G5177B 高效率同步整流升压芯片

同步整流技术分享

江苏宏微科技股份有限公司 Power for the Better
同步整流技术及主要拓扑电路
宏微科技市场部
2015-9-16

Contents
? 同步整流电路概述 ? 典型电路及其特点 ? 损耗分析 ? 同步整流电路中常见问题 ? MOSFET选型设计参考
Power for the Better
1 CONFIDENTIAL
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? 同步整流技术概述 ? 典型电路及其特点 ? 损耗分析 ? 同步整流电路中常见问题 ? MOSFET选型设计参考
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同步整流技术概述
由于中低压MOSFET具有很小的导通电阻，在有电流通过时产生的电压降很 小，可以替代二极管作为整流器件，可以提高变换器的效率。
diode
MOSFET
MOSFET作整流器时，栅源极间电压必须与被整流电压的相位保持同步关系才 能完成整流功能，故称同步整流技术。 MOSFET是电压控制型开关器件，且没有反向阻断能力，必须在其栅-源之 间加上驱动电压来控制器漏-源极之间的导通和关断。这是同步整流设计的难 点和重点。 根据其控制方式，同步整流的驱动电路分为 ?自驱动方式； ? 独立控制电路他驱方式； ? 部分自驱+部分他驱方式结合；
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ZCC9430 DC-DC同步升压芯片-内置MOS

ZCC9430同步升压芯片 一、产品综述 ZCC9430芯片是一款具有600KHz的自动调节频率、高效率、宽输入范围的电流模式升压（BOOST）芯片，且具有高效率同步升压功能和可调限流功能。该电源芯片内部全集成低内阻功率MOSFET，可以实现大功率输出的同时，大大简化了外部电路设计，同时实现低功耗，高效率电源开关。用户可灵活地通过外部补偿建立动态环路，获得在所有条件下最优瞬态性能。 ZCC9430芯片还包括欠压锁存，过流保护和过温保护，以防止在输出过载时产生损害。二、产品特点 ? 完全符合Intel Thunderbolt Power Spec. ? 输入限流电阻，灵活设置最大输出功率? 输入最大电流可达8A ? 自动调频，最大限度降低功耗 ? 增强PWM模式的快速瞬态响应 ? 3.0 V-30V宽输入范围 ? 输出电压:5V To 30V ? 芯片停止工作时电流< 1μA 三、产品应用 ? Thunderbolt 接口 ? 笔记本电脑和平板电脑 ? 热插拔电源管理 ? 通信供应电源 四、典型应用电路

ZCC9430同步升压芯片 五、采用QFN20 5mm*5mm封装 绝对最大额定参数(1)： SW, OUT ....... ..............–0.5V to +35V IN, SENSE .... ................–0.5V to +35V BST, SDR ....... ........–0.5V to Vsw+5V 其他管脚....... ...............–0.3V to +5V EN 偏置电流……...... ..........… 0.5mA 结温度................ .... .................. 150°C 存储温度. ....... .......... -65°C to +150°C 额定功耗 (TA......=+25°C)....2.6W（2） 推荐的操作条件（3） 电源电压VIN..............3.0V to 30V 输出电压 VOUT........ 5V to 30V EN 偏置电流……0mA to 0.3mA 操作临界温度. ....-40°C to +125°C 注: 1)超过这些额定参数可能损坏设备。 2)最大允许功耗是一个关于最大临界温度T J(MAX)，过热保护电阻θJA，环境温度T A的函数。在任何环境温度下的最大允许额定功耗计算公式为P D(MAX)=(T J(MAX)-T A)/θJA。超过了最大允许功耗将导致过温，导致产生过温保护。内部过温保护电路保护芯片免受永久性的损害。 3)芯片不能保证其在操作条件以外运行。

