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硅烷pecvd多晶硅稀释

PECVD工艺详解_图文 -

多晶硅太阳电池表面采用 PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜,由于硅烷 分解时产生氢离子,对多晶硅可产生氢钝化的 效果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小 于20cm......

ECR_PECVD方法低温制备多晶硅薄膜. -

采用 ECR-PECVD 低温沉积方法,以质量分数为 5%的 SiH 4(配 Ar 气,SiH 4 : Ar =1:19 和 H2 为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以......

PECVD工艺_图文 -

的光学减反射 性能(厚度和折射率匹配) 二.钝化技术 在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮 化硅减反射膜,由于硅烷分解时产生氢离子,对多晶硅 可产生氢钝化......

PECVD (2)_图文 -

多晶硅太阳电池表面采用 PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜,由于硅烷 分解时产生氢离子,对多晶硅可产生氢钝化的 效果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小 于20cm......

PECVD工艺培训_图文 -

多晶硅太阳电池表面采用 PECVD 法镀上一层氮化硅减反射 膜,由于硅烷分解时产生氢离子,对多晶硅可产生氢钝化的效 果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm......

多晶硅太阳能电池PECVD四层氮化硅减反射膜工艺_图文 -

气体为硅烷 SiH4 和氨气 NH3,然后硅原子与氮原子以一定的比例沉 积到硅片表面形成一层氮化硅(SixNy)薄膜,起到减反射和钝化的作用,同时对提 高多晶硅太阳能电池......

太阳电池PECVD工艺_图文 -

多晶硅太阳电池 表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜,由于硅烷分解时产 生氢离子,对多晶硅可产生氢钝化的效果。 应用PECVD Si3N4 可使表面复合速度小于20cm/......

PECVD技术生长氮化硅钝化膜的条件控制 -

参考文献[ 1] 林喜斌,林安中. PECVD多晶硅上沉积氮化硅膜的 J] ...

2.PECVD工艺及设备介绍_图文 -

多晶硅太阳电池表面采用 PECVD 法镀上一层氮化硅减反射膜,由于硅烷分解时产生氢离子,对多晶硅可 产生氢钝化的效果。具体 SiNx 膜钝化过程如下图的过程所示: ......

PECVD顶级学习资料ppt_图文 -

多晶硅太阳电池表面采用 PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜,由于硅烷 分解时产生氢离子,对多晶硅可产生氢钝化的 效果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小 于20cm......

刻蚀+PECVD车间工艺_图文 -

多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀 上一层氮化硅减反射膜,由于硅烷分解时产生氢 离子,对多晶硅可产生氢钝化的效果。 应用 PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/......

PECVD培训教材_图文 -

13 3.PECVD对电性能影响 多晶硅电池镀膜前后的I-V曲线 1.减反射膜提...

激光退火技术对多晶硅太阳能电池薄膜处理的新进展_图文 -

实验采用高掺杂多晶硅为衬底,利用HQ一2型PECVD,使 硅烷(Sill4)等离子化,在多晶硅衬底上得到一层非晶硅薄膜。 沉积条件如下:射频电源功率500W,外真空室真空度小于6......

PECVD法镀Si3N4膜 -

4页 免费 PECVD多晶硅上沉积氮化... 2页 免费 PECVD法低温形成SiO_xN_... 4页 免费 SiNxH减反射膜和PECVD技... 29页 1下载券喜欢此文档的还喜欢 ......

影响PECVD工艺参数 -

(4) 反应气体(流量比,总流量) 反应气体为高纯氨、高纯氮气和高纯硅烷,主要反应气体是高纯氨气和高纯硅烷,氮气主要 用来调节系统的真空度和稀释尾气中的硅烷PECVD......

PECVD对硅材料的钝化作用 -

根据多晶硅材料的不同 , 增幅从 30 % ~ 70 % ,说明 PECVD 钝...

PECVD工艺比较_图文 -

? 在出口端一定距离之外又有硅烷气均匀喷入。 直流法的优点 ? – ETP法的沉积速率很高(4~20nm/s),远高于其他PECVD法。其原因:等离子体分成上游和下游两个腔......

各种PECVD工艺比较_图文 -

? 在出口端一定距离之外又有硅烷气均匀喷入。 直流法的优点 ? – ETP法的沉积速率很高(4~20nm/s),远高于其他PECVD法。其原因:等离子体分成上游和下游两个腔......

PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究 -

IM EC 采用 PECVD 沉积氮化硅薄膜工艺 已经在标准的 10cm × 10cm 的多晶硅材料上达到了 。 氮化硅薄膜的制备方法很多 : 直接氮化法 , 溅 射法 , 热分解......

PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究 -

IMEC 采用 PECVD 沉积氮化硅薄膜工艺 已经在标准的 10cm × 10cm 的多晶硅材料上达到了 15. 43 % 的能量转换率 。 氮化硅薄膜的制备方法很多 :直接氮化法 ,......

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