实际晶体缺陷类型及其特征

科研训练报告

题 目： 实际晶体中的缺陷分类及

其特征

学生姓名： 刘国进

学 院： 理学院

班 级： 电科10-1

指导教师： 哈斯花

2013年 9 月 9 日

一、国内外研究进展及研究意义

1.1 国内外研究现状和发展动态

20世纪初，X射线衍射方法的应用为金属研究开辟了新天地，使我们的认识深入到原子的水平；到30年代中期，泰勒与伯格斯等奠定了晶体位错理论的基础；50年代以后，电子显微镜的使用将显微组织和晶体结构之间的空白区域填补了起来，成为研究晶体缺陷和探明金属实际结构的主要手段，位错得到有力的实验观测证实；随即开展了大量的研究工作，澄清了金属塑性形变的微观机制和强化效应的物理本质。

1.2 研究意义

在晶体的生长及形成过程中，由于温度、压力、介质组分浓度等外界环境中各种复杂因素变化及质点热运动或受应力作用等其他条件的不同程度的影响会使粒子的排列并不完整和规则，可能存在空位、间隙粒子、位错、镶嵌结构等而偏离完整周期性点阵结构，形成偏离理想晶体结构的区域，我们称这样的区域为晶体缺陷，它们可以在晶格内迁移，以至消失，同时也可产生新的晶体缺陷。本文就晶体中所存在的各类缺陷做了详细说明，并且重点介绍了各类缺陷的成因及其特征。

1.3 主要参考文献

[1] 黄昆原著,韩汝琦固体物理学[M] 出版社:高等教育出版社ISBN:9787040010251

[2] 百度文库晶体缺陷https://www.wendangku.net/doc/fb6746071.html,/view/5728eb134431b90d6c85c730.html

二、研究内容及方案

2.1 研究内容

按照晶体缺陷的几何形态以及相对于晶体的尺寸，或其影响范围的大小，可将其分为以下几类：

1.点缺陷(point defects) 其特征是三个方向的尺寸都很小，不超过几个原子间距。如：空位(vacancy)、间隙原子(interstitial atom)和置换原子(substitutional atom)。除此以外，还有空位，间隙原子以及这几类缺陷的复合体等均属于这一类。这里所说的间隙原子是指应占据正常阵点的原子跑到点阵间隙中。

2.线缺陷（linear defects) 其特征是缺陷在两个方向上尺寸很小（与点缺陷相似），而第三方向上的尺寸却很大，甚者可以贯穿整个晶体，属于这一类的主要是位错(dislocation)。

3.面缺陷(interfacial defects) 其特征是缺陷在一个方向上的尺寸很小（同点缺陷），而其余两个方向上的尺寸很大。晶体的外表面(external surfaces)及各种内界面如：一般晶界(grain boundaries)、孪晶界(twin boundaries)、亚晶界

（sub-boundaries）、相界(phase boundaries)及层错(stacking faults)等均属于这一类。

2.2 研究方案

由于资源有限，本次研究选用了文献研究法及广泛收集、查阅与本课题相关的文献资料，学习和研究相关的固体物理学理论和先进的科研结果，为课题研究提供方法论。经过归纳整理、分析鉴别，对一定时期内晶体学科或专题的研究成果和进展进行系统、全面的叙述和评论，并对之进行详细有序的总结概括。

三、研究计划

第一步，确定综述的选题。（1周---2周）

第二步，收集相关的文献资料。（3周-------5周）

第三步，整理文献。（5周-----8周）

第四步，撰写综述初稿（9周-------12周）

第五步，修改综述初稿，并完成文献综述。（13周）

四、预期研究结果

晶体缺陷的分类及其特点

晶体结构缺陷的种类繁多，有的是晶格畸变，有的是品格中杂质或掺质原子缺陷，有的涉及到品体组成的非化学计量比，有的对应于电磁结构中有序的跃迁等。人们按照晶体结构缺陷在三维空间延伸的线度，把它们分为点、线、面、体等四类结构缺陷。

1 点缺陷

晶体中的一些原子被外界原子所代替，或者留有原子空位等，这些变化破坏了晶体规则的点阵周期性排列，并引起质点间势场的畸变，这样造成的晶体结构不完整性仅仅局限在某些位置，只影响临近的几个原子，在三维空间方向上的尺度远远小于晶体或晶粒的尺度，所以称为点缺陷，点缺陷参与晶体中的质量输运与电荷输运过程, 它对晶体结构敏感性能有时起到决定性的作用。

点缺陷包括点阵原子空位、间隙原子、杂质或溶质原子以及它们组成的复杂缺陷—空位团、空位和杂质原子复合体、色心等，具体分类如图1.1。

1.1晶格位置缺陷 晶格位置缺陷一般指空位和间隙原子所造成的点缺陷，主要是内部质点运动偏离其平衡位置所产生的缺陷，由于原子的热运动与温度有关，所以这类缺陷的形成主要受温度影响，也称为热缺陷，属于本征缺陷。

原子离开平衡位置后，或者进入间隙，或者迁移至晶体表面正常格点位置，在原位置留下空位，前者称为弗兰克尔缺陷，其特点是空位和间隙原子同时产生，晶体密度保持不变；后者称为肖特基缺陷，特点是保持离子晶体的电中性，正离子空位和负离子空位同时产生，晶体体积增大。

点缺陷，原子偏离正常的平衡位置，发生微量位移，破坏了原子排列的规律性，造成晶格畸变，使电子在传导时散射增加，从而增加了电阻，空位的存在还使晶体密度下降，体积增大，高温下大量空位存在与运动使晶体发生蠕变。高温快速冷却保留的或经辐照处理后的大量空位还可能形成空位片，或者与其他晶体缺陷发生交互作用，提高材料的强度，但相对的韧性下降。空位和间隙原子的运动是晶体内原子扩散的内部原因，而扩散又是烧结等加工工艺过程的基础。

1.2 组成缺陷

组成缺陷主要是指杂质原子进入晶体所产生的一类晶体缺陷，这类缺陷不仅破坏了晶体的规则空间点阵结构排列，还会引起杂质原子周围的周期势场的变化。杂质原子主要分为置换（替代）杂质原子和间隙杂质原子两种，杂质缺陷的浓度与温度无关，主要取决于溶解度和掺杂量，属于非本征缺陷。

一般杂质原子的含量都小于1%，但此含量界限不是必然的，不同晶体和掺入杂质均有所区别。某些杂质进入主晶格，能在很大的组成范围内“互溶”而不出现新的结构，这样的现象特别称为固溶体（具体分类如图1.2），固溶体是一种特殊的杂质缺陷结构，同时也是类质同像所形成的的混晶结构的反映，类质同像混合晶体可以看成

图 1.1

具有极近似晶胞结构和晶胞化学的一系列晶胞整齐元序的堆垛。如橄榄石(Mg，Fe)2[SiO4]，可以看成Mg2[SiO4]和Fe2[SiO4] 晶胞按一定比例整齐无序的堆垛。由于替代与被替代的质点（原子、离子、络阴离子或分子）具有极为近似的化学性质，质点的替代可在一定范围进行，这种替代不会引起化学键性和晶体结构形式发生质的变化。自然界矿物中结晶时，其晶体结构中广泛存在离子或离子团之间的置换，即一种位置被两种或两种以上的不同元素（或基团）置换，从而形成一种混晶的矿物结构，称为替位式固溶体，这种替位式固溶体成为点缺陷中组成缺陷里的特殊情况，只是替代量往往大于1%。