LED升压、升降压的驱动恒流IC推荐一

LED升压、升降压的驱动恒流IC推荐一 宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来；此句是中国流传下来的一句古训，喻为如果想要取得成绩，获取成就，就要能吃苦，勤于锻炼，这样才能靠自己的努力赢得胜利。各个行业皆是如此。在电源网论坛里，就存在 这样一些人，他们时常能DIY出被网友们称之为的经典设计，出于大家能够共同学习的目的，小编抓住了难得的机会，整理了这些经典帖，供分享学习。 今天小编与您分享的同样是来自文子的精华帖。--------小编语。 在LED产品设计中经常会用到升压或升降压线路设计，变压器可以升压设计但是效率较低，未来低压还是线路器件直接升压转换为主，效率高、体积小巧可靠。市场主要升压LED驱动恒流IC应用在手持式设备、蓄电池中蓄产品中。比如干电池、镍氢电池升压；锂电池升降压；汽车蓄电池主灯升压；户外离网照明和 灯带式方式解决级联供电压差问题等方面。本文将主要介绍升压和升降压驱动IC及设计中需要注意的问题。TI 美国德州仪器公司TPS61165 LED升压转换器 具备40V、1.2A集成开关的高亮度LED驱动器，该产品可驱动多达三个串联1W LED。新型TPS61165器件具备优异的高性能特性以及3V~18V的宽泛输入电压范围，使设计人员能够在采用单节电池供电的应用或9V/12V总线负载点设计中高效管理多个高功率LED。 TPS61165通过数字单线接口或脉宽调制(PWM)信号来控制LED的亮度。数字接口可对内部寄存器进行编程，以将LED电流设置为32个对数步长值之一。此外，该转换器还具有多种内置保护特性，如LED开路保护、软启动、过流限制以及过温保护等。除了能够驱动照明LED之外，TPS61165还可驱动背光LED，支持宽度达9英寸的多媒体显示屏，从而满足超级移动PC、LCD 电子相框、工业激光二极管或医疗以及 工业照明等应用的需求。

同步整流电路

随着现代电子技术向高速度高频率发展的趋势，电源模块的发展趋势必然是朝着更低电压、更大电流的方向发展，电源整流器的开关损耗及导通压降损耗也就成为电源功率损耗的重要因素。而在传统的次级整流电路中，肖特基二极管是低电压、大电流应用的首选。其导通压降基本上都大于0.4V，当电源模块的输出电压随着现代电子技术发展继续降低时，电源模块的效率就低得惊人了，例如在输出电压为3.3V时效率降为80%，1.5V输出时效率不到70%，这时再采用肖特基二极管整流方式就变得不太可能了。 为了提高效率降低损耗，采用同步整流技术已成为低电压、大电流电源模块的一种必然手段。同步整流技术大体上可以分为自驱动（selfdriven）和他驱动（controldriven）两种方式。本文介绍了一种具有预测时间和超低导通电阻（低至2.8mΩ/25℃）的他驱动同步整流技术，既达到了同步整流的目的，降低了开关损耗和导通损耗，又解决了交叉导通问题，使同步整流的效率高达95%，从而使整个电源的效率也高达90%以上。 1SRM4010同步整流模块功能简介 SRM4010是一种高效率他激式同步整流模块，它直接和变压器的次级相连，可提供40A的输出电流，输出电压范围在1∽5V之间。它能够在200∽400kHz 工作频率范围内调整，且整流效率高达95%。如果需要更大的电流，还可以直接并联使用，使设计变得非常简单。 SRM4010模块是一种9脚表面封装器件，模块被封装在一个高强电流接口装置包里，感应系数极低，接线端功能强大，具有大电流低噪声等优异特性。 SRM4010引脚功能及应用方式一览表 引脚号引脚名称引脚功能应用方式 1CTCHCatch功率MOSFET漏极接滤波电感和变压器次级正端 2FWDForward功率MOSFET漏极接变压器次级负端 3SGND外控信号参考地外围控制电路公共地 4REGin内部线性调整器输入可以外接辅助绕组或悬空 5REGout5V基准输出可为次级反馈控制电路提供电压 6PGND同步整流MOSFET功率地Catch和Forward功率MOSFET公共地 7CDLY轻载复位电容端设置变压器轻载时的复位时间 8CPDT同步整流预测时间电容端Catch同步整流管设置预置时间

