导带、价带、禁带

【半导体】

（1）导带conduction band

A解释

导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。

对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。

对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。

B导带的涵义：

导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能

量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。

导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。

导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体的亲和能，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。

（2）价带与禁带

价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的。被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）。

禁带，英文名为：Forbidden Band 在能带结构中能态密度[1]为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。

（3）导带与价带的关系：

——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发。在本征激发过程

中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。

价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。

价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。

对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。

能隙

能隙（Bandgap energy gap）或译作能带隙，在固态物理学中泛指半导体或是绝缘体的价带（valence band）顶端至传导带（conduction band）底端的能量差距。

能带理论是研究固体中电子运动规律的一种近似理论。固体由原子组成，原子又包括原子实和最外层电子，它们均处于不断的运动状态。为使问题简化，首先假定固体中的原子实固定不动，并按一定规律作周期性排列，然后进一步认为每个电子都是在固定的原子实周期势场及其他电子的平均势场中运动，这就把整个问题简化成单电子问题。能带理论就属这种单电子近似理论，它首先由F.布洛赫和L.-N.布里渊在解决金属的导电性问题时提出。

理论应用

对一个本征半导体（intrinsic semiconductor）而言，其导电性与能隙的大小有关，只有获得足够能量的电子才能从价带被激发，跨过能隙并跃迁至传导带。利用费米-狄拉克统计（Fermi-Dirac Statistics）可以得到电子占据某个能阶（energy state）E0的机率。又假设E0 > > EF，EF是所谓的费米能阶（Fermi level），电子占据E0的机率可以利用波兹曼近似简化为：在上式中，Eg是能隙的宽度、k是波兹曼常数（Boltzmann's Constant），而T则是温度。

半导体材料的能隙可以利用一些工程手法加以调整，特别是在化合物半导体中，例如控制砷化镓铝（AlGaAs）或砷化镓铟（InGaAs）各种元素间的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成长出多层的磊晶材料。这类半导体材料在高速半导体元件或是光电元件，如异质接面双载子晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、雷射二极管，或是太阳能电池上已经成为主流。

固体的能带

固体的导电性能由其能带结构决定。对一价金属，价带是未满带，故能导电。对二价金属，价带是满带，但禁带宽度为零，价带与较高的空带相交叠，满带中的电子能占据空带，因而也能导电，绝缘体和半导体的能带结构相似，价带为满带，价带与空带间存在禁带。无机半导体的禁带宽度从0.1～2.0eV，π-π共轭聚合物的能带隙大致在1.4～4.2eV,绝缘体的禁带宽度大于4.5eV。在任何温度下，由于热运动，满带中的电子总会有一些具有足够的能量激发到空带中，使之成为导带。由于绝缘体的禁带宽度较大，常温下从满带激发到空带的电子数微不足道，宏观上表现为导电性能差。半导体的禁带宽度较小，满带中的电子只需较小能量就能激发到空带中，宏观上表现为有较大的电导率。能带理论在阐明电子在晶格中的运动规律、固体的导电机构、合金的某些性质和金属的结合能等方面取得了重大成就，但它毕竟是一种近似理论，存在一定的局限性。例如某些晶体的导电性不能用能带理论解释，即电子共有化模型

和单电子近似不适用于这些晶体。多电子理论建立后，单电子能带论的结果常作为多电子理论的起点，在解决现代复杂问题时，两种理论是相辅相成的。

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导带

导带 折叠编辑本段基本概念导带是由自由电子形成的 能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valenceband) 是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的 部分电子会越过禁带(forbiddenband/bandgap)进入能量较 高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。金属钠的能带示意图折叠编辑本段词目涵义导 带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体

的亲和能，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。在固体能带理论中，指位于价带之上的能带。通常未被电子充满，因而电子可以在其中自由地或近似自由地运动。低于导带的能区完全为电子所填满，高于导带的能区则完全没有电子。满带的电子不能自由地穿过固体(即无传导电子)。因而一种材料中具有导带能量的电子的数目决定着这种材料传导电流的能力。如绝缘体中无导带电子故为不良导体；金属中有大量的导带电子，故为良好的导体。导体、半导体和绝缘体的能带折叠编辑本段相关关系折叠导带与价带的关系对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价电子）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势

