WZBK-6(D)附加直流电源方向

WZBK-6(D)附加直流电源方向判断

1.如果短接J5、J7跳线，则R0输出为+24V电源，GND

为－24V电源。

2.如果短接J4、J6跳线，则R0输出为－24V电源，GND

为＋24V电源。

第一：把保护器打开J5、J7跳线与J4、J6跳线对换位置

第二：把漏电延时调整为0.15之间然后做实验。把扭子开关搬到漏电位置。

第三：实验正常就可以了。

第四：电光漏电一般与其它厂家都不匹配。需要技术改等

直流电源技术要求AV

新能源车辆涂装车间项目直流电源技术协议

第一部分总述

1、生产方式 生产方式：连续式 工件全浸后通低电压：0～400V可调。 然后进入高压段0-400V可调。 整流电源应与机运连锁。 2、电源条件 动力电源电压等级：三相五线制AC380V±10% 动力电源频率：50HZ±10% 进出线方式：上进下出。 3、工程内容、方式及交货时间 本技术要求主要针对直流电源系统设备的制作安装要求、技术规格要求、责任范围等进行明确。整个项目包括设计、制造、包装、运输、指导安装、调试、技术培训、生产陪伴和服务等全部内容。 工程主要时间节点： 备注：买方有权根据工程进展情况，确定最终的装备到场时间，并提前30 天通知买方人。 卖方必须根据买方通知的日期调整制作、安装、调试计划，并保证最终安装、调试计划 的实现。 第二部分技术要求 1.供货范围 1.1 电泳整流电源系统，包括：整流控制柜、整流柜。提供必备的技术资料，包括图纸、程 序、说明书、维护手册等。 1.2 卖方人负责整流电源系统的设计、制造、运输、安装、调试等。

2.与其他系统关系. 2.1 整流电源与AC380V 系统关系 2.1.1 买方提供1 路三相四线制AC380 V动力电，从变电间接到现场电源柜上口。现场变压器柜、整流柜等排放在现场同一区域内。整流电源柜间的接线和系统的现场接线、调试等均由卖方负责完成。 2.2 整流电源与前处理及电泳程控行车信息连接： 整流电源与前处理及电泳程控行车系统通过电缆进行信息的交换，主要接口信息有: 2.2.1 整流电源输入信号： 1)输送系统运行信号； 2)输送系统故障信号； 3)工件入槽到位信号（升压信号）；双路信号接入。 4)有工件信号 5)人工外部急停; 双路信号接入。 6)电泳间门开信号; 2.2.2 整流电源输出信号： 1)电泳整流电源运行信号； 2)电泳整流电源故障信号； 3)输出保护电压确认信号； 4)输出电压确认信号； 2.3整流电源与电泳循环系统关系： 整流电源与电泳循环系统不存在直接的硬件接口，它对循环系统的状态的检测均通过前处理及电泳自行小车系统获得，整流电源系统须在程序中考虑与电泳循环系统之间的互锁，当电泳循环系统未启动时，整流电源不允许启动；当电泳循环系统运行中出现异常时，整流电源启动保护电压。 2.5 整流电源技术要求 2.5.1 接地：所有设备应有明显的接地装置。

直流电源技术协议

×燃气 发电项目直流系统订货 技 术 协 议

一、总则 依据双方意向，×煤气发电项目直流电源设备、蓄电池（蓄电池技术要求见附件一）及附属设备订货事宜，经买卖双方友好协商，买受方同意出卖方承担该整套设备的制造供货、运输、卸货、指导安装调试及技术服务和培训事项。除合同有关条款外，经双方授权代表进一步协商及明确，对设备技术方面确定如下协议： ）.本技术协议适用于发电工程×煤气发电项目直流电源设备及附属设备。对设备的功能、设计、结构、性能、安装和试验等方面提出技术要求。 ）买受方在本技术协议提出了最低限度的技术要求，并未规定所有的技术要求和适用的标准，出卖方将提供满足本技术协议和标准要求的高质量产品及其服务。对国家有关安全、环保等强制性标准，均满足其要求。 ）．出卖方将执行本技术协议所列标准及相应的国家和行业相关技术要求和适用的标准。有矛盾时，按较高标准执行。 ）．合同签定后按本技术协议的要求，出卖方将提出设备的设计、制造、检验试验、装配、安装、调试、试运、试验、运行和维护等标准清单给买受方，由买受方确认。 气象、地质条件

、 应遵循的主要现行标准 直流系统成套装置采用的所有设备及备品备件的设计、制造、检查、试验及特性都应遵照最新版标准和中国国家标准（标准）及国家电力行业标准（标准）。主要标准如下：(但不仅限于此) 低压直流电源设备特性及安全要求 火力发电厂、变电所直流系统设计技术规定 －交流电气装置的接地设计规范 低压直流开关设备 继电器及继电器保护装置基本试验方法 所有标准都应是最新版本，如标准间出现矛盾时，则按最高标准执行或按双方商定的标准执行。 防护等级： 工程条件 直流系统电压： 直流系统接线：单母线分段接线 蓄电池型式：阀控式密封铅酸蓄电池 蓄电池容量：待设计院确定 交流电源电压：％ 交流电源频率：％ 充电及浮充电装置技术协议 2.4.1 基本技术参数 型式：高频开关电源