半桥同步整流设计报告

\ 半桥倍流同步整流电源的设计 摘要：现如今，微处理器要求更低的供电电压，以降低功耗，这就要求供电系 统能提供更大的输出电流，低压大电流技术越发引起人们的广泛关注。本电源系统以对称半桥为主要拓扑，结合倍流整流和同步整流的结构，并且使用MSP430单片机控制和采样显示，实现了5V，15A大电流的供电系统。效率较高，输出纹波小。 关键词：对称半桥，倍流整流，同步整流，SG3525 一、方案论证与比较 1 电源变换拓扑方案论证 方案一：（如下图）此电路为传统的半桥拓扑。由于MOS管只承受一倍电源电压，而不像单端类的承受两倍电源电压，且较之全桥拓扑少了两个昂贵的MOS 管，因此得到很大的应用。但在低压大电流的设计中，输出整流管的损耗无疑会大大降低效率，而且电感的设计也会变得困难，因此不适合大电流的设计。 方案二：传统半桥+同步整流。将上图半桥的输出整流管改为低导通内阻的MOSFET。如此可大大减小输出整流的损耗，提高效率。比较适合大电流的整流方案，但变压器的绕制和电感的设计较麻烦。 方案三：（如下图）半桥倍流同步整流。倍流整流很早就被人提出，它的特点是变压器输出没有中心抽头，这就大大简化了变压器的设计，并且提高了变压器的利用率。而流过变压器和输出电感的电流仅有输出电流的一半，这使得变压器和电感的制作变得简单。并且由波形分析可以知道，输出电流的纹波是互相抵消的。该电路的不足是电路时序有要求，控制稍显复杂。由上分析我们选择方案三。 2 控制方案选择 方案一：由于控制芯片SG3525输出两路互补对称的PWM信号，则可将控制信号做如下设置（如下图）。 将驱动Q1的信号与Q4同步起来，Q2和Q3的信号同步，则可以实现倍流同步整流的时序同步，方案简单易行，但由于SG3525在输出较小占空比时有较大的死区，则输出MOSFET的续流二极管会产生较大的损耗。 方案二：。。。。。反激变换。。。。将SG3525的驱动信号反向后送入输出整流MOS 管，如此可以极大的减少低占空比时的损耗，且仅需一对反向驱动，故选用方案

带输出关断的 20V,14A 全集成同步升压转换器

带输出关断的20V,14A 全集成同步升压转换器 HT7178是一款高功率、全集成升压转换器，带有负载关断功能的栅极驱动，集成16mΩ功率开关管和16mΩ同步整流管，为便携式系统提供gao效的小尺寸解决方案。HT7178具有2.7V至20V宽输入电压范围，可为采用单节或两节锂电池，或12V铅酸电池的应用提供支持。该器件具备14A开关电流能力，并且能够提供高达20V的输出电压。HT7178采用自适应恒定关断时间峰值电流控制拓扑结构来调节输出电压。在中等到重负载条件下，HT7178 工作在PWM 模式。在轻负载条件下，该器件可通过MODE引脚选择下列两种工作模式之一。一种是可提gao效率的PFM模式；另一种是可避免因开关频率较低而引发应用问题的强制PWM模式。PWM模式下，HT7178的开关频率可通过外部电阻调节，支持200kHz至1.4MHz的范围。HT7178还支持可编程的软启动，以及可调节的开关峰值电流限制。另外，HT7178集成了输出关断功能的栅极驱动，在SD状态，可完全断开输入电源。此外，该器件还提供有22V输出过压保护、逐周期过流保护和热关断保护。 加扣1165357467 ?特点 ?输入电压范围V PIN ：2.7V-20V ?输出电压范围V OUT ：4.5V-20V ?可编程峰值电流：14A ?高转换效率： 95% (V PIN = 7.2V, V OUT =16V, I OUT =3A) 94% (V PIN = 12V, V OUT =18V, I OUT =4A) 90% (V PIN = 3.3, V OUT =9V, I OUT =3A) ?轻载条件下两种调制方式：脉频调制（PFM）和

