用数字万用表测可控硅的好坏
用数字万用表测可控硅的好坏
一、单向可控硅的引脚区分
对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
二、单向可控硅的性能检测
可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
四、可控硅的使用注意事项
选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。
3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。
用数字万用表测量可控硅的好坏(KP型号 300A 1600V）
2010-6-22 00:19 提问者：limenghou
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你好，能否告诉我，如何用数字万用表测量可控硅的好坏，我的这个元件是 KP型号 300A 1600V，网上都基本上没有说清楚，我有急用，谢谢了，还有他们所说的用电池灯泡来测量的具体方式是什么（比如用好大电池，多少伏，用多少伏的灯泡。。。）谢谢了
啊。。。。。。。。。开关可以控制灯泡就表明可控硅可用。
1:数字万用表只能测试小功率的可控硅.因为数字万用表提供的电流太小. 2:一个12V左右DC电源;一个相应的12V,10~20W灯泡.
3:电源(+) --- 可控硅(+) --- 可控硅(-) --- 灯泡 --- 电源(-);接好线.
4:短路一下可控硅(+)到可控硅触发极,灯泡会保持点亮状态.这个可控硅是好的. 5:灯泡保持点亮状态下:测可控硅两端的电压值,是可控硅节压降,越低越好.断一下电源线.再接上,灯泡就不亮了,除非再按(4:)的方法触发一下.
6:注意,测可控硅有一个维持电流,小于它时可控硅会自动关断,因此灯泡功率别太小.
7:数字万用表只能测试小功率的可控硅;同样道理用欧姆档,
红笔 --- 可控硅(+) --- 可控硅(-) --- 黑笔 ;把红笔与可控硅触发极短路一下;可控硅会导通,电阻变小.
8:数字万用表提供的电流小,如果达不到可控硅维持电流,它会自动关断,这并不表示可控硅是坏的.要注意
双向可控硅好坏检测方法
双向可控硅好坏检测方法 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。 1.双向可控硅的检测 方法一： 测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。 方法二： 检查触发导通能力。万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。 图1判断双向可控硅的触发导通能力 方法三： 检查触发导通能力。如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触
如何用万用表测试单向可控硅
如何用万用表测试单向可控硅 2008-05-10 02:45 可控硅又叫晶体闸流管，在强电和弱电领域都有极为广泛的应用。其中在弱电领域中应用的可控硅功率比较小，外形像三极管，是电子爱好者常遇到的元件之一。 正确测试可控硅是电子爱好者必须具备的基本技能。如何来测试可控硅呢? 由于万用表是电子爱好者必配工具，这里介绍如何用万用表来测试单向可控硅。 单向可控硅的测试包括两个方面：一是极性的判定；二是触发特性的测试。 一、可控硅极性的判定 单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图1所示。 可控硅有三个电极：阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。从等效电路上看，阳极(A)与控制极(G)之间是两个反极性串联的PN结，控制极(G)与阴极(K)之间是一个PN结。 根据PN结的单向导电特性，将指针式万用表选择适当的电阻档，测试极间正反向电阻(相同两极，将表笔交换测出的两个电阻值)，对于正常的可控硅，G、K之间的正反向电阻相差很大；G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小，其阻值都很大。这种测试结果是唯一的，根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。用万用表R×1K档测量可控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极(G)，红表笔所接的为阴极(K)，剩下的一极就为阳极(A)。 通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且趋近于零，则可控硅内部存在极间短路故障。 二、单向可控硅触发特性测试 单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性，不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。 也就是说使可控硅导通必须具备两个条件：阳极(A)与阴极(K)之间应加正向电压，控制极(G)与阴极(K)之间也应加正向电压。当可控硅导通以后，控制极就失去作用。单向可控硅的导通过程可用图2所示的等效电路来说明：PNP管的发射极相当可控硅的阳极(A)，NPN管的发射极相当可控硅的阴极(K)，PNP管的集电极与NPN管的基极相联后相当于可控硅的控制极(G)。 当在A、K之间加上允许的正向电压时，两只管子均不导通，此时当在G、K之间加上正向电压便形成控制电流流入V2的基极，如此循环直至两管完全导通。当导通后，即使 Ig=O，由于V2有基极电流，且远大于Ig，因此两管仍然导通。要使导通的可控硅截止，必须把A、K正向电压降低到一定值，或反向，或断开。 根据可控硅的导电特性，可用万用表的电阻档进行测试。对小功率可控硅可按图3(a)所示联接电路，在可控硅A、G之间联接一只轻触开关(以便于操作)，用万用表的R×1Ω档，
第九章 使用万用表检测晶闸管
