电子线路习题3

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电子线路习题3

一在图一电路中，要求达到以下效果，应该引入什么负反馈将答案写在括弧内。

①提高从b1端看进去的输入

电阻；(接R F从____到____)

②减少输出电阻；(接R F从

____到____)

③希望R c3改变时，其上的

I0(在给定U i情况下的交流电流

有效值)基本不变;(接R F从____

到____)

④希望各级静态工作点基本

稳定;(接R F从____到____)

图一

;

⑤希望在输出端接上负载电阻声R L后，U0 (在给定U i情况下的输出交流电压有效值)基本不变;(接R F从____到____)

二在图二所示的电路中：

①为了提高输出级的带负载能力，减小输出电压波形的非线性失真，试在电路中引入一个级间负反馈(画在图上)：

②试说明此反馈的组态，

③若要求引入负反馈后的电压放大倍数A f ＝u0 / u i＝ 20，试选择反馈电阻的阻值。

图二

}

三在图三所示电路中；

①计算在未接入VT3且u I＝0时，VT1管的U c1Q和U EQ(均对地)。设β1＝β2 ＝ 100，U BEQl ＝U BEQ2＝，R C1＝R C2＝10kΩ，电流源I ＝;

②计算当u I＝+5mV时U Cl和U C2各是多少。给定r be＝Ω；

③如接入VT3并通过c3经R F反馈到b2，试说明b3应与c1还是c2相连才能实现负反馈;

④在以上第③小题情况下，若|AF|》1，试计算R F应是多少才能使引入负反馈后的放大倍数A uf ＝10。

,

四在图四所示的放大电路中，已知R 1

＝R2＝R5＝R7＝R8＝10kΩ，R6＝R9＝R10

＝20 kΩ：

①试问R3和R4分别应选用多大的

电阻；

②列出u0l、u02和u o的表达式；

③设u I1＝，u I2＝，则输出电压u o

=

|

图四

五写出图五(a)和(b)所示运算电路的输入输出关系。

图五

六在图六(a)电路中，已知R1＝100kΩ，R2＝R F＝200kΩ，R’= 51 kΩ，u I1和u I2的波形如图六(b)所示，试画出输出电压u o的波形，并在图上标明相应电压的数值。

图六

七图七为一波形转换电路，输入信号u I为矩形波。设运算放大器为理想的，在t＝0时，电容器两端的初始电压为零。试进行下列计算，并画出u o1和u o的波形。

?

①t＝0时，u o1＝u o＝

②t＝10s时，u o1＝u o＝

③t＝20s时，u o1＝u o＝

④将u o1和u o的波形画在下面。时间要对应并要求标出幅值，波形延长到t>30s。

图七

八在图八所示的滞回比较器电路

中，已知R1＝68kΩ,，R2＝100kΩ，

R F＝200kΩ，R＝2kΩ，稳压管的U z

＝±6V，参考电压U REF＝8V，试估算

其两个门限电平U T+和U T-，并画出滞

回比较器的传输特性。

。

图八

九在图九所示电路中：

①分析电路由哪些基本单元组成；

②设u I1＝u I2＝0时，电容上的电压U C＝0，u o＝+12V，求当u I1＝-10V，u I2＝0时，经过多少时间u o由 +12V变为 -12V；

③u o变成 -12 V后，u I2由0改为+15 V，求再经过多少时间u o由 -12V变为+12V；

?

④画出u o1和u o的波形。

图九

十在图十电路中：

①将图中A、B、C、D四

点正确连接，使之成为一个正

弦波振荡电路，请将连线画在

图上。

②根据图中给定的电路

参数，估算振荡频率f0。

③为保证电路起振，R2应

为多大

！

图十

十一在图十一中：

①要组成一个文氏电桥RC振荡器，图中的电路应如何连接(在图中画出接线) /

②当R＝10kΩ，C＝μF时b估算振荡频率f o＝(忽略负载效应)

