抗干扰滤波器件介绍
抗干扰滤波器件介绍
中心议题：
?
穿心电容器应用环境说明
?
馈通滤波器的使用方法
?
滤波器对EMI的作用
?
解决方案：
?
铁氧体材料的阻抗越大滤波效果越好
?
将电源线与电源回流线同时穿过铁氧体
?
根据频率选择不同磁导率的铁氧体材料
?
伴随电子技术的高速发展，电磁环境日益恶化，大量的电子设备在这种电磁环境中很难正常工作。另一方面，电子设备的迅速增加，又进一步导致电磁环境的恶化。因此，现代电子产品设计技术中，如何选用干扰抑制滤波器件，是我们每一位电子产品设计人员必须面对的问题，本文对此进行了详细的阐述。
?
常用贴片元件封装尺寸图
常用贴片元件封装尺寸图 目录 1 TO-268AA 41 D-7343 2 TO-26 3 D2PAK 42 C-6032 3 TO-263-7 43 B-3528 4 TO-263- 5 44 A-3216 5 TO-263-3 45 SOT883 6 TO-252 DPAK 46 SOT753 7 TO-252-5 47 SOT666 8 TO252-3 48 SOT663 9 2010 49 SOT552-1 10 4020 50 1SOT523 11 0603 51 SOT505-1 12 0805 52 SOT490-SC89 13 01005 53 SOT457 SC74 14 1008 54 SOT428 15 1206 55 SOT416/SC75 16 1210 56 SOT663 SMD 17 1406 57 SOT363 SC706L 18 1812 58 SOT353/sc70 5L 19 1808 59 SOT346/SC59 20 1825 60 SOT343 SMD 21 2010 61 SOT323/SC70-3 SMD 22 2225 62 SOT233 SMD 23 2308 63 SOT-223/TO-261AA SMD 24 2512 64 SOT89/TO243AA SC62 SMD 25 DO-215AB 65 SOT23-8 26 DO-215AA 66 SOT23-6 27 DO-214AC 67 SOT23-5 28 DO-214AB 68 SOT23 29 DO-214AA 69 SOT143/TO253 SMD 30 DO-214 31 DO-213AB 32 DO-213AA 33 SOD123H 34 SOD723 35 SOD523 36 SOD323 37 SOD-123F 38 SOD123 39 SOD110 40 DO-214AC SOD106
微机型继电保护装置的抗干扰措施(新编版)
( 安全管理 ) 单位：_________________________ 姓名：_________________________ 日期：_________________________ 精品文档 / Word文档 / 文字可改 微机型继电保护装置的抗干扰 措施(新编版) Safety management is an important part of production management. Safety and production are in the implementation process
微机型继电保护装置的抗干扰措施(新编 版) 近年来，微机型继电保护装置在电力系统中得到了广泛的运用。和常规保护相比，微机保护具有先进的原理及结构，安装调试简单，运行维护方便，保护动作迅速灵敏可靠，能自动记录故障信息等显著的优点。但是在现场运行过程中，如果运行环境差，抗干扰措施落实不当，则很容易受到外界环境的干扰，造成保护不正常，甚至发生保护误动作，严重威胁到电网的安全运行。 1常见二次回路干扰的种类及传播途径 一般情况下，由于系统内发生接地故障、倒闸操作或者雷击等原因都将产生较强的电磁干扰。干扰电压主要是通过交流电压、电流回路，信号及控制回路的电缆进入保护二次设备，使装置的“读程序”或者“写程序”出错，导致CPU执行非预定的指令，或者使
微机保护进入死循环。常见的干扰有以下几种： （1）变电站内发生单相或者多相接地故障时，强大的故障电流沿着接地点进入变电站的地网，使得地网上任意不同的两点之间产生很高的地电位差。这种干扰通常称之为50Hz工频干扰。 （2）当操作变电站内的开关设备，比如高压隔离开关切合带电母线时，将在二次回路上引起高频干扰。干扰电压通过母线、电容器等设备进入地网，产生频率为50Hz～1MHz不等的高频振荡，在二次回路上引起较强的高频干扰。 （3）每当进入雨季，发生雷击时，由于电与磁的耦合，也会在高压导线和大地之间感应出干扰电压，称之为雷电干扰。 （4）当断开接触器或者继电器的线圈时，会产生宽频谱的干扰波，其干扰频率甚至可达到50MHz。另外，在高压区使用对讲机、移动电话等通讯工具，也将产生高频电磁场干扰。 2抗干扰措施的实施情况 抗干扰的最基本措施就是防止干扰进入弱电系统。一方面是通过改进装置的硬件部分，增加其抗干扰能力；另一方面可以从外部