图 1.2

1.3 电荷缺陷

电荷缺陷也称为非化学计量结构缺陷，存在于非化学计量化合物中，由于热能和其他能量传递激发电子跃迁，产生空穴和电子形成附加电场引起周期势场的畸变，造成晶体的不完整性。

非化学计量结构缺陷的形成需要在化合物中或掺入或有多价态元素组分，如过渡金属氧化物。当环境中的气氛和分压改变时，引起化合物的组成偏离化学计量关系，形成电荷缺陷。如在还原气氛中形成的TiO2-x，晶体机构中缺少氧离子，只有部分钛离子从四价变成三价才可保持电中性。当高价或低价的杂质原子代替晶体中空间点阵中固有的原子，不仅形成了组成缺陷，而且也造成电荷缺陷。例如，纯硅中掺入磷和硼，从能量理论分析，磷比硅多了一个电子，因此磷在禁带中产生施价带主能，易使导带中产生电子缺陷。在半导体氧化物晶体中，非化学计量结构缺陷使晶体的导带中

出现电子或价带中出现空穴，生成n 型半导体和p 型半导体。

电荷缺陷的形成不同于点缺陷和组成缺陷的形成，他需要气氛和压力偏离热力学平衡状态。

1.4色心

色心，由透明晶体中点缺陷、点缺陷对或点缺陷群捕获电子或空穴而构成的一种缺陷，主要有捕获电子负离子空位形成的F 色心和正离子空位缺陷捕获空位形成的V 色心，通常产生于碱金属卤化物、碱土金属氟化物和部分金属氧化物中，如电气石、天河石、方钠石、石英等晶体颜色产生机理都可以用色心理论加以解释。 2 线缺陷

线缺陷指二维尺度很小而第三为尺度很大的缺陷，其特点是两个方向上的尺寸很小而另外一个方向延伸较长，也称一维缺陷，可被电镜观察到，当今研究最多的是位错。位错理论是晶体结构缺陷研究的核心，位错的存在不仅影响到晶体的力学性质，而且也影响到晶体的一系列宏观物理性质，如晶体的强度和断裂等。

实际晶体在结晶时，受到温度、压力、浓度及杂质元素的影响，或由于晶体受到打击、切削、研磨、挤压、扭动等机械应力的作用，使晶体内部质点排列变形，原子行列间相互滑移，使晶体某处一列或若干列原子发生了有规律的错排现象，错排区是管状畸变区域即晶体中两个尺度较小、一个尺度较大的原子位置错排区，我们称为位错。

晶体中位错的基本类型分为为刃型位错和螺型位错（其基本原子组态如图2.1），实际上位错往往是两种类型的混合，称为混合位错。

由于某种原因，晶体的一部分相对于另一部分出现一个多余的半原子面，这个多螺型位错 刃型位错 图

2.1

余的半原子面有如切入晶体的刀片，刀片的刃口线即为位错线，这种缺陷称为刃型位错，半原子面在上面的称正刃型位错，半原子面在下面的称负刃型位错；晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距，在中央轴线处即为螺型位错。

3 面缺陷

晶体常常被一些界面分隔成许多小的畴区，畴区内具有较高的原子排列完整性，畴区之间的和界面附近存在着较严重的原子错排，此类缺陷发生于整个界面，称为面缺陷，它在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光学显微镜观察到，功能多品陶瓷的性能主要取决于面缺陷。

通常，按照界面两侧的晶体结构关系将面缺陷分为以下三类：晶界、孪晶界面及平移界面。

3.1 晶界

晶体结构相同位向不同的晶粒之间的界面称为晶粒间界，简称晶界。在晶粒内部可以观察到直径在10-100um大小的晶块，这些晶块之间的内界面就称为亚晶粒间界，简称亚晶界，亚晶界主要是由位错组成。

当晶界两侧的晶粒位相差很小时，晶界基本上是由位错组成，这样的界面称为小角度晶界，较简单的情况是对称倾斜晶界，即晶界两侧的晶粒相对于晶界对称地倾斜了一个小角度，主要是晶体在生长过程中受热或机械应力或表面张力作用，位错在交互作用力驱动下相互作用并重新排列而形成一种低能结构。基本上所有的小角度晶界都是由位错组成，晶界上的位错密度随位相差的增大而增大。

当晶粒间的位相差增大到一定程度后，位错就难以协调相邻晶粒之间的位相差，形成结构笔记哦啊复杂的大角度晶界。

3.2 孪晶界面

两个或两个以上的同种晶体，彼此之间的层错按一定的对称关系相互联系而形成的复合晶体就叫作孪晶。

晶体的成核阶段或者其後的成长阶段中形成原生孪晶，即质点在某个方向上中断了按原先的晶格位置所进行的堆积，改变为按与之成孪晶关系的晶格方位进行堆积的结果，但这种改变并不导致键的破坏和晶体内能的明显增大；由高温变体经同质多象转变而变为对称程度较低的低温变体时所产生转变孪晶；在晶体形成之后受机械应力

的作用，在部分晶格中的一连串相邻面网间同时发生均匀滑移的范性形变，使滑移部分与未滑移部分的晶格间形成孪晶关系变成滑移孪晶；某些金属退火再结晶时，通过质点的扩散和晶间界面的变化，容易产生孪晶接合面取代一般的晶间界面而形成退火孪晶。

3.3 平移界面

界面两侧晶体以某一特征的非点阵平移相联系的称为平移界面，包括堆垛层错、反向畴界和结晶切变面，其中，结晶切变面可以概括的理解为一种特殊的反向畴界，关于这三类平移界面的特点具体见下表。

4 体缺陷

体缺陷是由热运动造成的一种半微观缺陷，它对晶体的宏观物理性能往往带来有害的影响。在三维尺寸较大，如镶嵌块，沉淀相，空洞，气泡等。

本科生科研训练综合成绩评价表

晶体缺陷习题及答案解析

晶体缺陷习题与答案 1 解释以下基本概念 肖脱基空位、弗仑克尔空位、刃型位错、螺型位错、混合位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移、位错的攀移、弗兰克—瑞德源、派—纳力、单位位错、不全位错、堆垛层错、汤普森四面体、位错反应、扩展位错、表面能、界面能、对称倾侧晶界、重合位置点阵、共格界面、失配度、非共格界面、内吸附。 2 指出图中各段位错的性质，并说明刃型位错部分的多余半原子面。 3 如图，某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b 的位错环，并受到一均匀切应力τ。(1)分析该位错环各段位错的结构类型。(2)求各段位错线所受的力的大小及方向。(3)在τ的作用下，该位错环将如何运动?(4)在τ的作用下，若使此位错环在晶体中稳定不动，其最小半径应为多大? 4 面心立方晶体中，在(111)面上的单位位错]101[2a b =，在(111)面上分解为两个肖克莱不全位错，请写出该位错反应，并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出πγ 242 Gb s d ≈(G 切 变模量，γ层错能)。 5 已知单位位错]011[2a 能与肖克莱不全位错]112[6a 相结合形成弗兰克不全位错，试说明： （1）新生成的弗兰克不全位错的柏氏矢量。(2)判定此位错反应能否进行？(3)这个位错为什么称固定位错? 6 判定下列位错反应能否进行?若能进行，试在晶胞上作出矢量图。 (1)]001[]111[]111[22a a a →+ (2)]211[]112[]110[662a a a +→ (3)]111[]111[]112[263a a a →+ 7 试分析在(111)面上运动的柏氏矢量为]101[2a b =的螺位错受阻时， 能否通过交滑移转移

