压
和电流:IB、UBE和 IC、UCE 。(2) 加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交流量，但方向始终不变。(3) 若参数选取得当，输出电压可比输入电压大，即电路具有电压放大作用。(4) 输出电压与输入电压在相位上相差180°，即共发射极电路具有反相作用。
4、直流通路——无信号时电流（直流电流）的通路，用来计算静态工作点。
交流通路——有信号时交流分量（变化量）的通路，用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。
5、当I B值不同时，Q的位置也不同，而I B值是通过基极电阻（偏流电阻）R B调节的。
6、当静态工作点设置过高，晶体管易进入（）区工作，造成失真。
A、截止；
B、放大；
C、饱和
当静态工作点设置过低，出现截止失真，改变（）可消除失真。
A、基极电流；
B、电源电压；
C、输入信号
7、晶体管在小信号（微变量）的情况下工作，在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。
8、晶体管输入电阻的表达式为：r be=r bb′+(1+β)26mV
I e mA
9、晶体管的微变等效：晶体管的B、E之间可用r be等效代替。晶体管的C、E之间可用一受控电流源i c= i b 等效代替。
10、计算下图等效电路的动态参数。
11、当电路不同时，计算电压放大倍数A u的公式也不同。
12、晶体管放大电路的三种接法中，只放大电压不放大电流的是（）接法
A、共发射极；
B、共集电极；
C、共基极
晶体管放大电路的三种接法中，只放大电流不放大电压的是（）接法
A、共发射极；
B、共集电极；
C、共基极
晶体管放大电路的三种接法中，电压、电流都放大的是（）接法
A、共发射极；
B、共集电极；
C、共基极
13、晶体管及场效应管的微变等效电路：
14、作业：
第三章集成运算放大电路
1、组成多级放大电路的每一个基本放大电路称为一级，级与级间的连接称之为耦合，常用的耦合方式有：直接耦合，阻容耦合，变压器耦合和光电耦合。
2、当输入信号为零时，前级由温度变化所引起的电流电压的变化会逐级放大，在输出端产生一个不为零的输出值，称为零点漂移。
3、集成运放的组成部分及作用：
（1）偏置电路：为各级放大电路设置合适的静态工作点。采用电流源电路。
（2）输入级：前置级，多采用差分放大电路。要求R i大，A d大，A c小，输入端耐压高。（3）中间级：主放大器，，其作用是使集成运放具有较强的放大能力，多采用共射或共源放大电路。，采用复合管，以恒流源作集电极负载，要求有足够的放大能力。
（4）输出级：功率级，多采用准互补输出级。要求R o小，最大不失真输出电压尽可能大，输出电压线性范围宽，非线性失真小。
4、集成运放在线性区的输出值随输入量变化，在非线性区的输出为最大输出电压，与输入值无关
5、差分放大电路在理想对称的情况下能：（1）克服零点漂移；（2）零输入零输出；（3）抑制共模信号；（4）放大差模信号。
6、差分放大电路能正常放大的是（）信号
A、共模；
B、差模；
C、直流
差分放大电路抑制的信号是（）
A、共模；
B、差模；
C、直流
7、镜像电流源的工作原理
8、交越失真：信号在零附过时两只管子均截止，输出为零产生的失真
消除：设置合适的静态工作点
要求：①静态时T
1、T
2
处于临界导通状态，有信号时至少有一只导通；②偏置电路对动态
性能影响要小。
输入信号过零时，输出端产生的失真称之为（）
A、饱和失真；
B、截止失真；
C、交越失真
9、作业
1、在放大电路中，由于电抗元件及半导体极间电容的存在，当输入信号的频率过高或过低时，放大倍数会降低，还会产生相移，说明放大倍数是频率的函数，称为频率响应或频率特性。
2、在低频段，随着信号频率逐渐降低，（）的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。
A、耦合电容；
B、极间电容；
C、外接电容
在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管的（）等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。
A、耦合电容；
B、极间电容；
C、外接电容
3、无源低、高通滤波电路工作原理
4、电容的时间常数τ：电容电压从初始值上升到稳态值的63.2%时所需的时间。
5、信号频率对放大电路的的影响：
（1）在中频段：由于耦合电容和发射极旁路电容的容量较大，故对中频段信号的容抗很小，可视作短路。三极管的极间电容和导线的分布电容很小，与负载并联，它对中频段信号的容抗很大，可视作开路。
（2）在低频段，耦合电容和发射极旁路电容的容抗较大，其分压作用不能忽略，三极管输
的容入端的电压U be比输入信号U i要小，故放大倍数降低，并产生越前的相位移。 C
O
抗比中频段还大，仍可视作开路。
（3）在高频段，耦合电容和发射极旁路电容的容抗比中频段还小，仍可视作短路。C
的容
O
抗将减小，它与负载并联，使总负载阻抗减小，在高频时三极管的电流放大系数 也下降，
产生滞后的相位移（相对于中频段）。因而使输出电压减小，电压放大倍数降低，并使 U
O
5、单管共射电路的频率响应：
中频段：C 短路，Cπ开路。
低频段：考虑C 的影响，Cπ开路。
高频段：考虑Cπ的影响，C 开路。
6、共发射极放大电路中，当工作频率为截止频率时，放大倍数会下降（）dB
A、0
B、3
C、10
共发射极放大电路中，当f=f L时，放大倍数下降3dB，同时有（）的相移。
A、-45
B、-90
C、-135
1、在电子电路中，将输出量的部分或全部通过一定的电路形式作用到输入回路，用来影响其输入量的措施称为反馈
2、根据反馈的效果可以区分反馈的极性，使基本放大电路净输入量增大的反馈称为正反馈，使基本放大电路净输入量减小的称为负反馈。
反馈量仅仅决定于输出量的物理量，而与输入量无关。
3、负反馈放大电路的工作特点：
（1）交流负反馈稳定放大电路的输出量，任何因素引起的输出量变化均将得到抑制，使电路的放大能力下降；
（2）反馈量实质是对输出量的采样，即可能来源于输出电压，也可能来源于输出电流；其数值与输出量成正比；
（3）负反馈的基本作用是将引回的反馈量与输入量相减，从而调整电路的净输入量和输出量；
（4）反馈量取自于输出电压将使输出电压稳定，取自于电流则稳定输出电流。
4、四种组态负反馈放大电路
电压串联负反馈电流串联负反馈电压并联负反馈电流并联负反馈
，表明放大倍数几乎决定于反馈网5、若电路引入深度负反馈，即1+AF≫1，则A f=1
F
络，而与基本放大电路无关。
6、理想运放工作在线性区时，U+=U−,该特性称为（）
A、虚短