第九章使用万用表检测晶闸管本章主要介绍数字万用表的检测晶闸管，通过图形带你认识万用表来检测晶闸管。 9.1晶闸管的特点与分类 9.1.1晶闸管的特点 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称做可控硅。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制。被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 9.1.2晶闸管的分类 晶闸管有多种分类方法。 （一）按关断、导通及控制方式分类 晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。如图9.1所示。 图9-1 双向晶闸管 （二）按引脚和极性分类 晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。 （三）按封装形式分类 晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。 其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。如图9.2所示。 图9-2 金属封装晶闸管（螺旋形）
（四）按电流容量分类 晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。如图9.3所示。 图9-3 大功率晶闸管 （五）按关断速度分类 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。如图9.4所示。 图9-4 高频（快速）晶闸管 9.2 单向晶闸管的检测 9.2.1检测单向晶闸管的操作方法 方法一 (1)将数字万用表置于电阻20kΩ挡,红表笔接阳极A,黑表笔接阴极K,把控制极G悬空,此时晶闸管截止,万用表显示溢出符号“1”,如图9.5所示。 图9-5欧姆档 (2)然后在红表笔与阳极A保持接触的同时,用它的笔尖接触一下控制极G(将A极与G 极短接一下),给晶闸管加上正触发电压,晶闸管立即导通,显示值减小到几百欧至几千欧,若显示值不变,说明晶闸管已损坏。 方法二
(整理)用万用表检测双向可控硅
精品文档 精品文档用万用表检测双向可控硅 双向可控硅是一种使用较广泛的硅晶体闸流管。利用双向可控硅可以实现交流无触点控制，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高等优点，较多的使用在电机调速、调光、调温、调压及各种电器过载自动保护电路中。 双向可控硅由五层半导体材料、三个电极构成，三个电极分别为第一阳极（又称主电极）T1、第二阳极（又称主端子）T2和门极G，其特点是触发后可双向导通。目前双向可控硅的型号、规格繁多，其外型及引脚排列随生产厂家的不同而不同，一般情况下不易直接判断出其管脚及好坏，我们可用万用表对双向可控硅进行简单检测。 一、 二、电极的确定 首先，把万用表置于R×10Ω档，测双向可控硅能相互导通的两个电极，这两个电极对第三个电极都不导通，则第三个电极为第一阳极T1。 其次，把万用表置于R×1Ω档，测余下两个电极的正反向电阻，取其中电阻小的一次，黑表笔所接的是第二阳极T2，红表笔所接的是门极G。 三、触发性能的检测 双向可控硅有四种触发方式，即T1+G+、T1+G-、T1-G+、T1-G-，其中T1-G+触发方式灵敏度较低，所需门极触发功率较大，实际使用时只选其余三种组合。而T1+G+、T1-G-触发形式的可靠性较高，较常使用，检测触发性能时可只检测这两种形式。 用万用表检测双向可控硅的触发性能，可按下列步骤进行： 把万用表置于R×1Ω档，先检查T1+G+形式的触发能力。用万用表黑表棒与T1极接触，红表棒与T2极接触，万用表指针应停在无穷大处。保持黑表棒与T1极接触、红表棒与T2极接触，用万用表黑表棒同时接触门极，则指针应有较大幅度的偏转；再松开黑表棒与门极的接触，指针读数不变，说明T1+G+触发性能良好。然后检查T1-G-形式的触发能力：黑表棒与T2极接触，红表棒与T1极接触，万用表指针应停在无穷大处。保持黑表棒与T2极接触、红表棒与T1极接触，用红表棒接触门极，指针应有较大幅度的偏转，再松开红表棒与门极的接触，指针读数不变，说明T1-G-触发性能良好。 由于万用表R×1Ω档的电池只有1.5V，对于维持电流较大的大功率双向可控硅不能可靠的触发、维持，可在万用表的外部串入1~2节干电池后再用上述方法检测。 四、单向、双向可控硅的判别 有的单向可控硅阳极与阴极正反向也都相互导通，初学者判断时可能误判断为双向可控硅，而检测它的T1-G-触发性能不好导致误判断。那么，如何区别单向、双向可控硅呢？ 把万用表打到R×10Ω档，测出相互导通的两个电极。然后测量这两个电极的正反向电阻。若正向、反向电阻差不多，则为双向可控硅（见附图1）；若正向、反向电阻差别较大，则为单向可控硅（见附图2）。
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用万用表检测单向可控硅 江苏省泗阳县李口中学沈正中 可控硅又叫晶体闸管、晶体闸流管，在电子电路中有着广泛的应用，外形像三极管，如图1所示。 使用可控硅前必需要 进行测试，如何用万用表来 测试单向可控硅，单向可控 硅的检测包括两个方面：一 是极性判定；二是触发特性 检测。 1、可控硅极性的判定 单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图2所示。 可控硅有三个电极：阳极A、 阴极K和控制极G。从等效电路上 看，阳极A与控制极G之间是两 个反极性串联的PN结，控制极G 与阴极K之间是一个PN结。根据 PN结的单向导电特性，将指针式万用表选择适当的电阻档，测试极间正反向电阻(相同两极，将表笔交换测出的两个电阻值)，对于正常的可控硅，G、K之间的正反向电阻相差很大；G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小，其阻值都很大。这种测试结果是唯一的，根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。用万用表R×1K档测量可
