IRF740_本文档全面介绍了此款集成芯片的特点及使用规范
IRF740
N -CHANNEL 400V -0.48?-10A -TO-220
PowerMESH ?MOSFET
■TYPICAL R DS(on)=0.48?
■EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ■100%AVALANCHE TESTED
■VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY ?process.This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
APPLICATIONS
■HIGH CURRENT SWITCHING
■UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)■DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL,AND LIGHTING EQUIPMENT.
?
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
October 1998ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter
Value Unit V DS Drain-source Voltage (V GS =0)400V V DGR Drain-gate Voltage (R GS =20k ?)400V V GS Gate-source Voltage
±20V I D Drain Current (continuous)at T c =25o C 10A I D Drain Current (continuous)at T c =100o C 6.3A I DM (?)Drain Current (pulsed)
40A P tot Total Dissipation at T c =25o C 125W Derating Factor
1.0W/o C dv/dt(1)Peak Diode Recovery voltage slope 4.0V/ns
T s tg Storage Temperature
-65to 150
o C T j
Max.Operating Junction Temperature
150
o
C
(?)Pulse width limited by safe operating area (1)I SD ≤10A,di/dt ≤120 Α/μs,V DD ≤V (BR)DSS ,Tj ≤T JMAX First Digit of the Datecode Being Z or K Identifies Silicon Characterized in this Datasheet
TYPE V DSS R DS(on)I D IRF740
400V
<0.55?
10A
1
2
3
TO-220
1/8
THERMAL DATA
R thj-case Rthj-amb R thc-sink
T l Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
1.0
62.5
0.5
300
o C/W
oC/W
o C/W
o C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol Parameter Max Value Unit
I AR Avalanche Current,Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T j max)
10A
E AS Single Pulse Avalanche Energy
(starting T j=25o C,I D=I AR,V DD=50V)
520mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T case=25o C unless otherwise specified)
OFF
Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit V(BR)DSS Drain-source
Breakdown Voltage
I D=250μA V GS=0400V
I DSS Zero Gate Voltage
Drain Current(V GS=0)V DS=Max Rating
V DS=Max Rating T c=125o C
1
50
μA
μA
I GSS Gate-body Leakage
Current(V DS=0)
V GS=± 20V±100nA ON(?)
Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit V GS(th)Gate Threshold
Voltage
V DS=V GS I D=250μA234V
R DS(on)Static Drain-source On
Resistance
V GS=10V I D=5.3A0.480.55?
I D(o n)On State Drain Current V DS>I D(o n)x R DS(on)ma x
V GS=10V
10A DYNAMIC
Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit
g f s(?)Forward
Transconductance
V DS>I D(o n)x R DS(on)ma x I D=6A 5.8S
C iss C os s C rss Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V DS=25V f=1MHz V GS=01400
220
27
pF
pF
pF
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS(continued)
SWITCHING ON
Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit
t d(on) t r Turn-on Time
Rise Time
V DD=200V I D=5A
R G=4.7 ?V GS=10V
(see test circuit,figure3)
17
10
ns
ns
Q g Q gs Q gd Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD=320V I D=10.7A V GS=10V35
11
12
43nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit
t r(Voff) t f t c Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V DD=320V I D=10A
R G=4.7 ?V GS=10V
(see test circuit,figure5)
10
10
17
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit
I SD I SDM(?)Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
10
40
A
A
V SD(?)Forward On Voltage I SD=10A V GS=0 1.6V
t rr Q rr I RRM Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I SD=10A di/dt=100A/μs
V DD=100V T j=150o C
(see test circuit,figure5)
370
3.2
17
ns
μC
A
(?)Pulsed:Pulse duration=300μs,duty cycle1.5%
(?)Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area Thermal Impedance
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Output Characteristics Transconductance
Gate Charge vs Gate-source Voltage Transfer Characteristics
Static Drain-source On Resistance Capacitance Variations
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Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics Normalized On Resistance vs Temperature
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Fig.1:Unclamped Inductive Load Test Circuit Fig.3:Switching Times Test Circuits For Resistive Load Fig.1:Unclamped Inductive Waveform Fig.4:Gate Charge test Circuit
Fig.5:Test Circuit For Inductive Load Switching And Diode Recovery Times
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DIM.mm
inch MIN.TYP.