晶体结构缺陷

第二章 晶体结构缺陷 我们在讨论晶体结构时，是将晶体看成无限大，并且构成晶体的每个粒子（原子、分 子或离子）都是在自己应有的位置上，这样的理想结构中，每个结点上都有相应的粒子， 没有空着的结点，也没有多余的粒子，非常规则地呈周期性排列。实际晶体是这样的吗？ 测试表明，与理想晶体相比，实际晶体中会有正常位置空着或空隙位置填进一个额外质点， 或杂质进入晶体结构中等等不正常情况，热力学计算表明，这些结构中对理想晶体偏离的 晶体才是稳定的，而理想晶体实际上是不存在的。结构上对理想晶体的偏移被称为晶体缺 陷。 实际晶体或多或少地存在着缺陷，这些缺陷的存在自然会对晶体的性质产生或大或小 的影响。晶体缺陷不仅会影响晶体的物理和化学性质，而且还会影响发生在晶体中的过程, 如扩散、烧结、化学反应性等。因而掌握晶体缺陷的知识是掌握材料科学的基础。 晶体的结构缺陷主要类型如表 2 — 1所示。这些缺陷类型，在无机非金属材料中最基本 和最重要的是点缺陷，也是本章的重点。 2.1点缺陷 研究晶体的缺陷， 就是要讨论缺陷的产生、 缺陷类型、浓度大小及对各种性质的影响。 60 年代，F . A . Kroger 和H . J . Vink 建立了比较 完整的缺陷研究理论一一缺陷化学理论，主要 用于研究晶体内的点缺陷。点缺陷是一种热力 学可逆缺陷，即它在晶体中的浓度是热力学参 数（温度、压力等）的函数，因此可以用化学 热力学的方法来研究晶体中点缺陷的平衡问 题，这就是缺陷化学的理论基础。点缺陷理论 的适用范围有一定限度，当缺陷浓度超过某一 临界值（大约在0. 1原子％左右）时，由于缺陷的 相互作用，会导致广泛缺陷（缺陷簇等）的生 成，甚至会形成超结构和分离的中间相。但大多数情况下，对许多无机晶体，即使在高温 下点缺陷的浓度也不会超过上述极限。 缺陷化学的基本假设：将晶体看作稀溶液，将缺陷看成溶质，用热力学的方法研究各种 缺陷在一定条件下的平衡。 也就是将缺陷看作是一种化学物质， 它们可以参与化学反应 准化学反应，一定条件下，这种反应达到平衡状态。 2.1.1 点缺陷的类型 点缺陷主要是原子缺陷和电子缺陷，其中原子缺陷可以分为三种类型： （1） 空位：在有序的理想晶体中应该被原子占据的格点，现在却空着。 （2） 填隙原子：在理想晶体中原子不应占有的那些位置叫做填隙（或间隙）位置，处于填 隙（或间隙）位 置上的原子就叫填隙（或间隙）原子。 （3） 取代原子：一种晶体格点上占据的是另一 种原子。如 AB 化合物晶体中， A 原子占据了 B 格点的位置，或 B 原子占据了 A 格点位置（也称错位原子） ；或外来原子（杂质原子）占据在A 格点 或B 格点上。 晶体中产生以上各种原子缺陷的基本过程有以下三种： 表2— 1 晶体结构缺陷的主要类型

缺陷等级划分

缺陷严重级别定义: o 最高级--导致运行中断(应用程序崩溃),预期的功能没有得到实现,测试工作无法继续进行等. o 紧急---事件非常重要,并且需要马上给予关注. o 高级---事件是重要的,并且应该在紧急的事件处理之后尽快得到解决. o 中级---事件是重要的,但是由于解决问题需要花费一定的时间,所以可以用较长的时间解决. o 低级---事件不重要,可以在时间和资源允许的情况下再解决. o 建议性缺陷. 更为详细的划分如下: A类——严重错误，包括： o 由于程序所引起的死机,非法退出 o 死循环 o 导致数据库发生死锁 o 数据通讯错误 o 严重的数值计算错误 B类——较严重错误，包括： o 功能不符 o 数据流错误 o 程序接口错误 o 轻微的数值计算错误 C类——一般性错误，包括： o 界面错误(详细文档) o 打印内容、格式错误 o 简单的输入限制未放在前台进行控制 o 删除操作未给出提示 D类——较小错误，包括： o 辅助说明描述不清楚 o 显示格式不规范 o 长时间操作未给用户进度提示 o 提示窗口文字未采用行业术语 o 可输入区域和只读区域没有明显的区分标志 o 系统处理未优化 E类——测试建议（非缺陷）

软件公司对软件缺陷级别的定义不尽相同，一般可以分为4种： 1. 致命（fatal）：致命的错误，造成系统或应用程序崩溃（crash）、死机、系统悬挂、或造成数据丢 失、主要功能组完全丧失 2. 严重（critical）：严重错误，指功能或者特性（feature）没有实现，主要功能丧失，导致严重的问 题，或致命的错误声明 3. 一般的（major）：不太严重的错误，这样的缺陷虽然不影响系统的基本使用，但没有很好的实现 功能，没有达到预期的效果。如次要功能丧失，提示信息不太正确，或用户界面太差，操作时间长等 4. 微小的（minor）：一些小问题，对功能几乎没有影响，产品及属性仍可使用，如有个别错别字、 文字排列不整齐等 Bug严重程度定义： 致命(Critical)BUG ： 测试执行直接导致系统死机、蓝屏、挂起或是程序非法退出；系统的主要功能或需求没有实现。 严重(Serious) BUG： 系统的次要功能点或需求点没有实现；数据丢失或损坏。执行软件主要功能的测试用例导致系统出错，程序无法正常继续执行；程序执行过于缓慢或是占用过大的系统资源。 一般(Minor) BUG： 软件的实际执行过程与需求有较大的差异；系统运行过程中偶尔（<10%）有出错提示或导致系统运行不正常。 微小(Information) BUG： 软件的实际执行过程与需求有较小的差异；程序的提示信息描述容易使用户产生混淆。