导带、价带、禁带、费米能级

（1）导带conduction band： 导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 势能动能：导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。 （2）价带与禁带： 价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。 禁带，英文名为：Forbidden Band 常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。无机半导体的禁带宽度从～，π-π共轭聚合物的能带隙大致在～,绝缘体的禁带宽度大于。

能带和禁带

能带和禁带 2010-03-21 20:36:51| 分类：微电子物理| 标签：|字号大中小订阅 （晶体电子为什么处于能带状态？如何理解禁带宽度随压力和温度的变化？） 作者：Xie M. X. (UESTC，成都市) 晶体电子不同于自由电子，也不同于束缚电子。 原子中的束缚电子具有分立的能级状态。经典自由电子具有连续的能量状态；量子自由电子具有准连续的能级状态。 晶体电子属于既非自由、又非束缚的量子电子状态，它们具有能带（容许带）状态：许多准连续的能级分别组成一个一个的能带，能带与能带之间即为禁带。 （1）晶体能带的形成可以从两个方面来理解： ①能级分裂产生能带（容许带）：许多原子靠近而组成晶体时，价电子的能级即发生分裂（因为许多价电子不可能都处于同一个能级上），从而形成能带。 ②电子波干涉产生禁带：晶体中电子的运动可看成是电子波的传播；入射波与原子的反射波在波长满足Bragg干涉条件时即相互加强，并产生两种能量高低不同的状态——在Brillouin区边缘处电子波干涉出现禁带，从而产生了能带。 最高能量的两个能带（容许带），往往与晶体的导电、导热等有关，这两个能带分别称为价带和导带，它们的间距即称为禁带宽度。 （2）禁带宽度与原子间距的关系： 因为晶体可看成为由许多原子靠近而形成的，故原子间距越小，能带就越宽，相应的禁带宽度也就越窄；相反，原子间距越大，能带就越窄，相应的禁带宽度也就越大；在极端情况下，当原子间距变成为无穷大时，则能带缩归为一条能级。 根据这种关系，即可说明温度对能带和禁带宽度的影响。当温度升高时，原子间距变大，则能带变窄、禁带宽度变大；当温度降低时，原子间距缩小，则能带展宽、禁带宽度变窄。这就是说，禁带宽度具有正的温度系数。 但是以上禁带宽度与温度的变化关系，对于Si和Ge半导体而言完全不正确。因为在Si、Ge半导体中，并不是一条原子能级就对应于一个扩展成的能带，而是sp3杂化轨道态产生了价带和导带，则禁带宽度随温度的变化也就与轨道杂化有关；结果造成：禁带宽度具有负的温度系数，即随着温度的升高，禁带宽度变窄。 禁带宽度随静压力而变化的关系与原子间距的变化有一定的关系，但情况较为复杂。在室温下，GaAs的压力系数为正，即dEg/dP=12.6×10-6 eV-cm2/N；但是Si的压力系数却为负，即dEg/dP=-2.4×10-6 eV-cm2/N。 【注意】对于Si和Ge半导体的禁带宽度具有负的温度系数这一事实，不能错误地理解为：随着温度的升高，电子的热运动能量增大，使得能带展宽更大，从而导致禁带宽度减小。因为晶体的能带表示的是电子的稳定状态——定态，并不描述电子的运动情况（只是表征电子的能量状态）；只有在讨论电子填充能带中的能级时，才需要考虑电子的能量高低，能量高者就可以填充较高的能级，能量低者就只能填充较低的能级（总是从最低的能级——导带底开始往上填充）。

导带、价带、禁带.费米能级

【半导体】 （1）导带conduction band 导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 势能动能：导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。 （2）价带与禁带 价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K 时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。 禁带，英文名为：Forbidden Band 常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。无机半导体的禁带宽度从0.1～2.0eV，π-π共轭聚合物的能带隙大致在1.4～4.2eV,绝缘体的禁带宽度大于4.5eV。 （3）导带与价带的关系： “电子浓度=空穴浓度”，这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。 注意：不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。