控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极G，红表笔所接的为阴极K，剩下的一极就为阳极A。通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且趋近于零，则可控硅内部存在极间短路故障。 2、单向可控硅触发特性测试 单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性，不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。也就是说使可控硅导通必须具备两个条件：阳极A与阴极K之间应加正向电压，控制极G与阴极K之间也应加正向电压。当可控硅导通以后，控制极就失去作用。单向可控硅的导通过程可用图3所 示的等效电路来说明：PNP管的发射极 相当可控硅的阳极A，NPN管的发射极 相当可控硅的阴极K，PNP管的集电极 与NPN管的基极相联后相当于可控硅的 控制极G。当在A、K之间加上允许的 正向电压时，两只管子均不导通，此时 当在G、K之间加上正向电压便形成控 制电流流入V2的基极，如此循环直至两管完全导通。当导通后，即使Ig=O，由于V2有基极电流，且远大于Ig，因此两管仍然导通。要使导通的可控硅截止，必须把A、K正向电压降低到一定值，或反向，或断开。
怎样用万用表测量可控硅的各电极
怎样用万用表测量可控硅的各电极 1.单向可控硅的检测 万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 2.双向可控硅的检测 用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅管，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
可控硅好坏如何测量修订稿
可控硅好坏如何测量 WEIHUA system office room 【WEIHUA 16H-WEIHUA WEIHUA8Q8-
一、可控硅的特性 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极 A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G 和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。 双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。 二、可控硅的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于
用万用表测试可控硅
用万用表测试可控硅 小功率可控硅，由于所需的触发电流较小，故可以只用万用表来测试。 一、单向可控硅的测试 １．极性的判别 用万用表的Ｒ×１００欧姆档，分别测量各管脚间的正反向电阻。如果测得其中两管脚的电阻较大（约为８０ＫΩ），而对换表笔再测这两个管脚的电阻值又较小（约为２ＫΩ），这时，黑表笔所接的一极为控制极Ｇ，红表笔所接的一极为阴极Ｋ，余者为阳极Ａ。 ２．质量的判别 用万用表的Ｒ×１０欧姆档，黑表笔接Ａ极，红表笔接Ｋ极。用黑表笔在保持和Ａ极相接的情况下和Ｇ极接触，这样就给Ｇ极加上一触发电压。这时由万用表可以看到，可控硅的阻值明显变小，说明可控硅可能由于触发而处于通态。仍保持黑表笔和Ａ极相接，断开和Ｇ极的接触，如果可控硅仍处于通态，则说明可控硅是好的，否则，一般是可控硅损坏。 二、可控硅的测试 由于双向可控硅相当于两个单向可控硅的反极性并联而成，又Ｇ极靠近Ｔ１极，由于工艺方面的原因，Ｇ极和Ｔ１极间的正向电阻都很小，一般为１００Ω左右。另外，双向可控硅具有四种触发状态，只要满足任何一种触发状态，双向可控硅便可触发导通。 极性的判别： 用万用表的Ｒ×１Ｋ或Ｒ×１００欧姆档，分别测量各管脚间的正反向电阻，如果测得其中两管脚的电阻很小（约为１００Ω左右），即为Ｔ１极和Ｇ极，余者为Ｔ２极。 Ｔ１极和Ｇ极的区分：
任选其中一极为Ｔ１，将万用表调至Ｒ×１欧姆档，不用分表笔的正负，分别将两表笔接至Ｔ２极和Ｔ１极（假设）。用和Ｔ２相接的表笔在保持和Ｔ２相接的情况下，和Ｇ（假设）相接。这时会看到可控硅阻值明显变小，说明双向可控硅可能因触发而导通，再大保持该表笔和Ｔ２相接的情况下和Ｇ极（假设）断开，如果双向可控硅仍处于通态，则对换两表笔，重复上述步骤，如果仍能使可控硅处于通态，则假设是正确的。否则假设是错误的。这样就应该对换假设的两极再重复上述的步骤。
怎样用万用表测量可控硅
用万用表测量可控硅 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是 T 2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。 对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。 对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
用数字万用表测可控硅的好坏
用数字万用表测可控硅的好坏 一、单向可控硅的引脚区分 对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。 二、单向可控硅的性能检测 可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。 用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。 用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。 万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 四、可控硅的使用注意事项 选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。 1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。 2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。 3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。 4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。 5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。 6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。 用数字万用表测量可控硅的好坏(KP型号 300A 1600V） 2010-6-22 00:19 提问者：limenghou | 悬赏分：50 | 浏览次数：2396次 你好，能否告诉我，如何用数字万用表测量可控硅的好坏，我的这个元件是 KP型号 300A 1600V，网上都基本上没有说清楚，我有急用，谢谢了，还有他们所说的用电池灯泡来测量的具体方式是什么（比如用好大电池，多少伏，用多少伏的灯泡。。。）谢谢了