SMT常见贴片元器件封装类型和尺寸
1、SMT 表面封装元器件图示索引（完善） 名称 图示 常用于 备注 Chip 电阻，电容，电感 片式元件 MLD ： Molded Body 钽电容，二极 管 模制本体元件 CAE ： Aluminum Electrolytic Capacitor 铝电解电容 有极性 Melf ： Metal Electrode Face 圆柱形玻璃二极管, 电阻（少见） 二个金属电极 SOT ： Small Outline Transistor 三极管，效应管 小型晶体管 JEDEC(TO) EIAJ(SC) TO ： Transistor Outline 电源模块 晶体管外形的贴片元件 JEDEC(TO) OSC ： Oscillator 晶振 晶体振荡器 Xtal ：Crystal 晶振 二引脚晶振
SOD： Small Outline Diode 二极管 小型二极管（相 比插件元件） JEDEC SOIC： Small Outline IC 芯片，座子小型集成芯片 SOP： Small Outline Package 芯片 小型封装，也称 SO，SOIC 引脚从封装 两侧引出呈 海鸥翼状(L 字形) 前缀： S：Shrink T：Thin SOJ： Small Outline J-Lead 芯片 J型引脚的小芯 片【也成丁字形】 LCC： Leadless Chip carrier 芯片 无引脚芯片载 体： 指陶瓷基板的四 个侧面只有电极 接触而无引脚的 表面贴装型封 装。也称为陶瓷 QFN 或QFN-C PLCC： plastic leaded Chip carrier 芯片 引脚从封装的四 个侧面引出，呈 丁字形或J型， 是塑料制品。DIP： Dual In-line Package 变压器，开关, 芯片 双列直插式封 装：引脚从封装 两侧引出QFP： Quad Flat Package 芯片 四方扁平封装： 引脚从四个侧面 引出呈海鸥翼 (L)型。基材有陶
最新保护装置抗干扰措施
保护装置抗干扰措施
硬件抗干扰： 一．产品结构的电磁兼容设计 ●为了提高机箱的屏蔽效果，在接缝处可使用导电衬垫，显示窗可使用 导电玻璃。用于改善机箱屏蔽性能的各种金属衬垫、导电橡胶、导电 漆、透明屏蔽玻璃等都有助于减小设备的辐射发射和提高抗扰度。另 外，机壳通风孔径大于5mm以上时，要盖上一层金属网罩，且将边缘 与外壳焊牢，以保证良好的屏蔽效果。 ●在产品的结构设计中应将装置的强电部分和弱电部分尽量分开来，采 取将微机保护的核心部分如CPU、存储器、A／D转换器和有关地址译 码电路集中在一、两个插件上，并在布置上远离强电干扰源。在可能 的情况下，在强电部分和弱电部分之间加一层金属板加以屏蔽，该金 属板也要与机箱、大地连到一起。 ●抑制静电放电干扰应从提高电子设备表面的绝缘能力着手，在可能发 生静电放电的部位或装置加强绝缘或加以屏蔽，并接地良好。如：装 置表面可涂刷绝缘漆；操作开关等部位留足隔离间隙等。 二．电源回路的电磁兼容设计 ●电源回路的电磁兼容设计主要是采用滤波技术。由于本装置采用了专 用的开关电源模块，所以这一部分的抗干扰问题基本已经解决。三．交流量回路的电磁兼容设计 ●由于电磁干扰是直接从CT、PT的初级引线进入装置内部的，所以 CT、PT的初级引线要尽量短，并且不能互相交叉，以减少它们彼此之 间的相互干扰。在设计印刷电路板时，应考虑将强电部分与弱电部分 在空间上分开来，强电部分可考虑安装金属屏蔽罩，以减少强电部分 对弱电电路的空间辐射电磁干扰。 ●另外，CT、PT原副边绕组间的隔离层应接至机箱，以防止外部浪涌电 压的影响。 四．开关量回路的电磁兼容设计 ●开关量输入信号送给CPU之前，必须进行隔离处理，可采用光电隔 离，而且两级光电隔离效果会比较好，在开关量输入板的出口处和 CPU板的入口处各设一级光电隔离。开关量输出回路也应该在前端采 取隔离措施，可通过光耦或继电器进行隔离，而且两级隔离效果会比 较好，在CPU板的出口处和开关量输出板的入口处各设一级隔离。其 中，隔离光耦两侧电源应该独立，否则起不到隔离作用。 ●继电器与接触器的触点在通断瞬间会产生电弧或火花的干扰，适当地 降额使用可以明显地减弱这种干扰，应选用触点容量大于电路上可能
功率器件简要介绍
