模拟电路基础 教案
教师教案（2011—2012学年第一学期)
课程名称：模拟电路基础
授课学时：64学时
授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建
教师职称：副教授
教师所在学院：光电信息学院
电子科技大学教务处
第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时)
一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）
1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时）
1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时）
1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时）
二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教
学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）
重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。
难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。
三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）
重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。
四、作业
1.3，1.4，1.6，1.7，1.9
五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）
Engineering Circuit Analysis，William H. Hayt, Jr. ，Jack E. Kemmerly ，Steven M.Durbin (英文原版) 电子工业出版社，20XX年6月引进。
Fundamentals of Electric Circuits，Charles K.Alexander ，Matthew N.O.Sadiku，(英文原版) 清华大学出版社，2000年12月引进。
华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007 。
Thomas L.Floyd，David Buchla，《Fundamentals of Analog Circuits》（2nd Edition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。
Donald.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis & Design》（2nd Edition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。
六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,
原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）
通过本章的学习让学生对模拟电路的基本概念和基本变量有了一定了解，并掌握半导体材料及导电特性，晶体二极管及应用，这是学习全书的基础。从课堂效果和作业的情况来看学生掌握情况较好。
第2章双极型晶体三极管(讲授4学时)
一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）
本章主要介绍双极型晶体三极管（BJT）的原理、曲线、参数及模型。具体内容如下：
2－1 BJT原理（2学时）
NPN和PNP管，放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系（掌握传输方程，,β￣, I CBO, I CEO的概念），放大偏置时的v BE、v CE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与饱和状态。
2－2 BJT静态特性曲线（2学时）
共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。
2－3 BJT主要参数（1学时）
,β￣,α,β, I CBO, I CEO , I CM ,P CM ,BV CEO和f T的含义；
2－4 BJT小信号模型（1学时）
会画完整模型和了解模型参数的物理含义；重点掌握两种简化模型（g m参数和β参数模型）及其模型参数的求解式。
二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）
重点：BJT原理，共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点，BJT 主要参数。
难点：BJT小信号模型。
三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）
重点讲解三极管输入、输出、特性曲线，并设计实验进行测试。实际电路模型入手进行较详细的分析。
四、作业
2-1， 2-5， 2-7， 2-8， 2-11，2-12
五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）
Engineering Circuit Analysis，William H. Hayt, Jr. ，Jack E. Kemmerly ，Steven M.Durbin (英文原版) 电子工业出版社，20XX年6月引进。
Fundamentals of Electric Circuits，Charles K.Alexander ，Matthew N.O.Sadiku，(英文原版) 清华大学出版社，2000年12月引进。
华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007 。
Thomas L.Floyd，David Buchla，《Fundamentals of Analog Circuits》（2nd Edition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。
Donald.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis & Design》（2nd Edition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。
六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）
本章通过双极型晶体三极管（BJT）的原理、曲线、参数及模型的分析，学
生对基本放大电路已经有了一定的认识。
第三章晶体管放大器基础(讲授8学时+综合训练4学时)
一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）
前面已经学习了常用的放大电路基本元件。本章介绍几种基本放大电路，以便进一步了解放大电路的基本性质。具体内容如下：
3－1 实用放大电路工作原理（2学时）
信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。
3－2 BJT偏置电路（1学时）
掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。
3－3 BJT基本放大组态技术指标分析（4学时）
小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。
3－4 多级放大电路（1学时）
级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。
二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）
重点：实用放大电路工作原理；BJT偏置电路；BJT三种基本放大组态技术指标分析。
难点： BJT基本放大组态技术指标分析；多级放大电路。
三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）
重点讲解放大电路的动态分析，放大电路构成原理，以实际电路的直流、交流模型入手进行系统的分析。
四、作业
3-1， 3-3， 3-5， 3-6， 3-7， 3-8，3-10 , 3-11
五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）
Engineering Circuit Analysis，William H. Hayt, Jr. ，Jack E. Kemmerly ，Steven M.Durbin (英文原版) 电子工业出版社，20XX年6月引进。
