模拟电路第四章习题解答

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电

压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。

模拟IC设计进阶教学大纲

《模拟IC设计进阶》教学大纲 第一章模拟IC设计进阶课程内容简介（2学时） 1. 低功耗蓝牙（BLE）Transceiver系统结构 2. 射频Transceiver中低频模拟电路介绍 3. CMOS工艺有源及无源器件介绍 4. gm/Id设计方法介绍及曲线仿真 5. Bandgap电路仿真及版图设计 6. LDO电路仿真及版图设计 7. 有源低通滤波器（LPF）仿真及版图设计 8. Cadence软件64bit仿真环境配置 9. 虚拟机平台使用及课程设计资料导入 第二章 CMOS工艺有源及无源器件介绍（1学时） 1. MOS晶体管 2. BJT晶体管 3. 各类电阻 4. MIM电容和MOM电容 5．平面螺旋电感 6．变容二极管和变容MOS管 第三章 gm/Id设计方法介绍及曲线仿真（1学时） 1. 基于查找表方式的gm/Id设计理念介绍 2. 固定L的gm/Id曲线仿真 3. ocean脚本仿真gm/Id曲线族 第四章 Bandgap电路仿真及版图设计（6学时） 1. Bandgap参考电路基本原理分析 2. 电路原理图设计 2.1 Bandgap核心电路搭建

2.2 Bandgap中运算放大器搭建 2.3 Bandgap启动电路设计 3．电路原理图仿真方法 3.1 dc仿真及直流工作点查看 3.2 dc仿真温度参数扫描及温漂计算 3.3 stable稳定性仿真闭环参数及频率补偿 3.4 ac电源抑制比仿真 3.5 noise仿真噪声分析 4．可靠性设计 4.1 输入电压范围仿真 4.2 工艺偏差corner仿真 4.3 tran瞬态启动过程仿真 5. Bandgap版图设计 5.1 版图布局设计 5.2 差分对、电流镜、BJT、电阻版图匹配设计 5.3 版图连线、Multipart Path及guardring设计 6. calibre版图验证 6.1 drc及天线效应验证 6.2 lvs验证 7. 电路后仿真优化 7.1 calibre寄生参数提取 7.2 电路后仿真方法 第五章 LDO电路仿真及版图设计（4学时） 1. LDO电路基本原理分析 2．LDO电路原理图设计 2.1 运算放大器设计 2.2 动态偏置源极跟随buffer设计 2.3 功率管及片外滤波电容设计 3．电路原理图仿真

模拟电子技术基础第10章习题题解

第十章直流电源 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”“×”表示判断结果填入空内。 （1）直流电源是一种将正弦 信号转换为直流信号的 波形变换电路。 （） （2）直流电源是一种能量转 换电路，它将交流能量转 换为直流能量。 （） （3）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。（） 因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。（） （4）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为 2 2U。（）（5）当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。（） （6）一般情况下，开关型稳压 电路比线性稳压电路效率高。 （） 解：（1）×（2）√（3） √×（4）√（5）× （6）√ 二、在图10.3.1（a）中，已知变压器副边电压有效值U2为10V， 2 3T C R L （T为电网电压的周期）。测得输出电压平均值U O（AV）可能的数值为 A. 14V B. 12V C. 9V D. 4.5V 选择合适答案填入空内。 （1）正常情况U O（AV）≈； （2）电容虚焊时U O（AV） ≈； （3）负载电阻开路时U O（AV） ≈； （4）一只整流管和滤波电容同 时开路，U O（AV）≈。 解：（1）B （2）C （3）A （4）D 三、填空： 图T10.3 在图T10.3所示电路中，调整管