一功率半导体简介 功率半导体器件种类很多，器件不同特性决定了它们不同的应用范围，常用半导体器件的特性如下三图所示。目前来说，最常用的功率半导体器件为功率MOSFET和IGBT。总的来说，MOSFET的输出功率小，工作频率高，但由于它导通电阻大的缘故，功耗也大。但它的功耗随工作频率增加幅度变化很小，故MOSFET更适合于高频场合，主要应用于计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、工业控制和电力设备领域。IGBT的输出功率一般10KW~1000KW 之间，低频时功耗小，但随着工作频率的增加，开关损耗急剧上升，使得它的工作频率不可能高于功率MOSFET，IGBT主要应用于通信、工业、医疗、家电、照明、交通、新能源、半导体生产设备、航空航天以及国防等领域。 GAGGAGAGGAFFFFAFAF
图1.1 功率半导体器件的工作频率范围及其功率控制容量 GAGGAGAGGAFFFFAFAF
图1.2 功率半导体器件工作频率及电压范围 图1.3 功率半导体器件工作频率及电流范围 二不同结构的功率MOSFET特性介绍 功率MOSFET的优点主要有驱动功率小、驱动电路简单、开关速度快、工作频率高，随着工艺的日渐成熟、制造成本越来越低，功率MOSFET应用范围越来越广泛。我们下面主要介绍一些不同结构的MOSFET的特性。VVMOSFET GAGGAGAGGAFFFFAFAF
GAGGAGAGGAFFFFAFAF
图2.1 VVMOS结构示意图 VVMOS采用各向异性腐蚀在硅表面制作V 形槽，V形槽穿透P与N+连续扩散的表面，槽的角度由硅的晶体结构决定，而器件沟道长度取决于连续扩散的深度。在这种结构中，表面沟道由V 形槽中的栅电压控制，电子从表面沟道出来后乡下流到漏区。由于存在这样一个轻掺杂的漂移区且电流向下流动，可以提高耐压而并不消耗表面的面积。 这种结构提高了硅片的利用率，器件的频率特性得到很大的改善。同时存在下列问题:1，V形槽面之下沟道中的电子迁移率降低；2，在V槽的顶端存在很强的电场，严重影响器件击穿电压的提高；3，器件导通电阻很大；4，V槽的腐蚀不易控制，栅氧暴露，易受离子玷污，造成阈值电压不稳定，可靠性下降。 GAGGAGAGGAFFFFAFAF
常用电子元件封装尺寸规格汇总
常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照
室分设计要求
室分设计要求 Document serial number【UU89WT-UU98YT-UU8CB-UUUT-UUT108】
室分设计要求1.1室分器件使用原则 优先选用基站信源+无源分布系统，合理选择信源设备，根据小区最大容量设计分布系统，保证系统的稳定性和可扩展性。无源分布系统一二级主干的无源器件应采用高性能无源器件，确保系统的稳定可靠；天线、无源器件均采用兼容GSM/TD/WLAN/LTE的宽频设备可承载大功率的器件，兼容后续网络发展需要。 信源发射功率要求按照标称功率进行设计，不允许降低信源发射功率设计，特殊情况下可以适当使用负载,充分利用信源功率，将功率合理分配至覆盖区域。RBS6601设备按标称功率设计时如果末端天线口功率过大，可以适当改用RBS2308设备作为信源，不允许使用衰减器。 馈线在功率足够的前提下尽量使用1/2馈线；主干路由必须使用7/8馈线，分支路由超过30米使用7/8馈线。 需参考《中国移动无源器件技术规范》和省公司对无源器件的整治要求，对器件使用明确要求。 1.以主设备（宏基站、微蜂窝和分布式基站）为信源的纯无源室内分布 系统，通过FAS干扰分析软件确定无源互调干扰后，带测互调仪现场 测试定位干扰源器件（五阶互调抑制比在-110dBm以上可判断有互调干 扰）。 2.VIP站点出现明显干扰，而且有施工条件的，成批更换器件彻底消除无 源器件隐患。 3.高配置系统（4载波以上）站点，为保障用户良好感知，应该使用高性
能无源器件。 4.基站输出端器件一律采用DIN型接头，减少跳线多次转接带来差的互 调影响；主干（7/8″馈线）一级器件用DIN型高性能无源器件，只在 分支（1/2″馈线）二、三级器件用普通N型器件。 5.注入器件功率≥36dBm（单系统总功率）的无源器件替换成高性能的无 源器件。 1.2各类室分器件编号要求与损耗值规定 1.2.1器件编号与标注要求 1.2.2无源器件编号与标注 无源器件编号采用按楼层编号的方式，编号格式为XXXX M-N F，其中XXXX为器件代码；M与N为阿拉伯数字，M表示器件的编号，不同楼层的器件数字编号均从1开始；N表示所在楼层，如果是地下楼层，则在楼层数字编号前加字母B，如B3F表示负三楼。
常用元器件封装尺寸大小
封装形式图片国际统一简称 LDCC LGA LQFP PDIP TO5 TO52 TO71 TO71 TO78 PGA Plastic PIN Grid Array 封装形式图片国际统一简称 TSOP Thin Small OUtline Package QFP Quad Flat Package PQFP 100L QFP Quad Flat Package SOT143 SOT220 Thin Shrink Qutline Package uBGA Micro Ball Grid Array uBGA Micro Ball Grid Array PCDIP