关于磁控溅射发展历程的综述

磁控溅射 1852年，格洛夫（grove）发现阴极溅射现象，自此以后溅射技术就开始建立起来了！磁控溅射沉积技术制取薄膜是上世纪三四十年代发展起来的，由于当时的溅射技术刚刚起步，其溅射的沉积率很低，而且溅射的压强基本上在1pa以上，因此溅射镀膜技术一度在产业话的竞争中处于劣势。1963年，美国贝尔实验室和西屋电气公司采用长度为10米的连续溅射镀膜装置。1974年，j.chapin发现了平衡磁控溅射。这些新兴发展起来的技术使得高速、低温溅射成为现实，磁控溅射更加快速地发展起来了，如今它已经成为在工业上进行广泛的沉积覆层的重要技术，磁控技术在许多应用领域包括制造硬的、抗磨损的、低摩擦的、抗腐蚀的、装潢的以及光电学薄膜等方面具有重要的影响。 磁控溅射的发展历程： 溅射沉积是在真空环境下，利用等离子体中的荷能离子轰击靶材表面，使靶材上的原子或离子被轰击出来，被轰击出的粒子沉积在基体表面生长成薄膜。 溅射沉积技术的发展历程中有几个具有重要意义的技术创新应用，现在归结如下： （1）二级溅射： 二级溅射是所有溅射沉积技术的基础，它结构简单、便于控制、工艺重复性好主要应用于沉积原理的研究，由于该方法要求工作气压高（>1pa）、基体温升高和沉积速率低等缺点限制了它在生产中的应用。 （2）传统磁控溅射（也叫平衡磁控溅射）： 平衡磁控溅射技术克服了二级溅射沉积速率低的缺点，使溅射镀膜技术在工业应用上具有了与蒸发镀膜相抗衡的能力。但是平衡磁控溅射镀膜同样也有缺点，它的缺点在于其对二次电子的控制过于严密，使等离子体被限制在阴极靶附近，不利于大面积镀膜。 （3）非平衡磁控溅射： B.Window在1985年开发出了“非平衡磁控溅射技术”，它克服了平衡磁控溅射技术的缺陷，适用于大面积镀膜。并且在上世纪90年代前期，在非平衡磁控溅射的基础上发展出了闭合非平衡系统（CFUBMS），采用多个靶以及非平衡结构构成的闭合磁场可以对电子进行有效地约束，使整个真空室的等离子体密度得以提高。这样可以使磁控溅射技术更适合工业生产。 （4）脉冲磁控溅射： 由于在通过直流反应溅射来制得高密、无缺陷的绝缘膜（尤其是氧化物薄膜）时，经常存在不少的问题。其结果会严重的影响膜的结构和性能。但是通过脉冲磁控溅射可以与制得金属薄膜同样的效率来制得高质量的绝缘体薄膜。近年来，随着脉冲中频电源的研发成功，使镀膜工艺技术又上了一个新的台阶；利用中频电源，采用中频对靶或者孪生靶，进行中频磁控溅射，有效地解决了靶中毒严重的现象，特别是在溅射绝缘材料的靶时，克服了溅射过程中，阳极消失的现象。 （5）磁控溅射技术新型应用： 磁控溅射技术的新型应用是指在以上基础上，再根据应用的需要，对磁控溅射系统进行改进而衍生出的多种多样的设备和装置。这些改进主要是在系统内磁力线的分布上以及磁控溅射靶的设置和分布上。

磁控溅射镀膜技术的发展

第46卷第2期2009年3月 真空VACUUM Vol.46,No.2Mar.2009 收稿日期：2008-09-03 作者简介：余东海（1978-），男，广东省广州市人，博士生 联系人：王成勇，教授。 *基金项目：国家自然科学基金（50775045）；东莞市科技计划项目（20071109）。 磁控溅射镀膜技术的发展 余东海，王成勇，成晓玲，宋月贤 （广东工业大学机电学院，广东 广州 510006） 摘 要：磁控溅射由于其显著的优点应用日趋广泛，成为工业镀膜生产中最主要的技术之一，相应的溅 射技术与也取得了进一步的发展。 非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布，提高了膜层质量；中频和脉冲磁控溅射可有效避免反应溅射时的迟滞现象，消除靶中毒和打弧问题，提高制备化合物薄膜的稳定性和沉积速率；改进的磁控溅射靶的设计可获得较高的靶材利用率；高速溅射和自溅射为溅射镀膜技术开辟了新的应用领域。 关键词：镀膜技术；磁控溅射；磁控溅射靶中图分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：1002-0322（2009）02-0019-07 Recent development of magnetron sputtering processes YU Dong-hai,WANG Cheng-yong,CHENG Xiao-ling,SONG Yue-xian (Guangdong Universily of Technology,Guangzhou 510006,China ) Abstract:Magnetron sputtering processes have been widely appleed to thin film deposition nowadays in various industrial fields due to its outstanding advantages,and the technology itself is progressing further.The unbalanced magnetron sputtering process can improve the plasma distribution in deposition chamber to make film quality better.The medium -frequency and pulsed magnetron sputtering proceses can efficiently avoid the hysteresis during reactive sputtering to eliminate target poisoning and arcing,thus improving the stability and depositing rate in preparing thin compound films.Higher utilization of target can be obtained by improved target design,and the high -speed sputtering and self -sputtering provide a new field of applications in magnetron sputtering coating processes. Key words:coating technology;magnetron sputtering;magnetron sputtering target 溅射镀膜的原理[1]是稀薄气体在异常辉光 放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。 溅射镀膜最初出现的是简单的直流二极溅射，它的优点是装置简单，但是直流二极溅射沉积速率低；为了保持自持放电，不能在低气压（＜0.1Pa ）下进行；不能溅射绝缘材料等缺点限制了其应用。在直流二极溅射装置中增加一个热阴极和辅助阳极，就构成直流三极溅射。增加的热阴极和辅助阳极产生的热电子增强了溅射气体原子的电离，这样使溅射即使在低气压下 也能进行;另外，还可降低溅射电压，使溅射在低 气压，低电压状态下进行;同时放电电流也增大，并可独立控制，不受电压影响。在热阴极的前面增加一个电极（栅网状），构成四极溅射装置，可使放电趋于稳定。但是这些装置难以获得浓度较高的等离子体区，沉积速度较低，因而未获得广泛的工业应用。 磁控溅射是由二极溅射基础上发展而来，在靶材表面建立与电场正交磁场，解决了二极溅射沉积速率低，等离子体离化率低等问题，成为目前镀膜工业主要方法之一。磁控溅射与其它镀膜技术相比具有如下特点：可制备成靶的材料广，几乎所有金属，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在适当条件下多元靶材共溅射方式，可沉积

变电站直流系统技术规范

苍溪供电有限责任公司35kV岐坪变电站 直流系统技术规范

根据国家电网公司物质采购标准2009年版.第三批（增补设备卷一/编号：1109001-0066-00），制定本技术规范。 一、工程项目名称 苍溪供电公司35kV岐坪变电站直流电源系统改造工程。 二、供货一览表 三、基本技术条件 1、主要技术参数 交流输入额定电压：三相380V。 交流电源频率：50Hz。 输出额定电压：DC 110V（110V直流电源系统）/ DC 220V（220V 直流电源系统）。 稳流精度：≤±1%。 稳压精度：≤±0.5%。 纹波系数：≤±0.5%。 效率：≥90%。 噪声：＜55dB（距离装置1m处）。 2、主要技术性能 直流电源系统接线：单母线或单母线分段接线。 蓄电池组数：1组。 蓄电池型式：阀控式密封铅酸蓄电池。 蓄电池组容量：100Ah。 蓄电池个数：18只。