浅谈晶体缺陷及其应用

浅谈晶体缺陷及其应用 1103011036 周康粉体一班 摘要：晶体缺陷对晶体的力学性能既有有利的方面，也有不利的方面。少量晶体缺陷对于晶体的物理性能能够产生重要影响，所以可以根据不同的晶体缺陷，开发利用其产生的影响，充分发挥可能产生的作用，研究并制备具有不同性能的材料，以适应人们不同的实际需要和时代的发展需求。 关键词：晶体缺陷; 性能; 铁磁性; 电阻; 半导体材料；杂质 引言：在讨论晶体结构时，我们认为晶体的结构是三维空间内周期有序的，其内部质点按照一定的点阵结构排列。这是一种理想的完美晶体，它在现实中并不存在，只作为理论研究模型。相反，偏离理想状态的不完整晶体，即有某些缺陷的晶体，具有重要的理论研究意义和实际应用价值。所有的天然和人工晶体都不是理想的完整晶体，它们的许多性质往往并不决定于原子的规则排列，而决定于不规则排列的晶体缺陷。 晶体缺陷对晶体生长、晶体的力学性能、电学性能、磁学性能和光学性能等均有着极大影响，在生产上和科研中都非常重要，是固体物理、固体化学、材料科学等领域的重要基础内容。研究晶体缺陷因此具有了尤其重要的意义。本文着重对晶体缺陷及其对晶体的影响和应用进行阐述。 1.晶体缺陷的定义和分类 1.1 晶体缺陷的定义 在理想的晶体结构中，所有的原子、离子或分子都处于规则的点阵结构的位置上，也就是平衡位置上。1926 年弗仑克尔l首先指出，在任一温度

下，实际晶体的原子排列都不会是完整的点阵，即晶体中一些区域的原子的正规排列遭到破坏而失去正常的相邻关系。我们把实际晶体中偏离理想完整点阵的部位或结构称为晶体缺陷. 1.2 晶体缺陷的分类 1.2.1、按缺陷的几何形态分类可分为四类：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。 1.点缺陷（零维缺陷）：缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。包括：空位（vacancy）、间隙原子（interstitial particle）、异类原子（foreign particle）。 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。2..线缺陷（一维缺陷）：指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 3.面缺陷：面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如晶界、相界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 固体材料中最基本和最重要的晶体缺陷是点缺陷，包括本征缺陷和杂质缺陷等。 1.2.2、按缺陷产生的原因分类： 热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、其它原因（如电荷缺陷，辐照缺陷等）。

测试缺陷等级定义

缺陷等级定义 目录 缺陷等级定义 (1) B/S架构(Web)测试的缺陷等级定义： (1) C/S架构(Client)测试的缺陷等级定义： (2) 服务器及接口测试的缺陷等级定义： (4) B/S架构(Web)测试的缺陷等级定义： A: 致命 1.正常的用户操作导致浏览器崩溃或无响应 2.产品核心功能没有实现或无法使用 3.程序实现与需求严重不符 4.其他导致无法测试的错误 5.严重的数值计算错误 6.存在致命的安全漏洞 7.Bug被重开3次以上含3次 8.上线前最后一个版本配置管理出现问题 B: 严重 1.产品功能实现不正确 2.主业务流程对应的功能未实现，阻碍测试继续进行 3.严重的兼容性问题和页面样式问题，如：页面样式严重错乱，导致页面控件无法正常定 位； 4.正常的用户操作导致浏览器出现偶发类崩溃（偶发概率20%以上） 5.程序实现与需求功能上不符 6.其他导致部分模块无法测试的错误 7.主要数值计算错误 8.严重的功能逻辑错误 9.Bug被重开2次 10.上线前进入最后一轮测试时版本配置管理出现问题 C: 较严重 1.正常的用户操作导致浏览器出现偶发类崩溃（偶发概率10%以下） 2.用户非常规操作导致浏览器崩溃或影响系统性能的问题

3.程序上非主要功能与需求上功能描述不符 4.功能实现错误但不影响主要流程 5.轻微的数值计算错误 6.页面出现JS错误且导致某功能不可用 7.兼容性导致的主要功能问题 8.系统中用户权限实现有误 9.初始化错误 10.Bug被重开1次 11.上线前进入测试时，提交测试的过程版本配置管理出现问题 12.操作界面UI类的严重错误，易造成大量投诉，产生较坏影响力 D: 一般性问题主要为：界面类、容错类缺陷 1.操作界面UI类的一般性错误 2.边界条件下错误 3.提示信息错误（包括未给出信息、信息提示错误等） 4.界面中操作焦点错误（如按Tab键未顺序操作，弹出其他窗口后主界面焦点位置错误等） 5.输入域的相关问题，如：输入框长度判断错误； E:易用性和建议类缺陷 1.界面格式等不规范 2.辅助说明描述不清楚 3.操作时未给用户提示 4.可输入区域和只读区域没有明显的区分标志 5.个别不影响产品理解的错别字 6.文字排列不整齐等一些小问题 7.建议类型的缺陷 C/S架构(Client)测试的缺陷等级定义： A: 致命 1.程序无法运行/模块无法启动/异常退出 2.程序导致操作系统崩溃/死机/蓝屏 3.程序实现与需求严重不符 4.程序实现与技术文档严重不符 5.程序实现与开发规范严重不符 6.导致产品无法继续进行测试的缺陷 7.程序占用资源高（比同类产品高出50%以上） 8.内存、GDI等泄漏 9.Bug被重开3次以上含3次 10.上线前最后一个版本配置管理出现问题

晶体中的缺陷

第三章晶体中的缺陷 第一节概述 一、缺陷的概念 大多数固体是晶体，晶体正是以其特殊的构型被人们最早认识。因此目前(至少在80年代以前>人们理解的“固体物理”主要是指晶体。当然这也是因为客观上晶体的理论相对成熟。在晶体理论发展中，空间点阵的概念非常重要。 空间点阵中，用几何上规则的点来描述晶体中的原子排列，并连成格子，这些点被称为格点，格子被称为点阵，这就是空间点阵的基本思想，它是对晶体原子排列的抽象。空间点阵在晶体学理论的发展中起到了重要作用。可以说，它是晶体学理论的基础。现代的晶体理论基于晶体具有宏观平移对称性，并因此发展了空间点阵学说。 严格地说对称性是一种数学上的操作，它与“空间群”的概念相联系，对它的描述不属本课程内容。但是，从另一个角度来理解晶体的平移对称性对我们今后的课程是有益的。 所谓平移对称性就是指对一空间点阵，任选一个最小基本单元，在空间三维方向进行平移，这个单元能够无一遗漏的完全复制所有空间格点。考虑二维实例，如图3-1所示。 图3-1 平移对称性的示意图 在上面的例子中，以一个基元在二维方向上平移完全能复制所有的点，无一遗漏。这种情况，我们说具有平移对称性。这样的晶体称为“理想晶体”或“完整晶体”。