PLCC LQFP LQFP 100L TO8 TO92 TO93 T099 EBGA 680L QFP Quad Flat Package TQFP 100L ZIP Zig-Zag Inline Packa SOT223 SOT223 SOT23 SOT23/SOT323 SOT25/SOT353 SOT26/SOT363 FBGA FDIP SOJ
SBGA LBGA 160L PBGA 217L Plastic Ball Grid Array SBGA 192L TSBGA 680L CLCC SC-705L SDIP SIP Single Inline Package SO Small Outline Package SOP EIAJ TYPE II 14L SSOP 16L SSOP SOJ 32L Flat Pack HSOP28 ITO220 ITO3P TO220 TO247
电力电子器件
电力电子器件 电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作在开关状态。 ◆由信息电子电路来控制,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，在其工作时一般都需要安装散热器。 电力电子器件的功率损耗 断态损耗 通态损耗：是电力电子器件功率损耗的主要成因。 开关损耗：当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。分为开通损耗和关断损耗。 电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。 电力电子器件的分类 按照能够被控制电路信号所控制的程度
◆半控型器件：指晶闸管（Thyristor）、快速晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管。 ◆全控型器件：IGBT、GTO、GTR、MOSFET。 ◆不可控器件：电力二极管（Power Diode）、整流二极管。 按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型：通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。Thyrister，GTR，GTO。 ◆电压驱动型：仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。电力MOSFET，IGBT，SIT。 按照驱动信号的波形（电力二极管除外） ◆脉冲触发型：通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。晶闸管，SCR，GTO。 ◆电平控制型：必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在通断状态。GTR，MOSFET，IGBT。 按照载流子参与导电的情况 ◆单极型器件：由一种载流子参与导电。MOSFET、SBD（肖特基势垒二极管）、SIT。 ◆双极型器件：由电子和空穴两种载流子参与导电。电力二极管，PN结整流管，SCR，GTR，GTO。 ◆复合型器件：由单极型器件和双极型器件集成混合而成，也称混合型器件。IGBT，MCT。 GTO：门极可关断晶闸管。SITH（SIT）：静电感应晶体管。
功率器件知识
功率器件知识 功率器件的主要功能是进行电能的处理与变换（比如变压、变流、变频、功放等）。主要应用领域是开关电源、电机驱动与调速、UPS 等等，这些装置都需输出一定的功率给予电器，所以电路中必须使用功率半导体。另一重要应用领域是发电、变电与输电，这就是原本意义上的电力电子。 功率器件的应用领域：消费电子24%，工业控制23.4%，计算机21.8%，网络通信20.5%，汽车电子5.2%。 任何电器设备都需要电源，任何用电机的设备都需要电机驱动。作为目前国际上主流的功率半导体器件，包括VD-MOSFET和IGBT，克服了以前功率半导体器件工业频率低、所需要的配套电感、电容、变压器等体积大、能耗高等缺点，制备工艺使用的设备和工艺线的要求与集成电路基本相同，完全不同于用台面技术和粗放光刻的晶闸管、台面二极管、功率BJT的制造。 全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势。MOSFET等功率器件越来越多地应用到整机产品中。我国用于电机的电能占我国总发电量的60%多。如果全国电机的驱动都采用功率半导体进行变频调速就可以节能大约 1/4 到 1/3，也就是说可节约全国总发电量的15%至20%。功率半导体还是信息产品、计算机、消费电子和汽车这4C产业的基础产品，当前用于4C产业的功率半导体已占功率半导体总量的70%多。
