2N4400

1

)Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlu?dr?hte in 2 mm Abstand von Geh?use auf Umgebungstemperatur gehalten werden

34

Maximum ratings (T A = 25°C)Grenzwerte (T A = 25°C)2N4400, 2N4401

Collector-Emitter-voltage B open V CE040 V Collector-Base-voltage E open V CE060 V Emitter-Base-voltage

C open

V EB0 6 V Power dissipation – Verlustleistung P tot 625 mW 1)Collector current – Kollektorstrom (dc)I C 600 mA Junction temp. – Sperrschichttemperatur T j 150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur

T S

- 55…+ 150°C

Characteristics (T j = 25°C)

Kennwerte (T j = 25°C)Min.

Typ.Max.Collector saturation volt. – Kollektor-S?ttigungsspannung I C = 150 mA, I B = 15 mA I C = 500 mA, I B = 50 mA V CEsat V CEsat ––––400 mV 750 mV Base saturation voltage – Basis-S?ttigungsspannung

I C = 150 mA, I B = 15 mA I C = 500 mA, I B = 50 mA

V BEsat V BEsat

750 mV –

––950 mV 1.2 V Collector cutoff current – Kollektorreststrom V CE = 35 V, V EB = 0.4 V

I CBV

–

–100 nA Emitter cut-off current – Emitterreststrom V CE = 35 V, V EB = 0.4 V

I EBV

–

–

100 nA

1

)Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlu?dr?hte in 2 mm Abstand von Geh?use auf Umgebungstemperatur gehalten werden

35

Thermal resistance junction to ambient air

W?rmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft R thA

200 K/W 1)Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplement?re PNP-Transistoren

2N4402, 2N4403