图十一

十二在图十二中；

①估算当R w变化时U o的变化范围；

②设U I＝24V，试说明三极管VT是否能够符合调整电压的要求；

③当调整管的I E＝50mA时，其最大耗散功率P Omax出现在R w的滑动端处于什么位置处(上或下)此时P Omax值等于多少

④如果滤波电容C足够大，为得到U I＝24V，所需的变压器次级电压U2(有效值)等于多少

图十二

《电子电路基础》综合练习题及解答

北京邮电大学高等函授教育 通信技术、计算机技术专业专科（二年级） 《电子电路基础》综合练习题及解答 第一部分习题 一. 判断题（用√表示正确；用×表示不正确，并改正） （）1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。 （）2、在本征半导体中掺入少量的磷元素，可以形成N型半导体，它的多子是自由电子。 （）3、PN结内电场方向由P区指向N区，P区的电位要高于N区的电位。 （）4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。在无外加电压作用下，其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。 （）5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主，它随反向偏压的增大其值减小。 （）6、半导体二极管具有单向导电特性，它的反向电流越小，表明管子的单向导电性越好。 （）7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别，从导电特性来看，当V GS ＝0时，I D≠0为增强型管，I D＝0为耗尽型管。 （）8、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。 （）9、场效应管与晶体三极管一样，它们只有一种载流子参与导电。 （）10、所谓三极管的等效电路是对计算管子的外部交流电流、电压而言的，对管子内部来说是不等效的。 （）11、一个放大器对信号源影响要小，带负载能力要强，这就要求该放大器的输入电阻和输出电阻都要大才好。 （）12、多级放大器与单级放大器相比，通频带变宽。 （）13、串联负反馈可以减小输入电阻，而并联负反馈可以提高输入电阻。

（）14、负反馈对放大器性能改善的程度主要取决于反馈系数F，与基本放大器的开环增益无关。 （）15、电压负反馈能够稳定输出电压但升高了输出阻抗。 （）16、当输入信号存在失真时，可以采用负反馈来改善波形。 （）17、单级共射放大器幅频波特图中，高频特性的斜率为－10dB/十倍频程；相频波特图中，高频相移最大为－90°，在0.1f h和10f h之间，相位变化的 斜率为－90°/十倍频程。 （）18、理想选频网络的频率特性曲线应呈矩形，而实际选频网络的矩形系数D 值>1。 （）19、选频网络品质因数Q值的大小，表明其选择性的优劣，Q值越高表示它的选择性越好、通频带越宽。 （）20、放大器的放大倍数随信号频率变化的状况，称为放大器的频率特性，或频率响应。 （）21、恒流源电路在模拟集成电路中，常用作偏置电路和有源负载。 （）22、共模放大倍数越大，差模放大倍数越小，则共模抑制比越大，放大器的性能越好。 （）23、集成运放第一级采用差动放大器主要是为了抑制零点漂移。 （）24、理想集成运放的两个输入端之间的电压差为零。 （）25、理想集成运放的两个输入端之间的电流为无穷大。 （）26、从模拟乘法器的基本性质来看，它是线性部件。 （）27、电压放大器以放大信号电压为主；而功率放大器则以输出较大功率为主，且管子工作在大信号状态。 （）28、OCL电路中，输出电压等于电源电压时，管子的集电极耗散功率为最大。（）29、双电源无输出电容的乙类互补对称功率放大器，常称为OCL电路；单电源无变压器互补对称功率放大器，常称为OTL电路。 （）30、根据三极管的工作状态，功率放大器可以分为甲类、乙类、丙类三种类型。

高频电子线路期末考试试卷1及答案

c m i 图 2 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼

图 4 图 4

四、（15分）高频小信号调谐放大器如图5所示，其工作频率MHz f o 30=，调谐回路中的H L μ113=，100=o Q ，1212=N ，823=N ，645=N ，晶体管在直流工作点的参数ms g oe 55.0=，pF C oe 8.5=，ms g ie 2.3=，pF C ie 10=，ms y fe 58=， o fe 47-=?，0=re y 。 试求：（1）画出高频等效电路；（5分） （2）计算C ，uo A ，270??f ，1.0r K 。（10分） 图 5 五、（15分）某高频谐振功率放大器工作于临界状态，已知晶体管的()s g cr 9.0=，电源电压V V cc 18=，导通角70o θ=,输出电压幅度V U cm 16=,（注：()253.0700=o α，()436.0701=o α） 。试求： （1）直流电源cc V 提供的功率P = ；（4分） （2）高频输出功率P o ；（4分） （3）集电极效率c η；（2分） （4）回路的谐振电阻 R P ；（3分） （5）若谐振电阻 R P 为Ω50，功率放大器将工作在何种状态？（2分） 六、（10分）二极管检波器如图6所示，已知二极管的导通电阻Ω=60d r ， V U bz 0=，Ω=K R 5，F C μ01.0=，Ω=k R L 10， F C c μ20=，输入电压信号为普通调幅波，其频谱图如图7所示。 试求：（1）写出输入调幅信号的数学表达式；（2分） （2）电压传输系数d K 和等效输入电阻d i R （4分） （3）写出A u ，B u 的数学表达式；（4分） 图 6 图 7