同步整流技术总结

同步整流总结 1概述 近年来，为了适应微处理器的发展，模块电源的发展呈现两个明显的发展趋势：低 压和快速动态响应，在过去的10年中，模块电源大大改善了分布式供电系统的面貌。即使是在对成本敏感器件如线路卡，单板安装，模块电源也提供了诱人的解决方案。然而，高速处理器持续降低的工作电压需要一个全新的，适应未来的电压方案，尤其考虑到肖特级二极管整流模块不能令人满意的效率。同步整流电路正是为了适应低压输出要求应运而生的。由于一般的肖特基二极管的正向压降为0.3V以上，在低压输出时模块的效率 就不能做的很高，有资料表明采用肖特基二极管的隔离式DC-DC模块电源的效率可以 按照下式进行估算： V out V out (0.1 V out V cu V f) 0.1 V out—原边和控制电路损耗 V cu —印制板的线路损耗 V f —整流管导通压降损耗 我们假设采用0.4V的肖特基整流二极管，印制板的线路损耗为0.1V，则1.8V的模 块最大的估算效率为 72%。这意味着28%的能量被模块内部损耗了。其中由于二极管导通压降造成的损耗占了约15%。随着半导体工艺的发展，低压功率MOS管的的有着越 来越小的通态电阻，越来越低的开关损耗，现在IR公司最新的技术可以制作30V/2.5m Q的MOS管，在电流为15A时，导通压降为0.0375,比采用肖特基二极管低了一个数量级。所以近年来对同步整流电路的研究已经引起了人们的极大关注。在中大功率低压输出的DC-DC变换器的产品开发中，采用低压功率MOSFET替代肖特基二极管的方案 得到了广泛的认同。今天，采用同步整流技术的ON-BOARD 模块已经广泛应用于通讯 的所有领域。 2同步整流电路的工作原理 图1采用同步整流的正激电路示意图(无复位绕组)

同步整流技术最新

同步整流技术
电源网第20届技术交流会
邹超洋
2012.11

内 容 简 介
?同步整流简介。 ?同步整流的分类。 。 ?同步整流的驱动方式 ?同步整流的 MOSFET

同步整流简介
z 高速超大规模集成电路的尺寸的不断减小，功耗的不断降低，要求
供电电压也越来越低，而输出电流则越来越大。 z 电源本身的高输出电流、低成本、高频化（500kHz～1MHz）高 功率密度、高可靠性、高效率的方向发展。 z 在低电压、大电流输出DC-DC变换器的整流管，其功耗占变换器 全部功耗的50～60％。 z用低导通电阻MOSFET代替常规肖特基整流/续流二极管，可以大大 降低整流部分的功耗，提高变换器的性能，实现电源的高效率，高功 率密度。

同步整流简介
diode
=
MOSFET 代替diode
MOSFET
D
相当于二极管的功能 ?电流从S流向D ?V/I特性,工作于3rd 象限
G S
z 用MOSFET来代替二极管在电路中的整流功能
z 相对于二极管的开关算好极小 g 控制，可以根据系统的需要， z 整流的时序受到MOSFET的Vgs 把整流的损耗做到最小

同步整流简介
? 例如：一个5V?30A输出的电源
Diode
Vf=0.45V Ploss=0.45*30=13.5W Ploss/Po=13.5/45=30% /Po=13 5/45=30% Rdson=1.2m? Ploss=0.0012*30 0 0012*302=1.08W 1 08W Ploss/Po=1.08/45=2.4%
Mosfet
MBR8040(R)
SC010N04LS