万用表如何判断可控硅好与坏
一、怎样判断可控硅的好坏 普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。 1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。 也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。 4.中、小功率三极管的检测 A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏 (a) 测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b) 三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO 的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下： 万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c 极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c 间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。 (c) 测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位
可控硅的测试方法
可控硅的测试方法 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020
可控硅的测试方法 双向可控硅的极性判断方法：T1（A1）为第一阳极，T2（A2）为第二阳极，G为控制极。 测试结果为：T2与其他2个脚均不导通，通常T2极和可控硅背部的散热片是导通的，其余的两个引脚则为T1极与G极，用指针万用表的R×1或R×10档测量这两个引脚；在正反测量阻值较小的那次中，红表笔接的为可控硅G极，黑表笔接的为T1极。 将黑表笔接T2极，红表笔接T1极，此时万用表指针应该不发生偏转，阻值为无穷大，再用短接线将T2极与G极瞬间短接，这样做的目的是给G极加上正向触发电压，T1(A1)、T2(A2)两极之间阻值由无穷大变为导通，随后断开T2极与G极之间的短接线，万用表指针仍然停留在原来偏转位置，即撤掉可控硅的触发电压后，可控硅仍然维持导通。 然后互换表笔接线，红表笔接T2极，黑表笔接T1极，同样的读数为无穷大，此时将T2极与G极瞬间短接，T1极与T2极之间的阻值将一样会维持导通，（除非T1与T2断开） 单向可控硅的三个引脚分别是阳极（A）、阴极（K）和控制极（G） 用指针式万用表电阻档R×1或R×10档，找出正反电阻有差别的两极，这时候测得电阻阻值读数较小的那次中，黑表笔接的为该单向可控硅的控制极（G）极，红表笔接的为阴极（K）极，另外的一个脚即为阳极（A）极。（如果三个脚之间的电阻值都很小，几乎接近0欧姆，那么这只管子已击穿损坏），如果阳极（A）接黑表笔，阴极（K）接红表笔，万用表指针产生偏转的话，同样的这只管子已损坏。
用数字万用表测可控硅的好坏
第一部分：用指针万用表测可控硅的好坏 一、单向可控硅的引脚区分 对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。 二、单向可控硅的性能检测 可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。 三、用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。 用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。 用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。 万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 四、可控硅的使用注意事项 选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。 1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通 角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。 2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立 即更换。 3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。 4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可 控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。 5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。 6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。 五、开关可以控制灯泡就表明可控硅可用(双向可控硅型号: TG40E60）。 电池不分极性，电压为1.5V时去除电阻。
用数字万用表测可控硅的好坏