Fundamentals of Electric Circuits，Charles K.Alexander ，Matthew N.O.Sadiku，(英文原版) 清华大学出版社，2000年12月引进。
华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007 。
Thomas L.Floyd，David Buchla，《Fundamentals of Analog Circuits》（2nd Edition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。
Donald.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis & Design》（2nd Edition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。
六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）
通过本章的学习放大电路的动态分析，放大电路构成原理，直接耦合多级放大器读图，能分析放大电路，以实际电路模型入手进行较详细的分析，从课堂效果和作业的情况来看学生掌握情况较好。
第四章场效应管及基本放大电路(讲授6学时)
一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）
本章教学任务是结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET），具体内容如下：
4－1 结型场效应管（JFET）（了解）
了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作
原理，放大区的沟道状态及v
GS 和v
OS
此时对i
D
的影响
4－2 金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）（2学时）
以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。
4－3 FET偏置电路（1学时）
掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。4－4 FET的交流参数和小信号模型（1学时）
理解g
m 的含义及计算式，理解r
ds
含义，完整模型和低频模型。
4－5 FET基本放大器分析（2学时）放大器电路、指标计算及特点（掌握）。
二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）
重点：结型场效应管（JFET）；BJT偏置电路；FET的交流参数和小信号模型；FET基本放大器分析。
难点： FET的交流参数和小信号模型；FET基本放大器分析。
三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）
重点讲解集成运放的基本读图方法，集成运放主要技术指标的物理意义，集成运放的低频等效模型，能分析简单集成电路原理图，以实际电路模型入手进行较详细的分析。
四、作业
4-1，4-3，4-5，4-7
五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）
Engineering Circuit Analysis，William H. Hayt, Jr. ，Jack E. Kemmerly ，Steven M.Durbin (英文原版) 电子工业出版社，20XX年6月引进。
Fundamentals of Electric Circuits，Charles K.Alexander ，Matthew N.O.Sadiku，(英文原版) 清华大学出版社，2000年12月引进。
《电子电路基础》(第二版)，张凤言，高等教育出版社，1995；
《模拟电路基础》，秦世才，天津：南开大学出版社1998；
《低频电子线路》，金泽滇、刘毅坚长沙：国防科技大学出版社，1998。
华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007 。
Thomas L.Floyd，David Buchla，《Fundamentals of Analog Circuits》（2nd Edition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。
Donald.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis & Design》（2nd Edition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。
六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）
本章讲解了场效应管电路分析方法，这些内容需要学生自己课后自学，对以后学习很有帮助，能分析简单的场效应管电路，以实际电路模型入手进行较详细的分析，从课堂效果和作业的情况来看学生掌握情况较好。
第5章放大电路的频率响应(讲授2学时)
一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）
5.1 频率响应：理解并掌握研究电路的频率响应问题实质；理解并建立高通和低通的概念；掌握放大电路中的频率描述方法（波特图）。（1学时）
5.2 晶体管的高频等效电路：了解晶体管的混合π模型等效，理解电路的频率响应特性的产生实质；理解晶体管的频率参数。（了解）
5.3 放大电路的频率响应：了解简单晶体管放大电路的频率响应的分析方法。（1学时）
二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）
重点：电路的频率响应问题实质，晶体管的高频等效电路，晶体管的混合π模型等效，电路的频率响应特性的产生实质，晶体管的频率参数，单晶体管放大电路的频率响应的分析方法。
难点：理解并建立高通和低通的概念，掌握放大电路中的频率描述方法。
三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）
重点以实际电路模型入手进行较详细的分析，讲解电路的频率响应特性的产生实质，晶体管的频率参数，单晶体管放大电路的频率响应的分析方法，理解并建立高通和低通的概念，掌握放大电路中的频率描述方法。
四、作业
5-1， 5-5， 5-6， 5-10
五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）
Robert Boylestan, Louis Nashelsky. Electronic Devices and Circuit Theory.
Preantice-Hall, Inc.,1996；
Theodore F. Bogart. Linear Electronics. Macmillan. Publishing Company, 1994；
Engineering Circuit Analysis，William H. Hayt, Jr. ，Jack E. Kemmerly ，Steven M.Durbin (英文原版) 电子工业出版社，20XX年6月引进。
Fundamentals of Electric Circuits，Charles K.Alexander ，Matthew N.O.Sadiku，(英文原版) 清华大学出版社，2000年12月引进。
《电子电路基础》(第二版)，张凤言，高等教育出版社，1995；
《模拟电路基础》，秦世才，天津：南开大学出版社1998；
《低频电子线路》，金泽滇、刘毅坚长沙：国防科技大学出版社，1998。
华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007 。
Thomas L.Floyd，David Buchla，《Fundamentals of Analog Circuits》（2nd Edition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。
Donald.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis & Design》（2nd Edition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。
六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）
通过本章的学习让学生对电路的频率响应特性的产生实质，晶体管的频率参数，单晶体管放大电路的频率响应的分析方法，理解并建立高通和低通的概念，掌握放大电路中的频率描述方法，从课堂效果和作业的情况来看学生掌握情况较好。
第6章模拟集成单元电路(讲授4学时+综合训练3学时)
一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）6－1 半导体集成电路概述（1学时）
半导体集成电路的发展过程。
6－2 恒流源（1学时）
恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理。
6－3 差动放大器（3学时）
差放的信号分解（v ic、v id与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放的指标（A vd，A vc，K CMR，R id，R ic , R o）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围及大信号限幅特性（了解）。
6－4 功率输出级（1学时）
功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。OCL和OTL电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数
（I CM ,P CM ,BV CEO）对OCL和OTL功放的限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）。
二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）
重点：恒流源；BJT偏置电路；差动放大器；功率输出级。
难点：差动放大器；功率输出级。
三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）
四、作业
6-1， 6-5， 6-6， 6-7
五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）
Engineering Circuit Analysis，William H. Hayt, Jr. ，Jack E. Kemmerly ，Steven M.Durbin (英文原版) 电子工业出版社，20XX年6月引进。
Fundamentals of Electric Circuits，Charles K.Alexander ，Matthew N.O.Sadiku，(英文原版) 清华大学出版社，2000年12月引进。
华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007 。
Thomas L.Floyd，David Buchla，《Fundamentals of Analog Circuits》（2nd Edition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。
Donald.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis & Design》（2nd Edition）,《电
子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。
六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）
本章内容综合性很强，学生学习起来以显有些困难，所以通过讲解一些例题来引导学生巩固知识。
第七章信号的运算和处理 (讲授6学时+综合训练3学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）本章主要讨论负反馈电路，具体内容如下：
7－1 概述（自学）
7－2 单环理想模型（1学时）
基本概念：原输入x s、净输入x i和反馈信号x f，A放大器、B网络；
7－3 实际反馈放大器类型及极性的判断（2学时）
四种反馈类型及其双口网络模型。
7－4 负反馈的效果（1学时）
了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用
7－5 在深负反馈条件下正确计算A f和Avs f（1学时）
开环增益A与A f闭环增益，反馈系数B，反馈深度F，环路传输系数T，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈。
7－6 负反馈放大器的稳定性（1学时）产生自激振荡的原因，自激条件，用已知的T(jω)和A(jω)的波特图判断稳定性。
二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）
教学重点：单环理想模型；实际反馈放大器类型及极性的判断；负反馈的效果。
教学难点：实际反馈放大器类型及极性的判断；负反馈放大器的稳定性。
三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）
以实际电路模型入手进行较详细的分析，讲解电反馈的概念及判断，反馈放大电路的方框图及放大倍数的估算，交流负反馈对放大电路性能的影响，掌握交流负反馈对放大电路性能的影响（稳定性、输入/输出电阻、通频带、非线性失真），引入负反馈的一般原则，负反馈放大电路的稳定性。掌握交流负反馈对放大电路性能的影响（稳定性、输入/输出电阻、通频带、非线性失真），了解引入负反馈的一般原则。
四、作业
7-1， 7-5， 7-6， 7-7， 7-11， 7-12， 7-15
五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者
是否每章都填写）
Theodore F. Bogart. Linear Electronics. Macmillan. Publishing Company, 1994；
Engineering Circuit Analysis，William H. Hayt, Jr. ，Jack E. Kemmerly ，Steven M.Durbin (英文原版) 电子工业出版社，20XX年6月引进。
Fundamentals of Electric Circuits，Charles K.Alexander ，Matthew N.O.Sadiku，(英文原版) 清华大学出版社，2000年12月引进。
《电子电路基础》(第二版)，张凤言，高等教育出版社，1995；
《模拟电路基础》，秦世才，天津：南开大学出版社1998；
《低频电子线路》，金泽滇、刘毅坚长沙：国防科技大学出版社，1998。
华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007 。
Thomas L.Floyd，David Buchla，《Fundamentals of Analog Circuits》（2nd Edition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。
Donald.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis & Design》（2nd Edition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。
六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）
本章讲解了负反馈电路放大器；负反馈的效果；负反馈放大器的稳定性，这些内容实用性较强，需通过大量的例题使学生掌握。
第八章集成运算放大器及应用(讲授6学时+综合训练4学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）
本章先介绍集成电路的组成，然后介绍理想运放的分析方法及线性应用电路。具体内容如下：
8－1 集成运放电路组成及特点（2学时）
8－2 集成运放的主要参数（2学时）
集成运放的主要参数：A vd，K CMR，R id，R o ，BW G，SR，V IO，d V IO/dT，I io ，d I io/dT
8－3 理想运放分析法（2学时）
虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立的原因，两个基本的运放负反馈电路、公式及特点
8－4 运放的线性应用电路（2学时）
代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用的线性应用电路。
二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等）
教学重点：集成运放电路组成及特点；理想运放分析法；运放的线性应用电路。
教学难点：理想运放分析法；运放的线性应用电路。
三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思）
以实际电路模型入手进行较详细的分析，集成运放组成的运算电路，基于集成运放的比例（含加减）运算电路；积分运算电路和微分运算电路原理，对数运算电路、指数运算电路原理，模拟乘法器及其在运算电路中的应用，模拟乘法器工作原理，模拟乘法器在运放运算电路中的应用。初步建立滤波器的概念，理解有源低通滤波电路的工作原理，其它类型滤波电路。
四、作业
8-2， 8-8， 7-6， 7-7， 8-11， 8-12， 8-17
五、参考资料（应列出学生学习的参考书目，可根据课程自身的特点选择是否填写或者是否每章都填写）
Robert Boylestan, Louis Nashelsky. Electronic Devices and Circuit Theory.