二次升压电路

显示器整机工作流程: 显卡输出RGB三色信号和行场同步信号,分别送到前级视放芯片和CPU，通上220V交流电开机，电源开始工作输出多路电压给负载各电路供电，其中一路输出 6.3V的供电给HT (灯丝)供电。另外还输出正几十伏(80V)的电压给阴极供电。CUP工作以后，在输出到行场振荡芯片，强迫的使行场振荡器的振荡频率和行场同步信号的频率一致。行振荡信号经行推动电路进行放大后加到行管的B极，从而驱动行管工作去带动高压包产生两万多伏的高压给阳极供电，几千伏电压给聚焦极，几百伏的电压给加速极，负几十伏的电压给控制极供电。同时去带动行偏转线圈产生扫描电流，使电子束在水平方向上扫描，与此同时场振荡器产生的振荡信号送到场输出电路进行放大，再送给场偏转线圈使电子束在垂直方向上扫描，行场扫描的频率和行场同步信号的频率一致，按显卡的要求显示相应的分辨率和刷新率的画面。 CUP还输出钳位脉冲信号加到前级视放芯片，使图象信号的传送和行场扫描保持一致RGB三色信号经前后两级放大分别加在红绿蓝三个阴极上与阴极上的直流供电相叠加去控制阴极发射电子的数目和速度去轰击相应的银光粉，使银光粉发出不同颜色和不同强度的光还原出图象来。

设计思路： 显示器能够工作在多个显示模式下，各种模式下显示画面是由行场扫描的速度来支持的分辨率越高行扫描的速度就越快，行扫描速度越快行管的工作频率就越强。行管的C极直流供电电压也随之升高，从而才能保证高压的稳定和行扫描电流的相对稳定。为此设计了二次升压电路，只有行管C极供电随显示模式的变化而变化才能保证显示画面的亮度和扫描宽度基本一致。 推挽放大器的原理： 1、一只NPN型三极管和一只PNP型三极管，两两B极相连两两E极相连。NPN型三 极管的E极接12V供电，PNP型三极管的C极接地。 2、其中一只三极管导通成度加强时，别个一只三极管的导通程度减弱。 3、B极输入一个能量较小的信号(方波)C极输出一个能量较强的信号，C极输出的方 波信号是由直流转化而来的，输出信号的波型和输入信号的波型基本保持一致。 4、推挽放大器最大的优点就是保证波型不失真。 二次电源的工作流程： 1、行管C 极主供电： 开机T901的十脚和地之间的线圈感应出的交流电通过D919整流C931滤波，得到78V的直流供电电压V1，在经L906、FB907加到Q911的D极，另一路经D925给C951充电，同时经过高压包的初级线圈给行管的C极供电，此时行管的C极供电电压什等于V1。 2.二次升压过程： 开机的同时IC401的28脚输出升压控制信号(方波)通过Q912和Q920推挽放大经C941耦合，R962限流加到Q911的G极.使其工作在开关状态，当G极为高电平时D、S 极导通L906储能，当G极为低电平时D、S极截止L906施放能量和原始直流供电一起经D925整流C951和C432的滤波，同时给C951和C432充电，在经高压包初级线圈加到行管的C极此时供电电压得到提升。 3.行管C极的持续供电： 当Q911的D、S极导通时L906后端的能量被短路到地，原始供电给L906充电，此时C951和C432施放能量，D925截止此能量顺着高压包的初级线圈加到行管的C极维持供电电压基本不变。

MC3406芯片DC_DC转换升压电路

电子技术课程设计报告 设计课题：MC3406芯片DC/DC转换升压电路 专业班级： 学生姓名： 指导教师： 设计时间：2011.10.15-2011.12.15 目录 1 设计任务与要求 (3) 2 集成稳压电源和开关电源的区别 (3)

2.1 集成稳压器的组成 (3) 2.2 开关电源的组成 (4) 3 开关电源的分类 (5) 4 常见开关电源的介绍 (6) 4.1基本电路 (6) 4.2 单端反激式开关电源 (7) 4.3单端正激式开关电源 (7) 4.4自激式开关稳压电源 (8) 4.5 推挽式开关电源 (9) 4.6 降压式开关电源 (9) 4.7 升压式开关电源 (10) 4.8 反转式开关电源 (10) 5设计升压开关电源并计算参数 (11) 5.1 MC34063的介绍 (11) 5.2MC34063组成的升压电路原理 (12) 5.3电路的参数设计计算 (14) 6 性能测试结果分析 (17) 7.结论与心得 (18) 8.参考文献 (18) 9.附录 (19) 基于MC34063的稳压电源设计 一、设计任务与要求 1．掌握PCB制板技术、焊接技术、电路检测以及集成电路的使用方法。