用数字万用表测可控硅的好坏 、单向可控硅的引脚区分 对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R X100或R X1K挡， 测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。 二、单向可控硅的性能检测 可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN 结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。 用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判 断。具体方法是：用R X k或R X0k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了用RX1k或R X IOk挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R X1k 或R X1OO 挡，测控制极和阴极之间的PN 结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。 万用表选电阻R X1 挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为1O 欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 四、可控硅的使用注意事项 选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。 1 、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。 2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现 象时，应立即更换。 3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。
可控硅原理--检测--击穿分析
一、可控硅击穿原因： 1、RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收（平波作用），RC时间常数应和尖峰 脉冲上升沿时间一致，并且要注意电容的高频响应，应使用高频特性好的。 2、压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽 度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差。 3、击穿的可能性好多种,过电流,过电压.短路,散热不好都会被击穿.RC电路或 压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压.和涌浪电压用的有条件.可以增大双向可控硅容量，这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因 二、问题例子： 最初使用MOC3061+BT131控制电磁阀，BT131击穿很多；后来将BT131更换成BT136虽然有多改善，但还是偶尔有击穿。电路图如下 实际电路中R56没焊，R55为330欧姆。 电路有RC吸收、压敏电阻保护电路，负载为电磁阀，负载电流最多不超过 100mA，按说1A的BT131就已经足够了，但使用4A的BT136还偶尔会坏，是可控硅质量问题，还是我的电路参数有问题？ 另外，有谁知道可控硅的门极触发电流是怎么计算得来的？ 在之前的BT131电路中R55、R56的阻值是330欧姆，后来的BT136电路中去掉了R56、R55的阻值还是330欧姆。 是不是这个值太小了，触发电流太大引起的损坏？ 关于电路图做一下补充： 1.电阻R68实际用的是75欧姆
2.电容C11用的是103 630V（0.01u） 3.压敏电阻R75用的是471V的 回答一： 对双向可控硅驱动，技术已十分成熟了。对感性负载，驱动电路不要这样接，有经典的参考电路，请参考相应的资料。 我认为该处应该用ＣＢＢ电容，其特性有利于浪涌的吸收。如果受体积限制，类似的电路我也这样用。 ＣＢＢ电容 回答二： 照这个图来做，烧了可控硅那就是你的质量太差了！ 此电路我用了3年，现在还在用。
用万用表检测双向可控硅
用万用表检测双向可控硅 江苏省张家港职教中心薛峰 双向可控硅是一种使用较广泛的硅晶体闸流管。利用双向可控硅可以实现交流无触点控制，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高等优点，较多的使用在电机调速、调光、调温、调压及各种电器过载自动保护电路中。 双向可控硅由五层半导体材料、三个电极构成，三个电极分别为第一阳极（又称主电极）T1、第二阳极（又称主端子）T2和门极G，其特点是触发后可双向导通。目前双向可控硅的型号、规格繁多，其外型及引脚排列随生产厂家的不同而不同，一般情况下不易直接判断出其管脚及好坏，我们可用万用表对双向可控硅进行简单检测。 一、电极的确定 首先，把万用表置于R×10Ω档，测双向可控硅能相互导通的两个电极，这两个电极对第三个电极都不导通，则第三个电极为第一阳极T1。 其次，把万用表置于R×1Ω档，测余下两个电极的正反向电阻，取其中电阻小的一次，黑表笔所接的是第二阳极T2，红表笔所接的是门极G。 二、触发性能的检测 双向可控硅有四种触发方式，即T1+G+、T1+G-、T1-G+、T1-G-，其中T1-G+触发方式灵敏度较低，所需门极触发功率较大，实际使用时只选其余三种组合。而T1+G+、T1-G-触发形式的可靠性较高，较常使用，检测触发性能时可只检测这两种形式。 用万用表检测双向可控硅的触发性能，可按下列步骤进行： 把万用表置于R×1Ω档，先检查T1+G+形式的触发能力。用万用表黑表棒与T1极接触，红表棒与T2极接触，万用表指针应停在无穷大处。保持黑表棒与T1极接触、红表棒与T2极接触，用万用表黑表棒同时接触门极，则指针应有较大幅度的偏转；再松开黑表棒与门极的接触，指针读数不变，说明T1+G+触发性能良好。然后检查T1-G-形式的触发能力：黑表棒与T2极接触，红表棒与T1极接触，万用表指针应停在无穷大处。保持黑表棒与T2极接触、红表棒与T1极接触，用红表棒接触门极，指针应有较大幅度的偏转，再松开红表棒与门极的接触，指针读数不变，说明T1-G-触发性能良好。 由于万用表R×1Ω档的电池只有1.5V，对于维持电流较大的大功率双向可控硅不能可靠的触发、维持，可在万用表的外部串入1~2节干电池后再用上述方法检测。 三、单向、双向可控硅的判别 有的单向可控硅阳极与阴极正反向也都相互导通，初学者判断时可能误判断为双向可控硅，而检测它的T1-G-触发性能不好导致误判断。那么，如何区别单向、双向可控硅呢？ 把万用表打到R×10Ω档，测出相互导通的两个电极。然后测量这两个电极的正反向电阻。若正向、反向电阻差不多，则为双向可控硅（见附图1）；