B、虚断
C、虚地
理想运放工作在线性区时，I+=I−=0,该特性称为（）
A、虚短
B、虚断
C、虚地
7、负反馈对放大电路性能的影响：
（1）提高放大倍数的稳定性：放大倍数减小到，稳定性是（1+AF）倍。
（2）对输入电阻的影响：串联时，增大到原来的（1+AF）倍；并联时，减小到原来的（1+AF）分之一；
（3）对输出电阻的影响：电压负反馈时，减小到1/（1+AF）；电流负反馈时，增大（1+AF）倍；（4）引入负反馈后幅频特性变宽
（5）非线性失真减小到基本放大电路的1/(1＋AF )。
7、自激振荡：输入信号为零时，输出有一定幅值一定频率的信号，称电路产生了自激振荡；其频率
一般在低频段或高频段。
电路的自激振荡是由其自身条件决定的，不因其输入信号的改变而消除。要消除就必须破坏产生振荡的条件，而只有消除了自激振荡，放大电路才能正常的工作。
8、作业
第六章信号的运算和处理
1、集成电路特点：体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、价格低。
2、集成运算放大器的结构特点：
（1）元器件参数的一致性和对称性好；
（2）电阻的阻值受到限制，大电阻常用三极管恒流源代替，电位器需外接；
（3）电容的容量受到限制，电感不能集成，故大电容、电感和变压器均需外接；
（4）二极管多用三极管的发射结代替。
3、集成运放的开环放大倍数很大，必须加入负反馈才能使其工作在线性区
4、理想运放工作在饱和区时，因同相端与反相端输入电压不同，因此不存在（）现象
A、虚短
B、虚断
C、虚地
理想运放的输入电阻很大，因此无论工作在线性区还是饱和区，始终存在的现象是（）A、虚短 B、虚断 C、虚地
5、集成运算放大器与外部电阻、电容、半导体器件等构成闭环电路后，能对各种模拟信号进行比例、加法、减法、微分、积分、对数、反对数、乘法和除法等运算。
6、它的输出电压和输入电压的关系基本决定于反馈电路和输入电路的结构和参数，而与运算放大器本身的参数关系不大。改变输入电路和反馈电路的结构形式，就可以实现不同的运算。
7、反相比例电路的工作特点：(1) A uf为负值，即 u o与 u i 极性相反。因为 u i 加在反相输入端。(2) A uf 只与外部电阻 R1、R F 有关，与运放本身参数无关。(3) | A uf | 可大于 1，也可等于 1 或小于 1 。4) 因u–= u+= 0 ，所以反相输入端“虚地”。(5) 电压并联负反馈，输入、输出电阻低，r i = R1。共模输入电压低。
8、同相比例电路的工作特点：(1) A uf 为正值，即 u o与 u i 极性相同。因为 u i 加在同相输入端。(2) A uf只与外部电阻 R1、R F 有关，与运放本身参数无关。(3) A uf ≥ 1 ，不能小于 1 。(4) u– = u+ ≠ 0, 反相输入端不存在“虚地”现象。(5) 电压串联负反馈，输入电阻高、输出电阻低，共模输入电压可能较高。
9、积分运算电路的输出表达式：
10、微分运算电路的输出表达式：
对数运算电路的输出表达式
指数运算电路的输出表达式
11、
12、
13、无源滤波器：由电阻、电容和电感组成的滤波器。缺点：低频时体积大，很难做到小型化。
有源滤波器：含有运算放大器的滤波器
优点：体积小、效率高、频率特性好。
14、低通有源滤波工作原理
15、作业
第七章波形的发生和信号的转换
1、正弦波振荡电路：无外加信号，输出一定频率一定幅值的信号。
2、一旦产生稳定的振荡，则电路的输出量自维持，即：X0=AFX0
|AF|=1幅值平衡条件
φA+φF=2nπ相位平衡条件
|AF|>1起振条件
要产生正弦波振荡，必须有满足相位条件的f0，且在合闸通电时对于f= f0信号有从小到大直至稳幅的过程，即满足起振条件。
3、振荡电路的组成及作用：
1) 放大电路：放大作用
2) 正反馈网络：满足相位条件
3) 选频网络：确定f0，保证电路产生正弦波振荡
4) 非线性环节（稳幅环节）：稳幅
4、理想LC并联网络在谐振时呈纯（）性，且阻抗无穷大。
A、电阻
B、电容
C、电感
5、变压器反馈式振荡电路的特点：易振，波形较好；耦合不紧密，损耗大，频率稳定性不高。
电感反馈式振荡电路的特点：耦合紧密，易振，振幅大，C 用可调电容可获得较宽范围的振荡频率。波形较差，常含有高次谐波。
6、石英晶体谐振器具有非常稳定的固有频率，适用于对振荡频率稳定性要求高的电路。
7、几种常用电压比较器的工作原理、阈值电压
8、单限电压比较器
9、
利用电压比较器可将正弦波变为（）
A、余弦波
B、矩形波
C、二倍频
10、
11、窗口比较器
单限比较器的传输特性曲线是（）
（A）（B）（C）
12、集成比较器的特点：
1. 无需限幅电路，根据所需输出高、低电平确定电源电压；
2. 可直接驱动集成数字电路；
3. 应用灵活，可具有选通端；
4. 响应速度快；
5. 电源电压升高，工作电流增大，工作速度加快。
13、常见的非正弦波形：矩形波、三角波、锯齿波、尖顶波、阶梯波
14、矩形波产生电路结构与原理
15、三角波产生电路的结构与工作原理
16、波形变换电路：将一种形状的波形变换为另一种形状的波形。
电路中两个组成部分的输出互为另一部分的输入，因此会产生自激振荡。可利用基本电路实现波形的变换利用微分电路可将三角波变为方波
利用积分电路可将方波变为三角波
利用电压比较器可将正弦波变为矩形波
利用模拟乘法器可将正弦波变为二倍频
17、函数发生器：是一种可以同时产生方波、三角波和正弦波的专用集成电路。当调节外部电路参数时，还可以获得占空比可调的矩形波和锯齿波
第八章功率放大电路
1、实际电路中，往往要求放大电路的输出级输出一定的功率，以驱动负载，能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路。
2、在功放中，晶体管集电极或发射极电流的最大值接近最大集电极电流I CM，管压降的最大值接近c-e反向击穿电压U(BR)CEO，集电极消耗功率的最大值接近集电极最大耗散功率P CM。称为工作在尽限状态。
3、对功率放大电路的要求：
（1）输出功率尽可能大:即在电源电压一定的情况下，最大不失真输出电压最大。
（2）效率尽可能高: 即电路损耗的直流功率尽可能小，静态时功放管的集电极电流近似为0。
4、
5、功率放大电路的种类及特点：
变压器耦合乙类推挽：单电源供电，笨重，效率低，低频特性差。
OTL电路：单电源供电，低频特性差。
OCL电路：双电源供电，效率高，低频特性好。
BTL电路：单电源供电，低频特性好；双端输入双端输出。
6、互补对称电路是集成功率放大电路输出级的基本形式。当它通过容量较大的电容与负载耦合时，由于省去了变压器而被称为无输出变压器(Output Transformerless)电路，简称OTL电路。若互补对称电路直接与负载相连，输出电容也省去，就成为无输出电容(Output Capacitorless)电路，简称OCL电路。