蓄电池单体电压：12V。 高频开关电源：1套。 具备防雷及电源保护、高度绝缘防护功能。进线和母线处加装浪涌保护器。 直流电源系统开关应选用优质高分断直流断路器，并考虑上下级配合，提供电流—时间动作特性曲线报告，满足3～4级级差配合，各断路器应配备跳闸报警接点。 蓄电池组等重要位置的熔断器、开关应装有辅助接点，并引自端子排。 直流电源系统应配备：总监控单元、110V高频开关电源模块（110V 直流电源系统）/ 220V高频开关电源模块（220V直流电源系统）、48V 通信电源模块、雷击浪涌吸收器、仪表、电压电流采集装置、绝缘检测装置、蓄电池管理单元等。 馈出开关应有信号灯指示通断状态。 直流主母线及接头，应能满足长期通过电流的要求，母线应选用阻燃绝缘铜母线。 汇流排和主电路导线的相序和颜色应符合IEC标准。 高频模块并联工作时输出电流不均衡度＜±5%。 设备应满足IEC 610004关于电磁兼容、抗干扰的要求。 3、110V/220V高频开关电源模块 3.1 主要技术参数 交流输入额定电压：三相380V。 额定输出电压：110V DC（110V直流电源系统）/ 220V DC（220V 直流电源系统）。

直流电源技术标准

直流电源技术标准 为了使广大设计工程师和运行人员更好地掌握直流操作电源，我们特编辑一组文章，在本期及下期刊物中陆续登出使大家更好地学习相关标准，了解这一技术的进程。在编辑工作中。引用了《直流电源》杂志的部分文章，该刊主编顾霓鸿先生对我们的编辑工作给予了指导，在此深表感谢! 一.概述 国家电网公司直流电源技术标准(简称企标)是为规范国家电网公司生产设备管理，提高输变电设备的运行水平，在对近5年直流电源设备评估和广泛征求意见的基础上，依据电力行业标准DL/T459—2000《电力系统直流电源柜订货技术条件》及相关蓄电池、电磁兼容试验、直流系统设计技术规程等国家标准、电力行业标准、国家电网公司电力生产设备评估管理办法、预防直流电源系统事故措施、关于加强电力生产技术监督工作意见等文件编制完成的。企标对直流系统设备的技术条件、订货、监造、出厂验收、现场验收、现场安装、试验方法等提出了具体规定。 电力行业标准DL/T459-一2000《电力系统直流电源柜订货技术条件》是在电力工业部组织的镉镍直流屏联合设计、微机控制直流电源柜设计之后，由于电力电子产品的更新，直流电源装置技术的迅速发展，对变电站无人值守的需要，1999年由电力行业高压开关设备标准化技术委员会提出并归口，中国电力科学研究院高压开关研究所负责起草编制，于2001年1月实施。直流电源系统主要南充电装置(变流器或整流器)、蓄电池、直流馈电三大部分组成。所以该标准是以蓄电池、电力电子技术、半导体变流器、低压成套开关设备和控制设备、电磁兼容试验、直流系统设计技术规程等国家标准、电力行业标准为依据，结合电力工业发展需要而制定。电力行业标准规定了直流电源柜的技术要求、试验方法、包装及贮运条件。 国家标准CB/T19826—2005《电力工程直流电源通用技术条什及安全要求》是由量度继电器和保护设备标准化技术委员会提出并归口，国家继电器质量监督检验中心负责起草编制。该标准是以蓄电池、继电器、电磁兼容试验、直流系统设计技术规程等国家标准、继电器行业标准为依据而制定。此标准是属于制造类标准，本应由全国低压成套开关设备和控制设备标准化技术委员会(天津)或全国电力电子技术标准化技术委员会(西安)提出并归口，由天津电气传动设计研究所或西安电力电子技术研究所起草。而现即由国家继电器质量监督榆验中心负责起草编制。由于标准制定没有天津电气传动设计研究所、西安电力电子技术研究所、中国电力科学研究院参加，所以造成该标准技术要求低于国家强制性标准及相关专业技术要求。 为宣贯同家电网公司直流电源系统管理规范，因上述因素，对现实施电力行业标准DL/T459—2000《电力系统直流电源柜订货技术条件》及2006年7月将实施国家标准GB/T19826—2005《电力工程直流电源通用技术条件及安全要求》和《国家电网公司直流电源技术标准》(简称企标)的技术要求做相应比较，大致分以下几部分说明。 二.技术要求比较