MAX.MIN.TYP.
MAX.A 4.40 4.600.1730.181C 1.23 1.320.0480.051D 2.40
2.72
0.094
0.107
D1 1.27
0.050
E 0.490.700.0190.027
F 0.610.880.0240.034F1 1.14 1.700.0440.067F2 1.14 1.700.0440.067
G 4.95 5.150.1940.203G1 2.4 2.70.0940.106H210.0
10.40
0.393
0.409
L216.4
0.645
L413.014.00.5110.551L5 2.65 2.950.1040.116L615.2515.750.6000.620L7 6.2 6.60.2440.260L9 3.5 3.930.1370.154DIA.
3.75 3.85
0.147
0.151
L6
A
C
D
E
D 1
F
G
L7
L2
Dia.
F 1
L5
L4
H 2
L9
F 2
G 1
TO-220MECHANICAL DATA
P011C
IRF740
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?1998STMicroelectronics–Printed in Italy–All Rights Reserved
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.
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集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介
IC设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。 前端设计的主要流程： 1、规格制定 芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码 使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。 4、仿真验证 仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基
集成电路特点及可靠性分析
集成电路特点及可靠性分析 电子科学与应用物理学院
数字集成电路的出现, 促进了电子器件更广泛的应用于工业控制、医疗卫生、航天航空、国防军事等生产和生活的各个领域。同时，为了满足这些生产和生活各个领域发展的不断要求，设计和制造体积更小、信息处理能力更强的器件，成为未来信息技术发展的关键所在。 自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃。 MOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（Complementary MOS Integrated Circuit）。 目前数字集成电路按导电类型可分为双极型集成电路（主要为TTL）和单极型集成电路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。 CMOS发展比TTL晚，但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL。 以下比较两者性能，大家就知道其原因了。 1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 2.CMOS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门） CMOS的主要特点就是功耗低。CMOS集成电路主要应用场效应管，场效应管的互补结构使它们工作时两个场效应管通常处于一个管静止另一个管导通的状态，有由于它们采用串联连接的方式，因此电路静态功耗从理论上看基本为零。实际上看，CMOS集成电路板的功耗并非真正为零，由于电路板的电流在传输过程中存在漏电流损耗，因此CMOS集成电路板中有少许静态功耗，据测试，单一电路的功耗值仅为17.8毫瓦，在1MHz的工作频率下，动态功耗也仅28毫瓦。CMOS的另一个特点是它的工作电压范围宽，对电压波动性的适应能力强，无需稳压器，供电电源的体积小，方便各种应用电路板的设备使用。目前国际上最常
集成电路材料、结构与理论
分类材料电导率 导体铝、金、钨、铜等105S ·cm -1 第二章IC 制造材料、结构与理论 2.1 集成电路材料 1 半导体硅、锗、砷化镓、 磷化铟等10-9~102S ·cm -1 绝缘体SiO 2、SiON 、Si 3N 4等10-22~10-14S ·cm -1IC 的衬底材料----构建复杂的材料系统、固态器件、集成电路 IC 的基本元件是依据半导体特性构成的
半导体特性： 掺入杂质可改变电导率---制造不同的半导体材料 热敏效应---热敏器件、热稳定性下降 光电效应---光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器 注入电流----发光，可制造发光二极管和激光二极管。 2
2.1.1 硅(Si) ?基于硅的多种工艺技术： 双极型晶体管（BJT ） 结型场效应管（J-FET ）3P 型、N 型MOS 场效应管 双极CMOS （BiCMOS ） ?来源丰富、技术成熟、集成度高、晶圆尺寸大、芯片速度快、价格低廉?占领了90％的IC 市场
2.1.2 砷化镓(GaAs) ?具有更高的载流子迁移率， 和近乎半绝缘的电阻率 能工作在超高速超高频 4 ?GaAs 的优点: 电子迁移率高，f T 达150GHz ，毫米波、超高速电路 导带价带位置—电子空穴直接复合--可制作发光器件LED\LD\OEIC—光纤数字传输禁带宽度—载流子密度低--更高的温度/更好的抗辐射性能 兼顾速度与功耗，在微米毫米波范围内GaAs IC 处于主导地位 ?GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和HBT