Preantice-Hall, Inc.,1996；
Theodore F. Bogart. Linear Electronics. Macmillan. Publishing Company, 1994；
Engineering Circuit Analysis，William H. Hayt, Jr. ，Jack E. Kemmerly ，Steven M.Durbin (英文原版) 电子工业出版社，20XX年6月引进。
Fundamentals of Electric Circuits，Charles K.Alexander ，Matthew N.O.Sadiku，(英文原版) 清华大学出版社，2000年12月引进。
《电子电路基础》(第二版)，张凤言，高等教育出版社，1995；
《模拟电路基础》，秦世才，天津：南开大学出版社1998；
《低频电子线路》，金泽滇、刘毅坚长沙：国防科技大学出版社，1998。
华成英，《模拟电子技术基础（第四版）习题解答》，高等教育出版社.，2007 。
Thomas L.Floyd，David Buchla，《Fundamentals of Analog Circuits》（2nd Edition），《模拟电子技术基础》（第2版），高等教育出版社影印本，2004。
Donald.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis & Design》（2nd Edition）,《电子电路分析与设计》（第3版），清华大学出版社影印本，2007。
六、教学后记（教学后记的内容包括教学计划的执行情况,效果如何,有什么经验教训,
原因是什么,应如何改进等等；应该在该章（节）教学活动结束后填写）
理想运放分析法学生掌握有一定的难度，通过大量的例题分析加强同学的理解，学生掌握不错。
第九章脉冲电路 (讲授4学时)
一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等）
本章主要介绍了
（1）脉冲信号（矩形脉冲）的波形及其参数。
（2）施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器工作原理及其应用。
（3）用门电路构成施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器的基本原理及主要参数计算。
（4）555定时器的电路结构和工作原理。
（5）用555定时器构成施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器的电路结构和参数计算。掌握施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器的工作原理及应用。掌握555定时器构成施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器的电路结构和主要参数计算。理解集成单稳态触发器和晶体多谐振荡器基本工作原理；了解用门电路构成施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器的电路结构。
模拟电子技术基础中的常用公式必备
模拟电子技术基础中的常用公式 第7章半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章集成运算放大器
主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。
第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即
模拟电子技术教案
授课计划 授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间： 课题：半导体二极管 教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性 教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟） 讲授新课： 一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟） 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。
2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 《模拟电路》课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称：模拟电路； 所属专业：微电子科学与工程专业； 课程性质：专业基础课； 学分：4学分。 （二）课程简介、目标与任务； 《模拟电路》是微电子专业本科生在电子技术方面入门性质的基础课，具有自身的体系和很强的实践性。本课程通过对常用半导体器件、模拟电路的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 （三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接； 本课程应开设在高等数学、电路分析（未开设）课程之后，是微电子专业本科生系统学习电子技术知识的基础课程之一。也是后续数字电路、模拟电路实验、集成电路分析与设计等课程的先修课程。 （四）教材：《模拟电子技术基础》童诗白华成英主编（第四版） 高等教育出版社 参考书目：《模拟电子技术基础简明教程》清华大学电子学教研室编 高等教育出版社 《电于技术基础》(模拟部分)康华光主编 高等教育出版社 《电子线路线性部分》谢嘉奎主编 高等教育出版社 二、课程内容与安排 第一章常用半导体元器件（要求列出章节名） 第一节半导体基础知识 第二节半导体二极管 第三节双极型晶体管 第四节场效应管 第五节晶闸管 （一）教学方法与学时分配 课堂教学，8学时 （二）内容及基本要求 主要内容：半导体基础知识；二极管的结构、伏安特性及主要参数；双极型晶体管的结构、 伏安特性及主要参数；场效应管的结构、伏安特性及主要参数；晶闸管的结构、 伏安特性及主要参数。 