图3-2 平移对称性的破坏 如果我们对上述的格点进行稍微局部破坏，那么情况如何?请注意以下的复制过程，如图3-2所示。从图中我们看出：因为局部地方格点的破坏导致平移操作无法完整地复制全部的二维点阵。这样的晶体，我们就称之为含缺陷的晶体，对称性破坏的局部区域称为晶体缺陷。 晶体缺陷的产生与晶体的生长条件，晶体中原子的热运动以及对晶体的加工工艺等有关。事实上，任何晶体即使在绝对零度都含有缺陷，自然界中理想晶体是不存在的。既然存在着对称性的缺陷，平移操作不能复制全部格点，那么空间点阵的概念似乎不能用到含有缺陷的晶体中，亦即晶体理论的基石不再牢固。 幸运的是，缺陷的存在只是晶体中局部的破坏。作为一种统计，一种近似，一种几何模型，我们仍然继承这种学说。因为缺陷存在的比例毕竟只是一个很小的量(这指的是通常的情况）。例如20℃时，Cu的空位浓度为3.8×10-17，充分退火后Fe 中的位错密度为1012m-2<空位、位错都是以后要介绍的缺陷形态）。现在你对这些数量级的概念可能难以接受，那没关系，你只须知道这样的事实：从占有原子百分数来说，晶体中的缺陷在数量上是微不足道的。 因此，整体上看，可以认为一般晶体是近乎完整的。因而对于实际晶体中存在的缺陷可以用确切的几何图形来描述，这一点非常重要。它是我们今后讨论缺陷形态的基本出发点。事实上，把晶体看成近乎完整的并不是一种凭空的假设，大量的实验事实

晶体缺陷和强度理论

非晶合金的强度研究及进展 非晶合金，又称金属玻璃，由于具有优异的物理、化学、光学、磁学和力学性能，受到人们的普遍关注，成为材料领域的研究热点之一。大量的研究与开发工作表明，非晶合金材料在许多实用性能方面具有十分明显的优势，具有良好的应用前景。非晶合金研究的进展，不仅突破了长期以来金属合金只能以结晶态形式凝固这一传统认识，丰富了合金液固相变理论，而且在合金的非晶形成能力、非晶合金的相结构及其相演化过程、非晶合金的性能等方面的研究都取得了大量成果。 1非晶合金的发展历史 自从1960 年首次用熔体快速凝固方法制备出Au-Cu 非晶合金以来，在随后的30 年里，大量的非晶合金已经被制备出来。众所周知，在1990年以前可以用105K/s 的冷却速率制备出Fe 基、Co 基和Ni 基非晶合金，但这些合金的厚度都小于50 μm，其中，作为特例的贵金属基Pd-Ni-P 和Pt-Ni-P 合金系，其临界冷却速度也在103 K/s 的数量级。在1974 年Chen对Pb-T-P(T=Ni, Co, Fe)合金进行了系统的研究并制备出了厚度为 1 mm 的非晶合金。在1982 年，可以制备出临界尺寸较大的Au55 Pd22.5 Sb22.5非晶合金。虽然在大块非晶合金的研究中取得了突出的进展，但是这些合金的成本昂贵，在长达十几年的时间内，利用非贵金属制备大块非晶合金的愿望始终未能实现，使非晶合金的应用范围受到很大限制。 上世纪八十年代后期，日本学者 A. Inoue(井上明久)领导的课题组首先在非贵金属系大块非晶合金制备方面取得了突破，并受到同行的关注。自从1988 年以来，发现可以用更低的临界冷却速率制备出新的多组元合金体系，包括Mg 基、Zr基、Fe 基、Pd基[、La 基、Ti基和Ni 基合金体系。由于发现了具有很强的非晶形成能力的合金体系，使得在临界冷却速度低于102 K/s 的条件下，用一般的工艺方法(铜模铸造方法等)即可获得三维尺寸在毫米以上量级的大块非晶合金。 目前人们所研究的大块非晶合金体系中，Pd系、La 系和Zr系多组元合金具有优秀的非晶形成能力，其中美国Johnson 课题组开发的Zr-Ti-Cu-Ni-Be 和日本

晶体缺陷

晶体的缺陷及其在半导体中的应用 内容摘要 缺陷对晶体来说是很难被消除的，缺陷的存在会影响晶体的某些性质。晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷以及体缺陷。不管是哪种类型的缺陷，它都会对晶体材料的性质产生影响。人们可以根据实际需要，通过人为地向晶体引入缺陷来开发制备出对人们有用的材料。该文简要介绍了缺陷的类型、定义、运动以及一些缺陷的简单应用。 【关键词】缺陷运动半导体影响

Crystal defects and the application of defects in semiconductor Abstract Defects in the crystal is very difficult to be eliminated, the defect will affect some properties of the crystal. Crystal defects including point defects, line defects, surface defects and bulk defects. No matter what type of defect, it will affect some properties of the crystal . People can produce some crystal material which is useful by artificially introducing defects to the crystal according to actual needs. This paper briefly describes the type of defect, definitions, sports, and some applications of defects. 【Key Words】Defects Movement Semiconductor Impact

晶体结构缺陷

第三章晶体结构缺陷 【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷的反应方程式。 【解】 MgO形成肖特基缺陷时，表面的Mg2+和O2－离子迁到表面新位置上，在晶体内部留下空位，用方程式表示为： ????该方程式中的表面位置与新表面位置无本质区别，故可以从方程两边消掉，以零O（naught）代表无缺陷状态，则肖特基缺陷方程式可简化为： 【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷的反应方程式。 【解】AgBr中半径小的Ag+离子进入晶格间隙，在其格点上留下空位，方程式为： 【提示】一般规律：当晶体中剩余空隙比较小，如NaCl型结构，容易形成肖特基缺陷；当晶体中剩余空隙比较大时，如萤石CaF2型结构等，容易产生弗伦克尔缺陷。 【例3-3】写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式。 【解】首先以正离子为基准，Na+离子占据Y3+位置，该位置带有2个单位负电荷，同时，引入的1个F－离子位于基质晶体中F－离子的位置上。按照位置关系，基质YF3中正负离子格点数之比为1/3，现在只引入了1个F－离子，所以还有2个F－离子位置空着。反应方程式为：可以验证该方程式符合上述3个原则。 ????再以负离子为基准，假设引入3个F－离子位于基质中的F－离子位置上，与此同时，引入了3个Na+离子。根据基质晶体中的位置关系，只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置，其余2个Na+位于晶格间隙，方程式为：

????此方程亦满足上述3个原则。当然，也可以写出其他形式的缺陷反应方程式，但上述2个方程所代表的缺陷是最可能出现的。 【例3-4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式。 【解】以正离子为基准，缺陷反应方程式为： ????以负离子为基准，则缺陷反应方程式为： ????这也是2个典型的缺陷反应方程式，与后边将要介绍的固溶体类型相对应。 【提示】通过上述2个实例，可以得出2条基本规律： ????（1）低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷。为了保持电中性，会产生负离子空位或间隙正离子。 ????（2）高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷。为了保持电中性，会产生正离子空位或间隙负离子。 【例3-5】 TiO2在还原气氛下失去部分氧，生成非化学计量化合物TiO2-x，写出缺陷反应方程式。 【解】非化学计量缺陷的形成与浓度取决于气氛性质及其分压大小，即在一定气氛性质和压力下到达平衡。该过程的缺陷反应可用 或 方程式表示，晶体中的氧以电中性的氧分子的形式从TiO2中逸出，同时在晶体中产生带正电荷的氧空位和与其符号相反的带负电荷的来保持电中性，方程两边总有效电荷都等于零。可以看成是Ti4+被还原为Ti3+，三价Ti占据了四价Ti的位置，因而带一个单位有效负电荷。而二个Ti3+替代了二个Ti4+，