为 ，采样电路由 组成，基准电压电路由 组成， 比较放大电路由 组成， 保护电路由 组成；输出电压最小值的表达式为 ，最大值的表达式为 。 解：T 1，R 1、R 2、R 3，R 、D Z ，T 2、R c ，R 0、T 3； ) ( )(BE2Z 33 21BE2Z 32321U U R R R R U U R R R R R +++++++，。 四、在图T10.4所示稳压电路中，已知稳压管的稳定电压U Z 为6V ，最小稳定电流I Z m i n 为5mA ，最大稳 定电流I Z ma x 为40mA ；输入电压U I 为15V ，波动范围为±10％；限流电阻R 为200Ω。 图T10.4 （1）电路是否能空载？为什么？ （2）作为稳压电路的指标，负载电流I L 的范围为多少？ 解：（1）由于空载时稳压管流过的最大电流 mA 40mA 5.52max Z Z ax Im max max D Z ==-= =I R U U I I R ＞ 所以电路不能空载。 （ 2 ） 根 据 m ax L Im in m in D Z I R U U I Z --= ，负载 电流的最大值 mA 5.32m in D Im in m ax L Z =--= I R U U I Z 根 据 m in L Im ax m ax D Z I R U U I Z --= ，负载电 流的最小值 mA 5.12m ax D Im ax m in L Z =--= I R U U I Z 所以，负载电流的范围为12.5～32.5mA 。 五、在图10.5.24所示电路中，已知输出电压的最大值U O ma x 为25V ，R 1＝240Ω；W117的输出端和调整端间的电压U R ＝1.25V ，允许加在输入端和输出端的电压为3～40V 。试求解： （1）输出电压的最小值U O m i n ；

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。

“低频模拟电路课程设计”教学大纲

《低频模拟电路课程设计》教学大纲 课程编号： E135, E136 适用专业:电子信息工程、通信工程、电子科学与技术、计 算机应用等电子信息类本、专科专业。 学时数：30 学分： 1.5 编写者：熊年禄编写日期： 2009.2.20 一、课程的性质和目的 《低频模拟电路课程设计》是电子信息工程、通信工程、计算机科学与技术等专业的专业基础课，其基本理论只有通过实验才能灵活掌握，其电路分析和设计能力只有通过实验课程设计才能得到进一步提高。 本课程的目的是使学生在理解常用低频模拟电路工作原理的基础上，加深学生对低频模拟基本理论知识理解，掌握低频模拟电路的设计方法，提高学生实际动手能力，为今后学习有关专业课以及为解决工程实践中所遇到的低频模拟电路问题打下坚实的基础。为今后从事计算机硬件软件综合开发和应用积累相关知识。使学生能更好的跨入数字电子技术系统行列的大门。 本课程强调动手和硬件实验应用能力的锻炼，培养工程实践和电子设计创新的能力，养成理论联系实际和一丝不苟的实验工作作风，为今后从事电子信息工程方面的工作打下坚实基础。 二、课程基本要求 熟练掌握有关模拟电子线路实验技术，包括电子器件的识别和检测，仪器设备的使用和测量，单、多级电压放大器和负反馈放大器的安装和调试等。通过实验加深模拟电子线路有关理论的理解，并初步掌握电路的设计和综合。为今后学习有关专业课以及为解决工程实践中所遇到的低频模拟电路问题打下坚实的基础。. 熟悉低频模拟电路图的分类，掌握读图、焊接及测量、调试电路的一般方法。 通过本课程的教学，学生应具备以下能力： （ 1 ）了解示波器、电子电压表、信号发生器、频率计和数字万用表等常用电子仪器的基本工作原理；掌握正确使用方法。

模拟电子技术基础第一章答案

1.3电路如图所示，已知i 5sin (V)u t ω=，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u o 的波形，并标出幅值。 解：当i 3.7u ≥V 时，D 1导通，将u o 钳位在3.7V ； 当i 3.7u

Imax Z L Zmax Z (/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+?+= 故23V 稳压管将因功耗过大而损坏。 1.7电路如图所示，发光二极管导通电压UD=1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解：（1）S 闭合时发光二极管才有正向电流，也才有可能发光。 （2）发光二极管的正向电流过小将不发光，过大将可能损坏。R 是限流电阻，其取值应保证发光二极管既发光又不至于损坏。因此，R 的范围为 min D Dmax ()/233R V U I =-≈Ω max D Dmin ()/700R V U I =-=Ω 即233700R Ω< <Ω 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