OTL电路采用单电源供电， OCL电路采用双电源供电。
7、交越失真：当输入信号ui为正弦波时，输出信号在过零前后出现的失真称为交越失真。
交越失真产生的原因：由于晶体管特性存在非线性， ui < 死区电压晶体管导通不好。
克服交越失真的措施：采用各种电路以产生有不大的偏流，使静态工作点稍高于截止点，即工作于甲乙类状态。
模拟电子技术复习试题+答案
《模拟电子期末练习题》 填空题： 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷 大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流） 负反馈。 9、负反馈放大电路的放大倍数A F=（A/（1+AF）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。 10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极 性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。 13、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输 出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。 17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反 馈。 18、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。 19、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。 20、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。 21、杂质半导体有（N）型和（P）型之分。 22、PN结最重要的特性是（单向导电性），它是一切半导体器件的基础。 23、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了（反向）电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结 加的是（正向）电压。 24、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是（为发射结提供正向偏置，同时提供一个静态基极电流I B）。 ——调节基极偏流I B 25、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位（相同），有奇数级组成的多级放 大电路中，输入和输出电压的相位（相反）。 26、电压负反馈稳定的输出量是（电压），使输出电阻（减小），电流负反馈稳定的输出量是（电流）， 使输出电阻（增大）。 27、稳压二极管是利用二极管的（反向击穿）特性工作的。 28、甲类功放的最大缺点是（效率较低）； 29、多级放大电路的耦合方式有（直接耦合）、（阻容耦合）、（变压器耦合）。 30、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入（电 压串联负）反馈。 31、有源滤波器的功能是（用于小信号处理），按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、（带通滤波）、
第一章 半导体器件知识
第一章《半导体器件的基础知识》 一、填空： 1、半导体的导电能力随着（掺入杂质）、（光照）、（温度）和（输入电压和电流的改变） 条件的不同而发生很大的变化，其中，提高半导体导电能力最有效的办法是（掺入杂质）。 2、（纯净的半导体）叫本征半导体。 3、半导体可分为（P ）型半导体和（N ）型半导体，前者( 空穴)是多子，（电子） 是少子。 4、PN结加（正向电压）时导通，加（反向电压）时截止，这种特性称为（单向导电）性。 5、PN结的反向击穿可分为（电）击穿和（热）击穿，当发生（热）击穿时，反向电压撤 除后，PN结不能恢复单向导电性。 6、由于管芯结构的不同，二极管可分为（点）接触型、（面）接触型、（平面）接触型三 种，其中（点）接触型的二极管PN结面积（小），适宜半导体在高频检波电路和开关电路，也可以作小电流整流，面接触型和平面型二极管PN结接触面（大），载流量（大），适于在（大电流）电路中使用。 7、二极管的两个主要参数是（最大整流电流）和（最高反向电压）使用时不能超过，否 则会损坏二极管。 8、在一定的范围内，反向漏电流与反加的反向电压（无关），但随着温度的上升而（上升）， 反向饱和电流越大，管子的性能就越（差）。 9、硅二极管的死区电压为（0、5）V，锗二极管的死区电压为（0、2）V。 10、三极管起放大作用的外部条件（发射结正偏）和（集电结反偏） 11、晶体三极管具有电流放大作用的实质是利用（基极）电流实现对（集电极）电流的控 制。 12、3DG8D表示（NPN型硅材料高频小功率三极管）； 3AX31E表示（PNP型锗材料低频小功率三极管）。 13、三极管的恒流特性表现在（放大）区，在饱和区，三极管失去（放大）作用，集电 结、发射结均（正）偏。 14 集---射击穿电压V（BR）CEO是指（基极开路）时集电极和发射极间所承受的最大反向电 压，使用时，集电极电源电压应（＞）这个数值。 15三极管的三种基本联结方式可分为（共基极电路），（共集电极电路）和（共发射极电
常用半导体器件复习题
第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。 二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。
5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及内容一起填入横线上，每题1分） 1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。 A、五价 B、四价 C、三价 D、二价 2．在本征半导体材料中，有目的的掺入杂质后，改变了。 A、多子的浓度 B、少子的浓度 C、半导体的体积 D、PN结的导电性能3．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。 A、增大 B、不变 C、减小 D、为零
模拟电子复习资料(10)