磁控溅射镀膜技术的发展_余东海

第46卷第2期2009年3月 真 空 VACUUM Vol.46,No.2Mar.2009 收稿日期：2008-09-03 作者简介：余东海（1978-），男，广东省广州市人，博士生 联系人：王成勇，教授。 *基金项目：国家自然科学基金（50775045）；东莞市科技计划项目（20071109）。 磁控溅射镀膜技术的发展 余东海，王成勇，成晓玲，宋月贤 （广东工业大学机电学院，广东 广州 510006） 摘 要：磁控溅射由于其显著的优点应用日趋广泛，成为工业镀膜生产中最主要的技术之一，相应的溅 射技术与也取得了进一步的发展。 非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布，提高了膜层质量；中频和脉冲磁控溅射可有效避免反应溅射时的迟滞现象，消除靶中毒和打弧问题，提高制备化合物薄膜的稳定性和沉积速率；改进的磁控溅射靶的设计可获得较高的靶材利用率；高速溅射和自溅射为溅射镀膜技术开辟了新的应用领域。 关键词：镀膜技术；磁控溅射；磁控溅射靶中图分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：1002-0322（2009）02-0019-07 Recent development of magnetron sputtering processes YU Dong-hai,WANG Cheng-yong,CHENG Xiao-ling,SONG Yue-xian (Guangdong Universily of Technology,Guangzhou 510006,China ) Abstract:Magnetron sputtering processes have been widely appleed to thin film deposition nowadays in various industrial fields due to its outstanding advantages,and the technology itself is progressing further.The unbalanced magnetron sputtering process can improve the plasma distribution in deposition chamber to make film quality better.The medium -frequency and pulsed magnetron sputtering proceses can efficiently avoid the hysteresis during reactive sputtering to eliminate target poisoning and arcing,thus improving the stability and depositing rate in preparing thin compound films.Higher utilization of target can be obtained by improved target design,and the high -speed sputtering and self -sputtering provide a new field of applications in magnetron sputtering coating processes. Key words:coating technology;magnetron sputtering;magnetron sputtering target 溅射镀膜的原理[1]是稀薄气体在异常辉光 放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。 溅射镀膜最初出现的是简单的直流二极溅射，它的优点是装置简单，但是直流二极溅射沉积速率低；为了保持自持放电，不能在低气压（＜0.1Pa ）下进行；不能溅射绝缘材料等缺点限制了其应用。在直流二极溅射装置中增加一个热阴极和辅助阳极，就构成直流三极溅射。增加的热阴极和辅助阳极产生的热电子增强了溅射气体原子的电离，这样使溅射即使在低气压下 也能进行;另外，还可降低溅射电压，使溅射在低 气压，低电压状态下进行;同时放电电流也增大，并可独立控制，不受电压影响。在热阴极的前面增加一个电极（栅网状），构成四极溅射装置，可使放电趋于稳定。但是这些装置难以获得浓度较高的等离子体区，沉积速度较低，因而未获得广泛的工业应用。 磁控溅射是由二极溅射基础上发展而来，在靶材表面建立与电场正交磁场，解决了二极溅射沉积速率低，等离子体离化率低等问题，成为目前镀膜工业主要方法之一。磁控溅射与其它镀膜技术相比具有如下特点：可制备成靶的材料广，几乎所有金属，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在适当条件下多元靶材共溅射方式，可沉积 DOI:10.13385/https://www.wendangku.net/doc/f716499370.html,ki.vacuum.2009.02.026

电源标准简介

电源标准简介 国际电工委员会（IEC）已经制定了一些有关电源的标准，如直流稳定电源标准：IEC478.1－1974《直流输出稳定电源术语》；IEC478.2－1986《直流输出稳定电源额定值和性能》；IEC478.3－1989《直流输出稳定电源传导电磁干扰的基准电平和测量》；IEC478.4－1976《直流输出稳定电源除射频干扰外的试验方法》；IEC478.5－1993《直流输出稳定电源电抗性近场磁场分量的测量》。这一套标准颁布实施的时间较早，我国相应的国家标准尚未颁布。而有关直流稳定电源的电子行业标准SJ2811.1－87《通用直流稳定电源术语及定义、性能与额定值》、SJ2811.2－87《通用直流稳定电源测试方法》已发布实施13年了。长期以来，这两份标准对我国直流稳定电源的科研生产起到了很大的作用。 国际电工委员会（IEC）于1980年颁布了IEC686－80《交流输出稳定电源》，参照该标准制定的我国国家标准GB/T《交流输出稳定电源通用规范》已经报批完成，该标准中的术语、技术要求及试验方法参照了IEC686，除此之外，又增加了环境试验要求及试验方法、质量评定程序、标志、包装、运输、贮存等要求，使其成为一个能指导交流电源研制全过程的一个完整的技术规范。 1994年，原电子工业部颁布了电子行业标准SJ/T10541－94《抗干扰型交流稳压电源通用技术条件》和SJ/T10542－94《抗干扰型交流稳压电源测试方法》，该标准由中国电源学会交流稳定电源专业委员会及国内相关的电源生产厂、所及检测机构等负责编制，对普通型和抗干扰型交流稳压电源的技术要求、环境要求及相应的试验方法、质量检验规则等都做了详细的规定。该标准发布实施以来，在交流稳压技术领域得到了广泛的应用。

磁控溅射制膜技术的原理及应用和发展-郭聪

磁控溅射制膜技术的原理及应用和发展 郭聪 （黄石理工学院机电工程学院黄石 435000） 摘要：磁控溅射技术已经成为沉积耐磨、耐蚀、装饰、光学及其他各种功能薄膜的重要手段。探讨了磁控溅射技术在非平衡磁场溅射、脉冲磁控溅射等方面的进步，说明利用新型的磁控溅射技术能够实现薄膜的高速沉积、高纯薄膜制备、提高反应溅射沉积薄膜的质量等，并进一步取代电镀等传统表面处理技术。阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。 关键词：非平衡磁控溅射脉冲磁控溅射薄膜制备工艺应用 中图分类号：O484.1 0 前言 薄膜是指存在于衬底上的一层厚度一般为零点几个纳米到数十微米的薄层材料。薄膜材料种类很多，根据不同使用目的可以是金属、半导体硅、锗、绝缘体玻璃、陶瓷等。从导电性考虑，可以是金属、半导体、绝缘体或超导体；从结构考虑，可以是单晶、多晶、非晶或超晶格材料；从化学组成来考虑，可以是单质、化合物或无机材料、有机材料等。制备薄膜的方法有很多，归纳起来有如下几种：1）气相方法制模，包括化学气相淀积（CVD）,如热、光或等离子体CVD和物理气相淀积（PVD），如真空蒸发、溅射镀膜、离子镀膜、分子束外延、离子注入成膜等； 2）液相方法制膜，包括化学镀、电镀、浸喷涂等； 3）其他方法制膜，包括喷涂、涂覆、压延、印刷、挤出等。[1] 而在溅射镀膜的发展过程中，新型的磁控溅射技术能够实现薄膜的高速沉积、高纯薄膜制备、提高反应溅射沉积薄膜的质量等。辉光等离子体溅射的基本过程是负极的靶材在位于其上的辉光等离子体中的载能离子作用下，靶材原子从靶材溅射出来，然后在衬底上凝聚形成薄膜；在此过程中靶材表面同时发射二次电子，这些电子在保持等离子体稳定存在方面具有关键作用。溅射技术的出现和应用已经经历了许多阶段，最初，只是简单的二极、三极放电溅射沉积；经过30多年的发展，磁控溅射技术已经发展成为制备超硬、耐磨、低摩擦系数、耐蚀、装饰以及光学、电学等功能性薄膜的一种不可替代的方法，脉冲磁控溅射技术是该领域的另一项重大进展。利用直流反应溅射沉积致密、无缺陷绝缘薄膜尤其是陶瓷薄膜几乎难以实现，原因在于沉积速度低、靶材容易出现电弧放电并导致结构、组成及性能发生改变。利用脉冲磁控溅射技术可以克服这些缺点，脉冲频率为中频10~200kHz，可以有效防止靶材电弧放电及稳定反应溅射沉积工艺，实现高速沉积高质量反应薄膜。 1 基本原理 磁控溅射(Magnetlon Sputtering)是70年代迅速发展起来的一种“高速低温溅射技术”。磁控溅射镀膜采用在靶材表面设置一个平行于靶表面的横向磁场，磁场由置于靶内的磁体产生。在真空室中，基材端接阳极极，靶材端接阴极，阴极靶的下面即放置着一个强力磁铁。溅射时持续通入氩气，使之作为气体放电的载体(溅射气体)，同时通入氧气，作为与被溅射出来的锌原子发生反应的反应气体。在真空室内，电子e在电场E的作用下，在加速飞向基板过程中与氩原子发生碰撞，使其电离出Ar+和一个新的电子(二次电子)e。Ar+计在电场作用下加速飞向阴极靶，以高能量轰击Zn靶表面使其发生溅射，溅射出来的锌原子吸收Ar离子的动能而脱离原晶格束缚，飞往基材方向，途中与O 2 发生反应并释放部分能量，最后反应产物继续飞行最终沉积在基材表面。我们需要通过不断的实验调整工艺参数，从而 使得溅射出来的历原子能与O 2 充分反应，制得纯度较高的薄膜。另一方面，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作回旋运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在