第十章电子线路 模拟电路部分

第十章电子线路模拟电路部分 1 . 对于不加续流二极管的带电感性负载的单相半波可控整流电路，它的缺点是A.可控硅承受反向电压时将继续导通B.可控硅易损坏C.当可控硅承受反向电压时将关断D.可控硅损耗电能大答案： 2 . 具有体积小、重量轻、方向性好，并可耐各种恶劣条件，比如可以泡放在水中等优点，被人们称为21世纪最理想的照明方案，常用到手电筒、手机等照明的灯具是 A.高压钠灯 B.碘钨灯 C.白炽灯 D.LED灯答案： 3 . PN结具有A.导电性 B.绝缘性 C.单向导电性 D.双向导电性答案： 4 . 通用示波器由Y轴偏转系统、( )偏转系统、显示器、电源系统、辅助电路五部分组成。 A.垂直 B.中心 C.方向 D.X轴答案： 5. 半导体稳压管的稳压作用是利用A.PN结单向导电性实现的 B.PN结的反向击穿特性实现的C.PN结的正向导通特性实现的 D.PN结的反向截止特性实现的答案： 6 . 二极管导通时两端所加的电压是A.正向偏置电压B.反向偏置电压C.反向击穿电压D.无法确定 7 . 增加二极管两端的反向偏置电压，在未达到（）电压前，二极管通过的电流很小。 A.击穿 B.最大 C.短路 D.最小答案： 8. PN结正向偏置时A.扩散电流大于漂移电流B.漂移电流大于扩散电流C.扩散电流等于漂移电流D.扩散电流很小答案： 9 . 当二极管导通后参加导电的是A.多数载流子B.少数载流子C.多数载流子和少数载流子 D.共价键中的价电子答案： 10 . PN结反向偏置时A.多子的扩散电流大于少子的漂移电流B. 少子的漂移电流大于多子的扩散电流C.多子的扩散电流等于少子的漂移电流D.无法确定答案： 11 . 面接触型二极管通常适用于A.高频检波B.大功率整流C.大电流开关D.小功率整流答案： 12 . 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1kΩ,说明该二极管A.已经击穿 B.完好状态 C.内部老化不通 D.无法判断答案： 13 . 具有单向导电性的元器件是A.电阻B.电感C.电容D.二极管答案： 14 . 如果测得二极管的正反向电阻都很大，则该管A.正常B.已被击穿C.内部断路D.内部短路答案： 15 . 掺杂半导体中多数载流子的浓度A.高于本征半导体中载流子的浓度B.低于本征半导体中载流子的浓度C.等于本征半导体中载流子的浓度D.无法确定答案： 16 . 用于直流稳压电源中滤波的是A.云母电容器B.陶瓷电容器C.电解电容器D.可变电容器答案： 17. 半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线答案： 18. 硅二极管的正向导通压降约为A.0.7V B.0.5V C.0.3V D.0.2V答案： 19 . 在反向击穿前，二极管的反向漏电流随着反向电压的增大而 A.明显增大 B.基本不变 C.迅速减小 D.不能确定答案： 20. 下列所示四只硅二极管中，处于导通状态的二极管是A.B.C.D.答案： 21. 关于二极管正确的说法是A.检波二极管：电流小，结电容小，主要用在在小信号、高频率的电路中B.发光二极管：和普通二极管类似，也具有单向导电性，发光响应速度可快到几十纳秒，颜色和外形种类很多 C.稳压二极管：属于硅管，在反向击穿区具有极陡的击穿曲线，在很大的电流变化范围内，只有极小的电压变化D.硅整流二极管：电源电路上做整流元件，还可以灵活的构成限幅、钳位、抑制反向电动势等答案： 22 . 下列符号中，不是二极管的有A.B.C.D.答案： 23 . 二极管整流电路的类型有A.半波整流电路B.全波整流电路C.桥式全波整流电路 D.光电耦合驱动电路答案： 24 . 电容滤波和电感滤波分别适用于（）、（）场合。A.小电流B.大电流C.小电压 D.大电压答案： 25. 属于滤波电路的是A.低通滤波B.中通滤波C.高通滤波D.带通滤波答案： 26 . 关于整流电路，正确的说法是A.半波整流B.全波整流C.单波整流D.单相逆变答案： 27. 关于滤波电路正确的说法是A.滤波电路常用于滤去整流输出电压中的纹波B.一般由电抗元件组成C.分为无源滤波和有源滤波两大类D.滤波电路作用是尽可能减小脉动的直流电