导带、价带、

导带、价带都属于允带，允带有很多的能级（不过可视为准连续，因为能级间差距实在是太小了！），原子中电子的填充都是从最低能级开始的，假设有这么一个情形：电子填啊填，填到某一允带的所有能级都被填满时，刚好所有电子都用完了，再没有一个电子需要填充了。那么，这个允带就是“满带”，它的最高的那个能级就是“价带（顶）”，这个允带往上隔了一个禁带Eg之后，又有一个允带（在更高能级位置），我们称之为导带，但是这个允带没有任何电子（因为电子在上一个允带时就已经全部填充完了！所以说所谓允带只是说允许有电子存在，但实际上有没有、有多少呢，却不一定；当然禁带是绝对不可能有电子存在。），所以为“空带”。我们再看回满带，在满带中，每个能级都有且仅有一个电子（为什么每个能级只能有一个电子呢？请自己查找泡利不相容原理的相关资料），那么满带是不导电的（电子都不能在满带的能级间跑动，自然就不可能有电流啦！）。但是，对于半导体，禁带Eg不是太大，故而价带电子有机会跃迁到导带中，成为自由电子（导带中的所有能级几乎全空，电子在这里可以跳来跳去，当然很自由啦！），故而导带可以导电，所以才叫导带嘛。 导带是高架桥，价带是地面人行道。 半导体就像是人满为患时的地面交通，电子君们寸步难行挤成狗，但你若是有本事跳上空旷无人的高架桥，那就可以随便跪”。 高架桥到地面之间的空档，就被称为禁带。所谓禁带就是说电子君没地方可站。相应的，允带就是电子君可以站的地方，所以除了导带和价带，地下通道也是允带。 高架桥若是太高，电子君们跳不上去，交通便陷入彻底瘫痪。这是绝缘体。 高架桥若是接上了地面道路，电子君们就能纷纷上桥，交通立刻顺畅起来。这是金属。 现代半导体技术，之所以能够实现器件的开关，就是能够在高架桥和地面之间架起一-座临时的梯子，它将决定地面上有多少幸运的电子君能够登上高架桥，担负起导电的伟大使命。以上。 让我们从最基本的开始……以下如果没有特别说明主角都是电子。 首先从量子力学的基本假设——不连续性可以推出原子外电子的在条件一定的 情况下只能取到某些特定的能量，这就是能级： width="230">（大家好，我是氢原子的电子能级）

禁带、导带、价带

禁带、价带和导带 一、禁带、禁带宽度及其物理意义 1.1 基本信息 禁带是指在能带结构中能态密度为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。 禁带宽度(Band gap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。 例如：锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev；氧化亚铜的禁带宽度为2.2eV。禁带非常窄的一般是金属，反之一般是绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关。1.2 禁带宽度的物理意义 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。 半导体价带中的大量电子都是价键上的电子[1]，不能够导电，即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带（即本征激发）而产生出自由电子和空穴[2]，才能够导电。空穴实际上也就是价电子跃迁到导带以后所留下的价键空位（一个空穴的运动就等效于一大群价电子的运动）。因此，禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。 [1] 价电子，指原子核外电子中能与其他原子相互作用形成化学键的电子。主族元素的价电子就是主族元素原子的最外层电子；过渡元素的价电子不仅是最外层电子，次外层电子及某些元素的倒数第三层电子也可成为价电子，如有时也包括次外层的D电子，对于镧系元素，还有倒数第三层的F电子 [2] 自由电子和空穴称为载流子，在电场力作用下的运动称为漂移运动，载流子定向的漂移运动形成了电流。 要靠电子导电的半导体被称为N型半导体。N型半导体中电子是多数载流子（简称多子），空穴是少数载流子（简称少子）。主要靠空穴导电的半导体被称为P型半导体。P型半导体中空穴是多数载流子（简称多子）、自由电子是少数载流子（简称少子）。将P型半导体与N型半导体通过物理、化学方法有机地结合为一体后，在交界处就形成了PN结，PN结具有非线性电阻的特性，可以制成二极管作整流器件，PN结是构成多种半导体器件的基础。