如何用万用表判断可控硅的好坏
如何用万用表判断晶闸管的好坏 一、晶闸管的特性 晶闸管有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。 只有当晶闸管阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A 与阴极K间压降约1V。晶闸管导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A 和阴极K之间仍保持正向电压，晶闸管继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，晶闸管才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。晶闸管一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。晶闸管的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。 二、晶闸管的管脚判别 鉴别晶闸管三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。晶闸管管脚的判别可用下述方法： 1. 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。 2. 再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。 三、晶闸管的检测 用万用表判断晶闸管的好坏可用下述方法： 1. 万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。 2. 将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该晶闸管已击穿损坏。 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。 控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。 若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
用指针式万用表检测晶闸管
用指针式万用表检测单向晶闸管 1.判断单向晶闸管的电极 首先判别引脚极性。由单向晶闸管的内部结构示意图上看,其控制极G与阴极K之间为一个PN结,而控制极G与阳极A之间有两个反向串联的PN结,如图4.70所示。 根据上述结构特点,我们可以先判别出阳极A。方法是用指针式万用表R×1挡测量闸管三只引脚之间的电阻值,当发现某只引脚与其余两引脚均不通时,这只引脚为阳极A。再测量剩余两引脚之间的正、反向电阻值,其中测得电阻值较小的一次,黑表笔所接的为控制极G,红表笔所接的为阴极K。假如三只引脚两两之间均不通或电阻值均很小,说明该晶闸管已损坏。 2.检测单向晶闸管的触发功能 将万用表置于R×1挡,黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,控制极G悬空,此时表针应指示∞(无穷大),说明晶闸管处于截止状态,如图4.71所示。 然后在黑表笔与阳极A保持接触的同时,用它的笔尖接触一下控制极G(将A极与G极短接一下),给控制极加上正触发电压,表针的偏转角度应明显变大,表明晶闸管导通,如图4.72所示。若表针不摆动,
说明晶闸管断路损坏。 如图4.73所示,在G极脱开与A极的接触后,表针仍然能一直保持偏转,说明晶闸管去掉触发电压后仍然能够保持导通状态,功能正常,可以使用。 注意:有些晶闸管因维持电流较大,万用表的测试电流小于它的维持电流,当黑表笔与控制极G与脱开后,晶闸管不能维持导通状态,表针会回到∞(无穷大)位置,也属于正常。
用指针式万用表检测双向晶闸管 下面介绍利用万用表R×1挡判定双向晶闸管电极并检查其触发能力的方法。 1.判断双向晶闸管的电极 由双向晶闸管内部结构图4.74可知,双向晶闸管的控制极G与主电极T1相距很近,与主电极T2相距较远,而且其间有多个反向相连的PN结间隔。 因此,双向晶闸管的控制极G与主电极T1之间的正、反向电阻都很小,而主电极T2与控制极G、主电极T2与主电极T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明,若测出某一只引脚与其他两只引脚都不通,则这一只引脚肯定是主电极T2。 测试时将万用表置于R×1挡,测量双向晶闸管各引脚之间的电阻值,找到一只与其余两引脚均不通的引脚,这只引脚就是主电极T2。 对于采用TO-220封装的双向晶闸管,主电极T2通常是与散热片连通的,根据这个特点也能判断出主电极T2是中间一只引脚,如图4.75所示。
怎样用万用表测量可控硅的好坏
怎样用万用表测量可控硅的好坏 单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。 单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 1、可控硅测量方法_单、双向可控硅的判别： 先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A 极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 2、可控硅测量方法_性能的差别： 将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。 对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不熄灭，否则说明可控硅损坏。 对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不熄灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。