模电期末考试题

《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。

（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。

电子线路期末试卷及答案

(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。

模电考试试题

模电考试试题 Revised by Jack on December 14,2020

选择 1、半导体二极管加正向电压时，有（A） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、三极管工作于放大状态的条件是(A ) A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（B） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 4、共模抑制比KCMR越大，表明电路（C） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 5、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（A） A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 填空 1、N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 2、集成运算放大器采用直接耦合方式放大，理想条件Rid为无穷大，R0为0

5、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 6、电流源电路特点，直流等效电阻小，交流等效电阻大 7、直流稳压电源一般由电源变压器、滤波电路、整流电路和稳压电路组成 计算 1、放大电路如图1所示,若VCC=12V，Rc=Ω，Rb=400kΩ，Re1=100Ω， Re2=2kΩ，RL=kΩ，=50, r bb=300欧 (1)、求静态工作点； (2)画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri和Ro。 解（1） I BQ== I CQ=βI BQ= VCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)= （2）画出简化h参数等效电路如图 (3)、rbe=[300+(1+β) ]=

电子线路CAD试题库及答案

电子线路CAD复习题 一、选择题 1、Computer Aided Design简称为（ A ） (A) CAD （B）CAM （C）EDA （D）PLD 2、运行Protel99 SE所要求的最低分辨率是（C ） （A）800＊600 （B）1000＊1000 （C）1024＊768 （D）1024＊678 3、在进行电原理图编辑时，双击”Schematic Doc u ment”图标后，在”Document”文档下自动创建一个文件，其名为（ A ） （A）Sheet (B)Sheet (C)Sheet (D)Sheet 4、原理图文件、印制板文件一般放在 C 文件夹内 （A）Design Team （B）Recycle Bin （C）Documents 5、原理图编辑好后，为了获得较好的打印效果，应将图纸方向设置为（ B ） （A）Landscape（水平）（B）Portrain（垂直）（C）两种方向均可 6、设置SCH的工作环境时，”Visible”、”Snap”、”Electrical

Grid”三者的取值大小要合理，否则连线时会造成定位困难或连线弯曲的现象。一般来说，可视栅格大小与锁定栅格大小相同，而“电气格点自动搜索”半径范围要 A 锁定栅格距离的一半。（A）略小于（B）略大小（C）等于 7、在放置元件操作过程，按下键盘上的Tab键，其作用是（ A ）（A）修改元件属性（B）旋转（C）空一格 8、在元件属性设置窗中，元件的序号应在哪设置（ B ） （A）Footprint （B）Designator （C）Part(第一个) 9、在元件属性设置窗中，元件的型号或大小应在哪设置（ C ）（A）Footprint （B）Designator （C）Part(第一个) 10、在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是（ B ） （A）移动元件（B）使选定对象沿逆时针方向旋转90度（C）左右对称（D）上下对称 11、在画电原理图时，用于连线操作的只能用 A 工具栏中的导线 （A）Wiring Tools （B）Drawing Tools （C）Main Tools

高频电子电路期末考试试题

电子信息科学与技术专业（本）2007级 《高频电子电路》试卷（A ） 一、填空题（每空1.5分，共30分） 1.无线电通信中信号是以 形式发射出去的。它的调制方式有 、 、 。 2.二极管峰值包络检波器的工作原理是利用 和RC 网络 特性工作的。 3.已知LC 回路并联回路的电感L 在谐振频率f 0=30MHz 时测得L =1H μ，Q 0=100，则谐振时的电容C= pF 和并联谐振电阻R P = Ωk 。 4.谐振回路的品质因数Q 愈大，通频带愈 ；选择性愈 。 5.载波功率为100W ，当m a =1时，调幅波总功率和边频功率分别为 和 。 6.某调谐功率放大器，已知V CC =24V ，P 0=5W ，则当%60=c η，=C P ,I CO = ，若P 0保持不变，将c η提高到80%，P c 减小 。 7.功率放大器的分类，当θ2= 时为甲类，当θ2= 时为乙类；当θ< 为丙类。 8.某调频信号，调制信号频率为400Hz ，振幅为2V ，调制指数为30，频偏Δf = 。当调制信号频率减小为200Hz ，同时振幅上升为3V 时，调制指数变为 。 二、选择题（每题2分，共20分） 1.下列哪种信号携带有调制信号的信息（ ） A.载波信号 B.本振信号 C.已调波信号 D.高频振荡信号 2.设AM 广播电台允许占有的频带为15kHz ，则调制信号的最高频率不得超过（ ） A.30kHz B.7.5kHz C.15kHz D.不能确定 3.设计一个频率稳定度高且可调的振荡器，通常采用（ ） A.晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器 C.RC 相移振荡器 D.席勒振荡器 4.在调谐放大器的LC 回路两端并上一个电阻R ，可以（ ） A.提高回路的Q 值 B.提高谐振频率 C.加宽通频带 D.减小通频带 5.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（ ） A.单边带调幅波 B.抑制载波双边带调幅波 C.普通调幅波 D.残留边带调幅波 6.下列表述正确的是（ ） A.高频功率放大器只能位于接收系统中 B.高频功率振荡器只能位于接收系统中