2．掌握mc34063的非隔离开关电源的设计、组装与调试方法。 3．研究开关电源的实现方法，并按照设计指标要求进行电路的设计与仿真。具体要求如下： ①分析、掌握该课题总体方案，广泛阅读相关技术资料，并提出见解。 ②掌握开关电源的工作原理。 ③设计硬件系统并进行仿真，掌握系统调试方法，使系统达到设计要求。主要技术指标 直流输入电压：5~12V； 输出电压：28V； 输出电流：0.3A； 效率：≥90%。 二、集成稳压电源和开关电源的区别： （1）、集成稳压器的组成 电路内部包括了串联型直流稳压电路的各个组成部分,另外加上保电路和启动电路。 1. 调整管 在W7800系列三端集成稳压电路中，调整管为由两个三极管组成的复合管。这种结构要求放大电路用较小的电流即可驱动调整管发射极回路中较大的输出电流，而且提高了调整管的输入电阻。 2.放大电路 在W7800系列三端集成稳压电路中，放大管也是复合管，电路组态为共射接法，并采用有源负载，可以获得较高的电压放大倍数。

同步整流电路分析

同步整流电路分析作者gyf2000 日期2007-4-22 20:21:00 一、传统二极管整流电路面临的问题 近年来，电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。 开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。 举例说明，目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50％。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18％～40％）P O，占电源总损耗的60％以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC／DC变换器提高效率的瓶颈。 二、同步整流的基本电路结构 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 1、基本的变压器抽头方式双端自激、隔离式降压同步整流电路

手电筒IC升压方案

概述 QX2303系列产品是一种高效率、低纹波、工作频率高的PFM升压DC-DC变换器。 QX2303系列产品仅需要四个元器,就可完成将低输入的电池电压变换升压到所需的工作电压，非常适合于便携式1～4 节普通电池应 用的场合。 电路采用了高性能、低功耗的参考电压电 路结构，同时在生产中引入修正技术，保证了输出电压的高输出精度及低温度漂移。 QX2303可提供SOT-23-3, SOT-23-5, SOT-89封装形式,SOT23-5封装内置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降至最小。 订货信息 特性 ?最高工作频率:300KHz ?输出电压:2.0V～5.0V（步进0.1V） ?低起动电压：0.8V(1mA) ?输出精度:优于±2.5% ?最高效率:87% ?输出电流：大于300mA（Vi=2.5V，Vo=3.3V）?低纹波，低噪声 应用范围 1～3个干电池的电子设备,如：电子词典、数码相机、LED手电筒、LED灯、血压计、MP3、遥控玩具、无线耳机、无线鼠标键盘、医疗器械、防丢器、汽车防盗器、充电器、VCR、PDA 等手持电子设备

典型应用电路图

方框图

管脚定义 封装型式和管脚号 符号 QX2303 LXXT SOT-23-3 QX2303 LXXF SOT-23-5 QX2303 LXXE SOT-89 说明 LX 2 5 3 开关脚 VOUT 3 2 2 输出电压 EN - 1 - 使能端 GND 1 4 1 地 EXT 3 扩展脚

最大额定参数值 参数符号说明典型值单位Vmax 供给U OUT和V LX端的最大电压值 8 V 电压 Vmin-max 在EN端的电压范围 -0.3-VOUT+0.3V 电流 ILXmax LX端最大电流 1000 mA Psot-23-3 SOT-23-3封装最大电流功耗 0.25 W Psot-23-5 SOT-23-5封装最大电源功耗 0.25 W 电源功耗 Psot-89 SOT-89封装最大电源功耗 0.5 W Tmin-max 工作温度范围 -20-85 o C 温度 Tstorage 存储温度范围 -40-165 o C ESD VESD 人体静电耐压值 2000 V 电气特性 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位输出电压精度 △VOUT -2.5 2.5 % 最大输入电压VIN MAX 0.7 VOUT V 起动电压V START ILOAD=1mA, VIN:0→ 2V 1.2 V 保持电压V HOLD ILOAD=1mA, VIN:2→ 0V 0.9 V 最大振荡频率F MAX 200 300 350 KHz 振荡信号占空比DC OSC 75 80 85 % 效率η84 88 % 限流I LIMIT 600 800 1000 mA VIN=1.8V VOUT=3.0V 11.8 uA 无负载状态下输入电流IIN0 VIN=1.8V VOUT=5.0V 7 uA 待机（省电）状态输入电流IINQ No load, EN=“low” 1 uA EN “高”电压值 0.4*VOUT V EN “低”电压值0.2 V EN “高” 输入电流0.1 uA -0.1 uA