【重点掌握】：PN结特性及PN结方程；二极管、晶体管、场效应管、晶闸管的伏安特性。 【了解】：二极管、晶体管、场效应管、晶闸管的结构及主要参数。 【难点】：二极管、晶体管、场效应管、晶闸管的伏安特性。 第二章基本放大电路 第一节放大电路的组成及工作原理 第二节放大电路的分析方法 第三节放大电路静态工作点的稳定 第四节共集电极放大电路和共基极放大电路 第五节场效应管放大电路 （一）教学方法与学时分配 课堂教学，12学时 （二）内容及基本要求 主要内容：放大的概念；放大电路的组成及工作原理；放大电路的性能指标；放大电路的分析方法：直流通路与甲流通路，图解法，微变等效电路法； 放大电路静态工作点的稳定；晶体管共集电极放大电路和共基极放大 电路；场效应管放大电路。 【重点掌握】：放大电路的分析方法：直流通路与交流通路，图解法，微变等效电路法。 【掌握】：放大电路的组成及工作原理；放大电路的性能指标；放大电路静态工作点的稳定；晶体管共集电极放大电路和共基极放大电路；场效应管放大 电路。 【了解】：放大的概念。 【难点】：图解法，微变等效电路法。 第三章多级放大电路 第一节多级放大电路的耦合方式 第二节多级放大电路的动态分析 （一）教学方法与学时分配 课堂教学，4学时 （二）内容及基本要求 模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 教师教案（2011—2012学年第一学期) 课程名称：模拟电路基础 授课学时：64学时 授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建 教师职称：副教授 教师所在学院：光电信息学院 电子科技大学教务处 第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等） 1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时） 1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时） 1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时） 二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等） 重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思） 重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 《电工电子技术》课程电子教案 教师：宋静序号：05 知识引导 图7-22 温度对静态点的影响 2.基极分压式偏置电路 具有稳定工作点功能的典型分压式偏置电路如图 7-23所示。 a)电路原理图 b)直流通路图 图7-23压式偏置放大电路 1）稳定静态工作点的原理 温度的变化会导致三极管的性能发生变化，致使放 大器的工作点发生变化，影响放大器的正常工作。如图 7-23 所示电路中是通过增加下偏置电阻和射极电阻来 改善直流工作点的稳定性的，其工作原理如下： （1）利用R B1和R B2的分压作用固定基极电压U B。 由图 7-23可知，当R B1、R B2选择适当，满足I2远 大于I B时，则有 PPT、动画演 示、图片 知识引导 中R B1、R B2和U CC都是固定的，不随温度变化，所以基极电位基本上为一定值。 （2）通过I E的负反馈作用，限制I C的改变，使工作点保持稳定。具体稳定过程如下： 从上述稳定过程可以看出,R E愈大,则在R E上产生的压降愈大,对I C变化的抑制能力愈强,电路稳定性愈好。 2）动态分析 首先画出7-23所示的射极偏置电路的微变等效电路如图7-24 a)交流通路图 b) )微变等效电路 图7-24分压式偏置电路交流通路图及微变等效电路 CC B B B B U R R R U 2 1 2 + = E BEQ B E CQ R U U I I - = ≈ ) ( E C C CC CEQ R R I U U+ - =β/ CQ BQ I I= 1. 求电压放大倍数Au 与单偏置共射极放大电路的公式一样. 2.求输入电阻 3.求输出 教学步骤教学内容学生活动时间分配操作训练 仿真练习分压式偏置共射放大电路的静态值及电压 放大倍数 仿真验证：运行Multisim9.0软件制作仿真电路，如图 7-25所示，启动仿真，所得静态值为：I BQ＝ 10.223uA,I CQ=1.398mA,U EQ=2.535V。由测量值可算出 三极管的放大倍数约为140。从示波器上可得输入与 输出电压波形，如图所示。输入电压的幅值约为l0mv， 输出电压的幅值约为 2.15V，并且两者相位相反，电 压放大倍数约为215 Multisim9.0 仿真软件的 使用 5 be ' L i o r R U U A u β - = =& & & be b2 b1 i r R R R∥ ∥ = c o R R= 模拟电子线路教案 周鸣籁 说明： 1. 教学要求按重要性分为3个层次，分别以“掌握★、熟悉◆、了解▲”表述。学生可以根据自己的情况决定其课程内容的掌握程度和学习目标。 2. 作业习题选自教材：康华光《电子技术基础模拟部分》第五版。 3. 以图表方式突出授课思路，串接各章节知识点，便于理解和记忆。 课次：1 课时：3 教学内容 1. 第一章绪论 第一节信号 第二节信号的频谱 第三节模拟信号和数字信号 第四节放大电路模型 第五节放大电路的主要性能指标 目的要求 1. 了解信号的频谱分析。 2. 