模拟电子知识点 （一）、基本放大电路部分 1、PN结的单向导电性，二极管的伏安特性曲线 2、晶体三极管的电流放大作用的理解，三极管具有电流放大能力的偏置条件 3、三极管的输出伏安特性曲线，三个区间：饱和区、截止区和放大区，这三个区对应的偏置条件如何？ 4、基本共射极放大电路的静态分析，目的是计算三极管的静态工作点（I B 、I C 和U CE ）。理解 静态工作点的重要性。理解静态工作点不合适，会造成信号的失真，饱和失真和截止失真是怎样产生的。 5、基本共射极放大电路的动态分析，目的是计算放大电路的三个动态参数：输入电阻r i 、 输出电阻r o 以及电压放大倍数A u 。什么是输入电阻r i 、什么是输出电阻r o ，电压放大倍数A u 又是 如何定义的。 6、具体分析过程中：直流通路、交流通路和微变等效电路一定要会画。 7、三极管放大电路在基本共射极放大电路的基础上会有一些变化，比如，为了稳定静态工作点，需要使用分压偏置式交流放大电路，这里分压如何实现，其目的是什么，发射极所接的电阻起何作用？ 8、在分析三极管放大电路是，电容起何作用（耦合、旁路）？在什么情况下起作用？ 9、一般来说，放大电路在空载和负载时，电压放大倍数是不同的，能否说明为什么放大倍数不同？ 10、理解信号源的负载能力的问题，从而理解对放大电路输入电阻和输出电阻的要求。 11、掌握射极输出器的工作原理及特点，会计算分析射极输出器的静态工作点和动态参数。 12、了解多级放大电路之间的耦合方式。 （二）、集成运算放大器部分 13、集成运算放大器的特点及图形符号。 14、理想集成运算放大器的分析依据（P95），这些依据可以归纳成四个字：虚短和虚断。 15、如果用集成运算放大器对直流信号进行放大的话，一定要引入深度负反馈才行，为什么？ 16、掌握集成运算放大器电路的分析方法（基本着眼点：虚短和虚断）。 17、会利用所掌握的集成运算放大器电路的分析方法分析具体电路（比例电路、加法减法电路等）。 18、一般掌握由集成运放构成的微分器、积分器等电路的分析过程。 19、掌握由集成运放构成的电压比较器的工作原理，会绘制相应的波形。（P111的例题） （三）、电路中的反馈部分 20、掌握并理解反馈的概念（P125）。 21、什么是静输入？什么是反馈量？什么叫开环电压放大倍数？什么叫闭环电压放大倍数？闭环放大倍数与开环放大倍数之间的关系如何？ 22、什么是负反馈和正反馈？ 23、负反馈的类型有那些？并举例。一定掌握“瞬时极性法”判断正负反馈。 24、反馈类型的判断方法： 1.有无反馈的判断：（1）输入输出回路是否有共同的之路，或者（2）是否有原件跨接在输入和输出回路之间。 2．正负反馈判断：瞬时极性法 3. 电压电流反馈判断：若反馈信号直接从输出端引出，则可断定是电压反馈。具体说，对于由运放构成的电路，若反馈信号直接从运放的输出端引出，则为电压反馈，若反馈信号取自负载电阻靠近地端，则为电流反馈；对于三极管构成的放大电路，若反馈信号取自三极管的集电
模拟电子技术基础课后练习答案(国防科技大学出版社)第二章 半导体器件习题答案(大题)
习题： 一．填空题 1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。 2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利 用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。 3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导 体。N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。 4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。 5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。 6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。 7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。 8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。 9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。 10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。 11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。 12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。 13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中 题表2-1 二．选择题 1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A。 A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压 2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。 A.开路 B.短路 C.不能确定 3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。 A.增大 B.不变 C.减小 5.工作在放大区的某晶体管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为＿＿C＿＿。
模拟电子技术复习题及答案(全)
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压V o=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
(完整版)常用半导体器件选择复习题