缺陷分类分级管理

缺陷分类分级管理-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

附录E： 缺陷分类分级管理 根据输变电设备运行管理标准中设备缺陷的分类原则，设备缺陷按其严重程度分为紧急、重大、一般。 1.一般缺陷：是指对近期安全运行影响不大的缺陷，可列入年、季检修计划或日常维护工作中去消除 2.重大缺陷：是指缺陷比较严重，但设备仍可短期继续安全运行，该缺陷应在短期内消除，消除前应加强监视 3.紧急缺陷; 是指严重程度以使设备不能继续安全运行，随时可能导致发生事故或危及人身安全的缺陷，必须尽快消除或采取必要的安全技术措施进行临时处理根据供电系统常用电气设备运行状况中的缺陷进行整理，对缺陷现状进行分类分级管理，并制定缺陷处理计划及措施，跟踪缺陷处理进度、完成情况，对已处理缺陷及时进行关闭，规范化管理设备缺陷，参照设备缺陷分类分级实施细则。

1 变电站设备缺陷分类标准 1.1 变压器（消弧线圈、接地变、站用变、电抗器参照执行）4 1.2 断路器5 1.3 隔离开关6 1.4 母线7 1.5 防雷设备8 1.6 电力电缆8 1.7 控制电缆9 1.8 继电器9 1.9 表计10 1.10 电力电容器11 1.11 电压、电流互感器、耦合电容器、阻波器11 1.12 继电保护及自动装置12 1.13 直流设备14 1.14 土建部分15 1.15 变电其它设备15 2 通讯、计算机、远动、消防系统分类标准16 2.1 通讯16 2.2 计算机系统17 2.3 远动部分18 2.4 消防系统18 3 电力线路设备缺陷分类标准19 3.1 导线及架空地线19 3.2 绝缘子及金具20 3.3 杆塔21 3.4 横担22 3.5 拉线22 3.6 柱上开关23 3.7 配电变压器及令克23 3.8 避雷器24 3.9 接地装置24 3.10 线路电力电缆25附件1：设备缺陷记录 25 附件2：线路缺陷记录26

晶体结构及缺陷

晶体结构与晶体中的缺陷 17、Li 2O 的结构是O2-作面心立方堆积，Li +占据所有四面体空隙位置，氧离子半径为0.132nm 。求： (1)计算负离子彼此接触时，四面体空隙所能容纳的最大阳离子半径，并与书末附表Li +半径比较，说明此时O 2-能否互相接触。 (2)根据离子半径数据求晶胞参数。 (3)求Li 2O 的密度。 解：（1）如图2-2是一个四面体空隙，O 为四面体中心位置。 -++=r r AO ，-=r BC 2， -=r CE 3， 3/323/2-==r CE CG 3/62-=r AG ， OGC ?∽EFC ?，CF EF CG OG //=，6/6/-=?=r CG CF EF OG 2/6-=-=r OG AG AO ，301.0)12/6(=-=-=--+r r AO r 查表知Li r + +=0.68>0.301，∴O 2-不能互相接触； （2）体对角线=a 3=4(r ++r -)，a=4.665；（3）ρ=m/V=1.963g/cm 3 图2-2 四面体空隙 28、下列硅酸盐矿物各属何种结构类型： Mg 2[SiO 4]，K[AISi 3O 8]，CaMg[Si 2O 6]， Mg 3[Si 4O 10](OH)2，Ca 2Al[AlSiO 7]。 解：岛状；架状；单链；层状（复网）；组群（双四面体）。 23、石棉矿如透闪石Ca 2Mg 5[Si 4O 11](OH)2具有纤维状结晶习性，而滑石Mg 2[Si 4O 10](OH)2却具有片状结晶习性，试解释之。 解：透闪石双链结构，链内的Si-O 键要比链5的Ca-O 、Mg-O 键强很多，所以很容易沿链间结合力较弱处劈裂成为纤维状；滑石复网层结构，复网层由两个 [SiO4]层和中间的水镁石层结构构成，复网层与复网层之间靠教弱的分之间作用力联系，因分子间力弱，所以易沿分子间力联系处解理成片状。 24、石墨、滑石和高岭石具有层状结构，说明它们结构的区别及由此引起的性质上的差异。

缺陷等级划分

缺陷严重级别定义: o最高级--导致运行中断(应用程序崩溃),预期的功能没有得到实现,测试工作无法继续进行等. o紧急---事件非常重要,并且需要马上给予关注. o高级---事件是重要的,并且应该在紧急的事件处理之后尽快得到解决. o中级---事件是重要的,但是由于解决问题需要花费一定的时间,所以可以用较长的时间解决. o低级---事件不重要,可以在时间和资源允许的情况下再解决. o建议性缺陷. 更为详细的划分如下: A类——严重错误，包括： o由于程序所引起的死机,非法退出 o死循环 o导致发生死锁 o数据通讯错误 o严重的数值计算错误 B类——较严重错误，包括： o功能不符 o数据流错误 o程序接口错误 o轻微的数值计算错误

C类——一般性错误，包括： o界面错误(详细文档) o打印内容、格式错误 o简单的输入限制未放在前台进行控制 o删除操作未给出提示 D类——较小错误，包括： o辅助说明描述不清楚 o显示格式不规范 o长时间操作未给用户进度提示 o提示窗口文字未采用行业术语 o可输入区域和只读区域没有明显的区分标志 o系统处理未优化 E类——测试建议（非缺陷） 软件公司对软件缺陷级别的定义不尽相同，一般可以分为4种： 1. 致命（fatal）：致命的错误，造成系统或应用程序崩溃（crash）、死机、系统悬挂、或造成数据丢 失、主要功能组完全丧失 2. 严重（critical）：严重错误，指功能或者特性（feature）没有实现，主要功能丧失，导致严重的问 题，或致命的错误声明 3. 一般的（major）：不太严重的错误，这样的缺陷虽然不影响系统的基本使用，但没有很好的实现 功能，没有达到预期的效果。如次要功能丧失，提示信息不太正确，或用户界面太差，操作时间长等

第二章晶体结构与晶体中的缺陷

内容提要：通过讨论有代表性的氧化物、化合物和硅酸盐晶体结构， 用以掌握与本专业有关的各种晶体结构类型。介绍了实际晶体中点缺陷分 类；缺陷符号和反应平衡。固熔体分类和各类固熔体、非化学计量化学化 合物的形成条件。简述了刃位错和螺位错。 硅酸盐晶体结构是按晶体中硅氧四面体在空间的排列方式为孤岛状、组群状、链状、层装和架状五类。这五类的[SiO4]四面体中，桥氧的数目也依次由0增加到4， 非桥氧数由4减至0。硅离子是高点价低配位的阳离子。因此在硅酸盐晶体中，[SiO4] 只能以共顶方式相连，而不能以共棱或共面方式相连。表2-1列出硅酸盐晶体结构类型及实例。 表2-1 Array硅酸 盐晶 体的 结构 类型