熟悉信号的分类、模拟信号和数字信号的概念。 3. 熟悉放大电路的四种模型。 4. 掌握放大电路的主要性能指标。 讲授思路 1. 简述信号的频谱和分类，详述放大电路模型和性能指标: 信号源的等效（戴维宁/诺顿） 周期/非周期信号 频谱分析◆分类（4类） 若干正弦信号分量叠加模拟信号数字信号 （傅里叶级数/变换） 放大（模拟信号基本处理功能） ◆电路模型分类性能指标定义及测量 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大★主要指标其它指标 ★推导模型分析计算输入电阻、输出电阻、增益、最大输出功率、效率、 频率响应、带宽信噪比、抗干扰 作业布置 思考题： 1. 某放大电路输入信号为10pA时，输出为500mV，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 2. 某放大电路开路输出电压为Voc，短路输出电流为Ios，试求其输出电阻Ro。 3. 对于一个正弦波信号，经有限带宽的放大电路放大后，是否有可能出现频率失真？为什么？ 习题： 第21页题1.5.3 1.5.4 1.5.6 课次：2 课时：3 教学内容 1. 第三章二极管及其基本电路 第一节半导体的基本知识 第二节 PN结的形成及特性 目的要求 1. 了解半导体的基本知识。 2. 掌握PN结的单向导电性、特性曲线和方程、反向击穿特性、结电容效应。 讲授思路 1. 简述半导体的基本知识: 按导电能力分类 导体半导体绝缘体 常用材料特点 元素半导体化合物半导体掺杂半导体 2.详述PN结的形成和特性、简述二极管的种类和参数： 本征半导体掺杂 P型半导体 N型半导体 PN结形成 ◆性质二极管 单向导电反向击穿结电容温度特性种类特性（同PN结）◆参数（整流）（稳压）（变容）（测温） ★特性曲线和方程高频特性普通稳压变容光敏/发光 （单向导电性变差） 课次：3 课时：3 教学内容 1. 第三章二极管及其基本电路 第三节二极管 第四节二极管基本电路及其分析方法 第五节特殊二极管 目的要求 1. 熟悉二极管的种类和参数。 2. 掌握二极管的四种等效模型和二极管电路的分析计算。 3. 熟悉稳压管电路的原理以及限流电阻的计算。 讲授思路 1. 详述二极管电路的分析方法： 二极管电路分析（非线性特性曲线） 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。 《模拟电路》 教案 课程名称电子三年制《模拟电路》 授课学时64 主讲(责任)教师 参与教学教师________________________________ 授课班级/人数 专业（教研室）电子 课程名称：模拟电子技术基础 第讲 1 授课题目半导体基础知识、半导体二极管课型讲授使用教具多媒体 教学重点1、了解本征半导体、杂质半导体的导电机理 2、熟悉N型半导体，P半导体的基本特性 3、异形半导体接触现象 4、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型） 教学难点1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电； 2、掺杂半导体中的多子和少子 3、PN结的形成； 4、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的 优先导通问题； 教学内容教学组织过程 1 半导体的基本知识（10min） （1）半导体材料 （2）半导体的共价键结构 （3）本征半导体、空穴极其导电作用 （4）杂质半导体 2 PN结的形成及特性（25min） （1）PN结的形成 （2）PN结的单向导电性 （3）PN结的电容效应 3 二极管（25min） 1.3.1、二极管的结构 1.3.2、二极管的伏安特性 ?正向特性：死区电压、导通电压 ?反向特性：反向饱和电流、温度影响大 ?反向击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、 热击穿 1.3.3、主要参数(略讲) 4 二极管电路的简化模型分析方法（25min） 4.1理想模型 正向偏置管压降为零；反向偏置电阻无穷大，电流为零。 4.2恒压降模型 二极管导通后，管压降恒定，典型值硅管0.7V。 4.3折线模型 二极管导通后，管压降不恒定，用一个电池和一个电阻r d来作进一步近似。 小结（5min） 本讲宜教师讲授。用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。 课后小结 “模拟电子电路实例”教案 ——单管放大电路的仿真实现 一、本节课的地位、作用： 模拟电子技术是电子信息专业与通信工程专业的专业必修课程，是进入电子与通信领域的基础理论和必备技能。该课程的核心内容就是研究如何将模拟信号不失真地放大与传输，所以放大电路是模拟电路中最基本也最重要的电路。 本节课重点讨论如何利用计算机仿真软件，实现带发射极稳定电阻的电容耦合型三极管单管放大电路的电路性能仿真，在基本原理讲解的基础上，配以形象的电路仿真和生动的互动交流，以期让学生更好的理解电路的工作原理与特性，并为后续差动放大电路的学习打下基础。 二、本节课的教学方法与手段： 在教学过程中，充分利用多媒体课件、软件仿真、人机互动等多种手段，提高学生学习兴趣与自觉性，发挥学生的主观能动性，力争做到“教、学、做”一体 三、视频特点介绍 本视频主要使用Ulead VideoStudio进行视频编辑，并配以Photoshop、Goldwave、Format Factory、屏幕录像大师、powerpoint等多种多媒体软件剪辑而成，片长15分43秒，在视频中使用了多种多媒体技术，如画中画、画外音、字幕、屏幕录像等等。由于课程内容主要以软件操作为主，所以PPT部分较为简单。另外，为便于学习与观看本视频全程附带字幕，共2646字。 