第4章常用半导体器件-选择复习题 1．半导体的特性不包括。 A. 遗传性 B.光敏性 C.掺杂性 D. 热敏性 2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。 A.漂移运动 B. 扩散运动 C.有序运动 D.同步运动 3．N型半导体中的多数载流子是。 A.自由电子 B.电子 C.空穴 D.光子 4．P型半导体中的多数载流子是。 A.空穴 B.电子 C. 自由电子 D.光子 5．本征半导体中掺微量三价元素后成为半导体。 A.P型 B.N型 C.复合型 D.导电型 6．本征半导体中掺微量五价元素后成为半导体。 A. N型 B. P型 C.复合型 D.导电型 7．在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是。 A.扩散运动 B.漂移运动 C.有序运动 D.同步运动 8．将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来，就成为一只。 A.二极管 B. 三极管 C.电子管 D.晶闸管 9．当外电场与内电场方向相同时，阻挡层，电子不容易通过。 A.变厚 B.变薄 C. 消失 D.变为导流层 10．当外电场与内电场方向相反时，阻挡层，电子容易通过。 A.变薄 B. 变厚 C. 消失 D.变为导流层 11．PN结的基本特性是。 A.单向导电性 B. 半导性 C.电流放大性 D.绝缘性 12．晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构。 A.截止区 B. 发射区 C.基区 D.集电区 13．稳压二极管一般要串进行工作，以限制过大的电流。 A 电阻 B电容 C电感 D电源 14．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。 A．0V B．3V C．10V D．1.5V 15．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。 A．0V B．3V C．10V D．1.5V
模拟电路-期末复习资料
模拟电路—期末复习资料 一、判断题 1．构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。( ) 2.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。( ) 3. 在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 ( ) 4.由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。（ ） 5.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是输入电压幅值不变，改变频率。（ ） 6. 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。（ ） 7.反馈量仅仅决定于输出量。（ ） 8.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ） 9. 运放的共模抑制比c d CMR A A K 。( ) 10. 图题图1所示电路中，若Ce 突然开路，则中频电压放大倍数 usm A &减小。（ ） 11. 运算电路中一般均引入负反馈。（ ） 12.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比 较器灵敏度高。（ ） 13.功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。（ ）
14. 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。（） 15.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 16.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 17.当集成运放工作在非线性区时，输出电平不是高电平，就是低电平。（） 18.在稳压管稳压电路中，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。（） 19. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 20.电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。 21.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。（） 22.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点都使输出功率大于信号源提供的输入功率。（） 二、选择题 1.在本征半导体中加入( )元素可形成N 型半导体。 A.五价； B.四价； C.三价； D.不确定。 2.稳压管的稳压区是其工作在（）。 A.正向导通； B.反向截止； C.反向击穿； D. 不确定。 3. 在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（）。 A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管。 4. 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（）。
半导体器件物理复习题完整版
半导体器件物理复习题 一． 平衡半导体： 概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子： 形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子： 形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体： 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体： 对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。 7. 有效状态密度： 穴的有效状态密度。 8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度：
其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度： 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10. 11. 12. 13. 14. 本征费米能级Fi E ： 是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带中 央附近， g c v E E E =-。？ 15. 本征载流子浓度i n ： 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度00i n p n ==。硅半导体，在 300T K =时，1031.510i n cm -=⨯。 16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态： 在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征：