禁带宽度

半导体禁带宽度 （1）能带和禁带宽度的概念： 对于包括半导体在内的晶体，其中的电子既不同于真空中的自由电子，也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态，即可取任何大小的能量；而原子中的电子是处于所谓分离的能级状态。晶体中的电子是处于所谓能带状态，能带是由许多能级组成的，能带与能带之间隔离着禁带，电子就分布在能带中的能级上，禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。半导体最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为禁带宽度（或者称为带隙、能隙）。 禁带中虽然不存在属于整个晶体所有的公有化电子的能级，但是可以出现杂质、缺陷等非公有化状态的能级——束缚能级。例如施主能级、受主能级、复合中心能级、陷阱中心能级、激子能级等。顺便也说一句，这些束缚能级不只是可以出现在禁带中，实际上也可以出现在导带或者价带中，因为这些能级本来就不属于表征晶体公有化电子状态的能带之列。 （2）禁带宽度的物理意义： 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。 半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带（即本征激发）而产生出自由电子和自由空穴后，才能够导电。空穴实际上也就是价电子跃迁到导带以后所留下的价键空位（一个空穴的运动就等效于一大群价电子的运动）。因此，禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。 Si的原子序数比Ge的小，则Si的价电子束缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。GaAs的价键还具有极性，对价电子的束缚更紧，所以GaAs的禁带宽度更大。GaN、SiC等所谓宽禁带半导体的禁带宽度更要大得多，因为其价键的极性更强。Ge、Si、GaAs、GaN和金刚石的禁带宽度在室温下分别为0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。 金刚石在一般情况下是绝缘体，因为碳（C）的原子序数很小，对价电子的束缚作用非常强，价电子在一般情况下都摆脱不了价键的束缚，则禁带宽度很大，在室温下不能产生出载流子，所以不导电。不过，在数百度的高温下也同样呈现出半导体的特性，因此可用来制作工作温度高达500oC 以上的晶体管。

导带与价带的关系资料

导带与价带的关系

精品资料 定义 导带（conduction band）是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。 导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。 导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体的亲和能，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。 导带与价带的关系 对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价电子）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。 价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。 价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2

导带与价带的关系

定义 导带(conduction band)就是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。对于金属,所有价电子所处的能带就就是导带。对于半导体,所有价电子所处的能带就是所谓价带,比价带能量更高的能带就是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)就是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 导带就是半导体最外面(能量最高)的一个能带,就是由许多准连续的能级组成的;就是半导体的一种载流子——自由电子(简称为电子)所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子,大多数状态(能级)就是空着的,则在外加作用下能够发生状态的改变,故导带中的电子能够导电,即为载流子。 导带底就是导带的最低能级,可瞧成就是电子的势能,通常,电子就处于导带底附近;离开导带底的能量高度,则可瞧成就是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时,电子的势能即发生变化,从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜;反过来,凡就是能带发生倾斜的区域,就必然存在电场(外电场或者内建电场)。 导带底到真空中自由电子能级的间距,称为半导体的亲与能,即就是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这就是半导体的一个特征参量。 导带与价带的关系 对于未掺杂的本征半导体,导带中的电子就是由它下面的一个能带(即价带)中的电子(价电子)跃迁上来而形成的,这种产生电子(同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子)的过程,称为本征激发。在本征激发过程中,电子与空穴就是成对产生的,则总就是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就就是本征半导体的特征,因此可以说,凡就是两种载流子浓度相等的半导体,就就是本征半导体。这就意味着,不仅未掺杂的半导体就是本征半导体,就就是掺杂的半导体,在一定条件下(例如高温下)也可以转变为本征半导体。 价带的能量低于导带,它也就是由许多准连续的能级组成的。但就是价带中的许多电子(价电子)并不能导电,而少量的价电子空位——空穴才能导电,故称空穴就是载流子。空穴的最低能量——势能,也就就是价带顶,通常空穴就处于价带顶附近。 价带顶与导带底之间的能量差,就就是所谓半导体的禁带宽度。这就就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这就是半导体最重要的一个特征参量。