磁控溅射技术的基本原理

张继成吴卫东许华唐晓红 中国工程物理研究院激光聚变研究中心绵阳 材料导报, 2004, 18(4): 56-59 介绍磁控溅射技术的基本原理、装置及近年出现的新技术。 1 基本原理 磁控溅射技术是在普通直流(射频)溅射技术的基础上发展起来的。早期的直流(射频)溅射技术是利用辉光放电产生的离子轰击靶材来实现薄膜沉积的。但这种溅射技术的成膜速率较低，工作气压高(2～10Pa)。为了提高成膜速率和降低工作气压，在靶材的背面加上了磁场，这就是最初的磁控溅射技术。 磁控溅射法在阴极位极区加上与电场垂直的磁场后，电子在既与电场垂直又与磁场垂直的方向上做回旋运动，其轨迹是一圆滚线，这样增加了电子和带电粒子以及气体分子相撞的几率，提高了气体的离化率，降低了工作气压，同时，电子又被约束在靶表面附近，不会达到阴（阳）极，从而减小了电子对基片的轰击，降低了由于电子轰击而引起基片温度的升高。 2 基本装置 (1) 电源 采用直流磁控溅射时，对于制备金属薄膜没有多大的问题，但对于绝缘材料，会出现电弧放电和“微液滴溅射”现象，严重影响了系统的稳定性和膜层质量。为了解决这一问题，人们采用了射频磁控溅射技术，这样靶材和基底在射频磁控溅射过程中相当于一个电容的充放电过程，从而克服了由于电荷积累而引起的电弧放电和“微液滴溅射”现象的发生。 (2) 靶的冷却 在磁控溅射过程中，靶不断受到带电粒子的轰击，温度较高，其冷却是一个很重要的问题，一般采用水冷管间接冷却的方法。但对于传热性能较差的材料，则要在靶材与水冷系统的连接上多加考虑，同时需要考虑不同材料的热膨胀系数的差异，这对于复合靶尤为重要（可能会破裂损坏）。 (3) 磁短路现象 利用磁控溅射技术溅射高导磁率的材料时，磁力线会直接通过靶的内部，发生刺短路现象，从而使磁控放电难以进行，这时需要在装置的某些部分做些改动以产生空间凝

直流电源系统运行规范(国家电网公司)

国家电网公司 二○○五年三月 目录 第一章总则 1 第二章引用标准 1 第三章设备验收 1 第四章设备运行维护管理 5 第五章蓄电池的运行及维护 6 第六章充电装置的运行及维护 10 第七章微机监控装置的运行及维护 11 第八章直流系统巡视检查项目 11 第九章事故和故障处理预案 12 第十章技术培训要求 14 第十一章设备技术管理 15 第十二章备品备件管理 16 第十三章直流电源系统设备更新改造和报废 16 直流电源系统运行规范编制说明 17 第一章总则 第一条为了规范直流电源系统的运行管理，促进发电厂、变电站（换流站、串补站、通信站）直流系统运行管理水平的提高，特制定本规范。 第二条本规范依据国家、行业的有关标准、规程和规范并结合近年来国家电网公司输变电设备评估分析、生产运行情况分析以及设备运行经验而制定的。 第三条本规范对直流电源系统设备验收、运行维护、巡视检查、缺陷及异常处理、技术管理、培训等方面提出了具体要求。 第四条本规范适用于国家电网公司系统所属单位直流电源系统的运行管理工作。 第五条各网省公司可根据本规范，结合本地区实际情况制定相应的实施细则。 第二章引用标准