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件 1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解： 二极管正偏时，T D U U S e I I ≈ ， S T D I I ln U U ≈ 对于硅管：mV 6.179A 1mA 1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA 5.0mA 1ln mV 26U D =≈ 1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。 （1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？ （2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解： （1）mA 2.7e 10 1.0e I I mA 26mA 65012 U U S T D =⨯⨯=≈- （2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则 pA 107.72101.02)27(I )10(I pA 6.12101.02)27(I )67(I 3 7.31210 27 10S S 41210 2767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯= T=300k(即27℃)， 300 26q K mA 26300q K q KT )27(U T ==⨯==即 则67℃时， mA 7.716pA 107.7mA 2.7ln 8.22U ,C 10mA 7.655pA 6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV 8.22263300 26 )10(U mV 5.2934030026 )67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯= -时时 1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。试求： （1）流过二极管的直流电流；
《模拟电子技术》教案(全)
《模拟电子技术》教案（全） 模拟电子技术教案信息工程系目录第一章常用半导体器件第一讲半导体基础知识第二讲半导体二极管第三讲双极型晶体管三极管第四讲场效应管第二章基本放大电路第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理第六讲放大电路的基本分析方法第七讲放大电路静态工作点的稳定第八讲共集放大电路和共基放大电路第九讲场效应管放大电路第十讲多级放大电路第十一讲习题课第三章放大电路的频率响应第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积第四章功率放大电路第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路第十五讲改进型OCL电路第五章模拟集成电路基础第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路第十八讲集成运算放大电路第六章放大电路的反馈第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算第二十一讲负反馈对放大电路的影响第七章信号的运算和处理电路第二十二讲运算电路概述和基本运算电路第二十三讲模拟乘法器及其应用第二十四讲有源滤波电路第八章波形发生与信号转换电路第二十五 1/ 117
讲振荡电路概述和正弦波振荡电路第二十六讲电压比较器第二十七讲非正弦波发生电路第二十八讲利用集成运放实现信号的转换第九章直流电源第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路第三十一讲串联型稳压电路第三十二讲总复习第一章半导体基础知识本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。 本章学时分配本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件本讲重点1、PN结的单向导电性； 2、PN结的伏安特性； 本讲难点1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电； 2、掺杂半导体中的多子和少子 3、PN结的形成； 教学组织过程本讲宜教师讲授。用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。 主要内容1、半导体及其导电性能根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可 2/ 117
华工2020模拟电子技术随堂练习
1. 自然界中的物质不是按照导电性能分类的是（）。A．导体B．绝缘体 C．半导体D．单向导电PN结展 参考答案：D 2.(单选题) 2. 电子体温计是利用半导体的（）电子器件来测量体温。 A.热敏性 B.光敏性 C.掺杂性 D.单向导电性 参考答案：A 3.(单选题) 3. 太阳能电池是利用半导体的（）特性制造成器件。 A.热敏性 B.光敏性 C.掺杂性 D.单向导电性 参考答案：B 4.(单选题) 4. 各种半导体器件是利用半导体的（）特性制造成器件。 A.热敏性 B.光敏性 C.掺杂性 D.单向导电性 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 5.(单选题) 5. 半导体的导电能力( )。 A. 与导体相同 B. 与绝缘体相同 C. 介乎导体和绝缘体之间 D. 常温下非常高 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 6.(单选题) 6. 将PN结加适当的正向电压时，空间电荷区将( )。 A. 变窄 B.变宽 C.基本不变 D.不确定 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A