2.1.3磷化铟(InP) ?能工作在超高速超高频 ?三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT ?电子空穴直接复合—发光器件、OEIC ?GaInAsP/InP系统发出激光波长0.92-1.65um 覆盖了玻璃光纤的最小色散（1.3um）和最小衰减 （1.55um）的两个窗口，广泛应用于光纤通信系统中。 ?技术不够成熟 5
集成电路封装考试答案
名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联： 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性： 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板： 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 11.气密性封装： 12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装： 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试： 16.即温度循环测试。 17.T/S 测试： 18.测试封装体抗热冲击的 能力。 19.TH测试： 20.是测试封装在高温潮湿 环境下的耐久性的实验。 21.PC测试： 22.是对封装体抵抗抗潮湿 环境能力的测试。 23.HTS测试： 24.是测试封装体长时间暴 露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长 时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电 路通断情况。 25.Precon测试： 26.模拟包装、运输等过 程，测试产品的可靠性。 27.金线偏移： 28.集成电路元器件常常因 为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触 从而产生短路，造成元器件的缺陷。 29.再流焊： 30.先将微量的铅锡焊膏印 刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器 件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将 贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传 送带上。 1
常用集成电路的型号及功能说明
型号功能 ACP2371NI 多制式数字音频信号处理电路ACVP2205 梳状滤波、视频信号处理电路 AN5071 波段转换控制电路 AN5195K 子图像信号处理电路 AN5265 伴音功率放大电路 AN5274 伴音功率放大电路 AN5285K 伴音前置放大电路 AN5342K 图像水平轮廓校正、扫描速度调制电路AN5348K AI信号处理电路 AN5521 场扫描输出电路 AN5551 枕形失真校正电路 AN5560 50/60Hz场频自动识别电路 AN5612 色差、基色信号变换电路 AN5836 双声道前置放大及控制电路 AN5858K TV/AV切换电路 AN5862K(AN5862S) 视频模拟开关 AN5891K 音频信号处理电路 AT24C02 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C04 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C08 2线电可擦、可编程只读存储器 ATQ203 扬声器切换继电器电路 BA3880S 高分辨率音频信号处理电路 BA3884S 高分辨率音频信号处理电路 BA4558N 双运算放大器 BA7604N 梳状切换开关电路 BU9252S 8bitA/D转换电路 CAT24C16 2线电可擦、可编程只读存储器 CCU-FDTV 微处理器 CCU-FDTV-06 微处理器 CD54573A/CD54573CS 波段转换控制电路 CH0403-5H61 微处理器 CH04801-5F43 微处理器 CH05001(PCA84C841) 微处理器 CH05002 微处理器 CH7001C 数字NTSC/PAL编码电路 CHT0406 微处理器 CHT0803(TMP87CP38N*) 8bit微处理器 CHT0807(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0808(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0818 微处理器 CKP1003C 微处理器 CKP1004S(TMP87CK38N) 微处理器 CKP1006S(TMP87CH38N) 微处理器
集成电路的分类
逻辑电路的分类 按功能结构分类 集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。 按制作工艺分类 集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。 膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。 按集成度高低分类 集成电路按集成度高低的不同可分为： SSIC 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuits) MSIC 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuits) LSIC 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits) VLSIC 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits) ULSIC特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits)
GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路(Giga Scale Integration)。 按导电类型不同分类 集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。 双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。 按用途分类 集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。 1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。 2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电
集成电路封装基础知识
集成电路封装基础知识教材
集成电路封装基础知识 第一章集成电路的概述 第一■节序言 第二节集成电路的产生 第三节集成电路的定义 第四节集成电路的前道和后道的定义 第五节集成电路的分类 第二章集成电路的构成 第一节集成电路的主要构成 第二节各组成部分的作用 第三章集成电路的封装类型 第一节国外集成电路的封装类型 第二节国内集成电路的命名 第三节本公司内部的集成电路的封装类型 第四节集成电路未来发展的趋势 第四章集成电路的一脚(INDEX)识别 第一节集成电路的一脚构成 第二节集成电路的一脚识别 第五章集成电路封装的主要材料 第一节集成电路的主要原材料 第二节各原材料的组成、保管、主要参数 第六章集成电路封装工艺流程 第一节集成电路封装的主要工艺流程第二节集成电路封装的详细工艺流程第三节封装中工艺流程的变化第七章集成电路封装设备的主要结构 第一节封装设备的通用结构 第二节设备各部分的作用 第三节各工序各部分的结构不同 第四节设备操作面板上常用英文和日文单词注释 第八章集成电路封装设备的主要控制原理 第一节PLC的概念 第二节PLC的控制原理 第三节设备的控制原理
第九章集成电路封装中的常用单位换算 第一节长度单位换算表 第二节质量单位换算表 第三节体积和容积单位换算表第四节力单位换算表 第五节力矩和转矩单位换算表第六节压力和应力单位换算表第七节密度单位换算表
第一节序言 从本世纪50年代末开始，经历了半个多世纪的无线电电子技术正酝酿着一场新的革命.这场革命掀起的缘由是微电子学和微电子技术的兴起?而这场革命的旋涡中心则是集成电路和以其为基础的微型电子计算机. 集成电路的问世，开辟了电子技术发展的新天地，而其后大规模和超大规模集成电路的出现，则迎来了世界新技术革命的曙光?由于集成电路的兴起和发展，创造了在一块小指甲般大小的硅片上集中数千万个晶体管的奇迹；使过去占住整幢大楼的复杂电子设备缩小到能放入人们的口袋 ， 从而为人类社会迈向电子化，自动化,智能化和信息化奠定了最重要的物质基础?无怪乎有人将集成电路和微电子技术的兴起看成是跟火和蒸汽机的发明具有同等重要意义的大事 1 ?集成电路的产生
集成电路设计答案 王志功版
第一章 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律 2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。 环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 第二章 1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？ 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ 肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 第三章 1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子
集成电路测试
第一章 集成电路的测试 1.集成电路测试的定义 集成电路测试是对集成电路或模块进行检测，通过测量对于集成电路的输出回应和预期输出比较，以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程，是验证设计、监控生产、保证质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理 输入Y 被测电路DUT（Device Under Test）可作为一个已知功能的实体，测试依据原始输入x 和网络功能集F（x），确定原始输出回应y，并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因此，测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件，并分析其输出的正确性。测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处理得到测试结果。 3.集成电路故障与测试 集成电路的不正常状态有缺陷（defect）、故障（fault）和失效（failure）等。由于设计考虑不周全或制造过程中的一些物理、化学因素，使集成电路不符合技术条件而不能正常工作，称为集成电路存在缺陷。集成电路的缺陷导致它的功能发生变化，称为故障。故障可能使集成电路失效，也可能不失效，集成电路丧失了实施其特定规范要求的功能，称为集成电路失效。故障和缺陷等效，但两者有一定区别，缺陷会引发故障，故障是表象，相对稳定，并且易于测试；缺陷相对隐蔽和微观，缺陷的查找与定位较难。 4.集成电路测试的过程 1.测试设备 测试仪：通常被叫做自动测试设备，是用来向被测试器件施加输入，并观察输出。测试是要考虑DUT的技术指标和规范，包括：器件最高时钟频率、定时精度要求、输入\输出引脚的数目等。要考虑的因素：费用、可靠性、服务能力、软件编程难易程度等。 1.测试界面 测试界面主要根据DUT的封装形式、最高时钟频率、ATE的资源配置和界面板卡形等合理地选择测试插座和设计制作测试负载板。