第六条以下为本规范引用的标准、规程和导则，但不限于此。 GB/T 13337.1-1991 固定型防酸隔爆式铅酸蓄电池订货技术条件 GB 50172-1992 电气安装工程蓄电池施工及验收规范 DL/T 5044-1995 火力发电厂、变电所直流系统设计技术规定 DL/T 637-1997 阀控式密封铅酸蓄电池订货技术条件 DL/T 459-2000 电力系统直流电源柜订货技术条件 DL/T 724-2000 电力系统用蓄电池直流电源装置运行与维护技术规程 国家电网公司《电力生产设备评估管理办法》 国家电网公司《变电站管理规范》（试行） 国家电网公司《直流电源系统技术标准》 国家电网公司《直流电源系统技术监督规定》 国家电网公司《预防直流电源系统事故措施》 国家电网公司《直流电源系统检修规范》 第三章设备验收 第七条交接验收 当直流电源系统设备安装调试完毕后，应进行投运前的交接验收试验。所有试项目应达到技术要求后才能投入试运行。试运行正常后，运行单位方可签字接收。交接验收试验及要求如下： （一）绝缘监测及信号报警试验 1. 直流电源装置在空载运行时，其额定电压为220V的系统，用25kΩ电阻；额定电压为110V的系统，用7kΩ电阻；额定电压为48V的系统，用1.7kΩ电阻。分别使直流母线正极或负极接地，应正确发出声光报警。 2. 直流母线电压低于或高于整定值时，应发出低压或过压信号及声光报警。 3. 充电装置的输出电流为额定电流的105％～110％时，应具有限流保护功能。 4. 装有微机型绝缘监测装置的直流电源系统，应能监测和显示其支路的绝缘状态，各支路发生接地时，应能正确显示和报警。 （二）耐压及绝缘试验 1. 在作耐压试验之前，应将电子仪表、自动装置从直流母线上脱离开，用工频2kV，对直流母线及各支路进行耐压1min试验，应不闪络、不击穿。 2. 直流电源装置的直流母线及各支路，用1000V摇表测量，绝缘电阻应不小于10MΩ。 （三）蓄电池组容量试验

溅射技术及其发展的历程

溅射技术及其发展的历程 1842年格洛夫（Grove）在实验室中发现了阴极溅射现象。他在研究电子管阴极腐蚀问题时，发现阴极材料迁移到真空管壁上来了。但是，真正应用于研究的溅射设备到1877年才初露端倪。迄后70年中，由于实验条件的限制，对溅射机理的认同长期处于模糊不请状态，所以，在1950年之前有关溅射薄膜特性的技术资料，多数是不可*的。19世纪中期，只是在化学活性极强的材料、贵金属材料、介质材料和难熔金属材料的薄膜制备工艺中，采用溅射技术。1970年后出现了磁控溅射技术，1975年前后商品化的磁控溅射设备供应于世，大大地扩展了溅射技术应用的领域。到了80年代，溅射技术才从实验室应用技术真正地进入工业化大量生产的应用领域。最近15年来，进一步发展了一系列新的溅射技术，几乎到了目不暇接的程度。在21世纪来临的时刻，回顾一下溅射技术发展的历程，寻找其中某些规律性的思路，看来是有一定意义的。 1.最初溅射技术改革的原动力主要是围绕着提高辉光等离子体的离化率，增强离化的措施包括： [1]热电子发射增强—由原始的二极溅射演变出三极溅射。三极溅射应用的实际效果对离化率增强的幅度并不大，但是对溅射过程中，特别是在反应溅射过程中，工艺的可控性有明显地改善。 [2]电子束或电子弧柱增强—演变出四极溅射。Balzers一直抓住这条线，形成有其特色的产品系列，最近几年推出在中心设置一个强流热电子弧柱，配合上下两个调制线圈，再加上8对孪生靶，组合成新型纳米涂层工具镀膜机。是一个典型实例。 [3]磁控管模式的增强溅射—磁控溅射。利用磁控管的原理，将等离子体中原来分散的电子约束在特定的轨道内运转，局部强化电离，导致靶材表面局部强化的溅射效果。号称为“高速、低温”溅射技术。磁控溅射得到广泛应用的原因，除了效果明显之外，结构不复杂是一个重要的因数，大面积的溅射镀膜工艺得到推广。应该看到，靶面溅射不均匀导致靶材利用率低是其固有的缺点。 [4]最近有人推出离子束增强溅射模式。采用宽束强流离子源，配合磁场调制，与普通的二极溅射结合组成一种新的溅射模式。他不同于使用窄束高能离子束进行的离子束溅射（这种离子束溅射的溅射速率低），采用宽束强流离子源，配合磁场调制后，既有离子束溅射的效果，更重要的是具有直接向等离子体区域供应离子的增强溅射效果。同时还可以具有离子束辅助镀膜的效果。 2.1985年之后，溅射模式的变革增加了新的目标，除了继续追求高速率之外，追求反应溅射稳定运行的目标、追求离子辅助镀膜—获得高质量膜层的目标、等等综合优越性的追求目标日益增强。例如： [1]捷克人J.Musil在研究低压强溅射的工作中，在磁控溅射的基础上，重复使用各种原来在二极溅射增强溅射中使用过的手段。从“低压强溅射”一直发展到“自溅射”效应。其中大部分工作仍然处于实验室阶段。 [2]针对立体工件获得均匀涂层和色泽，Leybold推出对靶溅射运行模式。在随后不断改进的努力下，对靶溅射工艺仍然具有涂层质量优异的美名。 [3]针对膜层组分可随意调节的目标，推出非对称溅射的运行模式。我国清华大学范毓殿教授采用调节溅射靶磁场强度的方法，进行了类似的工作。 [4]推出非平衡溅射的运行模式最基本的目的是为了改善膜层质量，呈现离子辅助溅射的效果。后来，一些研究工作扩展磁场增强的布局，磁场在真空室内无处不在，看来效果并不理想，“非平衡”的热潮才逐渐降温。 [5]1996年Leybold 推出多年研发的成果：中频交流磁控溅射（孪生靶溅射）技术，消除了阳极”消失”效应和阴极“中毒”问题，大大提高了磁控溅射运行的稳定性，为化合物薄膜的工业化大规模生产奠定了基础。最近在中频电源上又提出短脉冲组合的中频双向供电模式，运行稳定性进一步提高。 [6]最近英国Plasma Quest Limited（PQL）公司推出S400型专利产品，名为“高密度等离子体发送系统”（High Plasma Launch System），属于上面提到的离子束增强二极溅射模式。其特点是：高成膜速率、