7.(单选题) 7. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。 A. 增大 B.减小 C.基本不变 D.不确定 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 8.(单选题) 8.二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降，硅二极管正向导通压降为（）。 A.0.1~0.3V B.0.3~0.5V C. 0.6~0.7V D. 0.7~1V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 9.(单选题) 9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。 A. D1和D2都导通 B. D1和D2都截止 C. D1导通，D2截止 D. D1截止，D2导通 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 10.(单选题) 10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。 A. 正向导通 B.反向截止 C. 反向击穿 D.电流为零
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题 5。1晶体二极管 一、填空题: 1．半导体材料的导电能力介于和之间,二极管是将封装起来,并分别引出和两个极。 2．二极管按半导体材料可分为和 ,按内部结构可分为＿ 和，按用途分类有、、四种。 3．二极管有、、、四种状态，PN结具有 性，即。 4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。 5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是 指。 6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。 7．硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为 V;硅二极管的死区电压约为V,锗二极管的死区电压约为 V。 8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。 9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、 和PN结的材料。 二、选择题： 1。硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( ). A。0。2-0.3V 0。6—0.7V B. 0.2—0.7V 0.3-0。6V C.0.6-0。7V 0.2-0.3V D。 0。1—0.2V 0.6-0.7V 的大小为( ). 2。判断右面两图中，U AB A. 0。6V 0.3V B。 0。3V 0.6V
C. 0.3V 0。3V D。 0。6V 0.6V 3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到( ）Ω档. A。1×10 B. 1×1000 C. 1×102或1×103 D。 1×105 4. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明（ ) . A. 内部短路 B。内部断路 C。正常 D. 无法确定 5。当硅二极管加0。3V正向电压时，该二极管相当于（ ) 。 A. 很小电阻 B。很大电阻 C。短路 D。开路 6．二极管的正极电位是—20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。 A．反偏 B．正偏 C．不变D。断路 7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（） A．增大 B．减小 C．不变D。不确定 8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法. A．正向 B．反向 C．零 9．二极管正向导通的条件是其正向电压值( ）。 A．大于0 B．大于0。3V C．大于0。7V D．大于死区电压 10．点接触型二极管比较适用于( ）。 A．大功率整流 B．小信号检波 C．大电流开关 11．面接触型二极管比较适用于（）。 A．大功率整流 B．高频检波 C．小电流开关 12．当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于（ ). A. 很小电阻 B. 很大电阻 C。短路 D。开路 三、判断题: 1．由P型半导体引出的电极是二极管的正极.（）
模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)
第一章半导体二极管及其电路 【教学要求】 本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。理想情况下，二极管相当于开关闭合与断开。介绍了二极管的简单应用电路，包括整流、限幅电路等。同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。教学内容、要求和重点见如表1.1。 表1.1 教学内容、要求和重点 【例题分析与解答】 【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示，设U im>U R,，二极管为理想，试分析电路输出电压，并画出其波形。
解：求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态，即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路，可获得输出U o的波形。本电路具体分析如下：当U i增大至U R时，二极管D导通，输出U o被U R嵌位，U o=U R，其他情况下，U o=U i。这类电路又称为限幅电路。 图1-1 【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示，若输入电压U i=7sinωt (V)，试分析并画出电路输出电压的波形。（设二极管的U on为0.7V，忽略二极管内阻）。 图1-2 解：用恒压降等效模型代替实际二极管，等效电路如图1-2(b)所示，当U i<－3.7V时，D2反偏截止，D1正偏导通，输出电压被钳制在－3.7V；当－3.7V模拟电子技术常用半导体器件复习题
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。 A. ISeU B. C.