模拟电子技术——第1章习题及答案

思考与习题1 1.1填空题 1.Si或 载流子；另一类是在Si或Ge 是多数载流子， ___单向导电性___ 3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合，面触 4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______ 限流。 5.，其反向 ，正常工作电流为 6. 7.两种载流子，在本征半导体中掺入三价元素，可形成P型半导体。 8. 11. 12. 13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态，而稳压管通常工作于 16.W7805的输出电压为 5 V 17. 1.1 选择题 1.在N型半导体中，多数载流子为电子，则N型半导体（C） A．带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定 2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。（C） A．本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体 3.PN结加正向电压时，其正向电流是由的。（A） A．多数载流子扩散形成 B．多数载流子漂移形成

C ．少数载流子扩散形成 D ．少数载流子漂移形成 4.当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。（ C ） A ．大于 变宽 B. 小于 变窄 C. 大于 变窄 D. 小于 变宽 5.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时，处于正向导通状态。 A ．0V 电压 B ．死区电压 C ．反向击穿电压 D ．正向压降 6.二极管的反向电阻（ B ）。 A ．小 B ．大 C ．中等 D ．为零 7.稳压管的稳压区是其工作在 。（ C ） A. 正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 8.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ .B ） A.10V B.210 V C. V D.20V 9.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V ，此时，输出的电压约为( A ) A.24V B.18V C.9V D.28.2V 10.两个硅稳压管，U z1 = 6V ，U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（.D ）。 A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V 1.3简答题、 1.当温度升高时，二极管的反向电流怎样变化？为什么？而其正向电压降又怎样变化？答：二极管的反向电流增加，因为温度升高时，漂移运动加强，其中电流增大。正向电压减少。 2.有这样一只整流二极管，用万用表测量其正反向特性都很好，但是安装到电路中作整流使用却不能正常使用，试问是什么原因？.答：该二极管内部出现软故障，在电路外因为没有工作电流，只有测量电流，其温度低，不会出现击穿，测量结果属于正常，但是接到电路时，由于通过电流较大，工作温度高，其就会出现击穿现象了。 3.题图1-1给出了一些元器件的电路符号，请合理连线，构成一个5V 的直流稳压电源。 210题图1-1

模拟电子技术第一章 习题与答案

第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？ 答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？ 答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？ 答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？ 答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？ 答： 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？ 答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？ 答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。 （1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必

模拟电路第四章课后习题测验答案

第四章 习题与思考题 ◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ， ① 试估算电路的最大输出功率P om ； ② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。 解：① W W R U V P L cem CC om 563.18 2)16(2)(2 2≈?-=-= 如忽略U CES ，则 W W R V P L CC om 25.28 2622 2=?=≈ ② W W R V P L CC V 865.28 6222 2≈??=≈ππ %55.54865 .2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈== V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。 ◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中： ① 三极管的最大功耗等于多少？ ② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？ ③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少? ④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？ 解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=?=> ② A A R V I L CC CM 75.08 6==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=?=> ④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈u A ，而略小于1，故V V V U U CC cem i 24.426 22≈=≈≈。 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。

模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案

4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。

电路与模拟电子技术基础课后练习第一章答案

第1章直流电路习题解答 1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。 图1.1 习题1.1电路图 解 W 5.45.131=?=P （吸收） ；W 5.15.032=?=P （吸收） W 15353-=?-=P （产生） ；W 5154=?=P （吸收）； W 4225=?=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。 1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。 图1.2 习题1.2电路图 解 A 2=I ； V 13335=+-=I I U 电流源功率：W 2621-=?-=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。 电压源功率：W 632-=?-=I P （产生），即电压源产生功率W 6。 1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。 图1.3 习题1.3电路图