功率器件包括功率IC（半导体元件产品统称）和功率分立器件。 功率分立器件主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT等半导体器件。功率IC和MOSFET的市场份额较大，分别占40.4%和26.0%市场份额，是中国功率半导体市场上最重要两个产品，此外大功率晶体管、达林顿管、IGBT和晶闸管也占有一定市场份额。 功率器件的中国市场结构：电源管理IC 40.4%，MOSFET26.0%，大功率晶体管13.7%，达林顿管5.3%，IGBT4.2%，晶闸管1.8%。 由于下游终端产品很多已向国内转移，其上游的功率器件市场也一直保持较快的发展速度。02-06年中国功率器件市场复合增长率29.4%，未来5年复合增长率19.1%，2011年达1680.4亿元。 国外厂商处于主导地位，国内厂商奋起直追。从功率半导体厂商的类型来看，多数功率芯片厂商是IDM（智能分销管理系统）厂商，Fabless（无生产线的IC设计公司）也占据了一定比例。美国、日本和欧洲功率芯片厂商大部分属于IDM 厂商，而中国台湾厂商则绝大多数属于Fabless厂商。 其中MOSFET在中国目前的市场规模为174.8亿元。MOSFET根据不同的耐压程度，有着不同的应用：耐压20v-应用领域手机、数码相机，30v-计算机主板、显卡，40v-机顶盒和电动自行车，60v-UPS、汽车雨刷、汽车音响、马达控制，80v-LCD TV、LCD 显示器和其他仪器仪表，150-400v-照明、CRT 电视、背投电视、电热水器和洗衣机等，400-800v-发动机启动器、车灯控制、电机控制，嵌入式电源和电源适配器，500-1000v-高压变频器、发电和变电设备。
室分元件原理与分析
功分器 1）功分器的作用：是将功率信号平均地分成几份，给不同的覆盖区使用。 2）种类：功分器一般有二功分、三功分和四功分3种。 功分器从结构上分一般分为：微带和腔体2种。腔体功分器内部是一条直径由粗到细程多个阶梯递减的铜杆构成,从而实现阻抗的变换,二微带的则是几条微带线和几个电阻组成,从而实现阻抗变换. 3）主要指标：包括分配损耗、插入损耗、隔离度、输入输出驻波比、功率容限、频率范围和带内平坦度。 以下对各项指标进行说明: 分配损耗：指的是信号功率经过理想功率分配后和原输入信号相比所减小的量。 此值是理论值，比如二功分3dB，三功分是4.8dB,四功分是6dB。（因 功分器输出端阻抗不同，应使用端口阻抗匹配的网络分析仪能够测得与 理论值接近的分配损耗）比如有一个30dBm的信号，转换成毫瓦是1000 毫瓦，将此信号通过理想3功分器分成3份的话，每份功率＝1000÷3 ＝333.33毫瓦，将333.33毫瓦转换成dBm＝10lg333.33=25.2dBm, 那么 理想分配损耗＝输入信号－输出功率＝30－25.2=4.8dB,同样可以算出2 功分是3dB，4功分是6dB 插入损耗：指的是信号功率通过实际功分器后输出的功率和原输入信号相比所减小的量再减去分配损耗的实际值，（也有的地方指的是信号功率通 过实际功分器后输出的功率和原输入信号相比所减小的量）。插入损耗 的取值范围一般腔体是：0.1dB以下；微带的则根据二、三、四功分器 不同而不同约为：0.4~0.2dB、0.5~0.3dB、0.7~0.4dB。 插损的计算方法：通过网络分析仪可以测出输入端A到输出端B、C、D 的损耗，假设3功分是5.3dB,那么，插损＝实际损耗－理论分配损耗＝ 5.3dB-4.8dB=0.5dB. 微带功分器的插损略大于腔体功分器,一般为0.5dB左右,腔体的一般为 0.1dB左右。由于插损不能使用网络分析仪直接测出，所以一般都以整 个路径上的损耗来表示（即分配损耗＋插损）：3.5dB/5.5dB/6.5dB等 来表示二/三/四功分器的插损。
室内分布系统器件介绍