真实晶体在高于0K的任何温度下，都或多或少地存在着对理想晶体结构的偏离，即存在着结构缺陷。晶体中的结构缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷和复合缺陷之分，在无机材料中最基本和最重要的是点缺陷。 点缺陷根据产生缺陷的原因分类，可分为下列三类： （1）热缺陷（又称本征缺陷） 热缺陷有弗仑克儿缺陷和肖特基缺陷两种基本形式。 弗仑克儿缺陷是指当晶格热震动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗仑克儿缺陷。 肖特基缺陷是指如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的表面，而在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。 （2）杂质缺陷（非本征缺陷） （3）非化学计量化学化合物 为了便于讨论缺陷反应，目前广泛采用克罗格-明克（Kroger-Vink）的点缺陷符号（见表2-2）。 表2-2 Kroger-Vink缺陷符号（以M2+X2-为例）

电力设备缺陷的分类标准

电力设备缺陷的分类标准 1、紧急缺陷 1、1变电部分 设备接头发热烧红、变色。 设备瓷件有明显裂缝。 设备内部有明显的放电声或异音。 设备的绝缘、温升等技术参数超过极限值。 主设备与地网没有可靠连接。 外绝缘有严重放电现象。 高、低压室、开关柜防小动物措施失效。 1、1、1变压器 冷却装置故障严重,影响出力或威胁安全运行。 分接开关操作卡阻或跳档。 铁芯接地电流不合格,串接电阻后仍不能满足运行要求,并有发展的趋势。 本体漏油严重或大量喷油。 套管漏油,套管油位超过下限,密封失效。 主变油箱进水。 潜油泵损坏,金属物可能进入油箱。 电气及油试验结果严重超标。 1、1、2高压断路器 操动机构有卡涩,运行中有拒合、拒分或误合、误分的现象,储能元件损坏, 液(气)压机构的压力超出闭锁限额,油开关严重漏油或大量喷油,不能保

证安全运行者; 开关短路开断电流不能满足运行要求,又无保证安全运行的措施,额定电流小于负荷电流者。 SF6开关设备的SF6气体质量不合格,或有严重漏气,其压力低于制造厂 规定的下限。 真空开关的真空泡有裂纹或严重漏气者。 真空开关的真空泡失去光泽、发红。 液(气)压机构油(气)泵频繁启动,打压间隔时间小于10分钟,连续5次及以上者。 断路器辅助接点、液(气)压闭锁接点失灵。 断路器绝缘拉杆脱落。 1、1、3 刀闸、母线 瓷件有破裂,刀闸触头铸铝件部分有裂纹。 刀闸严重锈蚀,以致操作卡阻,不能正常停送电。 母线一串绝缘子串上零值或破损瓷瓶片数110kV 3片、220kV 4片、500kV 4片及以上者。 1、1、4 电压互感器、电流互感器、电容式电压互感器、耦合电容器、阻波器 漏(气)油严重或大量喷油。 电压互感器二次回路失压、电流互感器二次回路开路。 电容式电压互感器、耦合电容器本体滴油。 阻波器拉杆脱落。

设备缺陷范围及分类标准

设备缺陷范围及分类标准 A.1 设备缺陷管理范围 ——变电站一、二次设备； ——防止电气误操作的闭锁装置； ——通讯、远动、计量系统及其辅助设备； ——变电设备构架、基础、电缆沟道； ——生产性建筑物、照明、给排水、通风、消防、保安系统； ——电力电缆及附件； ——架空线路、架空地线、绝缘子、金具、杆塔、拉线及基础； ——线路防护及交叉跨越； ——防雷保护装置、接地引下线和接地装置； ——配电设备； ——可能影响系统安全运行的其它因素术语和定义。 A.2 设备缺陷的分类 设备紧急缺陷重大缺陷一般缺陷 变电通用部分1.设备瓷件有明显裂缝。 2.设备内部有明显的放电声或 异常声响。 3.主设备与地网连接线断裂。 4.外绝缘有严重放电现象。 5.设备接头发热严重、变红、变 色。 1.35kV及以上电压等级设 备试验超周期且无相应的 批准手续。 2.高、低压室、开关柜防 小动物措施失效。 3.基础下沉。 4.设备接头发热。 1.设备接头温度 超过同类运行设 备的温度（无明显 变化）。 2.其他不影响设 备运行的缺陷 主变压器（消弧线圈、接地变、站用变、电抗器参照执行）1.绝缘油色谱试验重要指标超 标。 2.油中烃类、氢气产气速率超过 10%/月。 3.电气预防性试验主要项目不 合格。 4.套管破损、裂纹，并有严重放 电声。 5.测温装置全部损坏或失灵。 6.主变压器强油循环冷却器全 停。 7.油浸变压器油位异常。 8.有载调压开关动作异常，极限 位置不能闭锁。 9.内部有异常响声。 10.铁芯接地电流超过规定，串 接电阻后仍不能满足运行要求， 并有发展趋势。 12.铁芯或外壳接地不良。 1.引线桩头螺丝松动连接 处发热。 2.绝缘油化学、电气性能 不良，气相色谱数据指示 可能有潜伏故障。 3.温度指示不准确，超温 信号异常（失灵）。 4.基础下沉。 5.冷却设备不全，尚不影 响出力。 6.油位指示与温度监视线 不对应。 7.达不到铭牌或上级批准 的出力，温升及上层油温 超过容许的数值。 8.本体漏油（五分钟内有 油珠垂滴）。 9.铁芯多点接地致使接地 电流超标。 1.变压器渗油。 （1min以上一滴 或未见滴油但油 迹非常大，超过主 变表面积1/10以 上） 2.附件震动大。 3.引线或接线桩 头有严重电晕。 4.预试数据合格， 但与历史数据比 较有明显变化。 5.变压器绕组轻 微变形。 6.其他不影响变 压器运行的缺陷。 7.呼吸器变色达 2/3以上有载调压 开关油室内渗漏

晶体结构缺陷

晶体结构缺陷 1、说明下列符号的含义： V Na ，V Na ’，V Cl ?，.(V Na ’V Cl ?)，CaK?，CaCa，Cai?? 2、写出下列缺陷反应式： (1)NaCl溶入CaCl 2 中形成空位型固溶体； (2)CaCl 2 溶人NaC1中形成空位型固溶体； (3)NaCl形成肖脱基缺陷； (4)AgI形成弗仑克尔缺陷(Ag+进入间隙)。 3、MgO的密度是3.58克／厘米3，其晶格参数是0.42nm，计算单位晶胞MgO 的肖脱基缺陷数。 4、(a)MgO晶体中，肖脱基缺陷的生成能为6eV，计算在25℃和1600℃时热 缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中，含有百万分之一摩尔的A1 2O 3 杂质，则在1600℃ 时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势，说明原因。 5、MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ／mol，计算该晶体在1000K和1500K 的缺陷浓度。 6、非化学计量化合物FexO中，Fe3+／Fe2+=0.1，求Fe x O中的空位浓度及x 值。 7、非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关，如果增大周 围氧气的分压，非化学计量化合物Fe 1-X O及Zn 1+X O的密度将发生怎么样的变化? 增大还是减小?为什么? 8、对于刃位错和螺位错，区别其位错线方向、柏氏矢量和位错运动方向的特点。