解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。 图1.4 习题1.4电路图 解 V 8.139 66 518ab -=?++ +?-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。 图1.5 习题1.5电路图 解 A 71 5 2)32(232=?+-?+-=I V 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。 图1.6 习题1.6电路图 解 A 213=-=I ；A 31X -=--=I I ; V 155X -=?=I U V 253245X X -=?--?=I U

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '=?50μA/V 2，V t ?=?1V ，以及W /L ?=?10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS?=?5V 且V DS?=?1V ； （2）V GS?=?2V 且V DS?=?； （3）V GS?=?且V DS?=?； （4）V GS?=?V DS?=?5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。 图题 图（a ）P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 一个NMOS 晶体管有V t?=?1V 。当V GS?=?2V 时，求得电阻r DS 为1k?。为了使r DS?=?500?，则V GS 为多少？当晶体管的W 为原W 的二分之一时，求其相应的电阻值。 解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有()D n GS t DS W i k v V v L '≈- ()n GS t 1DS DS D v r i W k v V L =≈'-

模拟电子技术第十章习题解答

习题 题10-1 在图P10-1所示的单相桥式整流电路中，已知变压器副边电压U2＝10V(有效值)： 图P10-1 ②工作时，直流输出电压U O(A V)=? ②如果二极管VD1虚焊，将会出现什么现象？ ③如果VD1极性接反，又可能出现什么问题？ ④如果四个二极管全部接反，则直流输出电压U O(A V)=? 解：①正常时工作时，直流输出电压U O(A V)=0.9 U2=9V ②如果二极管VD1虚焊，将成为半波整流U O(A V)=0.45 U2=4.5V ③如果VD1极性接反，U2负半周VD1、VD3导通，负载短路，产生极大的电流，造成二极管和变压器烧毁。 ③如果四只二极管全部接反，则直流输出电压U O(A V)=－9V。 题10-2图P10-2是能输出两种整流电压的桥式整流电路。 （1）试分析各个二极管的导电情况，在图上标出直流输出电压U O(A V)1和U O(A V)2对地的极性，并计算当U21=U22=20V(有效值)时，U O(A V)1和U O(A V)2各为多少？（2）如果U21=22V，U22=18V，则U O(A V)1和U O(A V)2各为多少？ （3）在后一种情况下，画出u o1和u o2的波形并估算各个二极管的最大反向峰值电压将各为多少？ 图P10-2

解：（1）均为上“+”、下“-”。即U O(A V)1对地为正，U O(A V)2对地为负。 均为全波整流。 U O(A V)1和U O(A V)2为：U O(A V)1=-U O(A V)2≈0.9U 21=0.9*20=18V （2）如果U 21=22V ，U 22=18V ，则U O(A V)1和U O(A V)2为 U O(A V)1= -U O(A V)2≈0.45U 21+0.45 U 22=18V 。 （3）波形图如下： 题10-3 试分析在下列几种情况下，应该选用哪一种滤波电路比较合适。 ①负载电阻为1Ω，电流为10A ，要求S ＝10%； ②负载电阻为1k Ω，电流为10mA,要求S =0.1%； ③负载电阻从20Ω变到100Ω，要求S =1%，输出电压U O(A V)变化不超过20%； ④负载电阻100Ω可调，电流从零变到1A ，要求S =1%，希望U 2尽可能低。 解：①电感滤波；②电容滤波或RC π型滤波；③LC 滤波；④LC π型滤波 题10-4在桥式整流电容滤波电路中，U 2=20V(有效值)，R L =40Ω，C =1000μF 。试问： ①正常时U O(A V)=? ②如果电路中有一个二极管开路，U O(A V)是否为正常值的一半？ ③如果测得U O(A V)为下列数值，可能出了什么故障： (a) U O(A V)=18V ；(b) U O(A V)=28V ；(c) U O(A V)=9V 。 解：①3L (4010)s 0.04s R C -=?=，而 0.02s 0.01s 22T ==，所以满足条件L (3~5)2 T R C ≥，所以U O(A V)=1.2U 2=1.2*20=24V; ②若一只二极管开路，电路成为半波整流，此时U O(A V)比正常值的一半要多 。 ③(a) U O(A V)=18V ，电容开路，无滤波作用；(b) U O(A V)=28V ，负载开路；