导带、价带、讲解学习

导带、价带、

导带、价带都属于允带，允带有很多的能级（不过可视为准连续，因为能级间差距实在是太小了！），原子中电子的填充都是从最低能级开始的，假设有这么一个情形：电子填啊填，填到某一允带的所有能级都被填满时，刚好所有电子都用完了，再没有一个电子需要填充了。那么，这个允带就是“满带”，它的最高的那个能级就是“价带（顶）”，这个允带往上隔了一个禁带Eg之后，又有一个允带（在更高能级位置），我们称之为导带，但是这个允带没有任何电子（因为电子在上一个允带时就已经全部填充完了！所以说所谓允带只是说允许有电子存在，但实际上有没有、有多少呢，却不一定；当然禁带是绝对不可能有电子存在。），所以为“空带”。我们再看回满带，在满带中，每个能级都有且仅有一个电子（为什么每个能级只能有一个电子呢？请自己查找泡利不相容原理的相关资料），那么满带是不导电的（电子都不能在满带的能级间跑动，自然就不可能有电流啦！）。但是，对于半导体，禁带Eg不是太大，故而价带电子有机会跃迁到导带中，成为自由电子（导带中的所有能级几乎全空，电子在这里可以跳来跳去，当然很自由啦！），故而导带可以导电，所以才叫导带嘛。 导带是高架桥，价带是地面人行道。 半导体就像是人满为患时的地面交通，电子君们寸步难行挤成狗，但你若是有本事跳上空旷无人的高架桥，那就可以随便跪”。 高架桥到地面之间的空档，就被称为禁带。所谓禁带就是说电子君没地方可站。 相应的，允带就是电子君可以站的地方，所以除了导带和价带，地下通道也是允带。 高架桥若是太高，电子君们跳不上去，交通便陷入彻底瘫痪。这是绝缘体。 高架桥若是接上了地面道路，电子君们就能纷纷上桥，交通立刻顺畅起来。这是金属。 现代半导体技术，之所以能够实现器件的开关，就是能够在高架桥和地面之间架起一-座临时的梯子，它将决定地面上有多少幸运的电子君能够登上高架桥，担负起导电的伟大使命。以上。 让我们从最基本的开始……以下如果没有特别说明主角都是电子。 首先从量子力学的基本假设——不连续性可以推出原子外电子的在条件一定的情况下只能取到某些特定的能量，这就是能级：

(完整版)半导体禁带宽度

半导体禁带宽度 目录 （1）能带和禁带宽度的概念： （2）禁带宽度的物理意义： （1）能带和禁带宽度的概念： 对于包括半导体在内的晶体，其中的电子既不同于真空中的自由电子，也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态，即可取任何大小的能量；而原子中的电子是处于所谓分离的能级状态。晶体中的电子是处于所谓能带状态，能带是由许多能级组成的，能带与能带之间隔离着禁带，电子就分布在能带中的能级上，禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。半导体最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为禁带宽度（或者称为带隙、能隙）。 禁带中虽然不存在属于整个晶体所有的公有化电子的能级，但是可以出现杂质、缺陷等非公有化状态的能级——束缚能级。例如施主能级、受主能级、复合中心能级、陷阱中心能级、激子能级等。顺便也说一句，这些束缚能级不只是可以出现在禁带中，实际上也可以出现在导带或者价带中，因为这些能级本来就不属于表征晶体公有化电子状态的能带之列。（2）禁带宽度的物理意义： 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。 半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带（即本征激发）而产生出自由电子和自由空穴后，才能够导电。空穴实际上也就是价电子跃迁到导带以后所留下的价键空位（一个空穴的运动就等效于一大群价电子的运动）。因此，禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。 Si的原子序数比Ge的小，则Si的价电子束缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。GaAs的价键还具有极性，对价电子的束缚更紧，所以GaAs的禁带宽度更大。GaN、SiC等所谓宽禁带半导体的禁带宽度更要大得多，因为其价键的极性更强。Ge、Si、GaAs、GaN和金刚石的禁带宽度在室温下分别为0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。 金刚石在一般情况下是绝缘体，因为碳（C）的原子序数很小，对价电子的束缚作用非常强，价电子在一般情况下都摆脱不了价键的束缚，则禁带宽度很大，在室温下不能产生出载流子，所以不导电。不过，在数百度的高温下也同样呈现出半导体的特性，因此可用来制作工作温度高达500oC 以上的晶体管。 作为载流子的电子和空穴，分别处于导带和价带之中；一般，电子多分布在导带底附近（导带底相当于电子的势能），空穴多分布在价带顶附近（价带顶相当于空穴的势能）。高于导带底的能量就是电子的动能，低于价带顶的能量就是空穴的动能。（3）半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