100V 同步整流芯片ZCC6709C

快速关断智能型整流器概述 ZCC6709C是一个模拟低压降二极管集成电路，内置一个MOS开关管，取代在高效率反激电压转换器中的肖特基二极管。该芯片将外部同步整流器(SR) MOSFET 的正向压降控制在40mV左右，当电压为负时立即将其关闭。在低输出电压电池充电或高边整流的应用中ZCC6709C可以为自己产生供电电压。可编程的振铃检测电路，防止ZCC6709C在DCM和准谐振工作期间的错误开启。 特点 ●可低至0V的宽输出电压范围工作 ●无辅助线圈低输出整流下自供电工作。 ●逻辑电平SR MOSFETS方式工作。 ●符合能源之星1W待机的要求。 ●快速关闭和打开延迟时间。 ●静态电流。 ●支持DCM, Quasi-Resonant 和CCM 工作方式。 ●支持高边和底边整流。 ●典型笔记本适配器中电能节约达1.5W。 ●SOP8封装 应用 ● 工业电力系统。 ●分散电力系统。 ●电池电力系统。 ●反激式电源变换器。

快速关断智能型整流器典型应用 封装形式 极限值 VDD to VSS ........................................................................... –0.3V to +14V VD to Vss .................................................................. .... ..... –1V to + 80V HVC to VSS ................................................................... .... ..–1V to + 80V SLEW to VSS ..................................................................... –0.3V to +6.5V 连续功率损耗(TA = +25°C) 结温................................. ....... ........................ 150°C 引脚温度(焊接) ............................................... 260°C

SY7208互换的升压型DC-DC转换器MXT7515

2.3V to 6V input voltage Rangel Efficiency up to 96% 26V Boost converter with 2.8A switch current 1.2Mhz fixed Switching Frequency Integrated soft-start Thermal Shutdown Under voltage Lockout SOT23-6 Package is a high frequency, high efficien cy DC to DC converter with an integrated 2.8A, 0.1Ω power switch capable of providing an output voltage up to 26V.The fixed 1.2MHz allows the use of small external inducti ons and capacitors and provides fast transien t response. It integrates Soft start, Comp. On ly need few components outside. Handheld Devices GPS Receiver Digital Still Camera Portable Applications DSL Modem PCMCIA Card TFT LCD Bias Supply Figure 1 Typical Application Circuit 5 1 2 3 6 IN EN GND SW FB NC 4 2.3V to 6V Cbv 16V １μＦMXT75151.2MHZ,26V Step-up DC/DC Converter Features GENERAL DESCRIPTION APPLICATIONS MXT7515The

同步整流电路分析

一、传统二极管整流电路面临的问题 近年来，电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。 开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达～，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。 举例说明，目前笔记本电脑普遍采用甚至或的供电电压，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50％。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18％～40％）P O，占电源总损耗的60％以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC ／DC变换器提高效率的瓶颈。 二、同步整流的基本电路结构 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 1、基本的变压器抽头方式双端自激、隔离式降压同步整流电路 2、单端自激、隔离式降压同步整流电路 图1 单端降压式同步整流器的基本原理图 基本原理如图1所示，V1及V2为功率MOSFET，在次级电压的正半周，V1导通，V2关断，V1起整流作用；在次级电压的负半周，V1关断，V2导通，V2起到续流作用。同步整流电路的