四、本节课的教学组织与安排： 本节课分为基本介绍、工作界面介绍、电路图绘制、原理讲解、电路仿真、互动环节和课程总结七个部分，首先介绍实验所用的基本电路，然后简单介绍仿真软件，再在软件中绘制仿真电路图，并在绘制过程中逐步介绍各电器元件的功能与作用。在讲解、演示、实验的过程中强调各个部分的相互关系与重点、难点分析，用幽默诙谐的语言与生动形象的比喻加深学生对课程的理解与印象，并充分利用新型的多媒体软件进行演示，邀请学生参与到仿真中来，抓住学生的注意力和学习兴趣。 授课教案 课程：模拟电子技术任课教师：教研室主任： 课号：５课题：第二章基本放大电路 2.1 简单交流放大电路 教学目的：（1）熟练掌握基本放大电路的组成，工作原理及作用。 （2）重点掌握静态工作点的建立条件、作用 教学内容：放大的概念，共射电压放大器及偏置电路，放大电路的技术指标和基本分析方法 教学重点：基本放大电路的组成、工作原理 教学难点：放大过程中交直流的叠加 教学时数：2学时 课前提问及复习：结型场效应管、绝缘栅型场效应管的构造原理和特性参数 新课导入：放大的概念，应用场合以及放大电路。 新课介绍： 第二章基本放大电路 2．1 概述 2.1.1 放大的概念 放大对象：主要放大微弱、变化的信号（交流小信号），使V O或I O、P O得到放大！ 放大实质：能量的控制和转换，三极管——换能器。 基本特征：功率放大。 有源元件：能够控制能量的元件。 放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。 2.1.2 放大电路的性能指标 为了反映放大电路的各方面的性能，引出如下 主要性能指标。 1、放大倍数 输出量与输入量之比，根据输入量为电流、电压和输 出量为电流、电压的不同，可以得到四种放大倍数。 2、输入电阻 输入电阻Ri为从放大电路输入端看进去的等效电阻， 定义为输入电压有效值Ui和输入电流有效值Ii之比，即Ri=Ui/Ii。 3、输出电阻 任何的放大电路的输出都可以等效成一个有内阻的电压源，从放大电路输出端看进去的等效内阻称为输出电阻Ro。 4、通频带 通频带用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。 中频放大倍数下限截止频率上限截止频率f bw=f H-f L 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压 降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导 体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性 的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向 压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙 类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。 19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80dB，总的电压放大倍数为10000。 22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为4kΩ。 26、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC＜0。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。 4.1 共射极单管放大电路的研究 1. 实验目的 （1）学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响； （2）掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法； （3）熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 2. 实验设备与器材 实验所用设备与器材见表4.1。 3. 实验电路与说明 实验电路如图4.1所示，为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i后，在放大器的输出端便可得到一个与u i相位相反，幅值被放大了的输出信号u0，从而实现了电压放大。安装电路时，要注意电解电容极性、直流电源正负极和信号源的极性。 图4.1 共射极单管放大器实验电路 4. 实验内容与步骤 （1）电路安装 ① 安装之前先检查各元器件的参数是否正确，区分三极管的三个电极，并测量其β值。 ② 按图4.1所示电路，在面包板或实验台上搭接电路。安装完毕后，应认真检查连线是否正确、牢固。 （2）测试静态工作点 ① 电路安装完毕经检查无误后，首先将直流稳压电源调到12V ，接通直流电源前，先将R W 调至最大， 函数信号发生器输出旋钮旋至零,再接通直流电源, 调节R P ，使I C ＝2.0mA （即U e ＝2.0V ）。 ② 用万用表测量电路的静态电压U CC 、U BQ 、U EQ 、U BEQ 、U CEQ ，并记录在表4.2中。 （3）测量电压放大倍数 ① 将信号发生器的输出信号调到频率为1kHz 、幅度为10 mV 左右的正弦波，接到放大电路输入端,然后用示波器观察输出信号的波形。在整个实验过程中，要保证输出信号不产生失真。如输出信号产生失真，可适当减小输入信号的幅度。 ② 用电子毫伏表测量测量下述二种情况下的U O 值，并用双踪示波器观察u O 和u i 的相位关 系，记入表2－2；用公式 o u i U A U = 和 s o us U A U =，计算出不接负载时对输入电压U i 的电压放大倍数和对信号源U s 的电压放大倍数，记录在表4.3中。 数字电子技术基础知识总结引导语：数字电子技术基础知识有哪些呢？