通信电源(-48v)技术要求

设备工作环境 卖方提供的电源设备安装在室内。设备必须能在下列环境条件下安全可靠地正常运行。 (1) 0 -- +45C : 保证设备技术指标。 (2) +45C < t < +55C : 保证设备安全运行。 (3) 最大相对湿度95% 时：保证设备可靠工作。 铭牌、包装、运输、储存 1.5.1 铭牌 设备应有铭牌，铭牌的字迹必须清楚，并标有下列数据： a. 制造厂名 b. 型号 c. 重量（kg） d. 制造年 e. 其他 1.5.2 包装、运输 设备必须用木板花箱包装，保证产品在运输及储存期间不致损伤；必须单台整机包装，具备防水、防潮、防晒等条件，不能散件包装运输到场后组装。产品向上放置为正方向。包装上应注明工程名称、站点名称、收货单位、收货联系人、发货站、制造厂名、产品规格型号等。随同产品应具有装箱单、合格证、说明书、出厂试验记录。 1.5.3 储存 产品在运输及储存时必须正方向放置。 第一章设备技术要求 1.1 对设备设计、制造的一般要求 为配合广东电网公司建设工程标准化设计要求，做到电力通信设备安装规范化，现对电网建设工程中安装使用的通信设备机柜（屏）做出如下规定：设备的总体机械结构，应充分考虑安装、维护的方便和扩充容量或调整设备数量的灵活性，实现硬件模块化。应具有足够的机械强度和刚度，设备的安装

固定方式应具有防振抗震能力，应保证设备经过常规的运输、储存和安装后，不产生破损变形。 投标方应提供设备的机械结构、品种规格及安装规程等方面的详细说明。 线缆在机架内排放的位置应设计合理，不得妨碍或影响日常维护、测试工作的进行。所有的安装和维护操作均应在机架前面进行。 所供设备机架不装单元框的空位置应加装盖板，当机架或子架提供整体盖板时除外。 投标方提供的设备应满足下面所列各项技术指标的要求，具有状态显示、异常或超限时具备可闻、可视告警及远程传送的功能。开放接口，便于接入机房监控系统。 印刷电路板要求如下： a. 所有印刷电路板均应防腐蚀。 b. 印刷电路板应作防潮处理。 c. 印刷电路板应有插拔及锁定位置。 d. 同一品种的电路板应具有完全的互换性。 e. 投标方应提供所有电路板图纸，图纸与实物应一致，并应将所有部件列表说明。 所供设备的机架，子架等应为组装完整并经过严格检验(包括连接布线、机械和电气性能的检验测试)的整机。 1、通信设备机柜（屏）定义 通信设备机柜（屏）定义为电网建设工程中配套的、安装于电网变电站、电网公司通信机房内，用于承载各种通信设备子机箱、配线架及器件的标准化通信设备机柜（屏）。 2、通信设备机柜尺寸要求： 外形尺寸为宽600mm×深600mm×高2200mm； 通信设备机柜（屏）内部设备挂点要求为标准19英寸条架结构。 3、通信设备机柜对工作环境温度的要求： 工作温度：-5°C ~+45°C 相对湿度：85%（30°C时），0～95％不结露

直流电源技术规格书

大连LNG项目接收站工程

修正表

目录 1.概述 (4) 1.1 范围 (4) 1.2 供货商责任（卖方） (4) 1.3 标准规范 (4) 2.环境条件 (4) 2.1 室外 (4) 2.2 室内（无空调及采暖设备） (5) 2.3 室内（有空调及采暖设备） (5) 3.设计和结构 (5) 3.1 概述 (5) 3.2 充电装置 (5) 3.3 微机控制装置应具备以下功能： (6) 3.4 电池 (7) 4.检查和验收 (7) 4.1 直流电源功能单元的试验 (7) 4.2 整体直流电源型式试验 (7) 5.铭牌 (8) 6.包装 (8) 7.防腐要求 (8) 8.供货商文件 (9)

1.概述 1.1范围 本项目名称为大连LNG项目接收站工程，位于大连市大孤山半岛端部鲇鱼湾水域。 本规定包括了采购者(买方)对直流电源的设计、材料、制造、检验、试验、包装和文件的最低要求。 1.2供货商责任（卖方） 直流电源的设计、材料、制造、检验及测试应为供货商特定的排他性责任, 供货商应遵守本询价书中包括的所有文件要求和良好的工程惯例。 供货商不应使用假设代替买方未提供的信息，供货商应从买方获得必要的信息。供货商因缺少信息而提出的索赔是不能被接受的。 对于与本询价书要求不同，但实质上可为买方节约资金的设备或附件，供货商可作为一项选择内容将其列出。这类选择内容应在供货商报价中单独列出且单独报价。直流电源应是符合本询价书要求的供货商的标准设计，并采用高质量的材料和一流的制作工艺。附件应为能从市场上买得到的标准配件。 为了满足规定的条件和要求，在任何情况下，与本询价书所要求的内容保持一致而无偏差提出并不意味着免除供货商在该询价书范围之外所应承担的责任。 供货商应该在整个工作范围内执行基于ISO 9001:2000标准（或与之相当的标准）的质量管理体系。供货商应允许买方或者其授权代表对供货商的工厂进行访问、检查、监督。 供货商应该向买方证明其安全管理系统和环保管理系统符合相关法律。 1.3标准规范 供货商有责任确保所提供的直流电源符合相关的中国国家标准和IEC标准，这些标准包括——但不局限于DL/T5004、DL/T637等。所有采用的标准均应为最新版本。 2.环境条件 除非另有规定，设备要在下述环境中，按照正常使用条件的额定特性使用。 直流电源安装于室内，配备空调及采暖设备。 2.1室外 最高设计温度: 35.3℃ 最低设计温度: -21.1℃ 海拔：小于1000m。 多年的平均相对湿度是67%。 空气中含有盐雾。

