掺Ga高效单晶硅太阳电池抑制光衰研究

掺Ga高效单晶硅太阳电池抑制光衰研究

作者：任丽;李宁;杨淑云;丰云恺;任丙彦

作者机构：河北工业大学化工学院,天津300130;河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130;河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130;河北工业大学化工学院,天津300130;河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

来源：太阳能学报

ISSN：0254-0096

年：2013

卷：034

期：003

页码：449-452

页数：4

中图分类：TB321

正文语种：chi

关键词：掺Ga;单晶硅;太阳电池;光衰

摘要：P型掺B单晶硅制作的太阳电池光照10h后产生3％～6％的效率衰减.该文制备常规掺B和不同掺Ga剂量的P＜100＞单晶硅并切片制备高效晶硅太阳电池,对硅片物理参数和电池光伏特性参数进行测试对比分析.用标准模拟光源对样品电池分别进行光衰实验对比,结果证实:掺Ga单晶硅太阳电池不仅能保持与掺B单晶电池相同的光电转换效率,而且能强烈地抑制光衰.