导带价带禁带

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【半导体】 （1）导带conduction band A解释 导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 B导带的涵义： 导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。 导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。 导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体的亲和能，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。 （2）价带与禁带 价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K 时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的。被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）。

导带与价带的关系

定义 导带（conduction band）是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。 导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。 导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体的亲和能，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。 导带与价带的关系 对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价电子）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。 价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。 价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。

导带价带禁带费米能级

导带价带禁带费米能级 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020

（1）导带conduction band： 导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 势能动能：导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。 （2）价带与禁带： 价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K 时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。

禁带，英文名为：Forbidden Band 常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。无机半导体的禁带宽度从～，π-π共轭聚合物的能带隙大致在～,绝缘体的禁带宽度大于。 （3）导带与价带的关系： “电子浓度=空穴浓度”，这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。 注意：不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。 空穴，载流子：价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。 禁带宽度：价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。 施主与受主：对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。实际上未掺杂半导体的费米能级在价带和导带的中央附近。n型半导体的费米能级在导带底附近，而p型在价带顶附近。

导带价带禁带

. 【半导体】conduction band 导带）（1A解释导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。，所有价电子所处的能带就是导带。对于金属，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的半导体对于见(能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带)能带理论进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成 (forbidden band/band gap)为导电的能带——导带。导带的涵义：B导带 是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。 导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。 导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体的亲和能，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。 价带与禁带）（2价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝 缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的。被价电子占据的能带（低温下通常被价电子占满）。 禁带，英文名为：Forbidden Band 在能带结构中能态密度[1]为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当1 / 3 . 绝缘体的禁带电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。温度升高时，宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。3）导带与价带的关系：（，导带中的电子是由它下面的一个能带（即本征半导体对于未掺杂的价带） 中的电子（价电子）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产。在本征激——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发空穴生空穴浓度”。发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。

导带、价带、禁带

【半导体】 （1）导带 conduction band A解释 导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带（valenee band）是满带（见 能带理论），受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带 （forbidden ban d/ba nd gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成 为导电的能带一一导带。 B导带的涵义： 导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种载流子一一自由电子（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。 导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于 导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场 作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者内建电场）。 导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体的亲和能，即是把 一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。 （2）价带与禁带 价带（vale nee band ）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足 够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的。被价电子占据的能带（低温下通常被价电子占满）。 禁带，英文名为：Forbidden Band 在能带结构中能态密度［1］为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小

半导体导带价带相对位置能带图

1CoS 0eV 2Fe3S40eV 3CuS 0eV 4CoS20eV 5CuS20eV 6FeS 0.1eV 7Fe3O40.1eV 8FeAsS 0.2eV 9MnO20.25eV 10NiS20.3eV 11CuFeS20.35eV 12PbS 0.37eV 13NiS 0.4eV 14CoAsS 0.5eV 15MnS20.5eV 16Pb5Sn3Sb2S140.65eV 17TiS20.7eV 18Ag2S 0.92eV 19FeS20.95eV 20PtS20.95eV 21Cu5FeS41eV 22PdO 1eV 23CZTSe 1eV 24SnS 1.01eV 25Cu2S 1.1eV 26HfS2 1.13eV 27MoS2 1.17eV 28Ag2O 1.2eV 29PbCuSbS3 1.23eV 30CuIn5S8 1.26eV