模电复习题和答案

《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；

电子线路基础测试题库(网络教育)

总分: 100 得分: 0 单选题(共100题) (1).关于集成运放的应用说法不正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.在同应用中不可能有时处于开环状态有时处于闭环状态 得分:0 (2).对镜像电流源电路的说法不正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:C.其交流内阻越小越好 得分:0 (3).以下关于负反馈的说法错误的是( )。(1分) 回答: 正确答案:D.可减小噪声 得分:0 (4).N沟道JFET参与导电的载流子是（）。(1分) 回答: 正确答案:A.自由电子 得分:0 (5).对于结型场效应管，当|Vgs|>|Vgs(off)|时，管子工作在（）。(1分) 回答: 正确答案:C.截止区 得分:0 (6).根据反馈放大器框图，当反馈信号与输入信号的极性相同，从而使净输入信号减小时，称此反 馈为（）。(1分) 回答: 正确答案:B.负反馈 得分:0 (7).对于电流放大器，我们希望（）。(1分) 回答: 正确答案:B.输入电阻小，输出电阻大 得分:0 (8).把交流电转化为直流电的过程称为（）。(1分) 回答: 正确答案:A.整流 得分:0 .

(9).以下关于负反馈的说法错误的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.并联负反馈应取xi=vi 得分:0 (10).关于集成运放的闭环应用以下说法错误的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.包括触发器应用 得分:0 (11).关于发射极接电阻的共射放大器说法不正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.该电阻减小了输出电阻 得分:0 (12).可将小信号放大器看成有源四端网络，则以下说法错误的是（）。(1分) 回答: 正确答案:B.输出电压除以输出电流为输出电阻 得分:0 (13).若两个单级放大器负载短路时的电流增益分别为A1和A2，两级级联后测得总的电流增益约等 于A1A2，则可判断（）。(1分) 回答: 正确答案:B.前级输出电阻远小于后级输入电阻 得分:0 (14).若系统是个无零三极点系统，A(s)的三个极点角频率满足wp3=10wp2=100wp1，则以下说法不 正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:D.反馈增益线与波特图交点在wp2和wp3之间时系统必稳定 得分:0 (15).一般而言，PN结击穿电压在-6V以下的属于（）。(1分) 回答: 正确答案:B.齐纳击穿 得分:0 (16).关于共基放大器的说法不正确的是（）。(1分) 回答: 正确答案:A.可以放大电压 得分:0 (17).以下不属于三极管放大器基本组成部分的是（）。(1分) 回答: .

高频电子线路期末考试试卷及答案

班级： 学号： 姓名： 装 订 线 一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的 载波输出功率为50W ，调幅指数为0.5,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常 可以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已 调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分 别为 和 。 10、变容二极管的结电容γ) 1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管 的 ；变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应等于 。 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 图 2 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期） 课程编号： 08010040 课程名称： 高频电子线路