（3）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图T1.4 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。 图T1.5 解图T1.5 六、电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？
半导体器件与集成电路技术
半导体器件与集成电路技术 是现代电子技术领域中最为重要的两个分支，它们都是电子元器件的代表，也 是现代电子设备的必备技术。本文从半导体器件的基本特性开始，讲解了半导体器件的分类和重要性；并分析了集成电路技术的优势、历史和未来发展趋势。 一、半导体器件的特性和分类 半导体器件是一种根据材料导电性质，利用PN结、MOS结和变压器隔离等结 构原理，制成的用于控制电流和电压的器件。半导体器件有很多种，可以按照结构、功能、材料等不同方面进行分类。其中，常见的半导体器件有二极管、三极管、场效应管、继电器等。 二极管是一种最基本的半导体器件，它的特点是只能单向导电。而三极管是一 种具有放大功能的器件，它的特点是能对电流进行放大和控制。场效应管是一种工作电压较低、电流控制更为直接的半导体器件。另外，继电器虽然不属于半导体器件的范畴，但其作用与半导体器件类似，也是一种可以控制电流和电压的器件。二、半导体器件的重要性 半导体器件是电子领域中不可或缺的一环，它不仅可以用于数字电路、模拟电路、计算机和通信设备中，还可以应用到电力电子领域。同时，半导体器件的出现也为许多现代科技带来了便利，比如LED灯、太阳能电池板、激光器等。 三、集成电路技术的发展历史 集成电路技术是半导体器件技术的重要发展方向。它的出现是在20世纪60年 代初期，由于半导体器件的发展和集成技术的进步，使得取代传统电路的集成电路技术得以迅速崛起。集成电路技术不仅大大缩小了电子设备的体积，还提高了数字化电子设备的性能和效率。 四、集成电路技术的优势
与离散元器件相比，集成电路技术的主要优势在于其更高的集成度和更低的功耗。其中，集成度越高，则设备越小巧、性能越强；而功耗越低，则制造成本越低、使用寿命越长、环保性也更好。 五、集成电路技术的未来发展趋势 随着智能电子设备和物联网技术的不断发展，人们对数字电子设备性能的要求 越来越高，也就需要更加高效的集成电路技术。因此，未来的集成电路技术发展趋势也将会更小、更快、更省电。例如，集成电路将会向更为复杂的多层次三维集成发展；非易失性存储器和计算机存储器的快速融合，也将会使得芯片的效率更高。 总结：半导体器件和集成电路技术作为现代电子领域中的两个重要分支，都在 不断发展和创新中。半导体器件的不断加强，也为集成电路技术提供了源源不断的动力。人们对设备体积和性能的要求越来越高，也将促使集成电路技术在未来的发展中变得更加先进和高效。
经典的20个模拟电路原理及其电路图汇总
经典的20个模拟电路原理及其电路图对模拟电 路的掌握分为二个层次：初级层次：是熟练记住这二十个电路，清楚这二十个电路的作用。 只要是电子爱好者，只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟电路。 中级层次：是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用，每个元器件岀现故障时电路的功能受 到什么影响，测量时参数的变化规律，掌握对故障元器件的处理方法；定性分析电路信号的流向，相 位变化；定性分析信号波形的变化过程；定性了解电路输入输岀阻抗的大小，信号与阻抗的关系。有了这些电路知识，您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的岀色的维修维护技师。 高级层次：是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后，只要您愿意，受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设 备的开发设计工程师将是您的首选职业。 IN TF1 Vo 桥式整流电路 1、二极管的单向导电性: 伏安特性曲线： 理想开关模型和恒压降模型: 2、桥式整流电流流向过程： 输入输出波形： 3、计算：Vo, Io,二极管反向电压。
o 电源滤波一电容滤波 电源滤波器 1、电源滤波的过程分析: 波形形成过程: 2、计算：滤波电容的容量和耐压值选择 三、信号滤波器 1、信号滤波器的作用： 与电源滤波器的区别和相同点： 2、LC串联和并联电路的阻抗计算，幅频关系和相频关系曲线。 3、画出通频带曲线。 计算谐振频率。
<^-0000 in [ ----------------- 4微分和积分电路 1、电路的作用，与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析，画岀电压变化波形图。 3、计算：时间常数，电压变化方程，电阻和电容参数的选择 3,信号滤波器 四、 微分和积分电路 a 微分电路 b 枳分电略 out <3 L 0 O out C 0 --------------_:: 佶号滤波1_帯阳｛陷波器】 尺 J -------- * 1 • 二 Vo C
半导体器件习题及答案
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1 第1章 半导体器件 一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ） 5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） 6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ） 8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ） 9、受主杂质成为离子后是负离子。（ ） 10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） 12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。（ ） 18、有人测得当U BE =，I B =10μA 。考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到 0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ） 二、选择题 (注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。