集成电路设计习题答案-章 精品
CH1 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律 2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。 环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 CH2 1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？ 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ 肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 CH3 1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束
74系列集成电路的分类及区别
74系列集成电路的分类及区别 2008-12-26 13:42:44| 分类：默认分类| 标签：|字号大中小订阅 74系列集成电路大致可分为6大类： 74××（标准型）； 74LS××（低功耗肖特基）； 74S××（肖特基）； 74ALS××（先进低功耗肖特基）； 74AS××（先进肖特基）； 74F××（高速）。 HC为COMS工作电平； HCT为TTL工作电平，可与74LS系列互换使用； HCU适用于无缓冲级的CMOS电路。 这9种74系列产品，只要后边的标号相同，其逻辑功能和管脚排列就相同。根据不同的条件和要求可选择不同类型的74系列产品，比如电路的供电电压为3V就应选择74HC系列的产品。 补充: ．74 –系列 这是早期的产品，现仍在使用，但正逐渐被淘汰。 2．74H –系列 这是74 –系列的改进型，属于高速TTL产品。其“与非门”的平均传输时间达10ns左右， 但电路的静态功耗较大，目前该系列产品使用越来越少，逐渐被淘汰。 3．74S –系列 这是TTL的高速型肖特基系列。在该系列中，采用了抗饱和肖特基二极管，速度较高，但品 种较少。 4．74LS –系列 这是当前TTL类型中的主要产品系列。品种和生产厂家都非常多。性能价格比比较高，目前 在中小规模电路中应用非常普遍。 5．74ALS –系列 这是“先进的低功耗肖特基”系列。属于74LS –系列的后继产品，速度（典型值为 4ns）、功耗（典型值为1mW）等方面都有较大的改进，但价格比较高。 6．74AS –系列 这是74S –系列的后继产品，尤其速度（典型值为1.5ns）有显著的提高，又称“先进超高 速肖特基”系列。 7．74HC –系列 54/74HC –系列是高速CMOS标准逻辑电路系列，具有与74LS –系列同等的工作度和CMOS 集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。74HCxxx是74LSxxx同序号的翻版，型号最 后几位数字相同，表示电路的逻辑功能、管脚排列完全兼容，为用74HC替代74LS提供了方 便。 74AC –系列 该系列又称“先进的CMOS集成电路”，54/74AC 系列具有与74AS系列等同的工作速度和与 CMOS集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。 ACT 高性能CMOS逻辑门系列(输入TTL兼容具缓冲功能) AC 高性能CMOS逻辑门系列(具缓冲功能)
HCS301编码集成电路特点
HCS301编码集成电路特点: 1,保密性可编程28Bit系列号,可编程64Bit加密密钥,每次发送代码是唯一的,加密密钥不可读取 2,内部特征宽范围工作电压(HCS300 2.0V-6.3V, HCS301 5.5V-13.0V) 3,四个功能输入口(可组合达15种功能) 4,低电压检测指标 三,HCS301编码器原理 HCS301在使用之前,必须产生一个唯一的加密密钥.密钥产生过程(图1):由工厂代码和系列号一起经密钥产生算法形成唯一的加密密码,然后写入片内EPROM.工厂代码又称系列码或制造商码,长度为64Bit.每一个制造商均不相同,它用于产生与每一个编码器相对应的唯一加密密钥.工厂代码是整个系统安全的关键,应规范管理,保存.如工厂代码泄密,则整个系统没有任何安全性可言.系列号为28Bit,对应于每一个编码器,可作为用户码.
HCS301编码过程由原代码,加密密钥及同步码等经KEELOQ算法加密后.产生32Bit高度保密的滚动代码.,由于KEELOQ算法的复杂性和16位同步码每次传输时都要更新,故每次传输代码都和上一次的代码完全不同.只有在传输216次后才可能重复,以每天传送10次代码计算,时间间隔为18年之久. HCS301片内具有192Bit(16×12)EEPROM,用于存储加密密钥,序列号同步值和其它信息,在使用HCS300/301之前和使用之中都需要对其进行操作.使用之前需对其进行编程.为保密起见,只有在编程EEPROM之后相当短的时间内才能进行回读检验,其它时间为禁读状态.使用之中则读EEPROM信息加密,产生发送代码,并更新同步值. HCS301的发码信息由几个部分组成.每次发码的码字以引导码标志和头标开始,接着是滚动码和固定码部分,最后为每次发送的保护时间.滚动码部分为32Bit加密数据;固定码部分为34Bit,包括状态位,功能位和28位系列号.总计码组合多达7.38×1019次种. HCS301在每一个按键按下时发送66位编码数据,由于滚动码和固定码两部分组成,滚动码部分由4个按键状态,2位计数溢出位,10位鉴别位及16位同步值经加密产生.固定码由28位系列号,4位按键状态和2位状态位组成.