31Cu3AsS4 1.28eV 32WS2 1.35eV 33RuS2 1.38eV 34Pb10Ag3Sb11S28 1.39eV 35Pb2As2S5 1.39eV 36CuInS2 1.5eV 37Rh2S3 1.5eV 38CZTS 1.5eV 39Tl2O3 1.6eV 40HgSb4S8 1.68eV 41CuO 1.7eV 42AgSbS2 1.72eV 43Sb2S3 1.72eV 44TlAsS2 1.8eV 45Hg2Nb2O7 1.8eV 46Hg2Ta2O7 1.8eV 47ZrS2 1.82eV 48HgO 1.9eV 49AgAsS2 1.95eV 50In2S32eV 51HgS 2eV 52OsS22eV 53Ce2S3 2.1eV 54SnS2 2.1eV 55NiTiO3 2.18eV 56Cu2O 2.2eV 57CdO 2.2eV 58Fe2O3 2.2eV 59CoTiO3 2.25eV 60CdFe2O4 2.3eV

禁带和禁带宽导带、价带

禁带和禁带宽导带、价带 在能带中，那些被电子填满的能带即能带中每一个能级都被两个电子所占据，称为商镊；那些没有电子填充的能带，即能带中每一个朗级上都没有电子，称为空带；两相邻能带问的间隙称为禁带。 原子中的电子，按照一定的规则由低到高顺序填充能极，即先填充低能极后填充高能极。晶体中，电子填充能带的顺序也是由低到高，先填能量较低的能带；后填能量较高的能带。原子最低能级上的电了，ST代理在组成品体后就处于晶体最低的能带个，较高能级上的电子处于较高的相应能带中。 在陡、锗半导体中，能量最高的那个满带为价电子所填充，所以又称为价带，也可以说，价电子填充的那个满带称为价带。价带和原子中最外层轨道上的价电子能级相对应。可见，满带是泛指那些为电子所填满的那些带，而价带是满带之一。 空能带中能量最低的那个空带称为导带。通常所说的半导体禁带宽度，是指价带顶和导带底之间的能量差，带宽度量‘等于导带最低能量与价带最高能量之差。 禁带宽度的大小是由半导体材料本身性质所决定的。禁带宽度是半导体材料的主要参数，它对华导体器件的最高工作温度、工作频率等都有着决定性的影响。 禁带宽度还与压力有关，在室温附近，砧的禁带宽度随压力增大而减小，锗和砷化掠的禁惜宽度随压力增大而增大。 对于单层板和层合板，其纤维均为按一定方式和顺序在基体中排布。对于不同的实际需要，在复合材料的构造中根据纤维的特征尺寸还有两种被应用的短纤维复合材料：随机取向短切纤维复合材料(由基体与短纤维均匀搅拌模压而成的复合材料)，单向短纤维(短切纤维呈单(3)节省能源。在由复合材料制造的各种结构过程中，其能耗低于金属材料；高比强度和高比模量结构的质量轻，从而使得结构使用中能耗减少。 除了上述特点外，复合材料还具有各种良好的特性，如抗冲击性、透电磁波性、减阻尼性、耐磨和耐腐蚀等。对于复合材料的力学分析和研究，大致可分为材料力学和结构力学两大类。月惯上把复合材料的材辑力学分析和研究部分称为复合材料力学；而把复合材14的结构力学(如板、壳结构)分析和研究部分称为复合材料结构力学。有时也将复合材料力学、复合材料结构力学统称为复合材料力学。复合材料力学按照其所采用的力学模型的尺度又可划分成两个部分：细观力学和宏观力学。另外在应用中也常用另一种分类，即将复合材料分为三个结构层次一次结构是由基体和纤维增强材料复合而成的单层板，其力学性能主要取决