接下来是小编为你带来收集整理的文章，欢迎阅读！ 处理模拟信号的电子电路。“模拟”二字主要指电压(或电流)对于真实信号成比例的再现。 其主要特点是： 1、函数的取值为无限多个; 2、当图像信息和声音信息改变时，信号的波形也改变，即模拟信号待传播的信息包含在它的波形之中(信息变化规律直接反映在模拟信号的幅度、频率和相位的变化上)。 3.初级模拟电路主要解决两个大的方面：1放大、2信号源。 4、模拟信号具有连续性。 用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路，或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能，所以又称数字逻辑电路。 其主要特点是： 1、同时具有算术运算和逻辑运算功能 数字电路是以二进制逻辑代数为数学基础，使用二进制数字信号，既能进行算术运算又能方便地进行逻辑运算(与、或、非、判断、比较、处理等)，因此极其适合于运算、比较、存储、传输、控制、决策等应用。 2、实现简单，系统可靠 以二进制作为基础的数字逻辑电路，可靠性较强。电源电压的小的波动对其没有影响，温度和工艺偏差对其工作的可靠性影响也比模拟电路小得多。 3、集成度高，功能实现容易 集成度高，体积小，功耗低是数字电路突出的优点之一。电路的设计、维修、维护灵活方便，随着集成电路技术的高速发展，数字逻辑电路的集成度越来越高，集成电路块的功能随着小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)的发展也从元件级、器件级、部件级、板卡级上升到系统级。电路的设计组成只需采用一些标准的集成电路块单元连接而成。对于非标准的特殊电路还可以使用可编程序逻辑阵列电路，通过编程的方法实现任意的逻辑功能。 模拟电路是处理模拟信号的电路;数字电路是处理数字信号的电路。 模拟信号是关于时间的函数，是一个连续变化的量，数字信号则是离散的量。因为所有的电子系统都是要以具体的电子器件，电子线路为载体的，在一个信号处理中，信号的采集，信号的恢复都是模拟信号，只有中间部分信号的处理是数字处理。具体的说模拟电路主要处理模拟信号，不随时间变化，时间域和值域上均连续的信号，如语音信号。而数 教案 第一部分课程概况 一、课程的性质、目的与任务 《模拟电子技术》是电子专业必修的一门专业基础课。通过本课程的学习，使学生掌握半导体基本器件的原理、特性及其选用，了解和掌握常用模拟集成器件的外特性及其应用，掌握基本单元电路的组成、工作原理及其重要性能指标的估算，具有一定的读图能力和初步设计电路的能力，具有一定的动手实践能力和解决问题的能力，为后续课程的学习打下良好的基础。 二、与其它课程的联系 学习本课程应具备《高等数学》，《大学物理》和《电路分析》理论方面的基础。后续课程为《数字电子技术基础》，《高频电路》，《电子测量仪器》、《电视原理》和《电器控制技术》等课程。 三、课程的特点 1．对基本概念、基本分析方法的要求并重； 2．本课程理论性和实践性都较强； 3．实验课程是重要的学习与实践环节，课程设计是重要的补充。 四、教学总体要求 1．理解半导体基本器件的原理，特性、主要参数及其选用； 2．掌握信号放大基本单元电路的组成、工作原理及分析计算方法； 3．掌握信号的运算和处理基本单元电路的组成、工作原理及其分析计算方法； 4．掌握信号的发生和转换单元电路的组成、基本原理及其重要技术指标的计算； 5．通过实验课，理解信号的产生、放大、运算等各种不同处理方法及其采用相应不同的单元电路增强实践能力，掌握必要的测试技能和整理实验数据的能力。 五、教材及教学参考资料 教材：《模拟电子技术》 主编：胡宴如 参考资料：《电子技术基础》 主编：康华光 第二部分教学内容和教学要求 绪论及第一章常用半导体器件 教学内容： 1．半导体中的载流子和导电规律，PN结的原理和特性； 2．半导体二极管、三极管工作原理、特性曲线和主要参数； 3．场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。 教学要求： 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共集电极）、（共发射极）、（共基极）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（交流）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ 1/F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fh-fl ）， （ 1+AF ）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（近似于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调波），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载流信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（ KUxUy ） 1、1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。 2、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 3、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。模拟电子技术基础全套教案
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《模拟电路教案》word版
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