高频4A的同步整流驱动芯片TPS28226

FEATURES DESCRIPTION APPLICATIONS TPS28226 SLUS791–OCTOBER 2007 https://www.wendangku.net/doc/3b2749683.html, High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers ?Drives Two N-Channel MOSFETs with 14-ns Adaptive Dead Time The TPS28226is a high-speed driver for N-channel complimentary driven power MOSFETs with adaptive ?Gate Drive Voltage:6.8V Up to 8.8V dead-time control.This driver is optimized for use in ?Wide Power System Train Input Voltage:3V variety of high-current one and multi-phase dc-to-dc Up to 27V converters.The TPS28226is a solution that provides ?Wide Input PWM Signals:2.0V up to 13.2-V highly efficient,small size low EMI emmissions.Amplitude The performance is achieved by up to 8.8-V gate ?Capable Drive MOSFETs with ≥40-A Current drive voltage,14-ns adaptive dead-time control,14-ns per Phase propagation delays and high-current 2-A source and 4-A sink drive capability.The 0.4-?impedance for ?High Frequency Operation:14-ns Propagation the lower gate driver holds the gate of power Delay and 10-ns Rise/Fall Time Allow F SW -2 MOSFET below its threshold and ensures no MHz shoot-through current at high dV/dt phase node ?Capable Propagate <30-ns Input PWM Pulses transitions.The bootstrap capacitor charged by an ?Low-Side Driver Sink On-Resistance (0.4?) internal diode allows use of N-channel MOSFETs in Prevents dV/dT Related Shoot-Through half-bridge configuration.Current The TPS28226features a 3-state PWM input ?3-State PWM Input for Power Stage Shutdown compatible with all multi-phase controllers employing 3-state output feature.As long as the input stays ?Space Saving Enable (input)and Power Good within 3-state window for the 250-ns hold-off time,the (output)Signals on Same Pin driver switches both outputs low.This shutdown ?Thermal Shutdown mode prevents a load from the reversed-?UVLO Protection output-voltage.?Internal Bootstrap Diode The other features include under voltage lockout,?Economical SOIC-8and Thermally Enhanced thermal shutdown and two-way enable/power good 3-mm x 3-mm DFN-8Packages signal.Systems without 3-state featured controllers can use enable/power good input/output to hold both ?High Performance Replacement for Popular outputs low during shutting down. 3-State Input Drivers The TPS28226is offered in an economical SOIC-8 and thermally enhanced low-size Dual Flat No-Lead (DFN-8)packages.The driver is specified in the ?Multi-Phase DC-to-DC Converters with Analog extended temperature range of –40°C to 125°C with or Digital Control the absolute maximum junction temperature 150°C.? Desktop and Server VRMs and EVRDs ? Portable/Notebook Regulators ?Synchronous Rectification for Isolated Power Supplies Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

200款Prius的升压转换器

Development of Hybrid Electric Drive System Using a Boost Converter Masaki Okamura Eiji Sato Shoichi Sasaki TOYOTA MOTOR CORPORATION 1, Toyota-cho, Toyota, Aichi, 471-8572, Japan Phone/ Fax : +81-565-72-9071/9147 Abstract Toyota introduced a new generation of hybrid vehicle to the market in September of 2003. The new Prius, equipped with a new Toyota-developed inverter system, is capable of outputting more power than the conventional systems. One of the strong points of this new system is that a Boost Converter has been placed between the inverter and the battery. The Boost Converter is capable of raising the voltage from the battery, enabling the inverter to drive a high power output motor. The Toyota Hybrid System (THS), consists of a high power motor, generator, and a battery of relatively lower power. When the Boost Converter was adopted in the THS, it was possible to keep bulk and cost of the additional unit in the system to a minimum, by letting the Boost Converter function to the same power level as the battery. The control system of the Boost Converter consists simply of a PI controller. By using existing sensors and microprocessors, it was possible to develop a new system at no additional costs. The Boost Converter’s control system achieves high efficiency by optimizing its output voltage according to the relative state of the motor and the generator. Toyota was able to achieve a 50% improvement in the motor power output with the new Boost Converter, while keeping a similar complexity of the conventional system. As of now, Toyota plans to spread the development to other new hybrid vehicles.__ Keywords: Hybrid, Electric Drive, Converter, Inverter, Control System Figure1: TOYOTA NEW PRIUS