9、图2.1是晶体二维图形，内含有一个正刃位错和一个负刃位错。 (a)围绕两个位错柏格斯回路，最后得柏格斯矢量若干？ (b)围绕每个位错分别作柏氏回路，其结果又怎样? 10、有两个相同符号的刃位错，在同一滑移面上相遇，它们将是排斥还是吸引？ 11、晶界对位错的运动将发生怎么样的影响？能预计吗？ 12、晶界有小角度晶界与大角度晶界之分，大角度晶界能用位错的阵列来描述吗？ 13、试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。 14、从化学组成、相组成考虑，试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。 15、试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点，列出简明表格比较。 16、在面心立方空间点阵中，面心位置的原子数比立方体顶角位置的原子数多三倍。原子 B溶入A晶格的面心位置中，形成置换型固溶体，其成分应该是 A 3B呢还是A 2 B？为什么? 17、Al 2 O 3 在MgO中形成有限固溶体，在低共熔温度1995℃时，约有18重量％ Al 2O 3 溶入MgO中，假设MgO单位晶胞尺寸变化可忽略不计。试预计下列情况的

缺陷等级划分规定

缺陷等级划分规定 １．缺陷等级划分规范 １．１Bug等级种类及定义: Bug等级可分为:致命,严重,一般的,微小的四种. 致命（critical）：致命的错误，造成系统或应用程序崩溃（crash）、死机、系统悬挂、或造成数据丢失、主要功能组完全丧失 严重（major）：严重错误，指功能或者特性（feature）没有实现，主要功能丧失，导致严重的问题，或致命的错误声明 一般的（normal）：不太严重的错误，这样的缺陷虽然不影响系统的基本使用，但没有很好的实现功能，没有达到预期的效果。如次要功能丧失，提示信息不太正确，或用户界面太差，操作时间长等 微小的（minor）：一些小问题，对功能几乎没有影响，产品及属性仍可使用，如有个别错别字、文字排列不整齐等 １．２等级划分步骤: 1) 功能方面 结合”缺陷发生率”(Exposure Risk)和”影响强度”(Impact Intensity)对Bug进行等级划分. ”缺陷发生率”是指在运用产品过程中,出现某个缺陷的频率, 可分为四种:不可避免,经常,偶尔,很少. 不可避免(Unaviodable):只要运行系统或应用程序,或者使用软件主要功能,该缺陷就能出现. 经常(Frequent):在使用软件过程中,需要通过几步操作出现,或者是一些不常用的非主要功能的缺陷,或者出现该缺陷的频率在30-70%的. 偶尔(Occasional):缺陷出现的前提是通过多次操作或多个步骤,或者缺陷出现的概率在2%-30%. 很少(Rare):低频率操作,或者出现的前提是通过N次操作或N个步骤,或者缺陷出现的概率低于2%的. “缺陷影响强度”是指在运用产品过程中,某个缺陷影响产品使用的程度,可分为三种:灾难性,障碍性,干扰性. 灾难性(Disastrous):测试执行直接导致系统死机、蓝屏、挂起或是程序非法退出；系统的主要功能或需求没有实现；关键性能指标达不到要求； 障碍性(Obstruction):系统的次要功能点或需求点没有实现；数据丢失或损坏。执行软件主要功能的测试用例导致系统出错，程序无法正常继续执行；程序执行过于缓慢或是占用过大的系统资源。 干扰性(Disturbing):一些小问题，对功能几乎没有影响，产品及属性仍可使用，如有个别错别字、文字排列不整齐等软件的实际执行过程与需求有较小的差异；程序的提示信息描述容易使用户产生混淆。 具体等级划分参照表如下:

电网输电线路设备缺陷分类描述标准.

Q/JDJ 电业局发布

Q/JDJ ××××—2013 目次 前言............................................................................. II 1 范围 (1) 2 规范性引用文件 (1) 3 术语和定义 (1) 4 缺陷分类 (1) 5 缺陷标准描述 (2) 6 修订记录 (5) 附录 A （规范性附录）110kV～500kV输电线路标准缺陷库 (6) I

Q/JDJ ××××—2013 II 前言 缺陷管理标准的完善是确保输电线路安全运行的重要保证。根据国家电网生[2003]481号文《架空 输电线路管理规范》要求，“各线路运行维护单位应根据各自的具体情况……并制定出每部分一般缺陷、严重缺陷、危急缺陷的标准，便于巡线人员、护线人员在现场对发现的缺陷进行判断”。基于此，为进一步规范电网输电线路缺陷管理工作，制定本标准。 本标准的附录A是规范性附录。 本标准由电业局标准化委员会提出。 本标准主要起草单位：电业局送电工区 本标准主要起草人：方玉群 本标准主要审核人：应伟国、汪建勤、缪寿成、邹献平、黄旭骏、胡旭光 本标准批准人：

Q/JDJ ××××—2013 电网输电线路设备缺陷分类描述标准 1 范围 本标准规定了输电线路缺陷分类、标准描述要求等方面的内容。 本标准适用于电网110kV及以上输电线路的缺陷分类管理工作。 各县市供电局线路运行单位可参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 2900.51——1998 电工术语架空线路 GB 50233——2005 110～500kV架空送电线路施工及验收规范 DL 409——91 电业安全工作规程（电力线路部分） DL/T 741——2001 架空送电线路运行规程 国家电网安监[2005]83号文国家电网公司电力安全工作规程（电力线路部分）（试行） 国网生[2003]481号文架空输电线路管理规范（试行） Q/ZDJ 05——2001 架空送电线路状态检修规程 3 术语和定义 GB/T 2900.51——1998 《电工术语架空线路》中术语和定义适用于本标准。 4 缺陷分类 4.1 设备缺陷按内容可分为线路本体、附属设施缺陷和外部隐患三大类。 4.1.1 设备本体缺陷 指组成线路本体的构件、附件、零部件等发生的缺陷，具体包括导线、地线/OPGW、绝缘子、金具、杆塔、拉线、接地装置、基础、电缆等八大类。 a)导线缺陷：仅指导线本体所发生的缺陷，不包括和导线连接的各类金具所发生的缺陷。 b)地线/OPGW缺陷：仅指地线/OPGW本体所发生的缺陷，不包括和地线/OPGW连接的各类金具所发生的缺陷。 c)绝缘子缺陷：仅指绝缘子本体所发生的缺陷，不包括和绝缘子连接的各类金具所发生的缺陷。 d)金具缺陷：指杆塔上除拉线金具之外其它所有金具所发生的缺陷，可分为绝缘子串金具缺陷、导线金具缺陷、地线/OPGW金具缺陷。 ——绝缘子串金具缺陷：主要包括导线连接金具缺陷、耐张线夹缺陷、悬垂线夹缺陷； ——导线金具缺陷：主要包括导线保护金具缺陷、导线接续金具缺陷； ——地线/OPGW金具缺陷：主要包括地线/OPGW连接金具缺陷、地线/OPGW保护金具缺陷、地线/OPGW 接续金具缺陷。 e)杆塔缺陷：仅指杆塔本体所发生的缺陷，不包括和杆塔连接的其它部件所发生的缺陷。 f)拉线缺陷：指和拉线连接的所有部件发生的缺陷，包括拉线本体缺陷、拉线金具缺陷、拉棒缺陷、拉盘缺陷等。 1