模拟电子技术(第2版)第一章习题

第一章半导体二极管 练习题 一、填空 1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。 2.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。 3.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。 4.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。 5.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。 6.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。 7. PN结正偏是指P区电位N区电位。 8. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。 9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。 10.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。 11.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。 12.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。 13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。 14.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。 15.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。 16.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。 17.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。 18.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。 19.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。 20. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。 二、单选题 1.下列符号中表示发光二极管的为（）。 2.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 3.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 4.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 5.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 6.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移

模拟电子技术基础第四版童诗白)课后答案第十章

第10章 直流电源 自测题 一.判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入括号内。 (1)直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。( × ) (2)直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。( √ ) (3)在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。( √ )；因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。( × ) (4)若2U 为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电 2。( √ ) (5)当输入电压U I 和负载电流I L 变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。( × ) (6)一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。( √ ) 二、在图10.3.l (a)中，已知变压器副边电压有效值U 2为10V , 32 L T R C (T 为电网电压的周期)。测得输出电压平均值()O AV U 可能的数值为 A . 14V B . 12V C . 9V D . 4.5V 选择合适答案填入空内。 (1)正常情况()O AV U ≈( B )； (2)电容虚焊时()O AV U ≈( C )； (3)负载电阻开路时()O AV U ≈( A )； (4)一只整流管和滤波电容同时开路，()O AV U ≈( D )。 三、填空：在图T10.3所示电路中,调整管为( T 1 )，采样电路由(R 1、R 2、R 3)

组成， 基准电压电路由( R 、D Z )组成，比较放大电路由( T 2、R c )组成，保护电路由( R 0、 T 3 )组成；输出电压最小值的表达式为( 123 23 ()Z BE R R R U U R +++ )，最大值的表达式 ( 123 223 ()Z BE R R R U U R R ++++ )。 图T10.3 图T10.4 四、在图T10.4所示稳压电路中，已知稳压管的稳定电U Z 为6V ，最小稳定电流I Zmin 为5mA ，最大稳定电流I Zmax 为40mA ；输入电压U i 为15V ，波动范围为±10%；限流电阻R 为200Ω。(1)电路是否能空载？为什么？(2)作为稳压电路的指标，负载电流I L 的范围为多少？ 解：(1)由于空载时稳压管流过的最大电流： 所以电路不能空载。 (2)根据 Im min max in Z DZ L U U I I R -=-，负载电流的最大值 根据 Im max min ax Z DZ L U U I I R -=-，负载电流的最小值 所以，负载电流的范围为12 .5 ~32 .5mA 。 五、在 所示电路中，已知输出电压的最大值U omax 为25V , R l =240Ω；Wll7的输出端和调整端间的电压U R =1.25V ，允许加在输入端和输出端的电压3 ~40V 。试求解：(1)输出电压的最小值U omin ； (2) R 2的取值； (3)若U I 的波动范围为±10 % ,为保证输出电压的最大值U omax 为25V , U I 至少应取多少伏？为保证Wll7 安全工作， U I 的最大值为多少伏？ 解：(1)输出电压的最小值U omin = 1.25V

模拟电路复习资料

学习资料 第一章 半导体器件 一、学习要求 1. 掌握半导体管的伏安特性和主要参数（U ON 、I S 、U BR 、I Z 、P ZM ) 2. 掌握三极管的输入和输出特性（1. 3.3） 3. 掌握场效应管的工作原理（如何形成导电沟道然后工作在恒流区） 4. 理解PN 结的单向导电性 5. 理解三极管的放大原理 二、复习思考题 1. 选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度，在P 型半导体中，电子浓度 空穴浓度。当PN 节外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。 2、 电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 3、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么 现象?为什么？