多 MOSFET 并联均流的高稳定度恒流源研究

多MOSFET 并联均流的高稳定度恒流源研究

作者：张存凯;李正坤;陈乐;张钟华

作者机构：中国计量学院机电工程学院，杭州310018; 中国计量科学研究院，北京100013;中国计量科学研究院，北京100013;中国计量学院机电工程学院，杭州310018;中国计量科学研究院，北京100013

来源：电测与仪表

ISSN：1001-1390

年：2016

卷：053

期：012

页码：81-86

页数：6

中图分类：TM910

正文语种：chi

关键词：恒流源;高稳定度;串联负反馈;MOSFET并联均流

摘要：提出了一种基于多MOSFET并联均流的高稳定度大电流恒流源研究方案，输出电流最高可达30 A且连续可调，输出30 A时，30分钟内电流稳定度优于5 ppm。文中详细分析了恒流源基本稳流电路的工作原理，并对电路中关键元器件的选型进行了分析说明。通过高精度基准电压芯片和基于大功率精密电阻采样的电流串联负反馈方法提高系统的稳流精度，通过多只功率MOSFET并联均流工作作为调整管，实现了输出大电流的高稳定度，同时对影响功率MOSFET并联工作的因素进行了系统分析。提出的恒流源方案，对高稳定度直流电源的设计具有一定的参考价值。