室内分布系统器件介绍 在室内分布系统中，经常使用的器件包括射频电缆、功分器、定向耦合器、合路器、天线、直放站、干线放大器、微蜂窝等。 1射频电缆 1.1射频电缆 射频电缆用作室内分布系统中射频信号的传输，室内分布系统是利用微蜂窝或直放站的输出，再加上射频电缆通过天线来覆盖一座大厦内部,射频电缆主要工作频率范围在 100MHz~3000MHz之间。 我们常用的射频电缆编织外导体射频同轴电缆如5D、7D、8D、10D、12D这几种，其特点比较柔软，可以有较大的弯折度，适合室内的穿插走线。皱纹铜管外导体射频同轴电缆 如 1/2,7/8等型号，其电缆硬度较大，对于信号的衰减小，屏蔽性也比较好，较多用于信号 源的传输。超柔射频同轴电缆用于基站内发射机、接收机、无线通信设备之间的连接线（俗 称跳线），超柔射频同轴电缆弯曲直径与电缆直径之比一般小于7。 图1-1 编织外导体射频同轴电缆图1-2 皱纹铜管外导体射频同轴电缆表1-1 射频电缆参数的比较（典型值） 规格5D 7D 8D 10D 1/2” 7/8 超柔百米损耗(800MHZ) 19.0dB13.0 12.9 10.2 6.8 3.8 10.9 百米损耗(900MHZ) 20.4dB14.3 13.8 11.0 7.2 4.1 11.2 百米损耗(1800MHZ) 29.7 21.1 20.8 16.8 10.6 6.1 16.5 30dB损耗线长(900MHZ)米150 210 215 260 450 730 255 每百米重量(KG) 8 11.5 14. 18 25 57 21 导线护套外径(mm) 7.5 9.8 10.4 13.2 15.8 28 14.7 特性阻抗(欧姆) 50 50 50 50 50 50 50 驻波比(<2000MHz) ≤1.20 ≤1.20≤1.20≤1.20 ≤1.20≤1.20≤1.20相对传输速度88% 88% 88% 88% 88% 88% 81% 最小弯曲半径(mm) 70 100 110 140 200 280 35
滤波器简介
微波滤波器是用来分离不同频率微波信号的一种器件。 微波滤波器按作用分类，可划分为低通滤波器，高通滤波器，带通滤波器和带阻滤波器等四种类型的。 为了描述微波滤波器的滤波特性，一般常用的是插入衰减随频率变化的曲线。插入衰减的定义为： 式中Pi 为微波滤波器所接信号源的最大输出功率，P L 为微波滤波器的负载吸收功率。 微波滤波器的主要技术指标有：工作频带的中心频率、带宽、通带内允许的最大衰减、阻带内允许的最小衰减、阻带向通带过渡时的陡度和通带内群时延的变化等。 一、利用四分之一波长传输线并联电抗元件的滤波器 微波滤波器的结构是：在一特性阻抗为Z 0的传输线上，每隔λp /4的距离就并接一个电抗性元件(它的实际结构可以是短路支线、膜片或螺钉)，设其阻抗分别为Z 1、Z 2、Z 3、Z 4、Z 5和Z 6，R L 是滤波器所接的负载。如图。 L i A P P L log 10=
二：利用高低阻抗线构成的滤波器 下图是利用高低阻抗线构成的微波滤波器的原理性示意图及其等效电路。适当选取每段传输线的长度和它的特性阻抗，并按一定顺序把它们级联在一起，就构成了这种型式的滤波器。 高低阻抗线的结构示意图及其等效电路 实际中应用的微波滤波器远不止上面讲的这些，例如，利用耦合传输线之间的相互作用，利用谐振腔或许多谐振腔的级联等，都可以构成微波滤波器。 Reference:| 近代物理实验室（Google 学术）
优译主要生产： 同轴隔离器、嵌入式（带线）隔离器、宽带隔离器、双节隔离器、表面封装（SMT）隔离器、微带（基片）隔离器、波导隔离器、高功率隔离器、同轴环形器、嵌入式（带线）环形器、宽带环形器、双节环形器、表面封装（SMT）环形器、微带（基片）环形器、波导环形器、高功率环形器、同轴衰减器、同轴终端（负载）、滤波器、放大器、功分器、电桥、定向耦合器、波导同轴转换、双工器/三工器等微波通讯产品，更多产品可参考优译官网：https://www.wendangku.net/doc/fb7420653.html,
常用贴片元件封装尺寸
常用贴片元件封装 1 电阻： 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类 1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表： 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200
1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 阻值范围从0R-100M 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603； 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
滤波器,双工器技术培训基本原理