模电试题及答案1-2

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

电子电路基础习题册参考答案-第一章

电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

模拟电子线路期末试题和答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小

(完整版)中二电子线路期末试卷

合肥市电子学校2008-2009学年度第一学期《电子线路》期终考试 试题 班级姓名成绩 一、填空题：（每空1分，共计20分） 1、三极管的特性曲线是指各电极间和电极之间的关系曲线。三极管的特性曲线常用的有 和两种曲线。 2、稳压管是利用二极管的反向特性，并用特殊工艺制造的硅半导体二极管。 3、自然界中的物质按其能力的强弱可分为 、和。 4、P型半导体，又称为半导体；N型半导体，又称 为半导体。 5、半导体三极管，又称为晶体管，简称。 6、根据反馈的效果可以区分反馈的，使放大电路净输入量的反馈称为正反馈，使放大电路净输入量的反馈称为负反馈。 7、由一个器件组成的简单放大电路，就是基本。 8、放大电路输入端未加信号的工作状态，简称静态。 二、选择题：（每题3分，共计30分） 1、如果二极管正、反向电阻都很大，则该二极管（）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 2、用万用表欧姆档测量小功率的二极管性能好坏时，应当把欧姆档拨到（）。 A、R?100Ω或R?1kΩ档 B、R?1Ω档 C、R?10kΩ档 3、对于放大电路，所谓的开环是指( )。 A、无信号源 B、无反馈通路 C、无电源 D、无负载 4、放大电路的闭环是指（）。 A、考虑信号源内阻 B、存在反馈通路 C、接入电源 D、接入负载 5、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。 A、输入电阻增大 B、输出量增大 C、净输入量增大 D、净输入量减小 6、直流负反馈是指（）。 A、直接耦合放大电路中所引入的负反馈

B、只有放大直流信号时才有的负反馈 C、在直流通路中的负反馈 7、交流负反馈是指（）。 A、阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B、只有放大交流信号时才有的负反馈 C、在交流通路中的负反馈 8、为了稳定静态工作点，应引入（）。 A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流负反馈和直流负反馈 9、如果二极管正、反向电阻都很小或为零，则该二极管（）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 10、晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。 A、随基极电流的增加而增加 B、随基极电流的增加而减小 D、与基极电流无关，只取决于V CC 和R C 三、简答题（每小题5分，共计20分） 1、两只硅稳压管的稳定电压分别为U Z1=7.5V，U Z2=3.2V，若把它们 串联起来，则可得到几种稳定电压？各为多少？若把它们并联起来呢？ 2、放大电路产生零点漂移的主要原因是什么？采取何种方式克 服？ 3、简要说明引入负反馈后，对放大器的性能有哪些影响？

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

电子电路基础期末考试复习题目

东 南大学考试卷（A 卷） 程名称电子电路基础考试学期 得分 用专业 电子科学与技术 考试形式 闭卷 考试时间长度 120分钟 在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极的公共电阻对信号的放大用无影响，对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝。 如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。如图所示电路中，反馈元件R 7构成级间负反馈，其组态为；其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内A 的输出电压小，这说明A 的（）。输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）。增大差模输入电阻 B.提高共模增益 C.提高差模增益 D.提高共模抑制比乙类互补对称功率放大电路（）。．能放大电压信号，但不能放大电流信号．既能放大电压信号，也能放大电流信号．能放大电流信号，但不能放大电压信号 ．既不能放大电压信号，也不能放大电流信号 为了减小放大电路从信号源索取的电流并增强带负载能力，应引入（）负反馈。电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联已知变压器二次电压为t U u ωsin 222=V ，负载电阻为R L ，则桥式整流电路流过每只二 ）。L R U 2 9 .0 B. L R U 2 C.L R U 245 .0 D. L R U 22 关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（）。ββf f T 0= B.βαβf f )1(0+= C.βf f T >> D.β αf f <自觉遵守考场纪律 如 考试作弊此答 卷 无效 V C

(电子行业企业管理)高频电子线路期末试题答案

一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（ C ） A．提高回路的Q值B．提高谐振频率C．加宽通频带D．减小通频带 2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（C） A．LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B．石英晶体振荡器不能产生正弦波 C．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D．电容三点式振荡器的振荡频率做不高 3．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（D） A B C D 4．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为（ A ） A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt） C．u FM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 5．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收931kHz的信号时，还收到1kHz的干扰信号，此干扰为（ A ） A．干扰哨声B．中频干扰 C．镜像干扰D．交调干扰 5．同步检波器要求接收端载波与发端载波（ C ）A．频率相同、幅度相同B．相位相同、幅度相同 C．频率相同、相位相同D．频率相同、相位相同、幅度相同 7．属于频谱的线性搬移过程的有（A）A．振幅调制B．频率调制C．相位调制D．角度解调 8．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ 为（C） A．1/3 B．1/2 C．2 D．4 9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（C） A．0.6 B．0.4 C．0.25 D．0.1 10．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（B） A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C．fs