集成电路的发展与应用
粉体（1）班学号：1003011020 集成电路技术的发展与应用 摘要: 集成电路（Integrated Circuit,简称IC）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。 关键词：集成电路模拟集成电路电子元件晶体管发展应用集成电路对一般人来说也许会有陌生感，但其实我们和它打交道的机会很多。计算机、电视机、手机、网站、取款机等等，数不胜数。除此之外在航空航天、星际飞行、医疗卫生、交通运输、武器装备等许多领域，几乎都离不开集成电路的应用，当今世界，说它无孔不入并不过分。 在当今这信息化的社会中,集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础。无论是在军事还是民用上,它已起着不可替代的作用。 一、集成电路的定义、特点及分类介绍 1、什么是集成电路：所谓集成电路（IC），就是在一块极小的硅单晶片上，利用半导体 工艺制作上许多晶体二极管、三极管及电阻、电容等元件，并连接成完成特定电子技术功能的电子电路。从外观上看，它已成为一个不可分割的完整器件，集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路，目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中。[1] 2、集成电路的特点：集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、 芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。 3、集成电路的分类： （1）按功能结构分类：集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大系。
集成电路封装工艺
集成电路封装工艺 摘要 集成电路封装的目的,在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为之提供一个发挥集成电路芯片功能的良好环境,以使之稳定,可靠,正常的完成电路功能.但是集成电路芯片封装只能限制而不能提高芯片的功能. 关键词: 电子封装封装类型封装技术器件失效 Integrated Circuit Packaging Process Abstract The purpose of IC package, is to protect the chip from the outside or less environmental impa ct, and provide a functional integrated circuit chip to play a good environment to make it stable an d reliable, the completion of the normal circuit functions. However, IC chip package and not only restricted to enhance the function of the chip. 引言 电子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为，在微电子器件的总体成本中，设计占了三分之一，芯片生产占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的；封装所涉及的问题之多之广，也是其它许多领域中少见的，它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力，是一门综合性非常强的新型高科技学科。 1.电子封装 什么是电子封装(electronic packaging)? 封装最初的定义是：保护电路芯片免受周围环境的影响（包括物理、化学的影响）。所以，在最初的微电子封装中，是用金属罐(metal can) 作为外壳，用与外界完全隔离的、气密的方法，来保护脆弱的电子元件。但是，随着集成电路技术的发展，尤其是芯片钝化层技术的不断改进，封装的功能也在慢慢异化。通常认为，封装主要有四大功能，即功率分配、信号分配、散热及包装保护，它的作用是从集成电路器件到系统之间的连接，包括电学连接和物理连接。目前，集成电路芯片的I/O线越来越多，它们的电源供应和信号传送都是要通过封装来实现与系统的连接；芯片的速度越来越快，功率也越来越大，使得芯片的散热问题日趋严重；由于芯片钝化层质量的提高，封装用以保护电路功能的作用其重要性正在下降。 2.部分封装的介绍 金属封装是半导体器件封装的最原始的形式，它将分立器件或集成电路置于一个金属容器中，用镍作封盖并镀上金。金属圆形外壳采用由可伐合金材料冲制成的金属底座，借助封接玻璃，在氮气保护气氛下将可伐合金引线按照规定的布线方式熔装在金属底座上，经过引线端头的切平和磨光后，再镀镍、金等惰性金属给与保护。在底座中心进行芯片安装和在
常用集成电路功能
鹏运发科技有限公司收音机用集成电路 序号产品型号功能与用途封装形式境外同类产品 1 YD1000 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 TSSOP24 DTS是数字化影院系统 2 YD1191 AM/FM单片收音机电路 SOP28 CXA1191 3 YD1600 AM单片收音机电路 SIP9 LA1600 4 YD1619 AM/FM单片收音机电路 SOP28/SDIP30 CXA1619 5 YD1800 AM/FM单片收音机电路 SDIP22 LA1800 6 YD2003 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA2003 7 YD2111 AM/FM单片立体收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2111 8 YD2149 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2149 9 YD7088 FM自动搜索单片收音机电路 SOP16 TDA7088T 10 YD72130 AM/FM频率锁相环 SDIP24 LC72130 11 YD72131 AM/FM频率锁相环 SDIP22 LC72131 12 YD7343 FM立体声解调电路 SIP9 TA7343 13 YD7640 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA7640 音频功率放大集成电路 序号产品型号功能与用途封装形式境外同类产品 1 YD1001 720mW单声道音频功放电路 DIP8 2 YD1006 18W单声道音频功放电路 TO-220B 3 YD1008 22W单声道音频功放电路 TO-220B 4 YD1026 具有待机、静音功能的25W双声道音频功放电路 FZIP12 5 YD131 6 2W双声道音频功放电路 FDIP14 μPC1316C 6 YD1519 具有待机、静音功能的6W双声道音频功放电路 FSIP9 TDA1519 7 TDA2003 10W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2003 8 YD2025 2.3W单声道音频功放电路 DIP16 TEA2025B 9 YD2025A 2.4W单声道音频功放电路 DIP16 TEA2025B 10 YD2025H 2.4W单声道音频功放电路 HDIP12 11 YD2030 18W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2030 12 YD2030A 20W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2030A