1.滤波器原理 1.1 概述 滤波器是通信工程中常用的重要器件，它对信号具有频率选择性，在通信系统中通过或阻断，分开或合成某些频率的信号。在微波系统中通常需要把信号频谱中有用的几个频率信号分离出来而滤除无用的其他频率信号，完成这一功能的设备称为滤波器。 滤波器在无线通信设备中相当重要，在射频有源电路中输入输出的各级之间普遍存在。它是一种选频装置，允许输入信号中的特定频率成分通过,同时抑制或极大地衰减其它频率成分(又称此频带为阻带)。 考虑一双端口网络（如图1.1所示）。设从一个端口输入一具有均匀功率谱的信号，信号通过网络后，在另一端口的负载上吸收的功率谱不再是均匀的，这就是说，网络的输出具有频率选择性，这便是一个滤波器。 图1.1 滤波器框图 通常采用工作衰减来描述滤波器的幅值特性，即 10lg in A L P L P (1.1) 式中， in P和L P分别为输出端接匹配负载时滤波器输入功率和负载吸收功率。根据衰减特性不同，滤波器通常分为低通，高通，带通和带阻滤波器，图3与图4给出了各种滤波器的集中电抗梯形电路及其相应的衰减特性，从衰减特性便可判别出滤波器的类型。
骤然看来，这四种电路结构是很不相同的，似乎各自应有各自的设计方 法。其实不然，通过一些数学方法，人们可以把这四种滤波器电路结构完全统 一起来，这里用到的数学方法叫作“频率变换”。应用频率变换法，其它三种 滤波器都可以看作低通滤波器；在设计时，先从它对应的低通滤波器着手（因 为这样简单得多），在获得低通滤波器的设计数据以后，再用频率变换法，求得 所要设计的滤波器的数据。因为这个关系，满足设计技术要求的低通滤波器称 为“母型滤波器”或“原型滤波器”（prototype)。 1.2 归一化低通原型滤波器 集总元件低通原型滤波器（简称低通原型）是用现代网络综合法设计微波滤 波器的基础，各种低通，高通，带通和带阻微波滤波器的传输特性基本上都是根 据此原型特性变换而来。正因如此，才使滤波器的设计得以简化，精度得以提高。 理想的低通滤波器的衰减特性如图 1.3(a)所示，即在0ω=到1ω的频率范 围内，衰减为零，称为通带 ; 在ω>1ω的范围内衰减为∞，称为阻带，ω表示角 频率，1ω称为截止频率。显然这种理想的滤波特性，用有限个元件的电抗网络是 无法实现的，因为有限元件数的电抗网络的衰减特性一定是连续函数，不可能在 某一频率上突跳。
常用贴片元件封装尺寸图
目录 TO-268AA贴片元件封装形式图片 (3) TO-263 D2PAK封装尺寸图 (4) TO-263-7封装尺寸图 (5) TO-263-5封装尺寸图 (6) TO-263-3封装尺寸图 (7) TO-252 DPAK封装尺寸图 (8) TO-252-5封装尺寸图 (9) TO252-3封装尺寸图 (10) 0201封装尺寸 (11) 0402封装尺寸图片 (12) 0603封装尺寸图 (13) 0805封装尺寸图 (14) 01005封装尺寸图 (15) 1008封装尺寸图 (16) 1206封装尺寸图 (17) 1210封装尺寸图 (18) 1406封装尺寸图 (19) 1812封装尺寸图 (20) 1808封装尺寸图 (21) 1825封装尺寸图 (22) 2010封装尺寸图 (23) 2225封装尺寸图 (24) 2308封装尺寸图 (25) 2512封装尺寸图 (26) DO-215AB封装尺寸图 (27) DO-215AA封装尺寸图 (28) DO-214AC封装尺寸图 (29) DO-214AB封装尺寸图 (30) DO-214AA封装尺寸图 (31) DO-214封装尺寸图 (32) DO-213AB封装尺寸图 (33) DO-213AA封装尺寸图 (34) SOD123H封装图 (35) SOD723封装尺寸图 (36) SOD523封装尺寸图 (37) SOD323封装尺寸图 (38) SOD-123F封装尺寸图 (39) SOD123封装尺寸图 (40) SOD110封装尺寸图 (41) DO-214AC SOD106封装尺寸图 (42) D-7343封装尺寸图 (43)
13种常用的功率半导体器件介绍
13种常用的功率半导体器件介绍 电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高；电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。 1. MCT （MOS Control led Thyristor）：MOS控制晶闸管 MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将MOSFET 的高阻抗、低驱动图MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET，IGBT，GTO 等器件相比，有如下优点： （1）电压高、电流容量大，阻断电压已达3 000V，峰值电流达1 000 A，最大可关断电流密度为6000kA/m2； （2）通态压降小、损耗小，通态压降约为11V； （3）极高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已达20 kV/s ，di/dt为2 kA/s； （4）开关速度快，开关损耗小，开通时间约200ns，1 000 V 器件可在2 s 内关断； 2. IGCT（Intergrated Gate Commutated Thyristors） IGCT 是在晶闸管技术的基础上结合IGBT 和GTO 等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。 IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器功率0.5~ 3 MW，三电平逆变器1~ 6 MW；若反向二极管分离，不与IGCT
功率器件简要介绍
一功率半导体简介 功率半导体器件种类很多,器件不同特性决定了它们不同得应用范围,常用半导体器件得特性如下三图所示。目前来说,最常用得功率半导体器件为功率MOSFET与IGBT。总得来说,MOSFET得输出功率小,工作频率高,但由于它导通电阻大得缘故,功耗也大。但它得功耗随工作频率增加幅度变化很小,故MOSFET更适合于高频场合,主要应用于计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、工业控制与电力设备领域。IGBT得输出功率一般10KW~1000KW之间,低频时功耗小,但随着工作频率得增加,开关损耗急剧上升,使得它得工作频率不可能高于功率MOSFET,IGBT主要应用于通信、工业、医疗、家电、照明、交通、新能源、半导体生产设备、航空航天以及国防等领域。 图1、1 功率半导体器件得工作频率范围及其功率控制容量
图1、2 功率半导体器件工作频率及电压范围 图1、3 功率半导体器件工作频率及电流范围 二不同结构得功率MOSFET特性介绍 功率MOSFET得优点主要有驱动功率小、驱动电路简单、开关速度快、工作频率高,随着工艺得日渐成熟、制造成本越来越低,功率MOSFET应用范围越来越广泛。我们下面主要介绍一些不同结构得MOSFET得特性。VVMOSFET 图2、1 VVMOS结构示意图
VVMOS采用各向异性腐蚀在硅表面制作V 形槽,V形槽穿透P与N+连续扩散得表面,槽得角度由硅得晶体结构决定,而器件沟道长度取决于连续扩散得深度。在这种结构中,表面沟道由V 形槽中得栅电压控制,电子从表面沟道出来后 乡下流到漏区。由于存在这样一个轻掺杂得漂移区且电流向下流动,可以提高耐压而并不消耗表面得面积。 这种结构提高了硅片得利用率,器件得频率特性得到很大得改善。同时存在下列问题:1,V形槽面之下沟道中得电子迁移率降低;2,在V槽得顶端存在很强得电场,严重影响器件击穿电压得提高;3,器件导通电阻很大;4,V槽得腐蚀不易控制,栅氧暴露,易受离子玷污,造成阈值电压不稳定,可靠性下降。 VUMOSFET 图2、2 VUMOS结构示意图 VUMOS得结构就是基于VVMOS改进得到得。这里得得U槽就是通过控制腐蚀V槽得两个斜面刚进入N-漂移区但还未相交时停止腐蚀得到得,当这种 结构得栅极施加正偏压时,不仅在P型沟道区中会形成反型层,而且在栅极覆盖 得N-漂移区中还会产生积累层,于就是源极电流均匀分配到漏极。适当选取栅极覆盖得漂移区宽度,可大大减小导通电阻,同时避免V槽顶端强电场得产生。 但就是,VUMOS得U 槽同样存在难于控制腐蚀、栅氧暴露得问题。VDMOSFET
常用元件封装号
protel99常用元件的电气图形符号和封装形式： 1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL （隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） PROTEL元件封装总结 □ emcu 发表于2006-11-28 17:10:00 电阻AXIAL 无极性电容RAD 电解电容RB- 电位器VR 二极管DIODE 三极管TO 电源稳压块78和79系列TO－126H和TO-126V 场效应管和三极管一样 整流桥D－44 D－37 D－46 单排多针插座CON SIP 双列直插元件DIP 晶振XTAL1
电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率） 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管） 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系 但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W