磁控溅射镀膜技术的发展及应用_马景灵

溅射镀膜过程主要是将欲沉积成薄膜的材料制成靶材，固定在溅射沉积系统的阴极上，待沉积薄膜的基片放在正对靶面的阳极上。溅射系统抽至高真空后充入氩气等，在阴极和阳极之间加几千伏的高压，阴阳极之间会产生低压辉光放电。放电产生的等离子体中，氩气正离子在电场作用下向阴极移动，与靶材表面碰撞，受碰撞而从靶材表面溅射出的靶材原子称为溅射原子，溅射原子的能量一般在一至几十电子伏范围，溅射原子在基片表面沉积而后成膜。溅射镀膜就是利用低气压辉光放电产生的氩气正离子在电场作用下高速轰击阴极靶材，把靶材中的原子或分子等粒子溅射出而沉积到基片或者工件表面，形成所需的薄膜层。但是溅射镀膜过程中溅射出的粒子的能量很低，导致成膜速率不高。 磁控溅射技术是为了提高成膜速率在溅射镀膜基础上发展起来的，在靶材表面建立与电场正交的磁场，氩气电离率从０．３％～０．５％提高到了５％～６％，这样就解决了溅射镀膜沉积速率低的问题，是目前工业上精密镀膜的主要方法之一［１］。可制备成磁控溅射阴极靶材的原料很广，几乎所有金属、合金以及陶瓷材料都可以制备成靶材。磁控溅射镀膜在相互垂直的磁场和电场的双重作用下，沉积速度快，膜层致密且与基片附着性好，非常适合于大批量且高效率的工业化生产。 1磁控溅射的工艺流程 在磁控溅射过程中，具体工艺过程对薄膜性能影响很大，主要工艺流程如下［２］：（１）基片清洗，主要是用异丙醇蒸汽清洗，随后用乙醇、丙酮浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污；（２）抽真空，真空须控制在２×１０４Ｐａ以上，以保证薄膜的纯度；（３）加热，为了除去基片表面水分，提高膜与基片的结合力，需要对基片进行加热，温度一般选择 在１５０℃～２００℃之间；（４）氩气分压，一般选择在０．０ｌ～ｌＰａ范围内，以满足辉光放电的气压条件；（５）预溅射，预溅射是通过离子轰击以除去靶材表面氧化膜，以免影响薄膜质量；（６）溅射，氩气电离后形成的正离子在正交的磁场和电场的作用下，高速轰击靶材，使溅射出的靶材粒子到达基片表面沉积成膜；（７）退火，薄膜与基片的热膨胀系数有差异，结合力小，退火时薄膜与基片原子相互扩散可以有效提高粘着力。 2磁控溅射镀膜技术的发展 近年来磁控溅射技术发展非常迅速，代表性方法有非平衡磁控溅射、反应磁控溅射及高速溅射等等。 平衡磁控溅射技术：即最传统的磁控溅射技术，将永磁体或电磁线圈放到在靶材背后，在靶材表面会形成与电场方向垂直的磁场。在高压作用下氩气电离成等离子体，Ａｒ＋离子经电场加速轰击阴极靶材，靶材二次电子被溅射出，且电子在相互垂直的电场及磁场作用下，被束缚在阴极靶材表面附近，增加了电子与气体碰撞的几率，即增加了氩气电离率，使氩气在低气体下也可维持放电，因而磁控溅射既降低了溅射气体压力，同时也提高了溅射效率及沉积速率［３］。但传统磁控溅射有一些缺点，比如：低气压放电产生的电子和溅射出的靶材二次电子都被束缚在靶面附近大约６０ｍｍ的区域内，这样工件只能被安放在靶表面５０～１００ｍｍ的范围内。这样小的镀膜区间限制了待镀工件的尺寸，较大的工件或装炉量不适合传统方法。 非平衡磁控溅射技术：这种磁控溅射方法部分解决了平衡磁控溅射的不足，是将靶面的等离子体引到靶前２００～３００ｍｍ的范围内，使阳极基片沉浸在等离子体中，减少了粒子移动的距离，离子束起到辅助沉积的作用［４］。然而单独的非平衡磁控靶在基片上很难沉积出均匀的薄膜层， 为此研究人员开发出了多靶非平衡磁控溅射镀膜系统，弥补了单靶非平衡磁控溅射的不足。 反应磁控溅射：随着表面工程技术的发展，越来越多地用到各种化合物薄膜材料。可以直接使用化合物材料制作的靶材通过溅射来制备化合物薄膜，也可在溅射金属或合金靶材时，通入一定的反应气体，通过发生化学反应制备化合物薄膜，后者被称为反应磁控溅射。一般来说纯金属作为靶材和气体反应较容易得到高质量的化合物薄膜，因而大多数化合物薄膜是用纯金属为靶材的反应溅磁控射来制备的［５］。 中频磁控溅射：这种镀膜方法是将磁控溅射电源由传统的直流改为中频交流电源。在溅射过程中，当系统所加电压处在交流电负半周期时，靶材被正离子轰击而溅射，而处于正半周期时，靶材表面被等离子体中的电子轰击而溅射，同时靶材表面累积的正电荷被中和，打弧现象得到抑制。中频磁控溅射电源的频率通常在１０～８０ｋＨｚ之间，频率高，正离子被加速的时间就短，轰击靶材时的能量就低，溅射沉积速率随之下降。中频磁控溅射系统一般有两个靶，这两个靶周期性轮流作为阴极和阳极，一方面减小了基片溅伤；另一方面也消除了打弧现象。 高速溅射与自溅射：随着工业发展和表面工程的需求，高速溅射与自溅射等新型磁控溅射成膜方法成为镀膜领域新的发展趋势。高速溅射能够缩短镀膜时间，提高沉积速率，当溅射速率非常高，以至于在没有惰性气体氩气的情况下也能维持辉光放电，这种溅射方法称为自溅射［６］。高速溅射与自溅射中，被溅射材料的离子、电子化以及减少甚至取消惰性气体，都明显影响薄膜的形成机理，因此，可以制备出特殊性能的薄膜材料。 ①基金项目：河南科技大学实验技术开发基金（ＳＹ１１１２００８）； 科研创新能力培育基金（２０１２ＺＣＸ０１７）。 　作者简介：马景灵（１９７０—），女，河南科技大学副教授，博士，Ｅ－ｍａｉｌ：ｍａｊｉｎｇｌｉｎｇ．ｓｔｕｄｅｎｔ＠ｓｉｎａ．ｃｏｍ。 磁控溅射镀膜技术的发展及应用① 马景灵 任风章 孙浩亮 (河南科技大学材料科学与工程学院 河南洛阳 471023) 摘 要：近年来，随着新材料的开发，尤其是薄膜材料的发展和应用，带动磁控溅射沉积技术的飞速发展，在科学研究领域和工业生产中有着不可替代的重要作用。本文主要介绍了磁控溅射沉积技术的工艺过程及其发展情况，各种主要磁控溅射镀膜技术的特点，并介绍磁控溅射技术在各个领域的主要应用。关键词：磁控溅射 镀膜 辉光放电中图分类号：Ｇ４文献标识码：Ａ文章编号：１６７３－９７９５（２０１３）１０（ｂ）－０１３６－０２ (下转138页)