集成电路的种类与用途全解
集成电路的种类与用途 作者：陈建新 在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。 一、集成电路的种类 集成电路的种类很多，按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号；后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。所谓数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。目前，在家电维修中或一般性电子制作中，所遇到的主要是模拟信号；那么，接触最多的将是模拟集成电路。 集成电路按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。 按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复杂，所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路，
各种集成电路介绍
第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识） 有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。 因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。 当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。 第二节语音集成电路 电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。
集成电路分类及其特点
时间：2014春季学期班级：1208101 学号：1120810102 姓名：王云 集成电路分类及其特点 摘要：集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大类别，而具体功能更是数不胜数，其应用遍及人类生活的方方面面。集成电路根据内部的集成度分为大规模、中规模、小规模三类。其封装也有许多形式：“双列直插”和“单列直插”的最为常见。消费类电子产品中用软封装的IC，精密产品中用贴片封装的IC等。对于CMOS型IC，特别要注意防止静电击穿IC，最好也不要用未接地的电烙铁焊接。集成电路型号众多，随着技术的发展，又有更多的功能更强、集成度更高的集成电路涌现，为电子产品的生产制作带来了方便。 关键词：集成电路 分类 特点 发展趋势 关键技术 一、概述 集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。 集成电路发明者为杰克·基尔比--基于锗的集成电路 和罗伯特·诺伊思--基于硅的集成电路（当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路）。仅仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，电脑，手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算，交流，制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学者认为有集成电路带来的数字革命是人类历史中最重要的事件。 二、分类及其特点 集成电路有很多种分类方法，常见的有以下几种： 1. 按使用功能分类 按使用功能主要分为模拟集成电路和数字集成电路两大类别。 （1）模拟集成电路。 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。主要有集成稳压器、运算放大器、功率放大器及专用集成电路等。其主要类型如下图1：
集成电路封装知识
集成电路封装知识 典子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为，在微电子器件的总体成本中，设计占了三分之一，芯片生产占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的；封装所涉及的问题之多之广，也是其它许多领域中少见的，它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力，是一门综合性非常强的新型高科技学科。 集成电路封装知识 典子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为，在微电子器件的总体成本中，设计占了三分之一，芯片生产占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的；封装所涉及的问题之多之广，也是其它许多领域中少见的，它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力，是一门综合性非常强的新型高科技学科。 什么是电子封装(electronic packaging)? 封装最初的定义是：保护电路芯片免受周围环境的影响（包括物理、化学的影响）。所以，在最初的微电子封装中，是用金属罐(metal can) 作为外壳，用与外界完全隔离的、气密的方法，来保护脆弱的电子元件。但是，随着集成电路技术的发展，尤其是芯片钝化层技术的不断改进，封装的功能也在慢慢异化。通常认为，封装主要有四大功能，即功率分配、信号分配、散热及包装保护，它的作用是从集成电路器件到系统之间的连接，包括电学连接和物理连接。目前，集成电路芯片的I/O线越来越多，它们的电源供应和信号传送都是要通过封装来实现与系统的连接；芯片的速度越来越快，功率也越来越大，使得芯片的散热问题日趋严重；由于芯片钝化层质量的提高，封装用以保护电路功能的作用其重要性正在下降。电子封装的类型也很复杂。从使用的包装材料来分，我们可以 将封装划分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装；从成型工艺来分，我们又可以将封装划分为预成型封装(p re-mold)和后成型封装（post-mold）；至于从封装外型来讲，则有SIP(single in-line pack age)、DIP(dual in-line package)、PLCC(plastic-leaded chip carrier)、PQFP(p lastic quad flat pack)、SOP(small-outline package)、TSOP(thin small-outline package)、PPGA(plastic pin grid array)、PBGA(plastic ball grid array)、CS